JP2011169715A - 位置検出機構 - Google Patents

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秀典 植松
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Abstract

【課題】本発明は、位置検出機構の検出可能な範囲を拡大するということを目的とするものである。
【解決手段】本発明の位置検出機構は、Y軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、X軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である磁石15と、磁石15とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができるGMR素子13とを備え、磁石15は、GMR素子13に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、磁石15のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はY軸方向がもっとも長く、GMR素子13は、磁石15がY軸方向にΔY移動した際の磁石15からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、GMR素子13は、磁石15をZ軸方向に投影した領域の外部に位置している。
【選択図】図1

Description

本発明は写真機の手ぶれ補正用のレンズなどの変位を検出するための位置検出機構に関する。
変位を検出する機構の一つとして、磁気検出素子を用いたものがあり、これらはポインティングデバイスや写真機の手ぶれ補正システムなどに用いられる。このような磁気検出素子には、ホール素子などが用いられる。
ホール素子は、ホール効果により磁気を検出するもので、元々の電流方向に対し直角方向の磁気を受けると、電流方向および磁気方向の両方に直角な方向へローレンツ力を受け、この方向に電圧を生じるものである。したがって、ホール素子は、入力側の電流方向および、出力側の電流方向の両方に直角な方向の磁気に対し感知するものであり、1軸方向の磁気を検知することができるものである。また、ホール素子は、磁気の方向が逆になるとローレンツ力の方向も逆になることから、磁気の極性に応じた出力を行うことができるものである。
ホール素子を用いた手ブレ補正システムが記載されたものとして特許文献1がある。以下、特許文献1に代表される従来技術における位置検出機構の検出原理について、図面を用いて説明する。
図8は従来技術における位置検出機構の主要部の斜視図、図9は従来技術における位置検出機構の主要部の正面図、図10は従来技術における位置検出機構の主要部の側面図、図11は従来技術における位置検出機構の主要部の平面図である。
図8〜図11において、XY平面に平行な板状の固定プレート1に、Z軸方向をコイルの軸とする駆動コイル2と、ホール素子3を取り付ける。移動ステージ4はZ軸方向で固定プレート1と対向するように配置され、X軸とY軸の2軸方向へ移動可能になっている。磁石5は、移動ステージ4に取り付けられており、Z軸正方向をN極とし負方向をS極とする磁石片5aと、これとは逆方向の磁極を有する磁石片5bとをX軸方向に並べたものからなる。ここで、移動ステージ4のX軸方向の移動は駆動コイル2に電流を流すことにより行われる。
ホール素子3は、Z軸方向の磁気に対し感知するように取り付けられており、磁石5のZ軸の負の方向に位置している。図10に示すように、磁石5のX軸方向の中央、即ち、磁石片5aと磁石片5bとの接合部にホール素子3が位置するときには、ホール素子3を貫く磁束はX軸方向を向いており、Z軸方向の成分がないから、ホール素子3はこれを感知することができない。磁石5がX軸の正方向へ移動すると磁石片5bのN極からのZ軸の負方向であってX軸の正方向の磁束がホール素子3を貫くことになる。この時のZ軸成分の磁束によりホール素子3は所定の出力をする。逆に磁石5がX軸の負方向へ移動した場合もホール素子3は所定の出力をする。ここで、磁石5がX軸の正方向へ移動した場合と負方向へ移動した場合におけるホール素子3を貫く磁束のZ軸成分はそれぞれ逆方向であり、ホール素子3は磁極の判別もできるから、ホール素子3によってX軸方向の位置検出をすることが可能となる。
一方、磁石5がY軸方向へ移動した場合には、ホール素子3を貫く磁束の方向や大きさに変化はないため、移動ステージ4がX軸とY軸の2軸方向へ移動が可能であってもホール素子3はX軸方向の位置を検出することができる。
