JP2011155091A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】 安定的に高速動作させることができる光モジュールを提供する。
【解決手段】 光モジュールに、送受信用光素子と、前記送受信用光素子を格納したパッケージと、信号用導体パターンとグランド用導体パターンを備え、前記パッケージ内外の電気的な接続を行う多層セラミック基板と、前記パッケージ外に配置され、前記多層セラミック基板の前記信号導体パターンと電気的な接続を行う第２の基板と、前記信号用導体パターンを含む他の導体パターンよりも前記多層セラミック基板のグランド用導体パターンの方が近い位置に、前記セラミック基板の伝搬経路に沿って配置され、前記パッケージを構成する部材の一部に固定される電波吸収体または電波遮蔽体とを備えさせる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光伝送に用いられる光モジュールに関する。
近年、１０Ｇｂｐｓ程度の伝送速度を有する光モジュールに使われるパッケージは、セラミック基板を一部に使用し、セラミック基板の表面または内部に電気信号を伝送する構造となっている。セラミック基板の代表的な材質にアルミナやアルミナイトライド等が知られている。これらは、共に、内部及び表面に高精度に伝送線路を形成することが可能であり、１００〜２００ミクロンΦ程度の細径ビアを設けることも可能である。また誘電損失が０．０１以下と、高周波的に低損失な材料も比較的容易に入手できる。
このような光モジュールの一例が特許文献１及び特許文献２に開示されている。
特許文献１では、積層セラミック基板の表層または、内層の主平面に、高周波信号、電源、グランド等の伝送路がパターニングされている。セラミック基板は積層されており、ある主平面上のパターンと、他の主平面上のパターンは、ビアによって、接続導通されている。パッケージ外部では、このパターン上に、リードピンが取り付けられている。
特許文献２は、パッケージ内部の導体パターンから、外部の導体パターンまで、主にビア導体によって接続されている。
高周波信号を、損失無く伝送するためには、伝送路の特性インピーダンスを一定に保つ必要があり、一般的には、５０オーム近辺になるように設計されている。したがって、高周波信号を伝送するパターンおよびビアの近傍には、グランドパターンもしくはグランドビアが配置された構造となる。
特開２００５−２５２２５１公報 特開２００４−２３５３７９公報
しかしながら、前述の特許文献１および２に開示されている光モジュールでは、以下の問題があった。
（１）セラミック積層基板上の、グランド導体パターンは、数十ミクロン以下の薄膜パターンから構成されており、他の主平面に配されたグランド導体とは、数百ミクロン径のビアによって接続される。そのため、グランド自体の電位が揺らぎ、特定の周波数において共振してしまう。
（２）セラミック積層基板は、主平面上には導体パターンを設けることは可能であるが、側面に導体パターンを設けることは困難である。したがって、セラミック積層基板の側部からは、高周波ノイズが放射されやすい。特に、光通信で使われる光モジュールは、特許文献１、２で示された光モジュールと同様に、セラミック積層基板がモジュール外部に表出している。このようなセラミック積層板側部からは、高周波ノイズが放射されやすく、これらのノイズは、光モジュール外に飛び出し、光トランシーバ内に放出されてしまう。
上記で示したグランドパターンの共振は、パターンの長さや外縁が、１／２×Ｎ×λ（Ｎ：整数、λ：波長）となったときに引き起こされると一般的に言われているが、パターンの形状、シグナルパッド、ビアの位置関係にも依存する。従来の光モジュールでは、これら共振周波数は、大体１０ＧＨｚ以上であった。そのため、１０Ｇｂｐｓ程度の信号伝送では、これらの共振は、特に大きな問題とならなかった。しかしながら、近年、２０Ｇｂｐｓ、さらには４０Ｇｂｐｓ程度の伝送速度に対応した光モジュール、及び光トランシーバが必要となってきており、１０ＧＨｚ以上の高周波域においても、光モジュールからの電磁界放射を防ぐ必要性が出てきた。
このような電磁界放射は、光トランシーバの安定的な高速動作にとってデメリットとなる。
本発明の目的は、安定的に高速動作させることができる光モジュールを提供することにある。
本願は上記目的を達成する手段を複数含むものである。その一例は、特許請求の範囲に記載された発明である。
本発明によれば、安定的に高速動作させることができる光モジュールを提供することができる。
実施例１の光モジュールの構成を示す断面図である。 図１の光モジュールのＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例２の光モジュール構成を示す断面図である。 図３の光モジュールのＢ−Ｂ’切断面に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例３の光モジュール構成を示す断面図である。 実施例３の光モジュール構成を示す断面図である。 実施例４の光モジュール構成を示す断面図である。 図７の光モジュールのＣ−Ｃ’切断面に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例５の光モジュール構成を示す断面図である。 図９の光モジュールのＤ−Ｄ’切断面に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例６の光モジュール構造を示す断面図である。 実施例７の光モジュール構造を示す断面図である。 実施例８の光モジュール構造を示す断面図である。 実施例９の光モジュール構成を示す断面図である。 図１４の光モジュールのＥ−Ｅ’切断面に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例１０の光モジュール構成を示す断面図である。 図１６の光モジュールのＦ−Ｆ’切断面に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例１１の光モジュール構造を示す断面図である。 実施例１１の光モジュール構造を示す断面図である。 実施例１２の光モジュール構成を示す断面図である。 図２０の光モジュールのＧ−Ｇ’切断面に沿った断面構造を示す断面図である。 実施例１３の光モジュール構造を示す断面図である。 計算による本発明の効果検証用の光モジュールを示す斜視図である。 本発明の効果を検証した計算結果を含むグラフである。 本発明の効果を検証した計算結果を含むグラフである。
以下、図面を参照して実施例を詳細に説明するが、本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本願において開示される光モジュールは、パッケージの一部が多層セラミック基板によって構成されており、さらに多層セラミック基板の内部または表層には信号が伝播する導体パターンや接地導体がパターニングされている。これらの光モジュール用のパッケージは、箱型もしくは同軸型形状をしている。なお、導体パターンとは、セラミック基板上にパターニングされたパターンだけでなく、セラミック基板内のパターン、セラミック基板を貫通するビアやスルーホールも含める。またグランド用導体パターンとは、高周波信号が伝播する導体パターンの、特性インピーダンスを保つように、信号導体パターンに近接して配置される導体パターンのことを指し、グランド導体パターンの面積は、高周波信号が伝播する導体パターンの数十倍以上の広さを持つことが多い。また接地導体とは、必ずしも、パッケージ外部を覆う金属や金属パターン、もしくは、光トランシーバの筐体等と導通が取られている必要は無い。
さらに、上記光モジュールでは、多層セラミック基板の導体パターンと、直接または、他の導体を介して、導通がとられる導体パターンを有した第２の基板が取り付けられる。光モジュールとは、この第２の基板、パッケージを含めて指している。
さらに、上記光モジュールでは、多層セラミックの信号導体パターンの少なくとも一部に沿って配置された電波吸収体または電波遮蔽体とを有する。
このような構成を採用した光モジュールは、セラミック基板のグランド用導体パターンに沿って配置された電波吸収体によって、セラミック基板上のグランドパターンが共振することを防ぎ、電磁ノイズの放射を防ぐことが可能となる。また、電波遮蔽体によって、電磁ノイズを光モジュール近傍より放出することを防ぐことが可能となる。
さらに、上記光モジュールでは、電波吸収体や電波遮蔽体がセラミック基板近傍で光モジュールを構成する部材に固定される。そのため、長期使用にわたって、電波吸収体および電波遮蔽体が外れにくいという利点を有する。
以上の構造を利用した光モジュールを適用することで、安定的に高速動作する光トランシーバを提供することが可能となる。
なお、以下の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例１］
図１は、実施例１の光モジュールの構成を示す断面図である。また、便宜的に座標軸を記載し、光信号の入出力方向をＺ軸とした。
