JP2011171646A - カラー用固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10上に形成された回路部30と、回路部30上に配置された下部電極層25と、下部電極層25上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜24と、化合物半導体薄膜24上に配置された透明電極層26と、透明電極層26上に配置された可視光フィルタ44R、44G、44Bとを備え、下部電極層25、化合物半導体薄膜24、および透明電極層26は、回路部30上に順次積層されると共に、可視光フィルタ44R、44G、44Bの下方の化合物半導体薄膜24の膜厚を薄層化して、可視光のみを吸収するカラー用固体撮像装置。
【選択図】図2
Description
(平面パターン構成)
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置の模式的全体平面パターン構成は、図1に示すように、パッケージ基板1と、パッケージ基板1上の周辺部に配置された複数のボンディングパッド2と、ボンディングパッド2とボンディングパッド接続部4によって接続され、かつカラー用固体撮像装置の画素5上に配置された透明電極層26とカラー用固体撮像装置の周辺部において接続されるアルミニウム電極層3とを備える。すなわち、透明電極層26の端部領域をアルミニウム電極層3が被覆していて、かつアルミニウム電極層3は、ボンディングパッド接続部4によって1つのボンディングパッド2に接続されている。また、図1の拡大された点線内に示されるように、画素5は、微細なマトリックス状に配置されている。また、図1の例では各画素5には、透明電極層26上に、R(Red: 赤)用、G(Green: 緑)用、B(Blue: 青)用の可視光フィルタが、所定の規則性をもって配置されている。尚、図1の例では、R用、G用、B用の可視光フィルタをベイヤ−(Bayer)パターンで配置する例が示されているが、可視光フィルタに隣接して、赤外光フィルタを配置しても良い。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置の概略の断面構造は、図2に示すように、半導体基板10上に形成された回路部30と、回路部30上に配置された光電変換部28を備える。
第1の実施の形態の変形例に係るカラー用固体撮像装置の模式的断面構造は、図3に示すように表される。図3は、化合物半導体薄膜24が薄層化されたR,G,B用の画素領域部分の拡大図であり、図示は省略されているが、図2と同様に、隣接して相対的に厚い膜厚の化合物半導体薄膜24を有するIR用の画素が配置されている。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置に適用するカラーフィルタの配列例は、図4(a)に示すように、R用およびB用フィルタに対して、G用フィルタを2倍配列したベイヤーパターンである。また、図4(b)に示すように、R用、G用、およびB用フィルタに対して、さらにIR用フィルタを配置しても良い。このようなフィルタの配列方法は、図4(a)、図4(b)に示される正方格子配列に限定されるものではなく、例えば、ハニカム配列を採用しても良い。カラーフィルタには、例えば、顔料をベースとしたカラーレジスト、ナノインプリント技術を用いて形成した透過型レジスト、或いはゼラチン膜などが適当可能である。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置においては、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜(Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1))24の膜厚を制御することによって、量子効率を制御することができる。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置においては、光吸収層として機能するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜(Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1))24のバンドギャップエネルギーの値を制御することによっても、量子効率を制御することができる。すなわち、化合物半導体薄膜24のバンドギャップエネルギーEgを制御することによって、所定の量子効率の得られる波長範囲を制御することができるため、例えば、波長範囲を可視光に設定し、近赤外光を吸収しないようにすることもできる。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置において、化合物半導体薄膜(Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1))24のGa含有率(Ga/III族比の値)をパラメータとする量子効率の波長依存性は、図9に示すように表される。Ga含有率は、Ga/(Ga+In)で表される。Ga含有率の値を0、0.4、0.6、1.0と増加することによって、化合物半導体薄膜(Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1))24のバンドギャップエネルギーEgの値を増加することができるため、結果として、図9に示すように、所定の量子効率の得られる波長範囲を狭めることができる。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置において、化合物半導体薄膜(Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1))24のCu含有率(Cu/III族比の値)をパラメータとする量子効率の波長依存性は、図10に示すように表される。Cu含有率は、Cu/(Ga+In)で表される。Cu含有率の値を0.93、0.75、0.63、0.50と減少することによって、化合物半導体薄膜(Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1))24のバンドギャップエネルギーEgの値を増加することができるため、結果として、図10に示すように、所定の量子効率の得られる波長範囲を狭めることができる。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置の第1の製造方法は、図12〜図18に示すように表される。第1の製造方法においては、化合物半導体薄膜24に段差構造を形成するために、予め、層間絶縁膜20に段差構造を形成している。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置の第2の製造方法は、図19〜図23に示すように表される。第2の製造方法においては、化合物半導体薄膜24に直接段差構造を形成している。
光吸収層として機能する化合物半導体薄膜は、物理的気相堆積(PVD:Physical Vapor Deposition)法と呼ばれる真空蒸着法やスパッタ法、あるいは分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法によって、回路部30が形成された半導体基板10やガラス基板上に、形成可能である。ここで、PVD法とは、真空中で蒸発させた原材料を堆積させて、成膜する方法をいうものとする。
第1の実施の形態に係るカラー用固体撮像装置の光電変換部28は、図24(a)に示すように、下部電極層25と、下部電極層25上に配置された化合物半導体薄膜24と、化合物半導体薄膜24上に配置されたバッファ層36と、バッファ層36上に配置された半絶縁層(iZnO層)261と、半絶縁層(iZnO層)261上に設けられる上部電極層(nZnO層)262とを備える。
