JP2015073070A - 光電変換層の隔壁を有する撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
101 半導体基板
103、103A、103B、103C フォトダイオード
105 誘電体層
107 金属層
109 ビア
110 多層配線構造
111 電極層
111A、111B、111C 電極
113 光電変換層
113A、113B、113C 光電変換層の領域
115 絶縁隔壁
117 電気的相互接続層
119 平坦化層
121 カラーフィルターアレイ
121R、121G、および121B カラーフィルター部分
123 マイクロレンズ構造
123A、123B、123C マイクロレンズ
A、B、C 画素
125 入射光
Claims (10)
- 第1のフォトダイオードと第2のフォトダイオードが上部に形成された基板と、
前記基板上に配置された第1の領域と第2の領域を含む光電変換層と、
前記光電変換層の前記第1の領域と前記第2の領域との間に配置された絶縁隔壁と、
前記光電変換層の前記第1の領域の下方に配置された第1の電極、および前記第2の領域の下方に配置された第2の電極と、
前記光電変換層上に配置された電気的相互接続と、
を含む撮像装置。 - 前記絶縁隔壁の材料は、0.01より低い誘電率を有する低誘電率材料を含む請求項1に記載の撮像装置。
- 前記絶縁隔壁の材料は、前記光電変換層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率材料を含み、前記絶縁隔壁は、前記光電変換層に入射する入射光に対して全反射構造を構成する請求項1に記載の撮像装置。
- 前記光電変換層は、第1の面と前記第1の面と相対する第2の面を有し、入射光は、前記第1の面から前記光電変換層に入射し、前記第1の電極と前記第2の電極は、前記光電変換層の前記第2の面と接触している請求項1〜3のいずれかに記載の撮像装置。
- 前記光電変換層の前記第1の領域と前記第2の領域に配置された前記電気的相互接続の部分は、共に電気的に接続されて共通電極を形成し、第1の電圧は、前記電気的相互接続に印加され、第2の電圧は、前記第1の電極と前記第2の電極に印加され、前記第1の電圧は前記第2の電圧より低い請求項1〜4のいずれかに記載の撮像装置。
- 前記光電変換層は、入射光によって照射されて電子−正孔ペアを生成し、前記光電変換層の前記電子は、前記第1の電極と前記第2の電極によって捕捉され、前記光電変換層の前記第1の領域の電子は、前記光電変換層の前記第2の領域を超えないように、前記絶縁隔壁によってブロックされる請求項5に記載の撮像装置。
- 前記基板と前記光電変換層との間に配置された多層配線構造を更に含み、前記多層配線構造は、複数の金属層、複数の誘電体層、複数の金属間誘電体層、および保護層を含み、前記第1の電極と前記第2の電極は、前記多層配線構造に配置される請求項6に記載の撮像装置。
- 前記第1の電極によって捕捉された前記電子は、前記多層配線構造によって前記第1のフォトダイオードに伝送され、前記第2の電極によって捕捉された前記電子は、前記多層配線構造によって前記第2のフォトダイオードに伝送される請求項7に記載の撮像装置。
- 前記光電変換層の前記第1の領域は、前記第1のフォトダイオードに対応し、前記光電変換層の前記第2の領域は、前記第2のフォトダイオードに対応する請求項1〜8のいずれかに記載の撮像装置。
- 前記電気的相互接続上に配置されたカラーフィルターと、
前記電気的相互接続と前記カラーフィルターとの間に配置された平坦化層と、
前記カラーフィルター上に配置されたマイクロレンズ構造と、
を更に含む請求項1〜9のいずれかに記載の撮像装置。
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