JP2011139027A - 発光素子 - Google Patents

発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2011139027A
JP2011139027A JP2010235300A JP2010235300A JP2011139027A JP 2011139027 A JP2011139027 A JP 2011139027A JP 2010235300 A JP2010235300 A JP 2010235300A JP 2010235300 A JP2010235300 A JP 2010235300A JP 2011139027 A JP2011139027 A JP 2011139027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
conductive layer
emitting unit
unit circuit
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010235300A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011139027A5 (ja
Inventor
Chao-Hsing Chen
チェン チャオ−シン
Chan Wang Alexander
チャン ワン アレクサンダー
Chia-Liang Hsu
シュウ チア−リアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of JP2011139027A publication Critical patent/JP2011139027A/ja
Publication of JP2011139027A5 publication Critical patent/JP2011139027A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40Details of LED load circuits
    • H05B45/42Antiparallel configurations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48155Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48157Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H01L2224/48478Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
    • H01L2224/4848Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball outside the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】アレー式発光素子を提供する。
【解決手段】本発明によるアレー式発光素子は、絶縁キャリヤーと、前記絶縁キャリヤーの上に形成される発光ユニットアレーと、を含み、前記発光ユニットアレーは、第一発光ユニットを含み、単方向回路である第一発光ユニット回路と、第二発光ユニットを含み、単方向回路である第二発光ユニット回路と、第一導電層と、第二導電層と、第三導電層と、を含み、前記第一発光ユニット回路は、前記第一導電層と前記第二導電層との間に位置し両者と夫々電気的な接続を形成し、前記第二発光ユニット回路は、前記第二導電層と前記第三導電層との間に位置し両者と夫々電気的な接続を形成し、前記第二導電層の面積は、1.9×10μm以上である。
【選択図】図12

Description

本発明は、アレー式発光素子に関する。
固体発光素子のうち発光ダイオード(LED)は、電力消費量が低く、発熱量が低く、寿命が長く、耐衝撃性が優れ、体積が小さく、反応の速度が速く、及び安定した波長の色光を発することができるなどの良好な光電特性を持つので、家電、計器のインジケーター、及び光電製品などの分野に良く使用されている。光電技術の進歩に伴い、固体発光素子は、発光効率、使用寿命、及び輝度を向上するなど面で長足の進歩を遂げた。
しかし、従来のLEDは、直流電流(DC)で駆動されなければならないので、一般的には、交流電流(AC)との間に転換器が設置されなければならない。ところが、転換器は、体積が大きく、重量が重いから、コストを増やさせるのみならず、電流転換の時に消耗も増やさせるので、価格面で従来の光源と競争することができない。
上述の欠点は交流発光ダイオードの出現により解決された。転換器を要しないので、LED全体の体積及び重量が小さくなり、応用の幅が広くなると同時に、転換器に必要なコストが小さくなり、また、従来のLEDが直流電流と交流電流との間の転換を行う時に消費した電力を15〜30%削減し、LED全体の発光効率を向上することができる。
本発明の目的は、アレー式発光素子を提供することにある。
本発明は、絶縁キャリヤーと、絶縁キャリヤーの上に形成される発光ユニットアレーとを含むアレー式発光素子を提供し、このアレー式発光素子は、第一発光ユニットを含む第一発光ユニット回路であって、当該第一発光ユニット回路は、単方向回路である第一発光ユニット回路と、第二発光ユニットを含む第二発光ユニット回路であって、当該第二発光ユニット回路は、単方向回路である第二発光ユニット回路と、第一導電層と、第二導電層と、第三導電層と、を含み、そのうち、第一発光ユニット回路は、第一導電層と第二導電層との間に位置し、また、両者と夫々電気的に接続され、第二発光ユニット回路は、第二導電層と第三導電層との間に位置し、また、両者と夫々電気的に接続され、そのうち、第二導電層の面積は、1.9×10μm以上である。
本発明は、アレー式発光素子を提供することができる。
本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図2Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図3Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図4Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図6Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図7Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図8Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図10Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図11Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図13Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図14Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図16Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 図17Aにおけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 図18におけるアレー式発光素子の対応回路図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子を示す上面図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子のパッケージ構造を示す図である。 本発明の実施例によるアレー式発光素子のパッケージ構造を示す図である。 本発明の実施例による発光モジュールの回路を示す図である。 本発明の実施例による発光モジュールの回路を示す図である。 本発明の実施例によるもう一つの発光モジュールの回路を示す図である。 本発明の実施例による更にもう一つの発光モジュールの回路を示す図である。
次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
図1を参照する。図1は、本発明の第一実施例によるアレー式発光素子110の回路を示す図である。アレー式発光素子110は、絶縁キャリヤー10と、絶縁キャリヤー10の上に形成される第一発光ユニット121を含み、単方向回路である第一発光ユニット回路12と、絶縁キャリヤー10の上に形成される第二発光ユニット131を含み、単方向回路である第二発光ユニット回路13と、絶縁キャリヤー10の上に形成される第一導電層161と、絶縁キャリヤー10の上に形成される第二導電層162と、絶縁キャリヤー10の上に形成される第三導電層163と、を含み、そのうち、第一発光ユニット回路12は、第一導電層161と第二導電層162との間に位置し、また、両者と夫々電気的に接続され、第二発光ユニット回路13は、第二導電層162と第三導電層163との間に位置し、また、両者と夫々電気的に接続される。本実施例において、電気的な接続を形成する方法は、黄色の光によるエッチング方式で、発光ユニットと導電層との間において導電薄膜により電気的な接続を形成し、或いは、配線方式で、導線の一端を発光ユニットの配線電極に固定し、他端を導電層に固定し、導線により電気的な接続を形成することを含む。アレー式発光素子110は、配線方式で、導線により導電層及び外部電源と接続することができ、これにより、それらは直列接続され、使用者が要する回路が形成される。よって、第一導電層161、第二導電層162、及び第三導電層163は、電流が順調に発光素子に流れるために、配線プロセスにおいて導線がそれらの上に固定できる程度の面積を有することが要される。本実施例において、第一導電層161、第二導電層162、及び第三導電層163の面積は、1.9×10μm以上であることを要する。本実施例において、第一導電層161、第二導電層162、及び第三導電層163の面積は、夫々、3.8×10μm、3.8×10μm、3.8×10μmである。以下、具体的な説明を行う。
図2Aと図2Bを参照する。アレー式発光素子110は、使用者の要求に従って、発光素子110の導電層を直列接続し、使用者が要求した発光ユニット回路を形成することができる。本実施例において、第一発光ユニット回路12の回路方向は、第一導電層161から第二導電層162への方向であり、第二発光ユニット回路13の回路方向は、第三導電層163から第二導電層162への方向である。第一導電層161と第三導電層163は、夫々、導線191により、外部電源の第一接点151に接続され、第二導電層162は、もう一つの導電192により、外部電源の第二接点152に接続され、外部電源により電流が提供された後に、電流は、第一接点151から第一発光ユニット121と第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162から出力され、これにより、第一発光ユニット131と第二発光ユニット132は、光を発する。この時は、第一発光ユニット121と第二発光ユニット131は、並列接続を形成する。図2Bは、本実施例の対応回路図である。
図3Aと図4Aを参照する。もう一つの実施例において、第一導電層161又は第三導電層163は、導線191により、外部電源の第一接点151に接続され、第二導電導162は、もう一つの導電192により、外部電源の第二接点152に接続され、外部電源により電流が提供された後に、電流は、第一接点151から第一発光ユニット121又は第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162から出力され、これにより、第一発光ユニット121又は第二発光ユニット131は、光を発する。図3B、図4Bは、夫々、図3A、図3Bの対応回路図である。図3Aに示す実施例において、第一導電層161及び第二導電層162は、導電191、192がそれらの上に固定できる程度の面積を有することが要される。
