JP2011155065A - 半導体ウェハ加工用接着フィルム及びその製造方法 - Google Patents
半導体ウェハ加工用接着フィルム及びその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体ウェハ加工用接着フィルムは、突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に有してなることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
(1)突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に有してなることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルム。
(2)前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されていることを特徴とする、(1)に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
(3)突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層を形成してなる第1の積層体と、表面を離型処理した基材フィルム上に接着剤層を形成してなる第2の積層体とを、前記分離層と前記接着剤層とを相対向させて貼り合わせ、前記基材テープ上に前記分離層及び前記接着剤層をこの順に有してなる半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする、半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
(4)突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に積層し、前記基材テープ上に前記分離層及び前記接着剤層をこの順に有してなる半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
(5)突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層、接着剤層をこの順で有してなる加工用テープの半導体ウェハへの貼合せに適用する部分を基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去することを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
(6)突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離槽を有してなる第1の積層体と、表面を離型処理した基材フィルム上に半導体ウェハより大きいサイズの接着剤層を間欠的にパターン形成してなる第2の積層体とを、前記分離層と前記接着剤層とを相対向させて貼り合わせ、前記基材フィルムを剥がし、前記分離層と前記接着剤層とからなる第3の積層体を半導体ウェハと略同一サイズで基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去することを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
(7)突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に半導体ウェハより大きいサイズで間欠的にパターン形成された分離層と、表面を離型処理した基材フィルム上に半導体ウェハより大きいサイズで間欠的にパターン形成された接着剤層とを相対向させて重なり合うように貼り合わせ、基材フィルムを剥がし、該分離層と該接着剤層とからなる積層体を半導体ウェハと略同一サイズで基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去することを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
また、上記(2)に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルムでは、分離層及び接着剤層からなる積層体が半導体ウェハと略同一のサイズに間欠的に形成されているため、半導体ウェハ加工用接着フィルムを半導体ウェハへ貼り付け後、カッターナイフによる半導体ウェハ形状への切り出しの際に前記積層体へ切込むことが無く基材テープへの切り込みだけになるため、カッターナイフの劣化を防止できるとともに、バリや切削屑等の発生を抑え、半導体ウェハ裏面の薄化研削において均一・平坦な加工ができるという効果がある。
前述のフィラーとしては化学組成が単一の化合物として表されるものであっても、複数の組成からなる化合物として表されるフィラーであっても良い。単一の化合物として表されるフィラーの例としては、シリカ、アルミナ、チタニア、マグネシア等の酸化物フィラー、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の水酸化物フィラー、硫酸バリウム、硫酸ナトリウム等の硫酸化物フィラー等が挙げられる。複数の組成からなる化合物として表されるフィラーの例として、亜鉛、アルミニウム、アンチモン、イッテルビウム、イットリウム、インジウム、エルビウム、オスミウム、カドミウム、カルシウム、カリウム、銀、クロム、コバルト、サマリウム、ジスプロシウム、ジルコニウム、錫、セリウム、タングステン、ストロンチウム、タンタル、チタン、鉄、銅、ナトリウム、ニオブ、ニッケル、バナジウム、ハフニウム、パラジウム、バリウム、ビスマス、プラセオジム、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ユウロピウム、ランタン、リン、ルテチウム、ルテニウム、ロジウム、ボロン等金属元素を含む酸化物が挙げられる。これらは混合して用いることも出来る。複合酸化物は2種類以上の金属を原料として含み、原料金属が単独で酸化物となったときの構造とは異なる構造を有する化合物であることが好ましい。特に好ましくはアルミニウム、マグネシウムまたはチタンから選ばれる少なくとも1種類の金属元素と、他の元素の2種類以上を原料に含む酸化物の化合物からなる複合酸化物粒子である。このような複合酸化物としてはホウ酸アルミニウム、コージェライト、フォルスライト、ムライト、などが挙げられる。複合酸化物粒子の線膨張係数は0℃から700℃以下の温度範囲で7×F1-6/℃以下であることが好ましく、さらに好ましくは3×F1-6/℃以下である。熱膨張係数が大きい場合は回路部材接続用接着剤の熱膨張係数を下げるために複合酸化物粒子を多量に添加する必要が発生するため、好ましくない。
Claims (7)
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムであって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に有してなることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 前記分離層及び前記接着剤層からなる積層体が半導体ウェハサイズと略同一のサイズで前記基材テープ上に間欠的に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体ウェハ加工用接着フィルム。
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層を形成してなる第1の積層体と、表面を離型処理した基材フィルム上に接着剤層を形成してなる第2の積層体とを、前記分離層と前記接着剤層とを相対向させて貼り合わせ、前記基材テープ上に前記分離層及び前記接着剤層をこの順に有してなる半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする、半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層及び接着剤層をこの順に積層し、前記基材テープ上に前記分離層及び前記接着剤層をこの順に有してなる半導体ウェハ加工用接着フィルムを得ることを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離層、接着剤層をこの順で有してなる加工用テープの半導体ウェハへの貼合せに適用する部分を基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去することを特徴とする請求項2記載の加工用接着フィルムの製造方法。
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に分離槽を有してなる第1の積層体と、表面を離型処理した基材フィルム上に半導体ウェハより大きいサイズの接着剤層を間欠的にパターン形成してなる第2の積層体とを、前記分離層と前記接着剤層とを相対向させて貼り合わせ、前記基材フィルムを剥がし、前記分離層と前記接着剤層とからなる第3の積層体を半導体ウェハと略同一サイズで基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去することを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
- 突出電極が主面から突出して形成された半導体ウェハの加工用接着フィルムの製造方法であって、基材テープ上に半導体ウェハより大きいサイズで間欠的にパターン形成された分離層と、表面を離型処理した基材フィルム上に半導体ウェハより大きいサイズで間欠的にパターン形成された接着剤層とを相対向させて重なり合うように貼り合わせ、基材フィルムを剥がし、該分離層と該接着剤層とからなる積層体を半導体ウェハと略同一サイズで基材テープ上へ残し、それ以外の部分を除去することを特徴とする半導体ウェハ加工用接着フィルムの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179135A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
WO2015140595A1 (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | 三星电子株式会社 | 制造半导体装置的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033170A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
JP2006049482A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ |
WO2008047610A1 (fr) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film pour semi-conducteur, procédé de production de film pour semi-conducteur et dispositif à semiconducteurs |
WO2009078221A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法 |
JP2009283607A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープ及びウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープの半導体ウエハ表面への貼り付け方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005033170A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
JP2006049482A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ |
WO2008047610A1 (fr) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Film pour semi-conducteur, procédé de production de film pour semi-conducteur et dispositif à semiconducteurs |
WO2009078221A1 (ja) * | 2007-12-17 | 2009-06-25 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法 |
JP2009283607A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープ及びウエハ薄化加工兼用の半導体用接着テープの半導体ウエハ表面への貼り付け方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179135A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
WO2015140595A1 (zh) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | 三星电子株式会社 | 制造半导体装置的方法 |
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Publication number | Publication date |
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