この図8〜図11に示した駆動コイル2、ホール素子3および磁石5の一組をZ軸周りに90°回転させたものを用いることで、移動ステージ4をY軸方向へ移動させることができるようになり、さらにY軸方向の位置検出も可能となる。
この様にして、移動ステージ4のX軸とY軸の2軸方向の位置を検出することができる。
特開2009−128377号公報
近年、磁気による位置検出装置は、その検出範囲の更なる拡大を求められている。しかし、上記従来の位置検出機構は、検出可能な範囲が狭く、検出範囲の拡大が困難であった。以下、これについて説明する。
図10において、移動ステージ4をX軸負方向に移動させると、ホール素子3を貫く磁束の方向が、徐々に垂直方向になり、これに伴い、ホール素子3の出力電圧の絶対値も徐々に上昇する。そして、磁石片5aのX軸方向における略中央部がホール素子3とX軸方向で同じ位置になると、ホール素子3を貫く磁束はZ軸方向成分のみになり、この時のホール素子3の出力は最大となる。さらにX軸の正方向へ移動ステージ4を移動させると、再びホール素子3を貫く磁束は斜め方向になり、ホール素子3の出力は減少してしまう。従って、X軸の正方向へは磁石片5aの略中央部までの位置しか検出できない。X軸の負方向の場合も同様である。
ここで、磁石片5aのX軸方向の幅を長くすれば、検出可能な範囲が拡大するようにも思える。しかし、磁石片5aの幅を広くしても、ホール素子3を貫く磁束が実質的にZ軸方向成分のみである領域が増加してしまい、検出可能な範囲はあまり拡大しない。
本発明は上記従来の課題を解決するもので、位置検出機構の検出可能な範囲を拡大するというものである。
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を有している。
請求項1に記載の発明は、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸におけるY軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、X軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である磁石と、前記磁石とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができる磁気検出素子とを備え、前記磁石は、前記磁気検出素子に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、前記磁石のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はY軸方向がもっとも長く、前記磁気検出素子は、前記磁石がY軸方向にΔY移動した際の前記磁石からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、前記磁気検出素子は、前記磁石をZ軸方向に投影した領域の外部に位置しているものである。
請求項1に記載の発明は、上記構成により、X軸方向における磁石の位置の検出が可能となり、さらに、その検出範囲を広くすることができるという作用効果を有する。
請求項2に記載の発明は、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸におけるY軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、X軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である第1の磁石と、前記第1の磁石とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができる第1の磁気検出素子と、X軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、Y軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である第2の磁石と、前記第2の磁石とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができる第2の磁気検出素子とを備え、前記第1の磁石は、前記第1の磁気検出素子に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、前記第2の磁石は、前記第2の磁気検出素子に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