図5を参照する。図5は、本発明の第二実施例によるアレー式発光素子210の回路を示す図であり、絶縁キャリヤー10と、キャリヤー10の上に形成された第一発光ユニット121を含み、単方向回路である第一発光ユニット回路12と、キャリヤー10の上に形成された第二発光ユニット131を含み、単方向回路である第二発光ユニット回路13と、キャリヤー10の上に形成された第三発光ユニット241を含み、単方向回路である第三発光ユニット回路24と、キャリヤー10の上に形成された第一導電層161と、キャリヤー10の上に形成された第二導電層162と、キャリヤー10の上に形成された第三導電層163と、キャリヤー10の上に形成された第四導電層264と、を含む。そのうち、第一発光ユニット回路12は、第一導電層161と第二導電層162との間に位置し、また、夫々、黄色の光によるエッチング方式で形成される導電薄膜、又は、配線方式による導線により、第一導電層161及び第二導電層162と電気的接続を形成する。第二発光ユニット回路13は、第二導電層162と第三導電層163との間に位置し、また、夫々、第二導電層162及び第三導電層163と導電薄膜又は導線により電気的な接続を形成する。第三発光ユニット回路24は、第二導電層162と第四導電層264との間に位置し、また、夫々、第二導電層162及び第四導電層264と導電薄膜又は導線により電気的な接続を形成する。そのうち、第四導電層264の面積は、3.8×10μmである。発光素子210は、配線方式で外部電源と直列接続し、使用者が要した回路が形成されることができる。以下、具体的な説明を行う。
図6Aと図6Bを参照する。アレー式発光素子210は、使用者の要求に従って、発光素子210の導電層を直列接続し、使用者が要求した発光ユニット回路を形成することができる。本実施例において、第一発光ユニット回路12の電路方向は、第一導電層161から第二導電層162への方向であり、第二発光ユニット回路13の回路方向は、第三導電層163から第二導電層162への方向であり、第三発光ユニット回路24の回路方向は、第二導電層162から第四導電層264への方向である。第一導電層161及び第三導電層163は、夫々、導線191により、外部電源の第一接点151に接続され、第四導電層264は、もう一つの導線192により、外部電源の第二接点152に接続され、外部電源により電流が提供された後に、電流は、第一接点151から夫々第一発光ユニット121及び第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162から出力され、第一発光ユニット121と第二発光ユニット131とが並列接続になり、それから、第三の発光ユニット241と直列接続するとの形を形成し、これにより、第一発光ユニット121、第二発光ユニット131及び第三発光ユニット241は、光を発する。図6Bは、本実施例の対応回路図である。
図7Aと図8Aを参照する。もう一つの実施例において、第一導電層161又は第三導電層163は、導線191により、外部電源の第一接点151に接続され、第四導電層264は、もう一つの導電192により、外部電源の第二接点152に接続され、外部電源により電流が提供された後に、電流は、第一接点151から第一発光ユニット121又は第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット241を経由し、最後に、第四導電層246から出力され、これにより、第一発光ユニット121及び第三発光ユニット241、或いは、第二発光ユニット131及び第三発光ユニット241は、光を発する。図7B、図8Bは、夫々、図7A、図8Aの対応回路図である。
図9を参照する。図9は、本発明の第三実施例によるアレー式発光素子310の回路を示す図であり、絶縁キャリヤー10と、キャリヤー10の上に形成された第一発光ユニット121を含み、単方向回路である第一発光ユニット回路12と、キャリヤー10の上に形成された第二発光ユニット131を含み、単方向回路である第二発光ユニット回路13と、キャリヤー10の上に形成された第三発光ユニット241を含み、単方向回路である第三発光ユニット回路24と、キャリヤー10の上に形成された第四発光ユニット351を含み、単方向回路である第四発光ユニット回路35と、キャリヤー10の上に形成された第一導電層161と、キャリヤー10の上に形成された第二導電層162と、キャリヤー10の上に形成された第三導電層163と、キャリヤー10の上に形成された第四導電層264と、キャリヤー10の上に形成された第五導電層365とを含む。そのうち、第一発光ユニット回路12は、第一導電層161と第二導電層162との間に位置し、電気的な接続を形成し、第二発光ユニット回路13は、第二導電層162と第三導電層163との間に位置し、電気的な接続を形成し、第三発光ユニット回路24は、第二導電層162と第四導電層264との間に位置し、電気的な接続を形成し、第四発光ユニット回路35は、第四導電層264と第五導電層365との間に位置し、電気的な接続を形成する。そのうち、第五導電層365の面積は、3.8×10μmである。発光素子310は、導線により、外部電源と直列接続し、使用者が要した回路を形成することができる。以下、具体的な説明を行う。
図10Aと図10Bを参照する。アレー式発光素子310は、使用者の要求に従って、発光素子310の導電層を直列接続し、使用者が要求した発光ユニット回路を形成することができる。本実施例において、第一発光ユニット回路12の回路方向は、第一導電層161から第二導電層162への方向であり、第二発光ユニット回路12の回路方向は、第三導電層163から第二導電層162への方向であり、第三発光ユニット回路24の回路方向は、第二導電層162から第四導電層264への方向であり、第四発光ユニット回路35の回路方向は、第四導電層264から第五導電層365への方向である。第一導電層161、第三導電層163は、夫々、導電191により、外部電源の第一接点151に接続され、第五導電層365は、もう一つの導線192により、外部電源の第二接点152に接続される。外部電源により電流が提供された後に、電流は、第一接点151から夫々第一発光ユニット121及び第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット回路24の第三発光ユニット241、第四導電層264、第四発光ユニット回路35の第四発光ユニット351を経由し、最後に、第五導電層365から出力され、これにより、第一発光ユニット121と第二発光ユニット131が並列接続し、第三発光ユニット241と第四発光ユニット351が直列接続するとの回路設計を形成する。図10Bは、本実施例の対応回路図である。
図11Aと図11Bを参照する。もう一つの実施例において、第一導電層161及び第五導電層365は、夫々、導線191により、外部電源の第一接点151と接続され、第三導電層163及び第四導電層264は、夫々、もう一つの導線192により、外部電源の第二接点152と接続される。交流電源により電流が提供された後に、電流は順方向電流であるときに、電流は、第一接点151から第一発光ユニット121に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット回路24の第三発光ユニット241を経由して、第四導電層264から出力される。電流は逆方向電流であるときに、電流は、第二接点152から第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット回路24の第三発光ユニット241、第四導電層264、第四発光ユニット回路35の第四発光ユニット351を経由し、最後に、第五導電層365から出力される。これにより、図11Bに示す交流回路の設計を形成する。
図12を参照する。図12は、本発明の第四実施例によるアレー式発光素子410を示す図であり、絶縁キャリヤー10と、キャリヤー10の上に形成された第一発光ユニット121を含み、単方向回路である第一発光ユニット回路12と、キャリヤー10の上に形成された第二発光ユニット131を含み、単方向回路である第二発光ユニット回路13と、キャリヤー10の上に形成された第三発光ユニット241を含み、単方向回路である第三ユニット回路24と、キャリヤー10の上に形成された第四発光ユニット351を含み、単方向回路である第四発光ユニット回路35と、キャリヤー10の上に形成された第五発光ユニット361を含み、単方向回路である第五発光ユニット回路36と、キャリヤー10の上に形成された第一導電層161と、キャリヤー10の上に形成された第二導電層162と、キャリヤー10の上に形成された第三導電層163と、キャリヤー10の上に形成された第四導電層264と、キャリヤー10の上に形成された第五導電層365と、キャリヤー10の上に形成された第六導電層366とを含む。そのうち、第一発光ユニット回路12は、第一導電層161と第二導電層162との間に位置し、電気的な接続を形成し、第二発光ユニット回路13は、第二導電層162と第三導電層163との間に位置し、電気的な接続を形成し、第三発光ユニット回路24は、第二導電層162と第四導電層264との間に位置し、電気的な接続を形成し、第四発光ユニット回路35は、第四導電層264と第五導電層365との間に位置し、電気的な接続を形成し、第五発光ユニット回路36は、第四導電層264と第六導電層366との間に位置し、電気的な接続を形成する。そのうち、第五導電層365及び第六導電層366の面積は、夫々、3.8×10μmである。発光素子410は、導線により、外部電源と直列接続し、使用者が要した回路を形成することができる。以下、具体的な説明を行う。
図13Aと図13Bを参照する。アレー式発光素子410は、使用者の要求に従って、発光素子410の導電層を直列接続し、使用者が要した発光ユニット回路を形成することができる。本実施例において、第一発光ユニット回路12の回路方向は、第一導電層161から第二導電層162への方向であり、第二発光ユニット回路13の回路方向は、第三導電層163から第二導電層162への方向であり、第三発光ユニット回路24の回路方向は、第二導電層162から第四導電層246への方向であり、第四発光ユニット回路35の回路方向は、第四導電層264から第五導電層365への方向であり、第五発光ユニット回路36の回路方向は、第四導電層264から第六導電層366への方向である。第一導電層161、第三導電層163は、夫々、導線191により、外部電源の第一接点151に接続され、第五導電層365、第六導電層366は、夫々、もう一つの導電192二より外部電源の第二接点152に接続され、外部電源により電流が提供された後に、電流は、第一接点151から夫々第一発光ユニット121と第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット回路24の第三発光ユニット241、第四導電層264を経由して、第四発光ユニット回路35の第四発光ユニット351、第五発光ユニット回路36の第五発光ユニット361を経由し、最後に、第五導電層365及び第六導電層366から出力される。これにより、第一発光ユニット121と第二発光ユニット131が並列接続し、第四発光ユニット351と第五発光ユニット361が並列接続し、更に、第三発光ユニット241と直列接続するとの回路設計を形成する。図13Bは、本実施例の対応回路図である。
図14Aと図14Bを参照する。もう一つの実施例において、第一導電層161、第五導電層365は、夫々、導線191により、外部電源の第一接点151と接続され、第三導電層163、第六導電層366は、夫々、もう一つの導線192により、外部電源の第二接点152に接続される。交流電源を外部電源とし電流を提供した後に、電流は順方向電流であるときに、電流は、第一接点151から第一発光ユニット121に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット回路24の第三発光ユニット241、第四導電層264、第五発光ユニット回路36の第五発光ユニット361を経由し、最後に、第六導電層366から出力される。電流は逆方向電流であるときに、電流は、第二接点151から第二発光ユニット131に流れ、その後、第二導電層162、第三発光ユニット回路24の第三発光ユニット241、第四導電層264、第四発光ユニット回路35の第四発光ユニット351を経由し、最後に、第五導電層365から出力される。これにより、図14Bに示す交流ブリッジ回路を形成する。
図15を参照する。本実施例における交流ブリッジ回路の発光素子において、第一導電層161と第五導電層365を接続した導線191は省略されることができ、その代わりに、金属材料の配線パッド(bonding pad)391を使っても良い。同様に、第三導電層163と第六導電層366を接続した導線192も、金属材料の配線パッド392で置換されても良い。図15に示す回路設計を参照する。第一導電層161及び第五導電層365は、設計の時には、絶縁キャリヤー10の上において隣接する位置に形成され、好ましくは、第一導電層161と第五導電層365との隣接間隔は、配線パッド391が両者の上に同時に形成されることができる程度の距離である。同様に、第三導電層163と第六導電層366との隣接間隔は、好ましくは、配線パッド392が両者の上に同時に形成されることができる程度の距離である。前述の配線パッドは、配線プロセスにおいて外部電源と接続する導線を受けるためのものである。
