JP2011155068A - 半導体装置の製造方法及び基板収容構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この製造方法は、トレー10の上に2次電子吸収材を含む保護シート22A,22Bを配置し、半導体基板21A,21Bを保護シート22A,22B上に配置してトレー10に収容する工程と、半導体基板21A,21Bにトレー10側とは反対側から荷電粒子線を照射して半導体基板21A,21B内に格子欠陥を形成する工程とを備える。
【選択図】図3
Description
Claims (11)
- トレー上に2次電子吸収材を配置し、半導体素子が形成された素子形成面を有する半導体基板を、前記素子形成面が前記2次電子吸収材と対向するように前記2次電子吸収材上に配置して前記トレーに収容する工程と、
前記半導体基板に前記トレー側とは反対側から荷電粒子線を照射して前記半導体基板内に格子欠陥を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記トレーは、
前記2次電子吸収材を収容する凹部と、
前記凹部の周縁を囲むように形成された、前記半導体基板の端部を支持する基板収容部と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記2次電子吸収材は、ポリエチレン樹脂またはアルミニウム箔を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1から3のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記荷電粒子線は電子線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記荷電粒子線を照射する工程が実行された後に前記半導体基板に熱処理を施す工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1から5のうちのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記2次電子吸収材は、前記半導体基板の前記トレー側の面を保護する保護シートに含まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体素子が形成された素子形成面を有する半導体基板が収容されるトレーと、
前記半導体基板と前記トレーとの間に介在するように前記トレー上に配置された2次電子吸収材と、
を備え、
前記半導体基板は、前記素子形成面が前記2次電子吸収材と対向するように前記トレーに収容される
ことを特徴とする基板収容構造。 - 請求項7に記載の基板収容構造であって、
前記トレーは、
前記2次電子吸収材を収容する凹部と、
前記凹部の周縁を囲むように形成された、前記半導体基板の端部を支持する基板収容部と、
を有することを特徴とする基板収容構造。 - 請求項7または8に記載の基板収容構造であって、前記2次電子吸収材は、ポリエチレン樹脂またはアルミニウム箔を含むことを特徴とする基板収容構造。
- 請求項7から9のうちのいずれか1項に記載の基板収容構造であって、前記2次電子吸収材は、前記半導体基板の前記トレー側の面を保護する保護シートに含まれることを特徴とする基板収容構造。
- 請求項7から10のうちのいずれか1項に記載の基板収容構造であって、
前記トレーに収容された前記半導体基板と、
前記トレー、前記2次電子吸収材及び前記半導体基板を真空包装する包装材と、
をさらに備えることを特徴とする基板収容構造。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018164155A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Jx金属株式会社 | 高純度金属の真空梱包品および該真空梱包品の製造方法 |
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010005047B4 (de) * | 2010-01-20 | 2014-10-23 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und mit einer Transportverpackung |
DE102010005048A1 (de) * | 2010-01-20 | 2011-07-21 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG, 90431 | Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und mit einer Transportverpackung |
US9576868B2 (en) * | 2012-07-30 | 2017-02-21 | General Electric Company | Semiconductor device and method for reduced bias temperature instability (BTI) in silicon carbide devices |
US9691901B2 (en) * | 2015-10-02 | 2017-06-27 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device |
CN207425825U (zh) * | 2017-11-16 | 2018-05-29 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | 太阳能电池硅片承载装置以及传输系统 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0472736A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04177827A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法および装置 |
JPH07226405A (ja) * | 1994-12-19 | 1995-08-22 | Meidensha Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JPH08244877A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の搬送及び保管用トレイ |
JPH0922929A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Ricoh Co Ltd | Bgaパッケージ半導体素子及びその検査方法 |
JPH09172059A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-30 | Nippon Precision Circuits Kk | Ic用チップトレイ |
JP2000232060A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置 |
JP2001358147A (ja) * | 2001-05-25 | 2001-12-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006290411A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 半導体装置収納体、アルミ箔製包装袋およびこれを用いた半導体装置収納構造 |
JP2009094496A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法 |
JP2009545178A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | シリコン ジェネシス コーポレーション | 連続大面積走査注入プロセスのための方法およびシステム |
JP2011100984A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 除電方法及び半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6080605A (en) * | 1998-10-06 | 2000-06-27 | Tessera, Inc. | Methods of encapsulating a semiconductor chip using a settable encapsulant |
US6475432B2 (en) * | 2000-08-15 | 2002-11-05 | Ion Beam Applications, Inc. | Carrier and support for work pieces |
JP2003168731A (ja) | 2001-12-03 | 2003-06-13 | M B K Micro Tec:Kk | 基板トレー、基板トレー敷設用シート及び基板収納方法 |
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0472736A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04177827A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法および装置 |
JPH07226405A (ja) * | 1994-12-19 | 1995-08-22 | Meidensha Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JPH08244877A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の搬送及び保管用トレイ |
JPH0922929A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Ricoh Co Ltd | Bgaパッケージ半導体素子及びその検査方法 |
JPH09172059A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-30 | Nippon Precision Circuits Kk | Ic用チップトレイ |
JP2000232060A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置 |
JP2001358147A (ja) * | 2001-05-25 | 2001-12-26 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006290411A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 半導体装置収納体、アルミ箔製包装袋およびこれを用いた半導体装置収納構造 |
JP2009545178A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | シリコン ジェネシス コーポレーション | 連続大面積走査注入プロセスのための方法およびシステム |
JP2009094496A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法 |
JP2011100984A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 除電方法及び半導体装置の作製方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018164155A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Jx金属株式会社 | 高純度金属の真空梱包品および該真空梱包品の製造方法 |
JP7508335B2 (ja) | 2020-10-22 | 2024-07-01 | 株式会社コーエーテクモゲームス | ゲームプログラム、ゲーム処理方法、情報処理装置 |
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