光モジュールを構成するパッケージの基材は、積層されたセラミック基板０１０６によって構成されており、材質は、アルミナ、アルミナイトライド、ＬＴＣＣ等が一般的に使用される。セラミック基板０１０６上には光素子０１０３が搭載されている。光素子０１０３上と導体パッド０１０７の電気的結合はワイヤ０１０４によって成されている。光素子０１０３は、発光または受光素子であり、受発光する光信号は、フタ０１０２に固定されたレンズ０１０１を通過する。セラミック基板０１０６上には、金属製のフランジ０１０５が設けられており、その上に、フタ０１０２が固着される。以上により、光素子１０３は、湿気等の外気にさらされることが無く、経時劣化が最小に抑えられている。このほか、セラミック基板０１０６上にはＩＣ、チップコンデンサ、抵抗などの電子素子が搭載されることもある。
セラミック基板０１０６上面の導体パッド０１０７と裏面の導体パッド０１１２とはビア０１１１と内層のパッド０１３０等によって導通接続されている。
フレキシブル基板の基材は、ベースフィルム０１２４上によって構成されており、代表的な材質としてポリイミドや液晶ポリマーなどが知られている。ベースフィルム０１２４の厚さは数十ミクロン〜１００ミクロン程度が一般的である。ベースフィルム０１２４上には、グランド用の導体パターン０１１３や、信号用の導体パターン０１１６がパターニングされている。このほか、電源、モニタ、制御用の信号、電源等のパターンも、ベースフィルム０１２４上にパターニングされる。光素子の電源用のリードピン０１２１は、フレキシブル基板にもうけられたスルーホール０１２３を貫通し、半田０１２０によって導体パッド０１２３に固着されている。ここで、導体パッドとは、特に半田などを固着することを目的とした導体パターンのことであるが、導体パッドと、導体パターンは本質的に同じであり、他実施例でも同様である。さて、信号用のリードピン０１１８は、スルーホール０１１９を貫通し、半田０１１７によって信号用の導体パターン０１１６に固着される。プリント基板０１２７は、光トランシーバを構成する部材であり、ＩＣ，ＬＳＩ、抵抗、コンデンサ等の電子素子が搭載される。プリント基板０１２７には、伝送線路用の導体パターン０１２９やグランド用の導体パターン０１２８のほか、電源、制御等のパターンがパターニングされる。導体パターン０１２９は、半田０１２６によって、フレキシブル基板上のパッド０１１４と固着される。
図２は、図１の線Ａ−Ａ′を含むＸＹ平面で切った断面図である。セラミック基板０１０６上には、グランド用の導体パターン０１１０と、信号用の導体パッド０１３０、電源、制御用導体パッド０１３１がパターニングされている。
実際に、高周波信号がビア０１１１や信号用の導体パッド０１３０を通過すると、ビア０１１１や導体パッド０１３０から近接した導体まで電気力線が出来る。この電気力線の影響を抑え、高周波特性を向上させるため、グランド用の導体パターンを信号配線に近接させる。本実施例でも、図２に示すように、高周波信号の導体パッド０１３０とグランド用導体パターン０１１０は近接している。
ところが、グランド用導体パターン０１１０も、他のグランド配線（例えば導体パターン０１２５）とビアによって接続されているため、数ＧＨｚ以上の高周波では、電位は、必ずしも安定しない。これらの電位揺らぎは、ある特定の周波数で、共振を起こし、ノイズを発生するようになる。この時の放射電磁界は、導体パターン０１１０の形状、長さ等によるが、グランド用導体パターン０１１０の外縁に集中する。そこで、他の導体パッド０１３１よりも、グランド用導体パターン０１１０の外縁部の一部を、セラミック基板０１０６の外縁部に近接させ、グランド用導体パターン０１１０と同じＸＹ平面内に、電波吸収体０１０９を配置し、接着剤０１０８によってセラミック基板１０６によって固定した。つまり、電波吸収体０１０９は、図２に示すように、図１のＡ−Ａ’断面内では、セラミック基板０１０６内のグランド用導体パターン０１１０に沿って、配置されている。これにより、グランド用導体パターン０１１０の外縁に集中した電磁界の共振効率を低減させ、共振を大幅に抑制することが出来る。
電波吸収体０１０９の材質は、フェライト、カーボンから構成された固体であり、例えばプラスチックなどの有機材料にフェライト、カーボンを分散させたものも使われる。また、電波吸収体０１０９は、本実施例のように、接着剤０１０８によってセラミック基板０１０６に直接、固着しても良いが、光トランシーバ内の他部材に固定した電波吸収体０１０９をセラミック基板０１０６に接触するように配置しても良い。
図１に戻って、電波吸収体０１０９の一部は、グランド用導体パターン０１２５よりも距離Ｌ１だけ、−Ｚ軸方向に出ている。これは、電磁界放射がグランド用導体パターン０１２５の外縁に集中するため、−Ｚ軸方向に距離Ｌ１だけ余分に電波吸収体０１０９を出すことで、グランド用導体パターン０１２５の外縁に集中した電磁界の共振効率を低減することが可能となる。すなわち、電波吸収体０１０９の一部は、グランド導体パターン０１２５の主平面と同一平面上に位置することで、共振効率を下げることが出来る。
このように、本実施例によれば、パッケージの一部にセラミックを使用した光モジュールにおいて、共振による放射電磁界が少なくなるという利点を有した光モジュールを提供することができる。
図２３に効果を検証するためにシミュレーションのモデルを示し、図２５、２６に計算結果を示すグラフを示す。
図２３について説明する。直径５．４ｍｍφ、厚み１ｍｍ、の円形セラミック基板２４０６の表面と裏面に導体パターン２４０７がパターニングされている。セラミック基板２４０６の比誘電率は８．５であり、誘電損失は、無視できるほど小さいとした。表裏面の導体パターン２４０７は、接地導体（グランド）であり、シグナルとは、絶縁されている。シグナルパッド２４０５は２パッド設けられているが、これは差動シグナルを伝送することを想定している。表面のシグナル、グランド導体パターンおよびパッドは、ビア２４０８によって裏面のシグナル、グランド導体パターンと接続されている。また表面の導体パターン２４０７上には、フランジ２４０１が取り付けられている。フランジ２４０１は金属でできており、直径６ｍｍφ、厚み０．３ｍｍである。
セラミック基板２４０６裏面のシグナルとグランド導体パッド上には、直径０．２ｍｍφで、長さ１ｍｍのリードピン（図示されず）が取り付けられており、このリードピンは、プリント基板２４０４上の導体パターン２４０３と接続されている。プリント基板２４０４は、比誘電率３．２であり、厚み０．２ｍｍ、信号の伝送長２ｍｍである。
図２４は、電波吸収体２４０２を配置しなかった場合の、周波数０〜３０ＧＨｚにおける、シグナルの伝達ロス（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｏｓｓ）を示したものである。２０ＧＨｚ周辺に、１ｄＢ以上の急峻な伝達ロスが見られる。これは、グランド導体パターン２４０７が共振することで、エネルギーが外部に放射されたことによっておきたものである。
一方、図２５は、電波吸収体２４０２を配置した場合の、シグナルの伝達ロスを示したものである。０〜３０ＧＨｚまで、大きな伝達ロスが見られない。すなわち、外部への電磁エネルギー放射の原因となる、導体パターン２４０７における共振が抑制されているのがわかる。
このように、本実施例によれば、安定的に高速動作する光モジュールを構成することができる。
なお、図１、図２、図２３、図２４及び図２５の符号は次の構成を示している。０１０１はレンズ、０１０２はフタ、０１０３は光素子、０１０４はワイヤ、０１０５はフランジ、０１０６はセラミック基板、０１０７は導体パッド、０１０８は接着剤、０１０９は電波吸収体、０１１０は導体パターン、０１１１はビア、０１１２は導体パッド、０１１３はグランドパターン、０１１４は導体パッド、０１１５はスルーホール、０１１６は導体パターン、０１１７は半田、０１１８はリードピン、０１１９はスルーホール、０１２０は半田、０１２１はリードピン、０１２２はスルーホール、０１２３は導体パッド、０１２４はベースフィルム、０１２５は導体パターン、０１２６は半田、０１２７はプリント基板、０１２８はグランドパターン、０１２９は導体パターン、０１３０は導体パッド、０１３１は導体パッド、２４０１はフランジ、２４０２は電波吸収体、２４０３は導体パターン、２４０４はプリント基板、２４０５はシグナルパッド、２４０６はセラミック基板、２４０７は導体パターン、２４０８はビアである。
［実施例２］
図３は、実施例２の光モジュールの構成を示す断面図である。図４は、図３に示す光モジュールを線Ｂ−Ｂ´を含むＸＹ平面で切った断面である。積層したセラミック基板０３０５の裏面にはグランドの導体パターン０３０６、光素子０３０３電源用の導体パッド０３１８、グランドの導体パターン０３２０、０３２２、信号用の導体パターン０３２１がパターニングされている。なお、導体パッド０３１８、０３２１上には、リードピン０３１２が固定されている。一方、フレキシブル基板を構成するベースフィルム０３０９上には、導体パターン０３０８、０３１９などがパターニングされている。電波吸収体０３０７は、パッケージを構成する積層したセラミック基板０３０５と、フレキシブル基板を構成するベースフィルム０３０９に挟まれている。更に、電波吸収体０３０７に孔０３２３を設け、孔の中にリードピン０３１２を通すことで、電波吸収体０３０７は、光モジュールを長期的に使用している際に、光モジュールから外れてしまうことがないという利点を有している。
セラミック基板０３０５上のグランド導体パターン０３０６と、ベースフィルム０３０８上のグランド導体パターン０３０８は、共に電位が揺らぎ易く、特定周波数で共振を起こしやすい。本光モジュールでは、電波吸収体０３０７が導体パターン０３０６、０３０８に近接さらには接触することで、共振を抑制する効果を有する。