図16Aと図16Bを参照する。もう一つの実施例において、第一導電層161と第五導電層365は、導線193により接続され、第三導電層163と第六導電層366は、もう一つの導線194により接続され、第二導電層162は、導線191により外部電源の第一接点151と接続され、第四導電層264は、導線192により外部電源の第二接点152と接続される。交流電源により電流を提供した後に、電流は、順方向電流であるときに、第一接点151から流れ込み、第二導電層162を経由して第三発光ユニット241に流れ込み、最後に、第四導電層264から流れ出し、一方、逆方向電流である時に、電流は、第二接点152から第四導電層264を経由して二つの電流に分かれ、一つ目の電流は、第四発光ユニット回路35の第四発光ユニット351に流れ込んだ後に、第五導電層365を経由し、更に、導線193を経由して、第一導電層161に進入し、それから、第一発光ユニット回路12の第一発光ユニット121に流れ込み、最後に、第二導電層から流れ出し、二つ目の電流は、第五発光ユニット回路36の第五発光ユニット361に流れ込んだ後に、第六導電層366を経由し、更に、導線194を経由して、第三導電層163に進入し、それから、第二発光ユニット回路13の第二発光ユニット131に流れ込み、最後に、第二導電層162から流れ出す。図16Bに示す回路図によれば、本実施例は、逆方向の並列交流回路の設計である。
前述の各実施例における発光ユニット回路の方向を同時に転じることができ、即ち、前述の任意の一実施例における全ての発光ユニット回路の方向を逆にし、提供された直流電源の方向も元の実施例と逆にすることができる。第二実施例を例とし、図17Aと図17Bを参照すれば分かるように、発光ユニット回路の方向を変更するときには、第一発光ユニット回路12の回路方向は、第二導電層162から第一導電層161への方向であり、第二発光ユニット回路13の回路方向は、第二導電層162から第三導電層163への方向であり、第三発光ユニット回路24の回路方向は、第四導電層264から第二導電層162への方向である。この場合、第一導電層161、第三導電層163は夫々導線192により外部電源の第二接点152に接続され、第四導電層264は導線191により外部電源の第一接点151に接続され、外部電源により電流が提供されると、電流は、第一接点151から第三発光ユニット241に流れ込み、更に、第二導電層162を経由して出力されて、夫々、第一発光ユニット121及び第二発光ユニット131に流れ込む。図17Bは、本実施例の対応回路図である。
図18を参照する。図18は、本発明の第五実施例におけるアレー式発光素子510の回路を示す図である。発光素子510の構造は、前述の発光素子410と類似し、絶縁キャリヤー10と、キャリヤー10の上に形成された第一発光ユニット121を含み、単方向回路である第一発光ユニット回路12と、キャリヤー10の上に形成された第二発光ユニット131を含み、単方向回路である第二発光ユニット回路13と、キャリヤー10の上に形成された第三発光ユニット241を含み、単方向回路である第三発光ユニット回路24と、キャリヤー10の上に形成された第四発光ユニット351を含み、単方向回路である第四発光ユニット回路35と、キャリヤー10の上に形成された第五発光ユニット361を含み、単方向回路である第五発光ユニット回路36と、キャリヤー10の上に形成された第一導電層161と、キャリヤー10の上に形成された第二導電層162と、キャリヤー10の上に形成された第三導電層163と、キャリヤー10の上に形成された第四導電層264と、キャリヤー10の上に形成された第五導電層365と、キャリヤー10の上に形成された第六導電層366とを含む。そのうち、第一発光ユニット回路12は、第一導電層161と第二導電層162との間に位置し、電気的接続を形成し、第二発光ユニット回路13は、第二導電層162と第三導電層163との間に位置し、電気的な接続を形成し、第三発光ユニット回路24は、第二導電層162と第四導電層264との間に位置し、電気的な接続を形成し、第四発光ユニット回路35は、第四導電層264と第五導電層365との間に位置し、電気的な接続を形成し、第五発光ユニット回路36は、第四導電層264と第六導電層366との間に位置し、電気的な接続を形成する。そのうち、第五導電層365及び第六導電層366の面積は、3.8×10μmである。発光素子510と発光素子410との相違点は、発光素子510の第二導電層162と第四導電層264との間に第六発光ユニット回路54を含むことにあり、第六発光ユニット回路54は、キャリヤー10の上に形成された第六発光ユニット541を含み、そのうち、第六発光ユニット回路54は、単方向回路であり、第二導電層162と第四導電層264との間に位置し、電気的な接続を形成し、且つ、第三発光ユニット回路24と並列接続される。
前述の各実施例において、各発光ユニット回路と各導電層との間における電気的な接続の接続方式は、金属、又は、導電型酸化金属材料、例えば、酸化インジウムスズ、酸化スズ、又は酸化インジウムを使ってメッキ方式でキャリヤー上に導電薄膜を形成し、それから、黄色の光によるエッチング方式で導電薄膜の位置を定めることによって導電薄膜を発光ユニット回路の発光ユニット及び導電層と夫々接触させるとのような方式を含む。なお、このような方式では、導電薄膜を形成する前に、少なくとも発光ユニットの側壁と導電薄膜の下方に絶縁薄膜を予め形成しても良く、これにより、発光ユニットの短絡による素子への傷害を防ぐことができる。もう一つの接続方式は、発光ユニット上に予め配線電極を形成し、配線方式で導線を配線電極と導電層に夫々固定させるとのような方式である。なお、このような方式では、導電層は、その上に導線が固定されることができる程度の面積を有することが要される。
発光素子510の回路設計の実施例は、前述の発光素子410と類似し、そのうち、外部電源は交流電源であるときに、そのうち一実施例は、図19に示すようなブリッジ回路であり、第二導電層162と第四導電層264との間は、第三発光ユニット回路24及び第六発光ユニット回路54の並列接続回路が電気的に接続される。外部から交流電流が印加される時に、第二導電層162と第四導電層264との間の回路は、順方向電流又は逆方向電流の下で共に導通であるので、第三発光ユニット241と第六発光ユニット541を並列接続することで、第三発光ユニット241と第六発光ユニット541の電流負荷を減少でき、これにより、第三発光ユニット241と第六発光ユニット541の寿命を他の発光ユニットの寿命とほぼ同様にさせることができる。
図20を参照する。図20は、本発明の第六実施例におけるアレー式発光素子610を示す図であり、発光素子610の構造は、絶縁キャリヤー10と、キャリヤー10の上に形成された第一発光ユニットを含む複数の第一発光ユニット回路82と、キャリヤー10の上に形成された複数の第二発光ユニットを含む第二発光ユニット回路83と、キャリヤー10の上に形成された複数の第三発光ユニットを含む第三発光ユニット回路84と、キャリヤー10の上に形成された複数の第四発光ユニットを含む第四発光ユニット回路85と、キャリヤー10の上に形成された第一導電層861と、キャリヤー10の上に形成された第二導電層862と、キャリヤー10の上に形成された第三導電層863と、キャリヤー10の上に形成された第四導電層864と、キャリヤー10の上に形成された第五導電層865とを含む。そのうち、第一発光ユニット回路82は、第一導電層861と第二導電層862との間に位置し、第二発光ユニット回路83は、第二導電層862と第三導電層863との間に位置し、第三発光ユニット回路84は、第三導電層863と第四導電層864との間に位置し、第四発光ユニット回路85は、第四導電層864と第五導電層865との間に位置し、また、各発光ユニット回路の各発光ユニットは、直列接続され、単方向回路を形成し、各導電層は、配線に供するために、それらの上に外部電源と接続するための導線が固定できる程度の面積を有する。本実施例における各導電層の面積は、3.8×10μmである。
図21を参照する。アレー式発光素子610の中では、導線891により、第一導電層861及び第五導電層865から外部の直流電源と接続すると、四つの組の発光ユニット回路の直列接続の回路設計が形成される。
図22を参照する。アレー式発光素子619の中では、第一導線891により、第二導電層862及び第四導電層864から外部の交流電源の第一接点851と接続し、また、第二導線892により、第一導電層861、第二導電層863及び第五導電層865から外部の交流電源の第二接点852と接続すると、発光ユニットの交流回路の設計が形成される。
図23を参照する。キャリヤー10の上には、第二組の第一発光ユニット回路82、第二発光ユニット回路83、第三発光ユニット回路84、第四発光ユニット回路85、第一導電層861、第二導電層862、第三導電層863、第四導電層864、及び第五導電層865が更に形成されても良く、第三導線893により、第一組の第二導電層862と第二組の第四導電層864を接続し、第四導線894により、第一組の第三導電層863と第二組の第三導電層863を接続し、第五導線895により、第一組の第四導電層864と第二組の第二導電層862を接続し、更に、第一導線891により、第一組の第一導電層861及び第二組の第五導電層865を外部の交流電源の第一接点851に接続し、第二導線892により、第一組の第五導電層865及び第二組の第一導電層861を外部の交流電源の第二接点852に接続し、これにより、発光ユニットの交流回路の設計を完成する。この設計は、逆方向に並列接続するアレー式発光素子に応用されることができ、交流電流により直接駆動する場合、もし各発光回路の中に欠陥を持つ発光素子が存在したら、アレー式発光素子における全ての発光素子が総逆方向バイアスを受ける時に、欠陥を持つ少数の発光素子が失効することにより、アレー式発光素子全体が失効してしまうとのようなリスクを避けることができる。
前述の各実施例による発光素子の各発光ユニットからの光は、同じ波長を有するものであっても良く、又は、その各発光ユニットは、ウェハ接合により形成され、異なる波長を有する光を発しても良い。各発光素子は、パッケージされることにより、単一波長の光源又は混光光源を生成しても良い。図24を参照する。図24は、本発明の実施例によるアレー式発光素子のパッケージ構造600を示す図である。パッケージ構造は、赤色光を発する第一発光素子611と、青色光を発する第二発光素子612と、緑色光を発する第三発光素子613と、黄色光を発する第四発光ユニット614とを含む。各発光ユニットは、パッケージ基板の上に置かれる。各発光ユニットの内部回路は、直流回路の設計をとり、外部電源は、交流電流64であり、よって、このパッケージ基板の上には、交流電流を、各発光ユニットの使用できる直流電流に転換する整流素子62と、抵抗63とが含まれ、また、整流素子62及び抵抗63は、直列接続の方式で発光素子と直列接続される。黄色光を発する第四発光ユニット614は、青色光又は紫色光を発する発光ダイオードの上においてゴム材と黄色蛍光粉とを混合する方法で発光ダイオードの周りに塗布を行うことにより形成されるものであり、通電により青色光又は紫色光が発光ダイオードにより発され、黄色蛍光粉を励起し黄色光が発され、それから、赤色光の第一発光素子611、青色光の第二発光素子612、及び緑色光の第三発光素子613からの赤色光、青色光、及び緑色光と混色し、白色光を生成する。発光素子611、612、613及び614は、パッケージ基板60の上に配置される複数のものであっても良い。
図25を参照する。図25は、本発明の実施例によるアレー式発光素子のパッケージ構造700を示す図である。パッケージ構造は、赤色光を発する第一発光素子711と、青色光を発する第二発光素子712と、緑色光を発する第三発光素子713と、黄色光を発する第四発光ユニット714とを含む。各発光ユニットは、パッケージ基板70の上に置かれる。各発光ユニットの内部回路は、例えば、図14B又は図19に示したような電路の設計をとり、外部電源は、発光素子と直列接続される交流電源74であり、交流電源74と発光素子との間は、更に受動素子、例えば、抵抗73を含む。黄色光を発する第四発光素子714は、青色光又は紫色光を発する発光ユニット、例えば、発光ダイオードの上において、ゴム材と黄色蛍光粉との混合物により、発光ダイオードの周りに塗布を行うことにより得られ、発光ダイオードが通電され青色光又は紫色光を発した後に黄色蛍光粉が励起され黄色光を発し、更に、赤色光の第一発光素子711、青色光の第二発光素子712、及び緑色光の第三発光素子713からの赤色光、青色光、及び緑色光と混色し、白色光を生成する。発光素子711、712、713及び714は、パッケージ基板70の上に配置される複数のものであっても良い。