上記のように、第1およびその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
2…ボンディングパッド
3…アルミニウム電極層
4…ボンディングパッド接続部
5…画素
10…半導体基板
12…ソース・ドレイン拡散層
14…ゲート絶縁膜
16…ゲート電極
17…VIA0電極
18…配線層
20、40…層間絶縁膜
22,23…VIA1電極
24…化合物半導体薄膜(CIGS膜)
25…下部電極層
26…透明電極層
28…光電変換部
30…回路部
32…VIA電極
34…素子分離領域
36…バッファ層
44…フィルタ
44R、44G、44B…可視光フィルタ
44I…赤外光フィルタ
45…クリアフィルタ
48…マイクロレンズ
120…垂直走査回路
140…水平走査回路
160…読出し回路
241…p型CIGS層
242…i型CIGS層(高抵抗層)
261…半絶縁層(iZnO層)
262…上部電極層(nZnO層)
WLi(i=1〜m:mは整数)…ワード線
BLj(j=1〜n:nは整数)…ビット線
Claims (20)
- 基板上に形成された回路部と、
前記回路部上に配置された下部電極層と、
前記下部電極層上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜と、
前記化合物半導体薄膜上に配置された透明電極層と、
前記透明電極層上に配置されたフィルタと
を備え、前記下部電極層、前記化合物半導体薄膜、および前記透明電極層は、前記回路部上に順次積層されると共に、前記フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜の膜厚を薄層化して、可視光のみを吸収することを特徴とするカラー用固体撮像装置。 - 前記透明電極層上に配置された赤外光フィルタを備え、前記フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜の膜厚を、前記赤外光フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜の膜厚よりも薄層化して、前記赤外光フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜は赤外光のみを吸収することを特徴とする請求項1に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを制御することにより近赤外の光を吸収しないようにしたことを特徴とする請求項1または2に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のGa含有率を増加させることによって、前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを増加させることを特徴とする請求項3に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のCu含有率を減少させることによって、前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを増加させることを特徴とする請求項3に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のIn含有率を減少させることによって、前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを増加させることを特徴とする請求項3に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記回路部は、前記下部電極層がゲートに接続されたトランジスタを備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記回路部は、前記下部電極層がソース,若しくはドレインに接続されたトランジスタを備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜は、Cu(InX,Ga1-X)Se2(0≦X≦1)で形成されることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記透明電極層は、前記化合物半導体薄膜上に設けられるノンドープのZnO膜と、前記ノンドープのZnO膜上に設けられるn型のZnO膜とを備えることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜は、表面に高抵抗層を有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記Ga含有率は、0.4〜1.0であることを特徴とする請求項4に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記Cu含有率は、0.5〜1.0であることを特徴とする請求項5に記載のカラー用固体撮像装置。
- 行方向に配置された複数のワード線WLi(i=1〜m:mは整数)と、
列方向に配置された複数のビット線BLj(j=1〜n:nは整数)と、
下部電極層と、前記下部電極層上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜と、前記化合物半導体薄膜上に配置された透明電極層とを有するフォトダイオードと、
前記透明電極層上に配置されたフィルタと、
前記複数のワード線WLiと前記複数のビット線BLjの交差部に配置された画素と
を備え、前記下部電極層、前記化合物半導体薄膜、および前記透明電極層は、前記回路部上に順次積層されると共に、前記フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜の膜厚を薄層化して、可視光のみを吸収することを特徴とするカラー用固体撮像装置。 - 前記透明電極層上に配置された赤外光フィルタを備え、前記フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜の膜厚を、前記赤外光フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜の膜厚よりも薄層化して、前記赤外光フィルタの下方の前記化合物半導体薄膜は赤外光のみを吸収することを特徴とする請求項14に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを制御することにより近赤外の光を吸収しないようにしたことを特徴とする請求項14または15に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のGa含有率を増加させることによって、前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを増加させることを特徴とする請求項16に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記化合物半導体薄膜のCu含有率を減少させることによって、前記化合物半導体薄膜のバンドギャップエネルギーを増加させることを特徴とする請求項16に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記複数のワード線WLiに接続された垂直走査回路と、前記複数のビット線BLjに接続された読み出し回路と、前記読み出し回路に接続された水平走査回路とをさらに備えることを特徴とする請求項13〜17のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
- 前記画素は、ゲートを前記ワード線WLi(i=1〜m:mは整数)に接続され、ドレインを前記ビット線BLj(j=1〜n:nは整数)に接続された選択用トランジスタを備えることを特徴とする請求項14〜19のいずれか1項に記載のカラー用固体撮像装置。
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