、前記第1の磁石と前記第2の磁石の相対的な位置関係は固定され、前記第1の磁気検出素子と前記第2の磁気検出素子の相対的な位置関係は固定され、前記第1の磁石のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はY軸方向がもっとも長く、前記第1の磁気検出素子は、前記第1の磁石がY軸方向にΔY移動した際の前記第1の磁石からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、前記第1の磁気検出素子は、前記第1の磁石をZ軸方向に投影した領域の外部に位置し、前記第2の磁石のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はX軸方向がもっとも長く、前記第2の磁気検出素子は、前記第2の磁石がX軸方向にΔX移動した際の前記第2の磁石からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、前記第2の磁気検出素子は、前記第1の磁石をZ軸方向に投影した領域の外部に位置しているものである。
請求項2に記載の発明は、上記の構成により、第1の磁石および第2の磁石のX方向およびY方向の位置を検出することができ、さらに、第1の磁気検出素子および第2の磁気検出素子が磁気飽和しない程度に第1の磁石および第2の磁石の磁気を強め、第1の磁石のY軸方向を長く、第2の磁石のX軸方向を長くすることで、その検出範囲を広くすることができるという作用効果を有する。
請求項3に記載の発明は、特に、前記磁石とZ軸方向で間隔を空けて対向するように板状のヨークを設け、前記ヨークは前記磁石を投影した領域からX軸方向にずれた位置に切欠部を有し、前記磁気検出素子は前記切欠部に配置されており、前記磁気検出素子は巨大磁気抵抗効果素子であるものである。
請求項3に記載の発明は、上記構成によって、ヨークの存在により巨大磁気抵抗効果素子である磁気検出素子を、その検知方向であるX軸方向およびY軸方向で貫く磁束密度が増加するため、さらに、検出範囲を増加させることができるという作用効果を有する。
請求項4に記載の発明は、特に、前記第1の磁石とZ軸方向で間隔を空けて対向するように板状の第1のヨークを設け、前記第1のヨークは前記第1の磁石を投影した領域からX軸方向にずれた位置に第1の切欠部を有し、前記第1の磁気検出素子は前記第1の切欠部に配置されており、前記第1の磁気検出素子は巨大磁気抵抗効果素子であり、前記第2の磁石とZ軸の方向で間隔を空けて対向するように板状の第2のヨークを設け、前記第2のヨークは第2の磁石を投影した領域からY軸方向にずれた位置に第2の切欠部を有し、前記第2の磁気検出素子は前記第2の切欠部に配置されており、前記第2の磁気検出素子は巨大磁気抵抗効果素子であるものである。
請求項4に記載の発明は、上記構成によって、ヨークの存在により巨大磁気抵抗効果素子である磁気検出素子を、その検知方向であるX軸方向およびY軸方向で貫く磁束密度が増加するため、さらに、検出範囲を増加させることができるという作用効果を有する。
以上のように本発明の位置検出機構は、検出することができる範囲を広くすることが可能になるという効果を有するものである。
本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の斜視図 本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の正面図 本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の側面図 本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の平面図 本発明の実施の形態2における位置検出機構の模式図 本発明の実施の形態2における位置検出機構の主要部の平面図 本発明の実施の形態3における位置検出機構の主要部の斜視図 従来技術における位置検出機構の主要部の斜視図 従来技術における位置検出機構の主要部の正面図 従来技術における位置検出機構の主要部の側面図 従来技術における位置検出機構の主要部の平面図
(実施の形態1)
以下、実施の形態を1用いて、特に、請求項1に記載の発明について説明する。
図1は本発明の実施の形態1おける位置検出機構の主要部の斜視図、図2は本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の正面図、図3は本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の側面図、図4は本発明の実施の形態1における位置検出機構の主要部の平面図である。