図26Aを参照する。図26Aは、本発明の実施例による発光モジュールの線路を示す図である。発光モジュール800は、キャリヤー(積載部)810と、キャリヤー810の上に設けられる第一発光素子820と、キャリヤー810の上に設けられる第二発光素子840と、を含む。前述のキャリヤー810は、複数の発光素子が設置できるサブマウント(sub−mount)であっても良く、リードフレーム(lead frame)又は大きなサイズのマウント基板(mounting substrate)であっても良い。本実施例では、キャリヤー810の上に第一発光素子820及び第二発光素子840が設けられ、キャリヤー810の上において二つの発光素子の回路設計を行うことができる。
第一発光素子820は、第一絶縁キャリヤー821を含む。第一絶縁キャリヤー821の上には、両端が夫々第一導電層823及び第二導電層824と電気的に接続される第一発光ユニット回路822を有し、第一発光ユニット回路822は、第一導電層823から第二導電層824に指している少なくとも一つの第一発光ユニット822aを含む。第一絶縁キャリヤー821は、更に、両端が夫々第二導電層824及び第三導電層826と電気的に接続される第二発光ユニット回路825を含み、第二発光ユニット回路825は、第三導電層826から第二導電層824に指している少なくとも一つの第二発光ユニット825aを含む。第一絶縁キャリヤー821の上には、更に、両端が夫々第二導電層824及び第四導電層828と電気的に接続される第三発光ユニット回路827を含み、第三発光ユニット回路827は、第二導電層824から第四導電層828に指している少なくとも一つの第三発光ユニット827aを含む。第一絶縁キャリヤー821の上には、両端が夫々第四導電層828及び第五導電層830と電気的に接続される第四発光ユニット回路829を含み、第四発光ユニット回路829は、第四導電層828から第五導電層830に指している少なくとも一つの第四発光ユニット829aを含む。第一絶縁キャリヤー821の上には、更に、両端が夫々第四導電層828及び第六導電層832と電気的に接続される第五発光ユニット回路831を含み、第五発光ユニット回路831は、第四導電層828から第六導電層832に指している少なくとも一つの第五発光ユニット831aを含む。
第二発光素子840は、第二絶縁キャリヤー841を含み、第二絶縁キャリヤー841の上には、両端が第七導電層843及び第八導電層844と電気的に接続される第六発光ユニット回路842が設けられ、且つ、第六発光ユニット回路842は、第七導電層843から第八導電層844に指している少なくとも一つの第六発光ユニット842aを含む。
発光モジュール800は、第一発光素子820及び/又は第二発光素子840の中に散布される光転換物質(図示せず)を更に含んでも良く、そのうち、光転換物質は、黄緑色蛍光粉であっても良く、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で素子の中に散布されることができる。第一発光素子820の第一発光ユニット822a、第二発光ユニット825a、第三発光ユニット827a、第四発光ユニット829a、及び第五発光ユニット831aは、青色光の発光ユニットであり、第二発光素子840の第六発光ユニット842aは、赤色光の発光ユニットであり、赤色、青色及び緑色の三原色の光の混合により照明用白色光を形成する。勿論、第一発光素子820と第二発光素子840からの光の色は、交換しても良い。
好ましくは、前述の青色光の発光ユニットの動作電圧と、赤色の発光ユニットの動作電圧との比は、約3:1より大きく、及び/又は青色光の発光ユニットのパワーと、赤色の発光ユニットのパワーとの比は、約2:1より大きく、及び又は青色光の発光ユニットの総発光面積と、赤色光の発光ユニットとの総発光面積との比は、約2:1より大きい。
第七導電層843は、導線811により第二導電層824と接続されることができ、また、第八導電層844は、導線812により第四導電層828と接続されることができ、これにより、第六発光ユニット回路842は、第三発光ユニット回路827と並列接続することになる。
第三発光ユニット回路827と第四導電層828との間には、第九導電層833が設けられても良く、また、前述の、第七導電層843の導線811に接続される導線811を、第九導電層833に接続させても良く、更に、導線812を使って第四導電層828と接続し、これにより、第六発光ユニット回路842は、第三発光ユニット回路827と直列接続することになる。
第一導電層823及び第五導電層830は、夫々、導線813及び814により、交流電源860の第一接点860aに接続されても良く、第三導電層826及び第六導電層832は、夫々、導線815及び816により、交流電源860の第二接点860bに接続されても良い。第一導電層823、第二導電層834、第四導電層828、第五導電層843、第三導電層826、第六導電層832、第七導電層843、又は第八導電層844の面積は、1.9×10μm以上であっても良く、配線方式により、導線811、812、813、814、815、816が形成されても良い。本実施例において、各導電層の面積は、好ましくは、夫々、約3.8×10μmである。また、前述の実施例と同様に、第一導電層823と第五導電層830とは互いに接近し、同一の導線により、交流電源860の第一接点860aに同時に接続されても良く、また、第三導電層826と第六導電層832とは互いに接近し、同一の導線により交流電源860の第二接点860bに同時に接続されても良い。
図26Bを参照する。第一発光素子820と第二発光素子840との間の間隔領域は、少なくとも一つの、粘性ゴム材890が充満される通路領域870を有し、そのうち、粘性ゴム材890の材料は、シリコンゴム(silicone rubber)、シリコンレジン(silicone resin)、弾性PU、多穴PU、アクリルゴム(acrylic rubber)、又は、ウェハ切断用ゴム(ブルーフィルム又はUVゴムであってもよい)を含む。粘性ゴム材890の上には黄色光及び堆積などのプロセスを行うことにより導線が形成され、この導線により、第一発光素子820と第二発光素子840とを電気的に接続させる。図に示すように、前述の導線811の形成方式は、まず、粘性ゴム材890が充満される通路領域870の上に黄色光及び堆積などのプロセスにより誘電物質891を形成し、次に、誘電物質891の上に導線811を形成し、且つ、導線811の両端を夫々第七導電層843及び第二導電層824と接続させるとの形成方式であっても良い。同様に、図26Aの導線812は、配線方式により形成されても良いし、黄色光及び堆積などのプロセスにより形成されても良い。導線811、812は、金属導線であっても良い。
図26Cを参照する。本実施例の発光モジュール800は、構造が第一発光素子820の構造とほぼ同じである第三発光素子820′を含んでも良く、且つ、第二発光素子840の第二絶縁キャリヤー841の上には、第七発光ユニット回路846が設けられてもよく、第七発光ユニット回路の両端は、夫々、第七導電層843及び第八導電層844に接続され、第七発光ユニット回路846は、第八導電層843から第八導電層844に指している少なくとも一つの第七発光ユニット846aを有し、これにより、第六発光ユニット回路842と逆方向の並列接続を成す。第七導電層843は、導電817により、第一発光素子820の第六導電層832及び第三導電層826に接続されても良く、第八導電層844は、導電818により、第三発光素子820′の第一導電層823′及び第五導電層830′に接続されても良い。第三発光素子820′の第三導電層826′及び第六導電層832′は、共に、導線819により、交流電源860の第二接点860bに接続され、さらに、第一発光素子820の第一導電層823及び第五導電層830を交流電源860の第一接点860aに接続させることにより、給電の接続を完成する。導線817は、配線方式により、第一発光素子820の、互いに接近する第三導電層826及び第六導電層832に接続されても良い。導線818及び819も同様な方式で形成されても良い。なお、導線817、818及び819の形成方式は、これに限られず、前述の黄色光プロセスを採用しても良い。例えば、第一発光素子820の、互いに接近する第三導電層826及び第六導電層832を溶接した後に、黄色光プロセスにより、第六導電層832又は第三導電層826に接続される導線817を形成しても良い。
第一発光素子820及び第三発光素子820′の動作電圧は、好ましくは、夫々、100Vより小さく、且つ、第二発光素子840の動作電圧は、好ましくは、5V〜100Vの間にあり、比較的に小さい動作電圧により、第一発光素子820、第二発光素子840、及び第三発光素子820′の夫々が有する発光ユニットの発光効率を向上する。また、前述の光転換物質は、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で、第一発光素子820、第二発光素子840、及び第三発光素子820′の中に散布されても良い。
図27を参照する。図27は、本発明の実施例における発光モジュールの回路を示す図である。発光モジュール900は、キャリヤー910と、キャリヤー910の上に設けられる第一発光素子920と、キャリヤー910の上に設けられる第二発光素子940とを含む。第一発光素子920は、第一絶縁キャリヤー921を含む。第一絶縁キャリヤー921の上には、両端が夫々第一導電層923及び第二導電層924と電気的に接続される第一発光ユニット回路922を有し、第一発光ユニット回路922は、第一導電層923から第二導電層924に指している少なくとも一つの第一発光ユニット922aを含む。第一絶縁キャリヤー921の上には、両端が夫々第二導電層924及び第三導電層926と接続される第二発光ユニット回路925を有し、第二発光ユニット回路925は、第三導電層926から第二導電層924に指している少なくとも一つの第二発光ユニット925aを含む。第一絶縁キャリヤー921の上には、両端が夫々第四導電層928及び第五導電層930と接続される第三発光ユニット回路929を含み、第三発光ユニット回路929は、第四導電層928から第五導電層930に指している少なくとも一つの第三発光ユニット929aを含む。第一絶縁キャリヤー921の上には、両端が夫々第四導電層928及び第六導線層932と接続される第四発光ユニット回路931を有し、第四発光ユニット回路931は、第四導電層928から第六導電層932に指している少なくとも一つの第四発光ユニット931aを含む。
第二発光素子940は、第二絶縁キャリヤー941を含み、第二絶縁キャリヤー941の上には、両端が第七導電層943及び第八導電層944と電気的に接続される少なくとも一つの第五発光ユニット回路942を有し、且つ、第五発光ユニット回路942は、第七導電層943から第八導電層944に指している少なくとも一つの第六発光ユニット942aを含む。
第七導電層943は、導線911により、第二導電層924に接続されても良く、第八導電層944は、導線912により、第四導電層928に接続されても良く、さらに、第一導電層923及び第五導電層930を交流電源960の第一接点960aに接続させ、且つ、第三導電層926及び第六導電層932を交流電源960の第二接点に接続させ、これにより、ブリッジ式の接続回路を構成することができる。また、第一発光素子920と交流電源との接続方式、及び、第一発光素子920と第二発光素子940との接続方式については、前述の実施例を参照することができる。前述の実施例と同様に、本実施例の全ての導電層の面積は、1.9×10μmより大きく、好ましくは、3.8×10μmと等しく、これにより、配線が容易になる。なお、第一発光素子920と第二発光素子940との間の導線は、黄色光プロセスにより形成される場合、接続用導電層は、比較的に小さい面積を有することができる。
