JP2011153062A - Cntワイヤの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面にFe−Al層を有する基板上に、CNTを複数形成する工程と、複数のCNTの一部を引き出す工程とを有することを特徴とするCNTワイヤの製造方法であって、蛍光X線測定に基づき算出したFe−Al層の組成比Fe/Alと、蛍光X線測定に基づき算出したFe−Al層の膜厚とが、下記の条件1、条件2、及び条件3のうちのいずれかを充足することを特徴とする。条件1:組成比Fe/Alは0.52〜0.75の範囲にあり、且つFe−Al層の膜厚は4〜7.9nmの範囲にある。条件2:組成比Fe/Alは0.23〜0.52の範囲にあり、且つFe−Al層の膜厚は5.8〜7.9nmの範囲にある。条件3:組成比Fe/Alは0.52以下であり、且つFe−Al層の膜厚は5.8nm以下であり、且つFe膜厚が1.6nmより厚い範囲にある。
【選択図】図1
Description
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、生産性や歩留まりが高いCNTワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
条件1:前記Fe−Al層の組成比Fe/Alは、0.52〜0.75の範囲にあり、且つ前記Fe−Al層の膜厚は、4〜7.9nmの範囲にある。
条件2:前記Fe−Al層の組成比Fe/Alは、0.23〜0.52の範囲にあり、且つ前記Fe−Al層の膜厚は、5.8〜7.9nmの範囲にある。
条件3:前記Fe−Al層の組成比Fe/Alは、0.52以下であり、且つ前記Fe−Al層の膜厚は、5.8nm以下であり、且つ前記Fe−Al層のFe膜厚が1.6nmより厚い範囲にある。
前記条件2において、Fe−Al層の組成比Fe/Alが、0.30〜0.52の範囲にあることが好ましい。この範囲にあることにより、CNTワイヤを製造するときの生産性や歩留まりが一層高い。また、条件2において、Fe−Al層の膜厚が5.8〜7.5nmの範囲にあることが好ましい。この範囲にあることにより、CNTワイヤを製造するときの生産性や歩留まりが一層高い。
1.基板の用意
直径6インチ、厚さ650μmのP型シリコン基板を熱酸化して、その表面に厚さ100nmの酸化膜を形成した。酸化膜の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて測定した。
2.CNTの合成
S1〜S27の各条件で金属触媒層を形成した基板のそれぞれを用いて、CNTを合成した。具体的には、以下のようにした。基板を電気炉に挿入し、電気炉内に、水蒸気、アルゴン、及び水素を流した。アルゴンの流量は300cc/minとし、水素の流量は50cc/minとし、水蒸気の流量は、電気炉から出たArガス中に占める水蒸気濃度が60ppmとなる量とした。
CNTが合成された基板(S1〜S27の条件で金属触媒層を形成した基板)のそれぞれについて、CNTワイヤの製造試験を行った。具体的には、図1(a)に示すように、基板上に配向しているCNTのマトリックスにおいて、基板の端部にあるCNTの束の一端を引出し具でつまみ、CNTの配向方向とは直交する方向に引出した。このとき、図1(b)〜図1(c)に示すように、CNTの束が安定して長くつながり、CNTワイヤが製造できるか(紡糸できるか)否かを試験した。試験は、各条件の基板について、それぞれ、2〜4回行った。
例えば、Fe−Al層は蒸着により形成してもよい。
Claims (3)
- 表面にFe−Al層を有する基板上に、CNTを複数形成する工程と、
前記複数のCNTの一部を引き出す工程と、
を有するCNTワイヤの製造方法であって、
蛍光X線測定に基づき算出した前記Fe−Al層の組成比Fe/Alと、蛍光X線測定に基づき算出した前記Fe−Al層の膜厚と、蛍光X線測定に基づき算出した前記Fe−Al層のFe膜厚とが、下記の条件1、条件2、及び条件3のうちのいずれかを充足することを特徴とするCNTワイヤの製造方法。
条件1:前記Fe−Al層の組成比Fe/Alは、0.52〜0.75の範囲にあり、且つ前記Fe−Al層の膜厚は、4〜7.9nmの範囲にある。
条件2:前記Fe−Al層の組成比Fe/Alは、0.23〜0.52の範囲にあり、且つ前記Fe−Al層の膜厚は、5.8〜7.9nmの範囲にある。
条件3:前記Fe−Al層の組成比Fe/Alは、0.52以下であり、且つ前記Fe−Al層の膜厚は、5.8nm以下であり、且つ前記Fe−Al層のFe膜厚が1.6nmより厚い範囲にある。 - 前記基板の表面に、前記Fe−Al層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のCNTワイヤの製造方法。
- 前記Fe−Al層は、スパッタ又は蒸着により形成された層であることを特徴とする請求項1又は2に記載のCNTワイヤの製造方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52140355A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-22 | Western Electric Co | Method of measuring thickness of thin film |
JPS5429843A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Nippon Steel Corp | Controlling method for composition and thickness of plated multicomponent alloy films |
JP2003277030A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | カーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法 |
JP2007090129A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Sonac Kk | 触媒配置構造 |
JP2007091479A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Sonac Kk | カーボンファイバの製造方法 |
JP2007091480A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Sonac Kk | 触媒配置構造 |
JP2008523254A (ja) * | 2004-11-09 | 2008-07-03 | ボード オブ リージェンツ, ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | ナノファイバーのリボンおよびシートならびにナノファイバーの撚り糸および無撚り糸の製造および適用 |
JP2009124062A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | モジュール構造体、その製造方法および半導体装置 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52140355A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-22 | Western Electric Co | Method of measuring thickness of thin film |
JPS5429843A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Nippon Steel Corp | Controlling method for composition and thickness of plated multicomponent alloy films |
JP2003277030A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | カーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法 |
JP2008523254A (ja) * | 2004-11-09 | 2008-07-03 | ボード オブ リージェンツ, ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | ナノファイバーのリボンおよびシートならびにナノファイバーの撚り糸および無撚り糸の製造および適用 |
JP2007090129A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Sonac Kk | 触媒配置構造 |
JP2007091479A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Sonac Kk | カーボンファイバの製造方法 |
JP2007091480A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Sonac Kk | 触媒配置構造 |
JP2009124062A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | モジュール構造体、その製造方法および半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012076968A (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-19 | Kobe Steel Ltd | カーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法 |
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