さらに、一般的に共振電磁界は、グランド導体パターンの外縁に局在し易い性質があるため、電波吸収体０３０７の一部は、導体パターン０３０８よりもＹ軸方向に距離Ｌ２だけ伸びて配置し、導体パターン０３０５よりもＹ軸方向に距離Ｌ３だけ伸びて配置することで、共振を抑制する効果が、より大きくなる。すなわち、導体パターン０３０８主平面（ＸＹ平面）の端部から法線方向（Ｚ軸方向）に吸収体０３０７は位置することで、共振抑制に利点を有する。
なお、図３及び図４の符号は次の構成を示している。０３０１はレンズ、０３０２はフタ、０３０３は光素子、０３０４はフランジ、０３０５はセラミック基板、０３０６は導体パターン、０３０７は電波吸収体、０３０８は導体パターン、０３０９はベースフィルム、０３１０は導体パッド、０３１１は半田、０３１２はリードピン、０３１３はスルーホール、０３１４は伝送路パターン、０３１５はグランドパターン、０３１６はスルーホール、０３１７は導体パッド、０３１８は導体パッド、０３１９は導体パターン、０３２０は導体パターン、０３２１は導体パッド、０３２２は導体パターン、０３２３は孔である。
［実施例３］
図５及び図６は、実施例３の光モジュールの構成を示す断面図である。
図５では、電波吸収体０５０３が接着剤０５０２によって、フタ０５０１やフランジ０５０８に取り付けられている。一方、図６では、電波吸収体０５０３が接着剤０５０２によって、ベースフィルム０５０７に取り付けられている。セラミック基板０５１８内にはグランドを成す導体パターン０５０５が有り、導体パターン０５０５の主平面は、ＸＹ平面と平行である。導体パターン０５０５主平面と同一ＸＹ平面上には、電波吸収体０５０３がある。これにより、グランド導体パターン０５０６の外縁に局在した共振電磁界の共振効率が低下しやすいという利点がある。
このように、電波吸収体０５０３は、必ずしもセラミック基板０５１８に取り付けられている必要は無く、光トランシーバ内の他部材に取り付けられていても良い。但し、電波吸収体０５０３は、光トランシーバ内において、セラミック基板０５１８内のグランド導体パターン０５０６に近接していることが重要であり、特に、セラミック基板０５１８に触れるように配されるのが最適である。そのため、電波吸収体の取り付け精度、加工精度は数百ミクロン程度あることを考慮すると、本実施例で示すように、光モジュールの一部材に直接取り付けられているほうがよい。
なお、図５及び図６の符号は次の構成を示している。０５０１はフタ、０５０２は接着剤、０５０３は電波吸収体、０５０４はビア、０５０５は導体パターン、０５０６は導体パッド、０５０７はベースフィルム、０５０８はフランジ、０５０９は導体パターン、０５１０はビア、０５１１は導体パターン、０５１２は半田、０５１３はリードピン、０５１４は導体パッド、０５１５は導体パッド、０５１６は導体パターン、０５１７は導体パターン、０５１８はセラミック基板である。
［実施例４］
図７及び図８は、実施例４の光モジュールの構成を示す断面図である。図７において、ＸＹ平面と平行を成す平面Ｃ−Ｃ´における光モジュール断面を示した図が図８である。広い導体パターン０７０６は接地導体として使われことが一般的であり、面積の狭いパッド０７２８は、信号、電源等に使われる。接地用の導体パターン０７０６の外縁には共振電磁界が発生しやすい。そこで、電波吸収体０７０７は、接地用の導体パターン０７０６と同じＸＹ平面内の側部に位置し、共振電磁界の共振効率を低下するように配置されている。電波吸収体０７０７は、コの字状を成すように切り欠き部が形成されており、特に、開口がセラミック基板０７０８の外径よりも小さくなっている。そのため、電波吸収体０７０７は、セラミック基板０７０８に近接あるいは接触し、ＸＹ軸方向に抜け落ちることが無く、安定して位置すること出来るという利点を有している。
図７に戻って、フランジ０７０５が電波吸収体０７０７内径よりも距離Ｌ５だけ飛び出した構造となっている。またフレキシブル基板を構成するベースフィルム０７１２も電波吸収体０７０７内径よりＬ６だけ飛び出した構造となっている。すなわち、電波吸収体０７０７の多層セラミック基板０７０８に近接している面以外の側部は、光モジュールを構成する部材（ここではベースフィルム０７１２とフランジ０７０５）が近接している。そのため、電波吸収体０７０７はＺ軸方向の自由度が制限されており、セラミック基板０７０８の側方向に位置させることが可能である。そのため、電波吸収体０７０７は、Ｚ軸方向に抜け落ちることが無いという利点を有している。
ところで、この電波吸収体０７０７の固定に際して、光モジュールのパッケージを構成する部材（ここではフランジ０７０５）と、光モジュールのパッケージを構成していない部材（ここではベースフィルム０７１２）で挟み込んだ構造としたことには、大きな利点がある。それは、例え、電波吸収体０７０７のＺ軸方向の幅にばらつきがあっても、ベースフィルム０７１２とリードピン０７０９のＺ軸方向の固定位置を変えることで、電波吸収体０７０７はがたつき少なく固定できるという利点がある。さらに、ベースフィルム０７１２は、可撓性に富んだフレキシブル基板の一材質である。したがって、リードピン０７０９を半田０７１１で固定した時に、電波吸収体０７０７に対し、ベースフィルム０７１２が押圧を持った状態で固定させることが可能となる。すなわち、電波吸収体０７０７は、より一層がたつきが少なく、固定されるというメリットを有する。また、長時間の使用により電波吸収体０７０７が膨張しても、膨張による圧力によって、ベースフィルム０７１２がたわむことで、半田０７１１等が破断されることを防ぐという機能を有している。
この電波吸収体０７０７の固定法は、材質が、電波遮蔽体であっても適用可能である。
一方、ベースフィルム０７１２上には、カバーフィルム０７２６が接着されている。これは導体パターン０７２７が腐食することを防ぐためのものである。カバーフィルム０７２６は普通、せいぜい１００ミクロン以下である。したがって、電波吸収体０７０７が導体パターン０７２７に直接接触することは無いが、電波吸収体０７０７は導体パターン０７２７に十分近接することが可能であり、導体パターン０７２７の電位を揺らがす不用な電磁界を吸収減衰することが可能である。すなわち、電波吸収体０７０７は、カバーフィルム０７２６に接触するように配置されている方が好ましい。
なお、図７及び図８の符号は次の構成を示している。０７０１はレンズ、０７０２はフタ、０７０３は光素子、０７０４はワイヤ、０７０５はフランジ、０７０６は導体パターン、０７０７は電波吸収体、０７０８はセラミック基板、０７０９はリードピン、０７１０は導体パッド、０７１１は半田、０７１２はベースフィルム、０７１３はリードピン、０７１４はスルーホール、０７１５は導体パターン、０７１６は導体パッド、０７１７はビア、０７１８は導体パッド、０７１９は導体パターン、０７２０はスルーホール、０７２１は導体パッド、０７２２は半田、０７２３はプリント基板、０７２４は導体パターン、０７２５はカバーフィルム、０７２６はカバーフィルム、０７２７は導体パターン、０７２８はリードピンである。
［実施例５］
図９及び図１０は、実施例５の光モジュールの構成を示す断面図である。図９において、ＸＹ平面と平行を成す平面Ｄ−Ｄ´における光モジュール断面を示した図が図１０である。
金属枠０８０４は中空を成した枠となっており、中空部にセラミック基板０８１６が位置する。金属枠０８０４は、フランジ０８０３とベースフィルム０８０６に挟まれている。そのため、金属枠０８０４は、ほぼＸＹＺ軸方向の自由度が制限されており、安定固定される。なおフランジ０８０３は、セラミック基板０８１６上の導体パターンに導通固定されている。そして、リードピン０８１１、０８１３が、半田０８１０によって、導体パッド０８０９、０８１２に接着されることで、ベースフィルム０８０６の位置は固定される。無論、本実施例で示した金属枠０８０４の固定方法は、電波吸収体の場合においても適用できる。
接地された導体パターン０８２１の主平面は、ＸＹ平面内にあり、同一のＸＹ平面内に金属枠０８０４が位置する。これにより、接地された導体パターン０８２１上の共振電磁界が放射されても、金属枠０８０４によって遮蔽されるという利点がある。
ところで、フランジ０８０３は金属で出来ており、金属枠０８０４と接触導通している。更に、ベースフィルム０８０６上には接地された導体パターン０８０５が、金属枠０８０４と接触導通している。これにより、例えば、接地された導体パターン０８２１や０８０８が共振を起こし、電磁界放射を起こしても、セラミック基板０８１６側部から放射される電磁界の大分は、金属枠０８０４、フランジ０８０３、導体パターン０８０５によって遮蔽され、光モジュール外側には、放射しづらいという利点がある。
ところで、金属枠０８０４は、セラミック基板０８１６上の接地された導体パターン０８０８と導通が取られるように、形状等が加工されていても良く、その場合、導体パターン０８０５は無くても、セラミック基板０８１６側部からの電磁界遮蔽を少なくすることができる。
なお、図９及び図１０の符号は次の構成を示している。０８０１はフタ、０８０２はレンズ、０８０３はフランジ、０８０４は金属枠、０８０５は導体パターン、０８０６はベースフィルム、０８０７は導体パッド、０８０８は導体パターン、０８０９は導体パッド、０８１０は半田、０８１１はリードピン、０８１２は導体パッド、０８１３はリードピン、０８１４はスルーホール、０８１５は導体パッド、０８１６はセラミック基板、０８１７は導体パッド、０８１８は導体パッド、０８１９はワイヤ、０８２０は光素子、０８２１は導体パッド、０８２２はスルーホールである。