図1〜図4において、XY平面に対して平行に板状の第1のプレート11が配置されている。第1のプレート11上には駆動コイル12と、磁気検出素子としてのGMR素子13が設けられている。駆動コイル12は導体線をコイル状に券回したもので、そのコイルの軸はZ軸に平行になるようにしている。従って、駆動コイル12に電流を流すと、Z軸方向に磁極を有するように磁気を発生する。GMR素子13は、XY平面と平行な方向を感知方向として配置されている。ここで「GMR」とは「Giant Magneto Resistive effect」の省略語であり、「巨大磁気抵抗効果」と訳されているものである。GMR素子13は、この巨大磁気抵抗効果を用いた磁気検出素子のことである。なお、図1〜4において、駆動コイル12およびGMR素子13の第1のプレート11への具体的な固定方法は省略して示している。
第2のプレート14はXY平面に対して平行に配置された板状の形状を有し、第1のプレート11に対し、X軸方向およびY軸方向に移動可能である。磁石15は第2のプレート14に設けられている。従って、磁石15は、GMR素子13に対してX軸方向およびY軸方向に移動可能となる。
磁石15は図3に示すようにX軸方向に並べた磁石片15aと磁石片15bとからなるものである。磁石片15aは、その下面、即ちZ軸負の方向の面がN極、これと対向する上面、即ちZ軸正方向の面がS極になっている。また、磁石片15bは、そのZ軸方向の下面がS極、これと対向するZ軸方向の上面がN極になっている。磁石片15aと磁石片15bとの極性は、互いに逆方向になっていなければならないが、図3に示すN極とS極とを逆にしてもよい。磁石15のX軸方向の一方の端面である磁石片15aのX軸正方向の端面における磁力線はZ軸の負方向にS極からN極への向きであるが、磁石15のX軸方向の他方の端面である磁石片15bのX軸負方向の端面における磁力線はZ軸の正方向にS極からN極への向きであり、互いに逆方向である。また、磁石15は、Y軸方向に垂直ないずれの断面においても、磁極の向きは同じである。また、磁石15は直方体形状であるが、Y軸方向の長さが、X軸方向の長さおよびZ軸方向の長さよりも長いものとなっている。磁石15はこのような構成であるので、磁石15のY軸方向の中央部付近の磁界は、Y軸方向に位置をずらしても磁気の状態の変化が少ない領域が広くなる。即ち、Y軸方向へのみΔYずれた位置の磁束密度の変化ΔBが0若しくは実用上0として扱ってもよい領域は広くなっている。これにより、Y軸方向へ第2のプレート14が移動しても、GMR素子13の出力が変化しない、あるいは変化しても無視できる程度の変化に抑えることができる。一般的な使用方法では、ΔB=±5%以内であれば実用上0として扱ってもよい。勿論、高精度の検出を目的とする場合には、さらに小さな値にすることが必要で、例えば±3%以内や、±1%以内が必要になる。
一方、この同じ場所で、X軸方向へ位置をずらした場合には、磁石15から離れる、あるいは磁石15へ近づくことになるので、磁束密度が変化する。ここで、GMR素子13を貫く磁束は磁石15との位置関係でXY平面に平行な成分を有しているから、GMR素子13はこの磁束密度の変化を検知することができる。従って、GMR素子13は第1のプレート11のX軸方向の位置を検出することができる。
このように、XY平面に平行な磁気を検知することができるGMR素子13を用いても、Y軸方向への第2のプレート14の移動によるXY平面方向成分の磁束密度の変化が、実用上無視できる程度の範囲において、第2のプレート14のY軸方向への移動に関わらず、X軸方向の移動の検出をすることができる。
また、第2のプレート14は、磁石15と駆動コイル12との関係で移動させることができる。駆動コイル12に電流を流すことにより、例えば、駆動コイル12のZ軸正方向をN極とすると、磁石片15aのN極が駆動コイル12から離れようとする力と、磁石片15bのS極が駆動コイル12に近づこうとする力が発生する。これにより、第2のプレート14はX軸正方向へ移動することになる。駆動コイル12に流す電流を逆向きにするとX軸負方向へ移動する。
なお、実施の形態1においては、第2のプレート14の具体的な取り付け方法等は特許文献1をはじめとする公知技術を用いれば良い。
また、実施の形態1において、GMR素子13が取り付けられた第1のプレート11を固定側にし、磁石15が取り付けられた第2のプレート14を移動する側にしたが、固定側と移動側を逆にしてもよいし、双方とも移動する構成であってもよい。いずれの場合であっても、GMR素子13と磁石15とが、相対的にX軸方向およびY軸方向の2軸方向に移動していても、X軸方向の相対的な位置を求めることができる。