発光モジュール900は、さらに、第一発光素子920及び/又は第二発光素子940の中に散布される光転換物質(図示せず)を含んでも良く、光転換物質は、黄緑色蛍光粉であっても良く、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で、素子の中に散布されても良い。第一発光素子920の第一発光ユニット922a、第二発光ユニット925a、第三発光ユニット929a、及び第四発光ユニット931aは、好ましくは、赤色光を発する発光ユニットであっても良く、第二発光素子940の第五発光ユニット942aは、青色光を発する発光ユニットであり、赤色、青色、緑色の三原色の光を混合することにより、照明用白色光を生成する。赤色光を発する第一発光ユニット922a、第二発光ユニット925a、第三発光ユニット929a、及び第四発光ユニット931aの波長は、青色光を発する第五発光ユニット942aの波長より50nm以上大きく、赤色光を発する発光ユニットは、青色光を発する発光ユニットより、比較的に大きい逆方向電圧を受けることができる。よって、第一発光ユニット922a、第二発光ユニット925a、第三発光ユニット929a、及び第四発光ユニット931aなどの、赤色光を発する発光ユニットをブリッジ式回路の周りに配置させることにより、使用される発光ユニットの数を減らすことができる。これにより、発光モジュールの中の、同時に発光する発光ユニットの比を増加することができる。勿論、第一発光素子920及び第二発光素子940の光の色は、交換することもできる。
好ましくは、前述の青色光を発する発光ユニットの動作電圧と、赤色光を発する発光ユニットの動作電圧との比は、約3:1より大きく、及び/又は、青色光を発する発光ユニットのパワーと、赤色光を発する発光ユニットのパワーとの比は、約2:1より大きく、及び/又は、青色光を発する発光ユニットの総発光面積と、赤色光を発する発光ユニットの総発光面積との比は、約2:1より大きい。
前述の各実施例では、各発光ユニットは、まず、エピタキシー法により、III−V族材料を絶縁キャリヤーの上に成長させ、次に、エッチング法により、トレンチを形成し、各発光ユニットを隔離させ、それから、各発光ユニットの上に電極を形成することで、形成される。各発光ユニットの間は、金属導電により接続され、各導電層は、まず、黄色光によるエッチングによりエピタキシー層を除去し、絶縁キャリヤーを露出させ、次に、メッキ法により、導電層を絶縁キャリヤーの上に形成することで、形成される。
前述の各実施例では、各発光ユニットは、ウェハ接合により形成されても良く、即ち、まず、エピタキシー法により、もう一つの成長基板(図示せず)の上に半導体発光スタック層を成長させ、エピタキシーウェハを形成し、ここで、スタック層の成長材料は、半導体材料であり、III−V族材料、例えば、GaN、GaP、GaAsなど、又は、II−VI族材料を含み、次に、スタック層と永久キャリヤーを、接合層により、接合させ、或いは、直接加熱加圧の方式で接合させ、それから、エッチング法により、各発光ユニットを定め、また、エッチングによるトレンチにより、各発光ユニットを隔離させる。成長基板は、発光スタック層と永久キャリヤーが接合された後に、選択的に、薄化又は除去されてもよい。
前述の永久キャリヤーの材料は、導電材料又は絶縁材料を含み、永久キャリヤーの導電材料は、Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、AlGaAs、AlN又は金属を含み、永久キャリヤーの絶縁材料は、サファイア、ガラス又は石英を含む。
導電材料を選択しウェハ接合の永久キャリヤーとする時に、その接合層は、絶縁材料を使うことを要し、例えば、PI、BCB、PFCB、回転塗布グラス、又は、酸化シリコン等の材料を接合材料とする必要があり、前述の各実施例では、各発光ユニットは、発光ダイオードを含み、接合層は、金属、SiOx、ゴム材、又は金属酸化物を含み、金属材料は、銀、金、アルミニウム又はインジウムを含み、ゴム材は、PI、BCB、又はPFCBを含み、導電材料の永久キャリヤーと絶縁材料の接合層は、積載可能な、また、絶縁特性のある絶縁キャリヤーを構成し、接合の後、さらに、エッチング法により、エピタキシーウェハを絶縁材料の接合層まで部分的にエッチングし、エッチングによるトレンチにより、各発光ユニットを隔離させる。
永久キャリヤーが絶縁キャリヤーである時に、その接合層は、絶縁材料又は導電材料を選択し接合材料としても良い。絶縁材料を選択し接合層とする時に、ウェハ接合の後、さらに、エッチング法により、エピタキシーウェハを絶縁材料の接合層又は永久キャリヤーまで部分的にエッチングし、エッチングによるトレンチにより、各発光ユニットを隔離させる。導電材料を選択し接合層とする時に、ウェハ接合の後、エッチング法により、エピタキシーを永久キャリヤーまで部分的にエッチングし、エッチングによるトレンチにより、各発光ユニットを隔離させる必要がある。
前述の接合層の導電材料は、金属又は導電金属酸化物を含み、金属は、金、銀、錫、インジウム、亜鉛、銅又白金を含み、導電金属酸化物は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛、又は酸化亜鉛錫を含む。
前述の各実施例では、各発光素子は、異なる回路設計である時に、導線により、発光素子を外部電源と接続させ、即ち、各導電層の機能は、導線を積載することであり、よって、各導電層は、導線を積載できる程度の面積を有することを要し、つまり、配線ステップにおいて面積を確保することを要する。各導電層の面積は、配線プロセスにおいて導線を収容できるために、1.9×10μm以上であることを要し、前述の各発光ユニット回路の中には、複数の発光ユニットが含まれ、前述の各実施例によるアレー式発光素子は、さらに、複数のアレー式発光素子と直列接続してよく、第一導電層、第二導電層、第三導電層、第四導電層、第五導電層、及び第六導電層の材料は、金属又は導電金属酸化材料を含み、絶縁キャリヤー10の材料は、サファイア、ガラス又は石英を含む。
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。
110 発光素子
210 発光素子
310 発光素子
410 発光素子
510 発光素子
610 発光素子
600 発光素子パッケージ構造
611 第一発光素子
612 第二発光素子
613 第三発光素子
614 第四発光ユニット
700 発光素子パッケージ構造
711 第一発光素子
712 第二発光素子
713 第三発光素子
714 第四発光素子
10 絶縁キャリヤー
12 第一発光ユニット回路
121 第一発光ユニット
13 第二発光ユニット回路
131 第二発光ユニット
24 第三発光ユニット回路
241 第三発光ユニット
35 第四発光ユニット回路
351 第四発光ユニット
54 第六発光ユニット回路
541 第六発光ユニット
36 第五発光ユニット回路
361 第五発光ユニット
161 第一導電層
162 第二導電層
163 第三導電層
264 第四導電層
365 第五導電層
366 第六導電層
191 導線
151 第一接点
192 導線
152 第二接点
391、392 配線パッド
193 導線
194 導線
70 パッケージ基板
74 交流電源
73 抵抗
82 第一発光ユニット回路
83 第二発光ユニット回路
84 第三発光ユニット回路
85 第四発光ユニット回路
861 第一導電層
862 第二導電層
863 第三導電層
864 第四導電層
865 第五導電層
891 導線
60 パッケージ基板
62 整流素子
63 抵抗
800 発光モジュール
810 キャリヤー
820 第一発光素子
840 第二発光素子
821 第一絶縁キャリヤー
822 第一発光ユニット回路
823 第一導電層
824 第二導電層
822a 第一発光ユニット
825 第二発光ユニット回路
826 第三導電層
825a 第二発光ユニット
827 第三発光ユニット回路
828 第四導電層
827a 第三発光ユニット
829 第四発光ユニット回路
830 第五導電層
829a 第四発光ユニット
831 第五発光ユニット回路
832 第六導電層
831a 第五発光ユニット
841 第二絶縁キャリヤー
842 第六発光ユニット回路
843 第七導電層
844 第八導電層
842a 第六発光ユニット
811、812、813、814、815、816、817、818、819 導線
833 第九導電層
860、960 交流電源
860a、960a 第一接点
860b、960b 第二接点
870 通路領域
890 粘性ゴム材
891 誘電物質
820′ 第三発光素子
846 第七発光ユニット回路
846a 第七発光ユニット
823′ 第一導電層
830′ 第五導電層
826′ 第三導電層
832′ 第六導電層
900 発光モジュール
910 キャリヤー
920 第一発光素子
940 第二発光素子
921 第一絶縁キャリヤー
922 第一発光ユニット回路
923 第一導電層
924 第二導電層
922a 第一発光ユニット
925 第二発光ユニット回路
926 第三導電層
925a 第二発光ユニット
928 第四導電層
929 第三発光ユニット回路
930 第五導電層
929a 第三発光ユニット
931 第四発光ユニット回路
932 第六導電層
931a 第四発光ユニット回路
932 第六導電層
941 第二絶縁キャリヤー
942 第六発光ユニット回路
943 第七導電層
944 第八導電層
942a 第六発光ユニット
911、912 導線

Claims (38)

  1. アレー式発光素子であって、
    絶縁キャリヤーと、
    前記絶縁キャリヤーの上に形成される発光ユニットアレーと、
    を含み、
    前記発光ユニットアレーは、
    第一発光ユニットを含み、単方向回路である第一発光ユニット回路と、
    第二発光ユニットを含み、単方向回路である第二発光ユニット回路と、
    第一導電層と、
    第二導電層と、
    第三導電層と、
    を含み、
    前記第一発光ユニット回路は、前記第一導電層と前記第二導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第二発光ユニット回路は、前記第二導電層と前記第三導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第二導電層の面積は、1.9×10μm以上である、
    アレー式発光素子。
  2. 前記発光ユニットアレーは、さらに、第一導線及び第二導線を含み、
    前記第一導電層及び前記第三導電層は、夫々、前記第一導線により、電源サプライヤーの第一接点に接続され、
    前記第二導電層は、前記第二導線により、前記電源サプライヤーの第二接点に接続される、
    請求項1に記載のアレー式発光素子。
  3. 前記第一発光ユニット回路及び前記第二発光ユニット回路は、順方向又は逆方向の直列接続である、
    請求項1に記載のアレー式発光素子。
  4. 前記第一導電層又は前記第三導電層の面積は、1.9×10μm以上である、
    請求項1に記載のアレー式発光素子。
  5. 前記第一発光ユニット回路の回路方向は、前記第一導電層から前記第二導電層への方向であり、
    前記第二発光ユニット回路の回路方向は、前記第三導電層から前記第二導電層への方向であり、
    前記アレー式発光素子は、さらに、第四導電層と、第三発光ユニット回路と、を含み、
    前記第三発光ユニット回路は、前記第二導電層と前記第四導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第三発光ユニット回路は、前記キャリヤーの上に形成される第三発光ユニットを含み、
    前記第三発光ユニット回路は、前記第二導電層から前記第四導電層に指している単方向回路である、
    請求項1に記載のアレー式発光素子。
  6. 前記アレー式発光素子は、さらに、第五導電層と、第四発光ユニット回路と、を含み、
    前記第四発光ユニット回路は、前記第四導電層と、前記第五導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第四発光ユニット回路は、前記キャリヤーの上に形成される第四発光ユニットを含み、
    前記第四発光ユニット回路は、前記第四導電層から前記第五導電層に指している単方向回路である、
    請求項5に記載のアレー式発光素子。
  7. 前記アレー式発光素子は、さらに、第六導電層と、第五発光ユニット回路と、を含み、
    前記第五発光ユニット回路は、前記第四導電層と、前記第六導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第五発光ユニット回路は、前記キャリヤーの上に形成される第五発光ユニットを含み、
    前記第五発光ユニット回路は、前記第四導電層から前記第六導電層に指している単方向回路である、
    請求項6に記載のアレー式発光素子。
  8. 前記第三発光ユニット回路は、さらに、前記キャリヤーの上に形成される第六発光ユニットを含み、
    前記第一導電層及び前記第五導電層は、夫々、第一導線により、交流電源サプライヤーの第一接点に接続され、
    前記第三導電層及び前記第六導電層は、夫々、第二導線により、前記交流電源サプライヤーの第二接点に接続される、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  9. 前記第三発光ユニット回路は、さらに、前記キャリヤーの上に形成される第六発光ユニットを含み、