[実施例６]
図１１は、実施例６の光モジュールの構成を示す断面図である。セラミック基板１１０４内には高速信号が伝送されるビア１１０９や導体パッド１１１７が配置されている。また、図示されていないが、光デバイスの電源、バイアス用のビアや導体パッドなども配置されている。高速信号用の導体パッド１１１２上には、リードピン１１０１が接続されている。そしてリードピン１１０１は、半田１１０５によって、プリント基板１１０７上に配された伝送線路用の導体パターン１１０６に導通固定されている。
以上により、電波吸収体１１０２の一部は、フランジ１１０３とプリント基板１１０７に挟まれて位置しており、電波吸収体１１０２がセラミック基板１１０４側部に固定されている。このように、電波吸収体１１０２は、光モジュールを構成する一部の部材と、外部の部材によって挟まれることで、固定されていれば、電波吸収体１１０２の安定した固定は可能である。ただし、この場合、パッケージを構成する部材と外部部材の位置関係が互いに固定される必要があり、たとえば、本実施例では、リードピン１１０１と導体パターン１１０６が半田１１０５によって固着されることで、実現されている。
ビア１１０９や導体パッド１１１７に、高速信号が伝送されると、接地された導体パターン１１１１が共振電磁界を放射することがある。しかし、導体パターン１１１１の主平面と同一のＸＹ平面内に、近接して電波吸収体１１０２が位置しており、共振効率を抑制し、導体パターン１１１１からの電磁界放射を抑制するという効果がある。電波吸収体はセラミック基板１１０４と近接している方がよく、特に、互いに一部が接触しているほうがよい。
なお、図１１の符号は次の構成を示している。１１０１はリードピン、１１０２は電波吸収体、１１０３はフランジ、１１０４はセラミック基板、１１０５は半田、１１０６は導体パターン、１１０７はプリント基板、１１０８は導体パターン、１１０９はビア、１１１０は導体パッド、１１１１は導体パッド、１１１２は導体パターン、１１１３はワイヤ、１１１４は光素子、１１１５はフタ、１１１６はレンズ、１１１７は導体パッドである。
[実施例７]
図１２は、実施例７の光モジュールの構成を示す断面図である。セラミック基板１２１７内には接地された導体バターン１２０３、１２０４が配置されている。セラミック基板１２１７内のビア１２１８や導体パッド１２１９は、電源やバイアス用であり、ビア１２２１や導体パッド１２２０は、高速信号伝送用である。高速信号がビア１２２１や導体パッド１２２０を通るようになると、セラミック基板１２１７に配置された、接地導体パターン１２０３、１２０４に、共振電磁界が発生しやすくなるという問題がしばしば起きる。しかしながら、導体パターン１２０３、１２０４の主平面を含むＸＹ平面上には、電波吸収体１２０５が位置しており、共振効率を低減する効果がある。
この電波吸収体１２０５の一部は、フランジ１２０２とベースフィルム１２０６にＺ軸方向から挟まれている。これにより電波吸収体１２０５は、セラミック基板１２１７の側部で固定されることが可能となる。
なお、図１２の符号は次の構成を示している。１２０１はフタ、１２０２はフランジ、１２０３は導体パターン、１２０４は導体パターン、１２０５は電波吸収体、１２０６はベースフィルム、１２０７は導体パッド、１２０８は半田、１２０９はリードピン、１２１０は導体パターン、１２１１はリードピン、１２１２は半田、１２１３は導体パターン、１２１４はスルーホール、１２１５は導体パターン、１２１６は導体パターン、１２１７はセラミック基板、１２１８はビア、１２１９は導体パッド、１２２０は導体パターン、１２２１はビアである。
[実施例８]
図１３は、実施例８の光モジュール構成を示す断面図である。電波吸収体１３０４には、孔１３２５が空けられており、かつその孔の中をリードピン１３０８が配置されている。さらに、リードピン１３０８はベースフィルムにあけられたスルーホール１３２６を貫通し、半田１３０９を使って、導体パッド１３０７に固着されている。以上により、電波吸収体１３０４は、ベースフィルム１３０５とセラミック基板１３１９に挟まれて、安定して固定されることが可能である。
本実施例では、導体パターン１３０２や１３０３の主平面はあるＸＹ平面に含まれる。これらの主平面を含む同じＸＹ平面上には、電波吸収体１３０４の一部が近接して位置している。また、導体パターン１３０３では、主平面の法線方向（Ｚ軸負方向）にも電波吸収体１３０４が位置する。そのため、導体パターン１３０２、１３０３の外縁に電磁界が局在しても、これらの電磁界は、電波吸収体１３０４に効率的に吸収される。そのため、導体パターン１３０２、１３０３外縁からの共振電磁界発生が抑制されている。
電波吸収体１３０４は、セラミック基板１３１９に接触しているときが、もっとも効率よく共振電磁界の発生を抑制することができる。
また、ベースフィルム１３０５上には、導体パターン１３０６や１３１０が配置されているが、これらと電波吸収体は１３０４は近接ないし接触する。そのため、導体パターン１３０６、１３１０上のノイズなども効率よく吸収することができるという利点を有している。
なお、図１３の符号は次の構成を示している。１３０１はフタ、１３０２は導体パターン、１３０３は導体パターン、１３０４は電波吸収体、１３０５はベースフィルム、１３０６は導体パターン、１３０７は導体パッド、１３０８はリードピン、１３０９は半田、１３１０は導体パターン、１３１１は導体パターン、１３１２は導体パターン、１３１３は導体パターン、１３１４はスルーホール、１３１５は導体パッド、１３１６は導体パターン、１３１７は導体パッド、１３１８はビア、１３１９はセラミック基板、１３２０はフランジ、１３２１はワイヤ、１３２２は光素子、１３２３は孔、１３２４はリードピン、１３２５は孔、１３２６はスルーホール、１３２７はスルーホールである。
[実施例９]
図１４，１５は、実施例９の光モジュール構成を示す断面図である。図１４に示された光モジュールは、ボックス型のパッケージ１５０２となっており、しばしばセラミック多層基板か金属によって構成されている。図１４では、金属パッケージ１５０２である。パッケージ１５０２には、透光性基板１５０１が取り付けられており、パッケージ内部に搭載した光素子１５０３と外部ファイバは、光結合することが可能となる。透光性基板１５０１の光透過率は、使用目的によって異なるが、２０％以上が一般的である。レンズホルダ１５０８に取り付けられたレンズ１５０７は光素子１５０３と、光モジュール外部に配されたファイバの光結合を助ける役割を負う。図１４では、光素子１５０３は、台座１５０９の上に搭載されているが、用途によって、セラミック基板の上に搭載され、場合によっては、更にペルチェ素子の上に搭載されることもある。図１４で示された光モジュールは、ＩＣ１５０５がパッケージ１５０２内に配されているが、用途によっては、外部のプリント基板等に置かれる場合もある。本実施例では、ＩＣ１５０５は、中継基板１５１０上に搭載されている。中継基板１５１０は、セラミック基板等によって構成されているが、上面に伝送線路パターンがパターニングされている（図１４に記載せず）。光素子１５０３、ＩＣ１５０５、セラミック基板１５１１上の導体パターン１５０６と、中継基板１５１０上の電極パッドは、ワイヤ１５０４によって接続されている。セラミック１５１１上には、導体パターン１５０６がメタライズされており、パッケージ１５０２内部と外部を電気的に接続している。また、導体パターン１５１２は接地されている。導体パターン１５０６は、高周波伝送線路の場合、５０オーム系など、ある特定の特性インピーダンスを有するように設計されている。導体パターン１５０６上には、リードピン１５１８が接続されており、更にリードピン１５１８は半田１５１９によって、ベースフィルム１５２１上の導体パターン１５２０に導通固定されている。導体パターン１５１７は、接地導体であり、伝送線路用の導体パターン１５２０は、５０オーム程度の特性インピーダンスを有した高周波伝送線路となっている。無論、用途によって特性インピーダンスは変えることは可能であるが、その場合、前後に接続する伝送路の特性インピーダンスとおおむね同程度となるように設計される。伝送線路１５２０はスルーホール１５２２によって導体パッド１５１６と導通がなされている。導体パッド１５１６や伝送線路１５２０の一部は、光トランシーバ内のプリント基板上の導体パターンと導通固着がなされる。
さて、導体パターン１５０６に高周波信号が流れると、セラミック基板１５１１にパターニングされた接地用の導体パターン１５１２の電位が揺らぎ、導体パターン１５１２が共振条件を満たしたときに、導体パターン１５１２の外縁に共振電磁界が発生し、光モジュールの外部に放出される。このような共振電磁界放射は、しばしば、光トランシーバの誤動作等を引き起こす。そのため、本実施例では、電波吸収体１５１３が接着剤１５１４によって、導体パターン１５１２に接着されている。特に、本実施例では、Ｌ７の長さ分、電波吸収体１５１３が導体パターン１５１４よりも、−Ｚ軸方向に伸びて配置されている。このような場合、導体パターン１５１２の外縁に発生した共振電磁界を、電波吸収体１５１３が効率よく吸収するという利点がある。