さらに、必要に応じてヨークを用いてもよい。ヨークの配置としては、例えば、表面に絶縁処理を施した上で第1のプレート11を磁性体で形成して、これをヨークとしてもよい。または、第1のプレート11とは別に板状のヨークを配置させてもよい。
(実施の形態2)
以下、実施の形態2を用いて、特に、請求項2に記載の発明について説明する。
図5は本発明の実施の形態2における位置検出機構の模式図、図6は本発明の実施の形態2における位置検出機構の主要部の平面図である。
実施の形態2における位置検出機構は、実施の形態1における位置検出機構を応用したものである。具体的には、実施の形態1における位置検出機構と同様にX軸方向の位置を検出する構成のものと、これを90°回転させてY軸方向の位置を検出する構成のものを使用し、X軸方向の位置と、Y軸方向の位置の両方の検出を可能にしたものである。
固定プレート21はXY平面に平行な板状の部分を有するものであり、第1の案内シャフト22と第2の案内シャフト23とを保持している。第1の案内シャフト22および第2の案内シャフト23は共にX軸方向に軸を有する円柱形状のものであり、互いに平行に配置されている。X軸ステージ24は、第1の案内シャフト22に対しX軸方向に移動可能なように嵌合し、第2の案内シャフト23とは第1の案内シャフト22を軸として回転しないように係合している。これによりX軸ステージ24は、X軸方向のみに移動可能になっている。
X軸ステージ24は第3の案内シャフト25と第4の案内シャフト(図示せず)を保持している。第3の案内シャフト25と第4の案内シャフト(図示せず)は、共にY軸方向に軸を有する円柱形状のものであり、互いに平行に配置されている。Y軸ステージ26は、第3の案内シャフト25に対しY軸方向に移動可能なように嵌合し、第4の案内シャフト(図示せず)とは第3の案内シャフト25を軸として回転しないように係合している。これによりY軸ステージ26は、X軸ステージ24に対しては相対的にY軸方向のみに移動可能になっており、固定プレート21に対しては、X軸およびY軸の2軸方向に移動可能になっている。
固定プレート21には、第1の駆動コイル27および第1のGMR素子28が、Y軸ステージ26には第1の磁石29が配置されている。これらは、それぞれ、実施の形態1の駆動コイル12、GMR素子13、第2のプレート14および磁石15に該当するものである。第1のGMR素子28はY軸ステージ26のX軸方向の位置を検出することができる。
また、固定プレート21には第2の駆動コイル30、第2のGMR素子31および第2の磁石32も配置されている。これらは、それぞれ、実施の形態1の駆動コイル12、GMR素子13、第2のプレート14および磁石15に該当するものをZ軸正方向から見て反時計回りに90°回転させたものである。従って、第2のGMR素子31はY軸ステージ26のY軸方向の位置を検出することができる。
なお、Y軸ステージ26のX軸方向への移動は、第1の駆動コイル27と第1の磁石29との磁力により行われ、Y軸方向への移動は、第2の駆動コイル30と第2の磁石32との磁力により行われる。
以上の構成によっても、実施の形態1と同様にX軸方向の位置と、さらにY軸方向の位置の検出が可能となる。
また、X軸方向、Y軸方向の2軸方向の位置の検出とともに、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
ここで、X軸方向の検出範囲については、第1の磁石29がX軸方向に移動した際に第1のGMR素子28が検出可能な範囲であることと、第2の磁石32がX軸方向に移動することによる第2のGMR素子31を貫く磁束の密度の変化が無視できる範囲であることが求められる。
同様に、Y軸方向の検出範囲については、第2の磁石32がY軸方向に移動した際に第2のGMR素子31が検出可能な範囲であることと、第1の磁石29がY軸方向に移動することによる第1のGMR素子28を貫く磁束の密度の変化が無視できる範囲であることが求められる。
なお、実施の形態2における位置検出機構を手ブレ補正用レンズの位置検出機構として用いる際には、レンズはY軸ステージ26に取り付ければよい。また、固定プレート21、X軸ステージ24の略中央部に開口部を設けて、レンズに光が当たるように、或いはレンズを通過した光を遮らないようにする必要がある。
(実施の形態3)
以下、実施の形態3を用いて、特に、請求項3に記載の発明について説明する。