    前記第一導電層及び前記第五導電層は、第一導線により接続され、
    前記第三導電層及び前記第六導電層は、第二導線により接続され、
    前記第二導電層は、第三導線により、交流電源サプライヤーの第一接点に接続され、
    前記第四導電層は、第四導線により、前記交流電源サプライヤーの第二接点に接続される、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  10. 前記第一導電層及び前記第三導電層は、夫々、第一導線により、直流電源サプライヤーの第一接点に接続され、
    前記第五導電層及び前記第六導電層は、夫々、第二導線により、前記直流電源サプライヤーの第二接点に接続される、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  11. 前記第四導電層、前記第五導電層、又は前記第六導電層の材料は、金属又は導電金属酸化材料を含み、及び/又は、前記第四導電層、前記第五導電層、又は前記第六導電層の面積は、1.9×10μm以上である、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  12. 前記第二導電層と前記第四導電層との間には、さらに、第六発光ユニット回路が含まれ、
    前記第六発光ユニット回路は、第六発光ユニットを含み、前記第六発光ユニット回路は、前記第三発光ユニット回路と並列接続される、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  13. 前記アレー式発光素子は、さらに、第七導電層と、第八導電層と、第九導電層と、を含み、
    前記第七導電層と前記第八導電層との間には、第六発光ユニット回路が含まれ、前記第六発光ユニット回路は、前記キャリヤーの上に形成される第六発光ユニットを含み、また、単方向回路であり、
    前記第七導電層と前記第九導電層との間には、第七発光ユニット回路が含まれ、前記第七発光ユニット回路は、前記キャリヤーの上に形成される第七発光ユニットを含み、また、単方向回路であり、
    前記第四導電層と前記第七導電層との間は、導線により、接続される、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  14. 前記第一導電層と前記第五導電層とは、第一配線パッドにより接続され、前記第一配線パッドの一部は、前記第一導電層の上に形成され、前記第一配線パッドの他の一部は、前記第五導電層の上に形成され、
    前記第三導電層と前記第六導電層とは、第二配線パッドにより接続され、前記第二配線パッドの一部は、前記第三導電層の上に形成され、前記第二配線パッドの他の一部は、前記第六導電層の上に形成される、
    請求項7に記載のアレー式発光素子。
  15. 前記アレー式発光素子は、さらに、
    前記第一配線パッドに形成され、交流電源サプライヤーの第一接点に接続される第五導線と、
    前記第二配線パッドに形成され、前記交流電源サプライヤーの第二接点に接続される第六導線と、
    を含む、
    請求項14に記載のアレー式発光素子。
  16. 前記アレー式発光素子は、さらに、
    前記キャリヤーの上に形成される第五導電層と、
    前記キャリヤーの上に形成される第六導電層と、
    前記キャリヤーの上に形成される第七導電層と、
    前記キャリヤーの上に形成される第八導電層と、
    前記キャリヤーの上に形成される第四発光ユニットを含み、前記第五導電層と、前記第六導電層との間に位置する第四発光ユニット回路と、
    前記キャリヤーの上に形成される第五発光ユニットを含み、前記第六導電層と、前記第七導電層との間に位置する第五発光ユニット回路と、
    前記キャリヤーの上に形成される第六発光ユニットを含み、前記第七導電層と、前記第八導電層との間に位置する第六発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第一発光ユニット回路、前記第二発光ユニット回路、及び前記第三発光ユニット回路は、直列接続されて順方向回路となり、
    前記第四発光ユニット回路、前記第五発光ユニット回路、及び前記第六発光ユニット回路は、直列接続されて逆方向回路となり、
    前記第二導電層と前記第六導電層とは、第三導線により接続され、
    前記第三導電層と前記第七導電層とは、第四導線により接続される、
    請求項5に記載のアレー式発光素子。
  17. アレー式発光素子であって、
    絶縁キャリヤーと、
    前記キャリヤーの上に形成される第一発光ユニットを含む、単方向回路である第一発光ユニット回路と、
    前記キャリヤーの上に形成される第二発光ユニットを含む、単方向回路である第二発光ユニット回路と、
    前記キャリヤーの上に形成される第一導電層と、
    前記キャリヤーの上に形成される第二導電層と、
    前記キャリヤーの上に形成される第三導電層と、
    を含み、
    前記第一発光ユニット回路は、前記第一導電層と前記第二導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第二発光ユニット回路は、前記第二導電層と前記第三導電層との間において電気的な接続を形成し、
    前記第二導電層の面積の大小は、配線に供することができる面積の大小である、
    アレー式発光素子。
  18. 発光モジュールであって、
    基板と、
    前記基板の上に形成される光源発生装置と、
    を含み、
    前記光源発生装置は、複数の、請求項1乃至17の何れか一項に記載のアレー式発光素子を含む、
    発光モジュール。
  19. 前記光源発生装置は、
    赤色光を発する第一アレー式発光素子と、
    青色光を発する第二アレー式発光素子と、
    緑色光を発する第三アレー式発光素子と、
    黄色光を発する第四アレー式発光素子と、
    を含む、
    請求項18に記載の発光モジュール。
  20. 前記各アレー式発光素子は、接続されて直流回路となり、前記発光モジュールは、さらに、光源発生装置と直列接続される交流電源と、前記光源発生装置と前記電源との間に直列接続される整流素子と、前記光源発生装置と直列接続される抵抗と、を含み、
    或いは、
    前記各発光ユニットは、接続されて交流回路となり、前記発光モジュールは、さらに、光源発生装置と直列接続される交流電源と、前記光源発生装置と直列接続される抵抗と、を含む、
    請求項19に記載の発光モジュール。
  21. 前記黄色光の第四アレー式発光素子は、青色光又は紫色光を発する発光ユニットの外周に、黄色蛍光粉と混合したゴム材を塗布することにより得られる、
    請求項19に記載の発光モジュール。
  22. 発光モジュールであって、
    積載部と、第一発光素子と、第二発光素子と、を含み、
    前記第一発光素子は、
    前記積載部の上に設けられる第一絶縁キャリヤーと、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第一導電層及び第二導電層と電気的に接続され、前記第一導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第一発光ユニットを含む第一発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第二導電層及び第三導電層と電気的に接続され、前記第三導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第二発光ユニットを含む第二発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第二導電層及び第四導電層と電気的に接続され、前記第二導電層から前記第四導電層に指している少なくとも一つの第三発光ユニットを含む第三発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第五導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第五導電層に指している少なくとも一つの第四発光ユニットを含む第四発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第六導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第六導電層に指している少なくとも一つの第五発光ユニットを含む第五発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第二導電層及び前記第四導電層の面積は、1.9×10μm以上であり、
    前記第二発光素子は、
    第二絶縁キャリヤーと、
    前記第二絶縁キャリヤーの上に設けられ、少なくとも一つの第六発光ユニットを含み、両端が夫々第七導電層及び第八導電層と電気的に接続される第六発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第七導電層及び前記第八導電層の面積は、1.9×10μm以上であり、
    前記第六発光ユニットは、前記第七導電層から前記第八導電層に指している、
    発光モジュール。
  23. 前記発光モジュールは、さらに、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で、前記第一発光素子又は前記第二発光素子の中に散布される光転換物質を含み、
    前記光転換物質は、黄緑色蛍光粉であり、
    前記第一発光素子の第一乃至第五発光ユニットは、青色光を発する発光ユニットであり、前記第二発光素子の第六発光ユニットは、赤色光を発する発光ユニットであり、或いは、前記第一発光素子の第一乃至第五発光ユニットは、赤色光を発する発光ユニットであり、前記第二発光素子の第六発光ユニットは、青色光を発する発光ユニットである、
    請求項22に記載の発光モジュール。
  24. 前記第七導電層と前記第二導電層との間、及び、前記第八導電層と前記第四導電層との間は、夫々、導線により接続され、前記第六発光ユニット回路と前記第三発光ユニット回路とは、並列接続となる、
    請求項22に記載の発光モジュール。
  25. 前記第三発光ユニット回路は、前記第三発光ユニットと前記第四導電層との間に、面積が1.9×10μm以上である第九導電層が設けられ、
    前記第八導電層と前記第四導電層との間、及び、前記第七導電層と前記第九導電層との間は、夫々、導線により接続され、前記第六発光ユニット回路と前記第三発光ユニット回路とは、直列接続となる、
    請求項22に記載の発光モジュール。
  26. 前記発光モジュールは、さらに、前記第一発光素子とほぼ同じである第三発光素子を含み、
    前記第八導電層は、導線により、前記第三発光素子の前記第一導電層及び前記第五導電層と接続され、
    前記第一発光素子の前記第五導電層及び前記第一導電層は、導線により、交流電源の第一接点に接続され、
    前記第三発光素子の前記第三導電層及び前記第六導電層は、導線により、交流電源の第二接点に接続され、
    前記第二発光素子は、さらに、両端が夫々前記第七導電層及び前記第八導電層と電気的に接続される第七発光ユニット回路を含み、前記第七発光ユニット回路は、前記第八導電層から前記第七導電層に指している少なくとも一つの第七発光ユニットを含み、
    前記第七導電層は、導線により、前記第一発光素子の前記第三導電層及び前記第六導電層と接続され、
    前記第一発光素子及び前記第三発光素子の動作電圧は、100Vより小さく、前記第二発光素子の動作電圧は、5V〜100Vである、
    請求項22に記載の発光モジュール。
  27. 発光モジュールであって、
    積載部と、第一発光素子と、第二発光素子と、を含み、
    前記第一発光素子は、