図１５は、図１４において、線Ｅ−Ｅ’を含むＸＹ平面で切った断面図である。セラミック基板１５１１上には、高周波信号伝送用の導体パターン１５２０に隣接して、接地用の導体パターン１５２６がパターニングされている。導体パターン１５２６は、ビア１５２５によって、導体パターン１５２７、１５１２と導通がなされている。導体パターン１５２４は、光素子１５０３やＩＣ１５０５などの電源、バイアス用である。電波吸収体１５１３は導体パターン１５１２に発生する共振電磁界を、効率よく吸収するために、接着剤１５１４によって導体パターン１５１２上に接着固定されている。特に、電波吸収体１５１３は、導体パターン１５１２の外端よりも、Ｘ軸方向にＬ８の長さだけ長く配置されている。これは、導体パターン１５１２の外縁に発生しやすい共振電磁界を、効率よく吸収できるという利点を有している。
また、電波吸収体１５２８はセラミック基板１５１１側面に接着剤１５１４によって固着されている。これは、内部の接地された導体パターン１５２７に発生する共振電磁界を効率よく吸収することができるという利点がある。また、電波吸収体１５２８は、距離Ｌ９だけ長く、導体パターン１５１２よりも−Ｙ軸方向に配置されている。これにより導体パターン１５１２の外縁に発生しやすい共振電磁界を、効率よく吸収できるという利点を有している。
なお、図１４及び図１５の符号は次の構成を示している。１５０１は透光性基板、１５０２はパッケージ、１５０３は光素子、１５０４はワイヤ、１５０５はＩＣ、１５０６は導体パターン、１５０７はレンズ、１５０８はレンズホルダ、１５０９は台座、１５１０は中継基板、１５１１はセラミック基板、１５１２は導体パターン、１５１３は電波吸収体、１５１４は接着剤、１５１５はスルーホール、１５１６は導体パッド、１５１７は導体パターン、１５１８はリードピン、１５１９は半田、１５２０は導体パターン、１５２１はベースフィルム、１５２２はスルーホール、１５２３は導体パッド、１５２４は導体パターン、１５２５はビア、１５２６は導体パターン、１５２７は導体パターンである。
[実施例１０]
図１６，１７は、実施例１０の光モジュール構成を示す断面図である。図１６に示された光モジュールは、ボックス型のパッケージ１７０４によって構成されている。パッケージ１７０４内には、光素子１７０６が搭載されている。図１６では、パッケージ１７０４内にＩＣなどが記載されていないが、これは、光素子１７０６の使用方法によるものである。たとえば、光素子１７０６が発光素子である場合、光素子１７０６を駆動するＩＣは、しばしば、光トランシーバ内のプリント基板上に搭載されることが多い。プリント基板上の導体パッドは、導体パッド１７２２と半田によって接続されることが多い。光素子１７０６上の導体パッド（図１６に記載されず）、セラミック基板１７０３上の導体パッド（図１６に記載されず）、セラミック基板１７１０上の導体パターン１７０９は、ワイヤ１７０７によって接続導通がなされている。
セラミック基板１７１２上の導体パターン１７０９には、リードピン１７１７が導通固着されている。さらにリードピン１７１７は、ベースフィルムに設けられたスルーホール１７１８を貫通し、半田１７１６によって導体パターン１７１８の一部と導通固着される。
電波吸収体１７１２の一部は、ベースフィルム１７１４とパッケージ１７０４に、Ｚ軸方向が挟まれており、電波吸収体１７１２は、安定的に、セラミック基板１７１０に近接ないし接触して固定される。このように、電波吸収体１７１２は、その一部が、パッケージ１７０４、セラミック基板１７１０、ベースフィルム１７１４のうち２つの部材によってＺ軸方向が挟まれれば、安定して、固定されることが可能となる。
なお、導体パターン１７１１は、接地導体となっており、電波吸収体１７１２と近接もしくは接触している。これにより、接地導体パターンの電位が揺ぎ、共振電磁界が発生することを防ぐことが可能となっている。
図１６において、線Ｆ−Ｆ′を含むＸＹ平面における断面図を図１７に示す。セラミック基板１７１０には、信号伝送用の導体パターン１７０９とリードピンの他、接地導体用の導体パターン１７２４、１７１１、リードピン１７２３、ビア１７２７が配されている。更に、光素子１７０６用のバイアス、コントロール用の電源等を供給するために、導体パターン１７２５とリードピン１７２６が配されている。
電波吸収体１７１２は、内部に空孔が設けられ、そこにセラミック基板１７１０の一部が位置している。また空孔には、凹部１７２８が設けられており、これは、電波吸収体によって、信号用の導体パターン１７０９を通る高周波信号が減衰してしまうことを防いでいる。電波吸収体１７１２は、セラミック基板１７１０上の導体パターン１７１１の一部と接触するように配置されている。
これは、導体パターン１７０９に高周波信号が流れると、接地導体パターン１７１１の電位が揺らぎ、更には、特定の周波数近傍にて共振を引き起こし、共振電磁界を放射しやすくなる。しかし、接地された導体パターン１７１１に、電波吸収体１７１２が接触近接して配置されることで、電波吸収体１７１２が電波を吸収し、これらの共振効率を低減させるという効果がある。
ところで、電波吸収体１７１２は、リードピン１７２５にも接触している。また場合によっては、導体パターン１７２６にも接触することもある。これは、導体パターン１７２６やリードピン１７２５に乗ったノイズを吸収し、バイアスや電源の電位が揺らぐことを防ぐという効果がある。
図１６に戻って、電波吸収体１７１２は、金属でできたパッケージ１７０４と、ベースフィルム１７１４上の導体パターン１７１３と接触もしくは、近接している。これにより、パッケージ１７０４、導体パターン１７１３上にのったノイズや、共振電磁界放射が起きることを抑制することができる。
以上のように、一部がセラミック基板で構成された光モジュールでは、電波吸収体を、光モジュールのパッケージ、セラミック基板、外部の伝送線路基板（フレキシブル基板）の一部で挟み込み、配置することは、電波吸収体を安定して配置固定するのみならず、高周波ノイズを効率的に防ぐという利点も有している。
なお、図１６及び図１７の符号は次の構成を示している。１７０１は透光性基板、１７０２はレンズ、１７０３はセラミック基板、１７０４はパッケージ、１７０５はレンズホルダ、１７０６は光素子、１７０７はワイヤ、１７０８は台座、１７０９は導体パターン、１７１０はセラミック基板、１７１１は導体パターン、１７１２は電波吸収体、１７１３は導体パターン、１７１４はベースフィルム、１７１５は導体パッド、１７１６は半田、１７１７はリードピン、１７１８はスルーホール、１７１９は導体パターン、１７２０は導体パターン、１７２１はスルーホール、１７２２は導体パッド、１７２３はリードピン、１７２４は導体パターン、１７２５はリードピン、１７２６は導体パターン、１７２７はビア、１７２８は凹部である。
[実施例１１]
図１８、図１９は、実施例１１の光モジュール構成を示す断面図である。どちらも、光モジュールのパッケージから突出しているセラミック基板の断面図を示している。
図１８から説明する。セラミック基板上には、導体パターン１９０６は高周波伝送用であり、信号伝播方向はおおよそＺ軸方向である。導体パターン１９０４、１９１１は、接地導体用である。導体パターン１９０８は、電源、モニタ用のである。導体パターン１９０６に高周波信号が伝播すると、接地用の導体パターン１９０４や１９１１の電位に揺らぎが生じる。ある特定の周波数において、これらの揺らぎは共振を起こし、共振電磁界として外部に放射されることがある。共振が起きる場合、導体パターンの外縁に共振電磁界は局在しやすい。そこで、図１８では、導体パターン１９１１の外縁に触れるように、電波吸収体１９０２が配置されていることがわかる。更に、電波吸収体１９０２は、リードピン１９０３の上方から触れており、接地導体で起きる共振を低減させている。また、電波吸収体１９０２は、電源、モニタ用のリードピン１９０７にも触れているが、これは、電源、モニタ伝送路に乗るノイズを防ぐという利点がある。図１８では示していないが、電波吸収体１９０２は、リードピン１９０３、１９０７だけでなく、導体パターン１９０４、１９０８に触れる形状をなしていてもよい。
図１８では、導体パターン１９０６から多層セラミック基板１９０９のＹ軸正方向には、電波吸収体１９０２が配置されていない。これは、信号である高周波信号が電波吸収体１９０２に吸収されるのを防ぐためである。
さて、図１８では、電波吸収体１９０２の外側に、金属枠１９０１が、セラミック基板１９０９と電波吸収体１９０２を囲むように配置されている。これは、電波吸収体１９０２で防ぎきれない放射電磁界が、光モジュール近傍から飛び出すのを防ぐ効果がある。無論、金属枠１９０１は、光モジュールのパッケージ、セラミック基板、外部の伝送線路基板（フレキシブル基板）で挟み込み、配置されても良く、金属枠１９０１を安定して配置固定することが可能となる。
図１９の説明をする。金属枠１９０９には空孔が設けられており、この空孔に多層セラミック基板１９０９が位置している。すなわち、セラミックの多層セラミック基板１９０９は、金属枠１９０１によって囲まれている。これは、セラミック基板上の導体パターン１９０４、１９０６、１９０８、１９１１から放射される電磁界を遮蔽する効果をもたらしている。なお、金属枠１９０１は、接地導体となっており、リードピン１９０３、導体パターン１９１１に接触導通できる形状となっている。これにより、リードピン１９０３、導体パターン１９１１の電位揺らぎを最小にすることが可能となっている。金属枠１９０１は、リードピン１９０３のみならず、導体パターン１９０４と接触導通できる形状と成っていてもよい。