図7は、本発明の実施の形態3における位置検出機構の主要部の斜視図である。図7に示す実施の形態3は、実施の形態1に記載の位置検出機構にヨーク40を配置させたもので、このヨーク40に切欠部40aを形成し、この切欠部40aにGMR素子13を配置させたものである。図7に示している符号において、実施の形態1と同じ符号を付したものは同じ構成要素を示している。
ヨーク40は板状の形状を有し、磁石15とZ軸方向で間隔を空けて対向するように設けられている。また、ヨーク40には切欠部40aが形成されている。この切欠部40aは、ヨーク40のY軸方向の中央部でX軸方向の端部からX軸方向に切り欠くように形成されている。
GMR素子13はヨーク40と同一面内に配置されている。もっとも、GMR素子13とヨーク40とのZ軸方向の厚みは、一般に異なっているので、いずれかがはみ出た位置関係にはなるが、両者のZ軸方向の位置関係は重複するものである。また、GMR素子13は切欠部40aに配置されている。ここで、「配置されている」の意味であるが、GMR素子13のZ軸方向の厚みがヨーク40のそれよりも厚い場合にはGMR素子13が切欠部40aからはみ出ることになるが、本発明においては、このようにはみ出る場合も含む。
このように、XY平面方向に板状のヨーク40を配置することで、GMR素子13を貫く磁気は、Z軸方向成分の磁気よりもXY平面方向の成分の磁気が支配的になるので、よりX軸方向の移動の検出が、効率的に行うことができる。従って、磁石15の小型化や、よりX軸方向へ移動した場合にも検出が可能になることから検出範囲の拡大ということが可能になる。
切欠部40aの形状は、X軸方向の切欠き深さを2mm、Y軸方向の切欠き長さを6mmにしている。この形状でX軸方向へは、切欠部40aの奥側端部、即ち図7における切欠部40aのX軸負方向の端部からX軸正方向へ0.4mmの位置から1.4mmの位置までの1mmの間にGMR素子13を配置すると有効な検出ができた。また、Y軸方向に関しては、Y軸方向の切欠き長さの中心部に対して、Y軸方向に±0.5mm間の1mmの間に配置させると、1mmの実用上磁束密度の変化を無視できる領域を確保することができた。
本実地の形態では、切欠部40aのX軸方向の切欠き深さとY軸方向の切欠き長さとの比を1:3にしている。X軸方向の切欠き深さが深いと駆動コイル12により磁石15を移動させる力が減少してしまう。また、X軸方向の切欠き深さが浅いと切欠きを設ける効果が減少してしまう。一方、Y軸方向の切欠き長さが長いと、駆動コイル12による磁石15を移動させる力が減少してしまい、短いとGMR素子13を配置させるY軸方向の位置が限られてしまう。これは、切欠部40aのY軸方向の端部の近傍においては、GMR素子13の存在に影響を受けてヨーク40からの磁力線が回り込むなど磁力線が安定しない場合があるため、ある程度ヨーク40のY軸方向の端部から離した場所に配置させる必要があるためである。
実施の形態3における構成は、実施の形態2の位置検出機構にも適用できる。その際には、第1の磁石29とZ軸方向で間隔を空けて対向する第1のヨークを配置し、この第1のヨークに第1の切欠部を形成し、この第1の切欠部に第1のGMR素子28を配置させ、同様に、第2の磁石32とZ軸方向で間隔を空けて対向する第2のヨークを配置し、この第2のヨークに第2の切欠部を形成し、この第1の切欠部に第2のGMR素子31を配置させればよい。これにより、X軸、Y軸の2軸方向の位置検出を行うことができる。
なお、実施の形態1〜3において、2つの磁石片を組み合わせて磁石とする構成にしているが、一つの磁石片で磁石とする構成にすることもできる。この場合、検出しようとする座標軸の正方向に一方の磁極を、負方向に他方の磁極となるように配置させればよい。
本発明にかかる位置検出機構は、手ブレ補正用レンズの位置検出機構をはじめとする各種の電子機器に適用することができる。
1 固定プレート
2 駆動コイル
3 ホール素子
4 移動ステージ
5 磁石
5a 磁石片
5b 磁石片
11 第1のプレート
12 駆動コイル
13 GMR素子
14 第2のプレート
15 磁石
15a 磁石片
15b 磁石片
21 固定プレート
22 第1の案内シャフト
23 第2の案内シャフト
24 X軸ステージ
25 第3の案内シャフト
26 Y軸ステージ
27 第1の駆動コイル
28 第1のGMR素子
29 第1の磁石
30 第2の駆動コイル
31 第2のGMR素子
32 第2の磁石
40 ヨーク
40a 切欠部

Claims (4)