    前記積載部の上に設けられる第一絶縁キャリヤーと、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第一導電層及び第二導電層と電気的に接続され、前記第一導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第一発光ユニットを含む第一発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第二導電層及び第三導電層と電気的に接続され、前記第三導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第二発光ユニットを含む第二発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第五導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第五導電層に指している少なくとも一つの第三発光ユニットを含む第三発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第六導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第六導電層に指している少なくとも一つの第四発光ユニットを含む第四発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第二導電層及び前記第四導電層の面積は、1.9×10μm以上であり、
    前記第二発光素子は、
    前記積載部の上に設けられる第二絶縁キャリヤーと、
    前記第二絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々面積が1.9×10μm以上である第七導電層及び第八導電層と電気的に接続され、前記第七導電層から前記第八導電層に指している第六発光ユニットを含む第五発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第七導電層と前記第三導電層との間、及び、前記第八導電層と前記第四導電層との間は、夫々、導線により接続される、
    発光モジュール。
  28. 前記発光モジュールは、さらに、光転換物質を含み、
    前記光転換物質は、黄緑色蛍光粉であり、また、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で前記第一及び/又は第二発光素子の中に散布され、
    前記第一発光素子の第一、二、三、四発光ユニットは、赤色光を発する発光ユニットであり、
    前記第二発光素子の第五発光ユニットは,青色光を発する発光ユニットである、
    請求項27に記載の発光モジュール。
  29. 前記第一発光ユニット、第二発光ユニット、第三発光ユニット及び第四発光ユニットの波長は、前記第五発光ユニットの波長より50nm以上大きい、
    請求項28に記載の発光モジュール。
  30. 前記第一導電層及び前記第五導電層は、面積が1.9×10μm以上であり、且つ、互いに接近し、同一の導線により共に交流電源の第一接点に接続され、
    前記第三導電層及び前記第六導電層は、面積が1.9×10μm以上であり、且つ、互いに接近し、同一の導線により共に前記交流電源の第二接点に接続される、
    請求項22又は27に記載の発光モジュール。
  31. 発光モジュールであって、
    積載部と、第一発光素子と、第二発光素子と、少なくとも一つの通路領域と、第一金属導線と、第二金属導電と、を含み、
    前記第一発光素子は、
    前記積載部の上に設けられる絶縁キャリヤーと、
    前記絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第一導電層及び第二導電層と電気的に接続され、前記第一導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第一発光ユニットを含む第一発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第二導電層及び第三導電層と電気的に接続され、前記第三導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第二発光ユニットを含む第二発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第二導電層及び第四導電層と電気的に接続され、前記第二導電層から前記第四導電層に指している少なくとも一つの第三発光ユニットを含む第三発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第五導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第五導電層に指している少なくとも一つの第四発光ユニットを含む第四発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第六導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第六導電層に指している少なくとも一つの第五発光ユニットを含む第五発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第一導電層、前記第五導電層、前記第三導電層、及び前記第六導電層の面積は、1.9×10μm以上であり、
    前記第二発光素子は、少なくとも一つの第六発光ユニットを含む第六発光ユニット回路を含み、前記第六発光ユニット回路の両端は、夫々、第七導電層及び第八導電層と電気的に接続され、前記第三発光ユニット回路との直列接続又は並列接続のために供され、
    前記通路領域は、前記第一発光素子と前記第二発光素子との間隔領域に形成され、前記通路領域の中には、粘性ゴム材が充満され、
    前記第一金属導線は、前記粘性ゴム材に設けられ、また、前記第七導電層及び前記第三発光ユニット回路と電気的に接続され、
    前記第二金属導線は、前記粘性ゴム材に設けられ、また、前記第八導電層及び前記第三発光ユニット回路と電気的に接続される、
    発光モジュール。
  32. 前記発光モジュールは、さらに、光転換物質を含み、
    前記光転換物質は、黄緑色蛍光粉であり、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で前記第一及び/又は第二発光素子の中に散布され、
    前記第一発光素子の第一乃至第五発光ユニットは、青色光を発する発光ユニットであり、前記第二発光素子の第六発光ユニットは、赤色光を発する発光ユニットであり、或いは、前記第一発光素子の第一乃至第五発光ユニットは、赤色光を発する発光ユニットであり、前記第二発光素子の第六発光ユニットは、青色光を発する発光ユニットである、
    請求項31に記載の発光モジュール。
  33. 前記第一金属導線は、また、前記第二導線層に接続され、前記第二金属導線は、また、前記第四導電層に接続され、前記第六発光ユニット回路と前記第三発光ユニット回路とは、並列接続となる、
    請求項31に記載の発光モジュール。
  34. 前記第三発光ユニット回路は、また、前記第三発光ユニットと前記第四導電層との間に、第九導電層が設けられ、
    前記第一金属導線は、また、前記第九導電層に接続され、前記第二金属導線は、また、前記第四導電層に接続され、前記第六発光ユニット回路と前記第三発光ユニット回路とは、直列接続となる、
    請求項31に記載の発光モジュール。
  35. 発光モジュールであって、
    積載部と、第一発光素子と、第二発光素子と、少なくとも一つの通路領域と、第一金属導線と、第二金属導電と、を含み、
    前記第一発光素子は、
    前記積載部の上に設けられる第一絶縁キャリヤーと、
    前記絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第一導電層及び第二導電層と電気的に接続され、前記第一導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第一発光ユニットを含む第一発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第二導電層及び第三導電層と電気的に接続され、前記第三導電層から前記第二導電層に指している少なくとも一つの第二発光ユニットを含む第二発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第五導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第五導電層に指している少なくとも一つの第三発光ユニットを含む第三発光ユニット回路と、
    前記第一絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第四導電層及び第六導電層と電気的に接続され、前記第四導電層から前記第六導電層に指している少なくとも一つの第四発光ユニットを含む第四発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記第一導電層、前記第三導電層、前記第五導電層、及び前記第六導電層の面積は、夫々、1.9×10μm以上であり、
    前記第二発光素子は、
    前記積載部の上に設けられる第二絶縁キャリヤーと、
    前記第二絶縁キャリヤーの上に設けられ、両端が夫々第七導電層及び第八導電層と電気的に接続され、前記第七導電層から前記第八導電層に指している少なくとも一つの第五発光ユニットを含む第五発光ユニット回路と、
    を含み、
    前記通路領域は、前記第一発光素子と前記第二発光素子との間隔領域に形成され、前記通路領域の中には、粘性ゴム材が充満され、
    前記第一金属導線は、前記粘性ゴム材に設けられ、また、前記第七導電層及び前記第二導電層と電気的に接続され、
    前記第二金属導線は、前記粘性ゴム材に設けられ、また、前記第八導電層及び前記第四導電層と電気的に接続される、
    発光モジュール。
  36. 前記発光モジュールは、さらに、光転換物質を含み、
    前記光転換物質は、黄緑色蛍光粉であり、また、均一、不均一又は濃度の漸進的変化の方式で前記第一又は第二発光素子の中に散布され、
    前記第一発光素子の第一、二、三、四発光ユニットは、赤色光を発する発光ユニットであり、
    前記第二発光素子の第五発光ユニットは、青色光を発する発光ユニットである、
    請求項35に記載の発光モジュール。
  37. 前記一、二、三、四発光ユニットの波長は、前記第五発光ユニットの波長より50nm以上大きい、
    請求項36に記載の発光モジュール。
  38. 前記青色光を発する発光ユニットの動作電圧と、前記赤色光を発する発光ユニットの動作電圧との比は、約3:1より大きく、及び/又は、前記青色光を発する発光ユニットのパワーと、前記赤色光を発する発光ユニットのパワーとの比は、約2:1より大きく、及び/又は、前記青色光を発する発光ユニットの総発光面積と、前記赤色光を発する発光ユニットの総発光面積との比は、約2:1より大きい、
    請求項23、28、32又は36に記載の発光モジュール。
JP2010235300A 2009-12-31 2010-10-20 発光素子 Pending JP2011139027A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098146645A TWI499347B (zh) 2009-12-31 2009-12-31 發光元件
TW098146645 2009-12-31

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015208068A Division JP2016036042A (ja) 2009-12-31 2015-10-22 発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011139027A true JP2011139027A (ja) 2011-07-14
JP2011139027A5 JP2011139027A5 (ja) 2013-12-05

Family

ID=44187335

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010235300A Pending JP2011139027A (ja) 2009-12-31 2010-10-20 発光素子
JP2015208068A Pending JP2016036042A (ja) 2009-12-31 2015-10-22 発光素子

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015208068A Pending JP2016036042A (ja) 2009-12-31 2015-10-22 発光素子

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20110157884A1 (ja)
JP (2) JP2011139027A (ja)