なお、図１８及び図１９の符号は次の構成を示している。１９０１は金属枠、１９０２は電波吸収体、１９０３はリードピン、１９０４は導体パターン、１９０５はリードピン、１９０６は導体パターン、１９０７はリードピン、１９０８は導体パターン、１９０９はセラミック基板、１９１０はビア、１９１１は導体パターンである。
[実施例１２]
図２０は、実施例１２の光モジュール構成を示す断面図である。パッケージ２１２１は、金属材質のパッケージであり、湿気などに弱い光素子２１１９を気密封止するために、光信号が通る部分は、無機材質で出来た透光性基板２１２２、電気信号が通る部分は、セラミック基板２１１５で構成されている。セラミック基板２１１５は多層で出来ており、層の間には、導体パターン２１１６がパターニングされている。またパッケージ２１２１外部の導体パターン２１１６上には、リードピン２１１１が固着されている。セラミック基板２１１５裏面側の導体パターン２１１２にはリードピン２１２６が固着されている。ベースフィルム２１０９を基材とするフレキシブル基板上には、導体パターン２１１０、２１０２、２１１３、導体パッド２１０８、２１０７等がパターニングされている。また、絶縁体であるベースフィルム２１０９の表裏を結ぶ伝送路として、スルーホール２１０４等が配置されている。リードピン２１０５と導体パッド２１０７は、半田２１０６によって固定されている。また、リードピン２１２６と導体パターン２１０２も、半田２１０３によって固定されている。以上のようにして、ベースフィルム２１０９と、パッケージ２１２１、セラミック基板２１１５の相対的位置は固定されるのである。
さて、電波吸収体２１１４は、中空の孔が設けられており、この孔の内側に、セラミック基板２１１５の一部が位置している。そして、電波吸収体の一部は、そのＺ軸方向が、パッケージ２１２１、ベースフィルム２１０９によって挟まれている。以上により、電波吸収体２１１４は、セラミック基板２１１５近傍で固定される。
図２１は、図２０を線Ｇ−Ｇ’を含むＸＹ平面で切った断面図である。セラミック基板２１１５上面には、信号伝送用の導体パターン２１１６、接地用の導体パターン２１３０がパターニングされており、セラミック基板２１１５裏面側には、接地用の導体パターン２１１２と、電源や制御用の導体パターン２１２７がパターニングされている。そして、各導体パターン上には、リードピン２１０５、２１２６、２１２８、２１３１が固着されている。そして、電波吸収体２１１４は、接地用のリードピン２１３１、２１２６、電源・制御用のリードピン２１２８と直接接触しており、電位の揺らぎによって発生した、不要電磁界を吸収する効率を最大限にしている。無論、電波吸収体２１１４は、接地用の導体パターン２１３０、電源・制御用の導体パターン２１２７と接触するような形状となっていてもよい。さて、電波吸収体２１１４には凹部が設けられており、電波吸収体２１１４とリードピン２１０５が離間するような構成となっている。これは、電波吸収体が信号を吸収してしまうことを防ぐという効果を有している。
なお、図２０及び図２１の符号は次の構成を示している。２１０１はスルーホール、２１０２は導体パターン、２１０３は半田、２１０４はスルーホール、２１０５はリードピン、２１０６は半田、２１０７は導体パッド、２１０８は導体パッド、２１０９はベースフィルム、２１１０は導体パターン、２１１１はリードピン、２１１２は導体パターン、２１１３は導体パターン、２１１４は電波吸収体、２１１５はセラミック基板、２１１６は導体パターン、２１１７はセラミック基板、２１１８は台座、２１１９は光素子、２１２０はレンズホルダ、２１２１はパッケージ、２１２２は透光性基板、２１２３はレンズ、２１２４はＩＣ、２１２５はワイヤ、２１２６はリードピン、２１２７は導体パターン、２１２８はリードピン、２１２９はビア、２１３０は導体パターン、２１３１はリードピン、２１３２は凹部である。
[実施例１３]
図２２は、実施例１３の光モジュールを内包した光トランシーバの断面図である。光トランシーバは、筐体２３３２の中に、セラミック基板２３０８やベースフィルム２３１０によって構成される光モジュール、ＩＣパッケージ２３２０やコネクタ２３３０を搭載したプリント基板２３１７などを内包して構成される。
本実施例では、光モジュールは同軸型の例が示されている。電波吸収体２３０９は、光モジュール基材の一部をなすフランジ２３０７と、ベーフィルム２３１０によってＺ軸方向が挟まれて固定されている。これにより、セラミック基板２３０８側部より放射される電磁界を吸収し、共振等を防ぎ、光モジュールの安定動作に寄与するとともに、光トランシーバの筐体内２３３２に、ノイズが放出されるのを防ぐ役割を担っている。
フレキシブル基板を構成するベースフィルム２３１０上には、導体パターン２３１３、２３１４がパターニングされており、半田２３１５によってプリント基板２３１７上の導体パターン２３１６に固着されている。プリント基板２３１７は多層基板で出来ており、内層にも導体パターン２３１８等がパターニングされている。各層の導体パターンは、ビア２３１９、２３２４や、スルーホールなどによって接続導通されている。電気のコネクタ２３３０は、光トランシーバと、伝送装置内のボード間の電気インタフェースをなしている。電気のコネクタ形状や仕様は様々であるが、本実施例では、電気コネクタ２３３０にスルーホール２３３１を有しており、メス型のコネクタとなっている。本実施例にしめした光トランシーバを伝送装置に搭載する場合、伝送装置内のボード上には、オスの電気コネクタを搭載する必要がある。スルーホール２３３１は、導体パッド２３２８と導通がとられており、半田２３２７によって、導体パッド２３２６に固定されている。
なお、図２２の符号は次の構成を示している。２３０１はファイバ、２３０２はスリーブ、２３０３はホルダ、２３０４はレンズ、２３０５はフタ、２３０６は光素子、２３０７はフランジ、２３０８はセラミック基板、２３０９は電波吸収体、２３１０はベースフィルム、２３１１は半田、２３１２はリードピン、２３１３は導体パターン、２３１４は導体パターン、２３１５は半田、２３１６は導体パターン、２３１７はプリント基板、２３１８は導体パターン、２３１９はビア、２３２０はＩＣパッケージ、２３２１は放熱ゲル、２３２２は半田、２３２３は導体パターン、２３２４はビア、２３２５はビア、２３２６は導体パッド、２３２７は半田、２３２８は導体パッド、２３２９はビア、２３３０はコネクタ、２３３１はスルーホール、２３３２は筐体である。
０１０１…レンズ、０１０２…フタ、０１０３…光素子、０１０４…ワイヤ、０１０５…フランジ、０１０６…セラミック基板、０１０７…導体パッド、０１０８…接着剤、０１０９…電波吸収体、０１１０…導体パターン、０１１１…ビア、０１１２…導体パッド、０１１３…グランドパターン、０１１４…導体パッド、０１１５…スルーホール、０１１６…導体パターン、０１１７…半田、０１１８…リードピン、０１１９…スルーホール、０１２０…半田、０１２１…リードピン、０１２２…スルーホール、０１２３…導体パッド、０１２４…ベースフィルム、０１２５…導体パターン、０１２６…半田、０１２７…プリント基板、０１２８…グランドパターン、０１２９…導体パターン、０１３０…導体パッド、０１３１…導体パッド、０３０１…レンズ、０３０２…フタ、０３０３…光素子、０３０４…フランジ、０３０５…セラミック基板、０３０６…導体パターン、０３０７…電波吸収体、０３０８…導体パターン、０３０９…ベースフィルム、０３１０…導体パッド、０３１１…半田、０３１２…リードピン、０３１３…スルーホール、０３１４…伝送路パターン、０３１５…グランドパターン、０３１６…スルーホール、０３１７…導体パッド、０３１８…導体パッド、０３１９…導体パターン、０３２０…導体パターン、０３２１…導体パッド、０３２２…導体パターン、０３２３…孔、０５０１…フタ、０５０２…接着剤、０５０３…電波吸収体、０５０４…ビア、０５０５…導体パターン、０５０６…導体パッド、０５０７…ベースフィルム、０５０８…フランジ、０５０９…導体パターン、０５１０…ビア、０５１１…導体パターン、０５１２…半田、０５１３…リードピン、０５１４…導体パッド、０５１５…導体パッド、０５１６…導体パターン、０５１７…導体パターン、０５１８…セラミック基板、０７０１…レンズ、０７０２…フタ、０７０３…光素子、０７０４…ワイヤ、０７０５…フランジ、０７０６…導体パターン、０７０７…電波吸収体、０７０８…セラミック基板、０７０９…リードピン、０７１０…導体パッド、０７１１…半田、０７１２…ベースフィルム、０７１３…リードピン、０７１４…スルーホール、０７１５…導体パターン、０７１６…導体パッド、０７１７…ビア、０７１８…導体パッド、０７１９…導体パターン、０７２０…スルーホール、０７２１…導体パッド、０７２２…半田、０７２３…プリント基板、０７２４…導体パターン、０７２５…カバーフィルム、０７２６…カバーフィルム、０７２７…導体パターン、０７２８…リードピン、０８０１…フタ、０８０２…レンズ、０８０３…フランジ、０８０４…金属枠、０８０５…導体パターン、０８０６…ベースフィルム、０８０７…導体パッド、０８０８…導体パターン、０８０９…導体パッド、０８１０…半田、０８１１…リードピン、０８１２…導体パッド、０