  1. 互いに直交するX軸、Y軸、Z軸におけるY軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、X軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である磁石と、
    前記磁石とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができる磁気検出素子とを備え、
    前記磁石は、前記磁気検出素子に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、
    前記磁石のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はY軸方向がもっとも長く、
    前記磁気検出素子は、前記磁石がY軸方向にΔY移動した際の前記磁石からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、
    前記磁気検出素子は、前記磁石をZ軸方向に投影した領域の外部に位置している位置検出機構。
  2. 互いに直交するX軸、Y軸、Z軸におけるY軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、X軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である第1の磁石と、
    前記第1の磁石とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができる第1の磁気検出素子と、
    X軸に垂直な方向の断面における磁化方向が断面位置に寄らず一定であり、Y軸方向の対向する端面における磁力線の方向が互いに反対方向である第2の磁石と、
    前記第2の磁石とZ軸方向で間隔を空けて配置され、XY平面に平行な方向の磁界を感知することができる第2の磁気検出素子とを備え、
    前記第1の磁石は、前記第1の磁気検出素子に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、
    前記第2の磁石は、前記第2の磁気検出素子に対して相対的にX軸方向およびY軸方向に移動可能であり、
    前記第1の磁石と前記第2の磁石の相対的な位置関係は固定され、
    前記第1の磁気検出素子と前記第2の磁気検出素子の相対的な位置関係は固定され、
    前記第1の磁石のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はY軸方向がもっとも長く、
    前記第1の磁気検出素子は、前記第1の磁石がY軸方向にΔY移動した際の前記第1の磁石からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、
    前記第1の磁気検出素子は、前記第1の磁石をZ軸方向に投影した領域の外部に位置し、
    前記第2の磁石のX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向の外形はX軸方向がもっとも長く、
    前記第2の磁気検出素子は、前記第2の磁石がX軸方向にΔX移動した際の前記第2の磁石からの磁束密度の変化ΔBが±5%以内となる位置に位置し、
    前記第2の磁気検出素子は、前記第1の磁石をZ軸方向に投影した領域の外部に位置している位置検出機構。
  3. 前記磁石とZ軸方向で間隔を空けて対向するように板状のヨークを設け、
    前記ヨークは前記磁石を投影した領域からX軸方向にずれた位置に切欠部を有し、
    前記磁気検出素子は前記切欠部に配置されており、
    前記磁気検出素子は巨大磁気抵抗効果素子である請求項1記載の位置検出機構。
  4. 前記第1の磁石とZ軸方向で間隔を空けて対向するように板状の第1のヨークを設け、
    前記第1のヨークは前記第1の磁石を投影した領域からX軸方向にずれた位置に第1の切欠部を有し、
    前記第1の磁気検出素子は前記第1の切欠部に配置されており、
    前記第1の磁気検出素子は巨大磁気抵抗効果素子であり、
    前記第2の磁石とZ軸の方向で間隔を空けて対向するように板状の第2のヨークを設け、
    前記第2のヨークは第2の磁石を投影した領域からY軸方向にずれた位置に第2の切欠部を有し、
    前記第2の磁気検出素子は前記第2の切欠部に配置されており、
    前記第2の磁気検出素子は巨大磁気抵抗効果素子である請求項2記載の位置検出機構。
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