KR (2) KR20110079468A (ja)
DE (1) DE102010056484A1 (ja)
TW (1) TWI499347B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI499347B (zh) 2009-12-31 2015-09-01 Epistar Corp 發光元件
JP5754173B2 (ja) * 2011-03-01 2015-07-29 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
EP3614437B1 (en) * 2018-08-22 2021-05-05 Lumileds LLC Semiconductor die
EP3855870B1 (en) * 2020-01-22 2023-03-08 Seoul Semiconductor Europe GmbH Led light source device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321915A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2007123609A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Stanley Electric Co Ltd Led照明装置
JP2008117538A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明器具
WO2008062941A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device for ac operation
JP2008530778A (ja) * 2005-02-04 2008-08-07 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光装置及びその製造方法
WO2009146257A1 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 Intematix Corporation Light emitting device
JP2009290239A (ja) * 2005-05-13 2009-12-10 Ind Technol Res Inst 交流発光装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6547249B2 (en) * 2001-03-29 2003-04-15 Lumileds Lighting U.S., Llc Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates
JP4585014B2 (ja) * 2002-04-12 2010-11-24 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光装置
TWI249148B (en) * 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
US6942360B2 (en) * 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
JP2005317830A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Elpida Memory Inc 半導体装置、マルチチップパッケージ、およびワイヤボンディング方法
JP4754245B2 (ja) * 2005-03-24 2011-08-24 株式会社フジクラ 発光素子ユニットの製造方法
TW200723559A (en) * 2005-12-13 2007-06-16 Ind Tech Res Inst Alternating current (AC) light emitting assembly and AC light emitting device
TWI291243B (en) * 2005-06-24 2007-12-11 Epistar Corp A semiconductor light-emitting device
EP1905102B1 (en) * 2005-06-28 2018-08-29 Seoul Viosys Co., Ltd Light emitting device for ac power operation
KR100968843B1 (ko) * 2005-12-16 2010-07-09 서울옵토디바이스주식회사 다수의 발광셀이 어레이된 발광소자
JP2007173548A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Rohm Co Ltd 発光装置及び照明器具
TWI314366B (en) * 2006-04-28 2009-09-01 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
KR100809210B1 (ko) * 2006-07-10 2008-02-29 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
JP2008071895A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
KR100856230B1 (ko) * 2007-03-21 2008-09-03 삼성전기주식회사 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이
JP5220373B2 (ja) * 2007-09-25 2013-06-26 三洋電機株式会社 発光モジュール
TWI451804B (zh) * 2007-12-03 2014-09-01 Epistar Corp 交流發光裝置
TWI416993B (zh) * 2008-05-21 2013-11-21 Interlight Optotech Corp 交流電發光二極體模組及其應用之光源裝置與其製造方法
TW200952202A (en) * 2008-06-02 2009-12-16 Epileds Technologies Inc Light-emitting diode (LED) device with a protective circuit
JP2010103522A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Seoul Opto Devices Co Ltd 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール
WO2010050694A2 (ko) * 2008-10-29 2010-05-06 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
KR20100105290A (ko) * 2009-03-18 2010-09-29 서울반도체 주식회사 발광장치 및 그의 구동회로
TWI499347B (zh) 2009-12-31 2015-09-01 Epistar Corp 發光元件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321915A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2008530778A (ja) * 2005-02-04 2008-08-07 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光装置及びその製造方法
JP2009290239A (ja) * 2005-05-13 2009-12-10 Ind Technol Res Inst 交流発光装置
JP2007123609A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Stanley Electric Co Ltd Led照明装置
JP2008117538A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明器具
WO2008062941A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device for ac operation
WO2009146257A1 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 Intematix Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150133166A (ko) 2015-11-27
US20160278174A1 (en) 2016-09-22
DE102010056484A1 (de) 2011-07-21
TW201123965A (en) 2011-07-01
KR20110079468A (ko) 2011-07-07
US20110157884A1 (en) 2011-06-30
JP2016036042A (ja) 2016-03-17
TWI499347B (zh) 2015-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7148515B1 (en) Light emitting device having integrated rectifier circuit in substrate
EP1787336B1 (en) Light emitting element comprising a plurality of electrically connected light emitting cells and method of manufacturing the same
US8487321B2 (en) AC light emitting assembly and AC light emitting device
EP2753149B1 (en) Light emitting module and lighting unit including the same
TW201447167A (zh) 發光裝置
KR20130045507A (ko) 발광 소자
TW200826326A (en) LED semiconductor body and application of LED semiconductor body
WO2010088823A1 (zh) 发光元件
KR20100042987A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 이를 구비한 발광장치
CN102263120A (zh) 半导体发光元件、发光装置、照明装置、显示装置、信号灯器和道路信息装置
JP2016036042A (ja) 発光素子
TWI445156B (zh) 發光元件
TWI472058B (zh) 發光二極體裝置
KR101121726B1 (ko) 발광 장치
TW200411957A (en) Semiconductor light emitting diode
KR20060090014A (ko) 발광 장치
KR101791157B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 조명 장치
TW201442283A (zh) 發光二極體裝置及其製作方法
CN105870311A (zh) 发光模块
JP2007188942A (ja) 整流回路を副キャリアに結合した発光ダイオードの発光装置及びその製造方法
KR101121714B1 (ko) 발광 장치
KR101171293B1 (ko) 발광 장치
KR20100038252A (ko) 백색 발광 다이오드 패키지
TWI581398B (zh) 發光元件
TWI360893B (en) Light emitting diode chip and method for fabricati

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131021

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131021

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150623