８１３…リードピン、０８１４…スルーホール、０８１５…導体パッド、０８１６…セラミック基板、０８１７…導体パッド、０８１８…導体パッド、０８１９…ワイヤ、０８２０…光素子、０８２１…導体パッド、０８２２…スルーホール、１１０１…リードピン、１１０２…電波吸収体、１１０３…フランジ、１１０４…セラミック基板、１１０５…半田、１１０６…導体パターン、１１０７…プリント基板、１１０８…導体パターン、１１０９…ビア、１１１０…導体パッド、１１１１…導体パッド、１１１２…導体パターン、１１１３…ワイヤ、１１１４…光素子、１１１５…フタ、１１１６…レンズ、１１１７…導体パッド、１２０１…フタ、１２０２…フランジ、１２０３…導体パターン、１２０４…導体パターン、１２０５…電波吸収体、１２０６…ベースフィルム、１２０７…導体パッド、１２０８…半田、１２０９…リードピン、１２１０…導体パターン、１２１１…リードピン、１２１２…半田、１２１３…導体パターン、１２１４…スルーホール、１２１５…導体パターン、１２１６…導体パターン、１２１７…セラミック基板、１２１８…ビア、１２１９…導体パッド、１２２０…導体パターン、１２２１…ビア、１３０１…フタ、１３０２…導体パターン、１３０３…導体パターン、１３０４…電波吸収体、１３０５…ベースフィルム、１３０６…導体パターン、１３０７…導体パッド、１３０８…リードピン、１３０９…半田、１３１０…導体パターン、１３１１…導体パターン、１３１２…導体パターン、１３１３…導体パターン、１３１４…スルーホール、１３１５…導体パッド、１３１６…導体パターン、１３１７…導体パッド、１３１８…ビア、１３１９…セラミック基板、１３２０…フランジ、１３２１…ワイヤ、１３２２…光素子、１３２３…孔、１３２４…リードピン、１３２５…孔、１３２６…スルーホール、１３２７…スルーホール、１５０１…透光性基板、１５０２…パッケージ、１５０３…光素子、１５０４…ワイヤ、１５０５…ＩＣ、１５０６…導体パターン、１５０７…レンズ、１５０８…レンズホルダ、１５０９…台座、１５１０…中継基板、１５１１…セラミック基板、１５１２…導体パターン、１５１３…電波吸収体、１５１４…接着剤、１５１５…スルーホール、１５１６…導体パッド、１５１７…導体パターン、１５１８…リードピン、１５１９…半田、１５２０…導体パターン、１５２１…ベースフィルム、１５２２…スルーホール、１５２３…導体パッド、１５２４…導体パターン、１５２５…ビア、１５２６…導体パターン、１５２７…導体パターン、１７０１…透光性基板、１７０２…レンズ、１７０３…セラミック基板、１７０４…パッケージ、１７０５…レンズホルダ、１７０６…光素子、１７０７…ワイヤ、１７０８…台座、１７０９…導体パターン、１７１０…セラミック基板、１７１１…導体パターン、１７１２…電波吸収体、１７１３…導体パターン、１７１４…ベースフィルム、１７１５…導体パッド、１７１６…半田、１７１７…リードピン、１７１８…スルーホール、１７１９…導体パターン、１７２０…導体パターン、１７２１…スルーホール、１７２２…導体パッド、１７２３…リードピン、１７２４…導体パターン、１７２５…リードピン、１７２６…導体パターン、１７２７…ビア、１７２８…凹部、１９０１…金属枠、１９０２…電波吸収体、１９０３…リードピン、１９０４…導体パターン、１９０５…リードピン、１９０６…導体パターン、１９０７…リードピン、１９０８…導体パターン、１９０９…セラミック基板、１９１０…ビア、１９１１…導体パターン、２１０１…スルーホール、２１０２…導体パターン、２１０３…半田、２１０４…スルーホール、２１０５…リードピン、２１０６…半田、２１０７…導体パッド、２１０８…導体パッド、２１０９…ベースフィルム、２１１０…導体パターン、２１１１…リードピン、２１１２…導体パターン、２１１３…導体パターン、２１１４…電波吸収体、２１１５…セラミック基板、２１１６…導体パターン、２１１７…セラミック基板、２１１８…台座、２１１９…光素子、２１２０…レンズホルダ、２１２１…パッケージ、２１２２…透光性基板、２１２３…レンズ、２１２４…ＩＣ、２１２５…ワイヤ、２１２６…リードピン、２１２７…導体パターン、２１２８…リードピン、２１２９…ビア、２１３０…導体パターン、２１３１…リードピン、２１３２…凹部、２３０１…ファイバ、２３０２…スリーブ、２３０３…ホルダ、２３０４…レンズ、２３０５…フタ、２３０６…光素子、２３０７…フランジ、２３０８…セラミック基板、２３０９…電波吸収体、２３１０…ベースフィルム、２３１１…半田、２３１２…リードピン、２３１３…導体パターン、２３１４…導体パターン、２３１５…半田、２３１６…導体パターン、２３１７…プリント基板、２３１８…導体パターン、２３１９…ビア、２３２０…ＩＣパッケージ、２３２１…放熱ゲル、２３２２…半田、２３２３…導体パターン、２３２４…ビア、２３２５…ビア、２３２６…導体パッド、２３２７…半田、２３２８…導体パッド、２３２９…ビア、２３３０…コネクタ、２３３１…スルーホール、２３３２…筐体、２４０１…フランジ、２４０２…電波吸収体、２４０３…導体パターン、２４０４…プリント基板、２４０５…シグナルパッド、２４０６…セラミック基板、２４０７…導体パターン、２４０８…ビア

Claims (19)

  1. 送受信用光素子と、
    前記送受信用光素子を格納したパッケージと、
    信号用導体パターンとグランド用導体パターンを備え、前記パッケージ内外の電気的な接続を行う多層セラミック基板と、
    前記パッケージ外に配置され、前記多層セラミック基板の前記信号導体パターンと電気的な接続を行う第２の基板と、
    前記信号用導体パターンを含む他の導体パターンよりも前記多層セラミック基板のグランド用導体パターンの方が近い位置に、前記セラミック基板の伝搬経路に沿って配置され、前記パッケージを構成する部材の一部に固定される電波吸収体または電波遮蔽体とを有することを特徴とする光モジュール。
  2. 前記電波吸収体および前記電波遮蔽体が、前記多層セラミック基板と接していることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  3. 前記電波吸収体の材質は、フェライト及びカーボンから構成された第1の固体、前記フェライト及びカーボンを有機材料に混ぜた第２の固体、金属から構成された第3の固体、または有機材料に金属を混ぜた第4の固体のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  4. 電波吸収体または電波遮蔽体は、接着剤を介して固定されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  5. 前記電波吸収体又は前記電波遮蔽体は、前記多層セラミック基板のグランド導体パターンの主平面と同一平面上に配置されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  6. 前記多層セラミック基板のグランド用導体パターンの上方向には、電波吸収体が配置されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  7. 前記光モジュールを構成する部材の一部が、前記電波吸収体または前記電波遮蔽体の多層セラミック基板に近接する面以外の側部に位置し近接して配置されることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  8. 前記光モジュールを構成する部材の一部が、前記電波吸収体、または前記電波遮蔽体の側部に位置し、対向する２方向から、前記電波吸収体、または前記電波遮蔽体に近接して配置されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  9. 前記電波吸収体または前記電波遮蔽体の側部に、前記第２の基板が位置することを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  10. 前記電波吸収体、または前記電波遮蔽体は筒の円弧の一部が欠けたC字状になっており、前記Ｃ字状内側に前記多層セラミック基板の一部が配置されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  11. 前記多層セラミック基板の表層にある信号用の導体パターンの上方以外に、前記電波吸収体または前記電波遮蔽体が配置されていることを特徴とする請求項１０記載の光モジュール。
  12. 前記電波吸収体または前記電波遮蔽体は空孔を備えた筒状であり、
    前記空孔内に前記多層セラミック基板の一部が配置されることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  13. 前記空孔には凹部が設けられており、
    前記多層セラミック基板表層の信号用導体パターンの法線方向上方には、前記凹部が位置していることを特徴とする請求項１２記載の光モジュール。
  14. 前記電波吸収体または前記電波遮蔽体が、前記多層セラミック基板の表層または裏面にあるグランド用導体パターンに接触して配置されているか、前記グランド用導体パターンと導通固着がとられた導体に接触して配置していることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  15. 前記電波吸収体または前記電波遮蔽体が、前記多層セラミック基板の表層または裏面にある信号用導体パターン以外の導体パターンに接触して配置しているか、前記信号用導体パターン以外の導体パターンと導通固着がとられた別の導体に接触して配置していることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  16. 前記電波吸収体または前記電波遮蔽体が、
    前記第２の基板上の導体パターンの一部に接触して配置されているか、
    前記第２の基板上の導体パターンの上方にコーティングされた有機カバー層の上方に配置接触されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  17. 前記セラミック基板の信号用導体パターンの信号伝播方向に沿って、前記第２の基板が前記多層セラミック基板に固定されていることを特徴とする請求項８記載の光モジュール。
  18. 前記多層セラミック基板上にはリードピンが設けられ、
    前記第２の基板にはスルーホールまたは孔が設けられ、
    前記スルーホールまたは孔に前記リードピンが挿され、前記リードピンと前記第２の基板上の導体パターンの一部が半田によって固着されることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
  19. 前記第２の基板は、フレキシブル基板によって構成されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9054484B2 (en) 2012-04-04 2015-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Packaged optical semiconductor device
JP2015109347A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 日本電信電話株式会社 高周波モジュール
JP2015204398A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 日本オクラロ株式会社 光モジュール
JP2016195217A (ja) * 2015-04-01 2016-11-17 新光電気工業株式会社 光素子用パッケージ及び光素子装置
JP2017516319A (ja) * 2014-07-17 2017-06-15 武漢電信器件有限公司 積層セラミックタンク型パッケージを用いた高周波光電検出器パッケージベース
JP2019125662A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 富士通コンポーネント株式会社 高周波モジュール
JP2020027846A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 富士通株式会社 光送信器
CN112509995A (zh) * 2020-12-21 2021-03-16 昆明学院 一种ltcc散热片的制造方法
JP2021158218A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 矢崎総業株式会社 Ｆｏｔ及び光通信モジュール
JP2022077309A (ja) * 2020-11-11 2022-05-23 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 複合配線基板、パッケージおよび電子機器
WO2024181322A1 (ja) * 2023-02-27 2024-09-06 京セラ株式会社 配線基板および配線基板を用いた光モジュール

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613198U (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 三洋電機株式会社 多重シールド構造
JP2004235379A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Kyocera Corp 光パッケージ及びそれを用いた光モジュール
JP2005236297A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 熱電冷却素子を有する光送信サブアセンブリを用いた光トランシーバ
JP2009302438A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Opnext Japan Inc 光半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613198U (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 三洋電機株式会社 多重シールド構造
JP2004235379A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Kyocera Corp 光パッケージ及びそれを用いた光モジュール
JP2005236297A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 熱電冷却素子を有する光送信サブアセンブリを用いた光トランシーバ
JP2005252251A (ja) * 2004-02-19 2005-09-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送信アセンブリ
JP2009302438A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Opnext Japan Inc 光半導体装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9054484B2 (en) 2012-04-04 2015-06-09 Mitsubishi Electric Corporation Packaged optical semiconductor device
JP2015109347A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 日本電信電話株式会社 高周波モジュール
JP2015204398A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 日本オクラロ株式会社 光モジュール
EP3125299B1 (en) * 2014-07-17 2020-01-15 Wuhan Telecommunication Devices Co., Ltd. Can-packaged multi-layer ceramic encapsulation base for high-frequency photoelectric detectors
JP2017516319A (ja) * 2014-07-17 2017-06-15 武漢電信器件有限公司 積層セラミックタンク型パッケージを用いた高周波光電検出器パッケージベース
JP2016195217A (ja) * 2015-04-01 2016-11-17 新光電気工業株式会社 光素子用パッケージ及び光素子装置
JP2019125662A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 富士通コンポーネント株式会社 高周波モジュール
JP2020027846A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 富士通株式会社 光送信器
JP7059865B2 (ja) 2018-08-10 2022-04-26 富士通株式会社 光送信器
JP7136830B2 (ja) 2020-03-27 2022-09-13 矢崎総業株式会社 光ファイバートランシーバー及び光通信モジュール
JP2021158218A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 矢崎総業株式会社 Ｆｏｔ及び光通信モジュール
US11480746B2 (en) 2020-03-27 2022-10-25 Yazaki Corporation Fiber optical transceiver and optical communication module
JP2022077309A (ja) * 2020-11-11 2022-05-23 Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 複合配線基板、パッケージおよび電子機器
CN112509995A (zh) * 2020-12-21 2021-03-16 昆明学院 一种ltcc散热片的制造方法
CN112509995B (zh) * 2020-12-21 2022-08-09 昆明学院 一种ltcc散热片的制造方法
WO2024181322A1 (ja) * 2023-02-27 2024-09-06 京セラ株式会社 配線基板および配線基板を用いた光モジュール

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