JP2011138996A - ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ - Google Patents

ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ Download PDF

Info

Publication number
JP2011138996A
JP2011138996A JP2009299283A JP2009299283A JP2011138996A JP 2011138996 A JP2011138996 A JP 2011138996A JP 2009299283 A JP2009299283 A JP 2009299283A JP 2009299283 A JP2009299283 A JP 2009299283A JP 2011138996 A JP2011138996 A JP 2011138996A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
laser chip
beam filter
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009299283A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5637474B2 (ja
Inventor
Kiyofumi Muro
清文 室
Tomohisa Endo
智久 遠藤
Yasutaka Shimada
泰孝 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chiba University NUC
Original Assignee
Chiba University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chiba University NUC filed Critical Chiba University NUC
Priority to JP2009299283A priority Critical patent/JP5637474B2/ja
Publication of JP2011138996A publication Critical patent/JP2011138996A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5637474B2 publication Critical patent/JP5637474B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

【課題】寄生発振を抑え、高出力動作においても特性劣化の起こりにくい外部共振器レーザ、それに用いられるレーザチップ及びビームフィルタを提供する。
【解決手段】光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタとする。ピンホールが形成された光散乱体薄膜を用いたビームフィルタとする。光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタを備えたレーザチップとする。または、光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタを備えたレーザチップと、レーザチップからの光を回折させる回折格子と、回折格子からの光を反射するミラーと、を有する外部共振器レーザとする。
【選択図】図1

Description

本発明は、ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザに関する。
波長可変レーザは、物質構造や化学現象の解析の分野において非常に有用であり、波長可変レーザの一つとして外部共振器型レーザがある。一般に外部共振器型レーザは、光源と、この光源から放出された光を共振させる外部共振器と、を有し、光源及び外部共振器をチューニングすることで発振波長を調整することができる。外部共振器レーザはカスタマイズが容易でかつ比較的安価に製造することができるといった利点がある。
外部共振器型レーザには複数の型が存在し、例えばLittrow型やLittman−Metcalf型が存在する。Littmann−Metcalf型は、外部共振器に回折格子とミラーとを用いており、回折格子に照射するレーザ光の面積を広くすることができるため分解能が高く、波長を変える際に出力光の出射方向が変化しないといった利点がある。
Littman−Metcalf型の外部共振器レーザに関する技術が記載された文献として、例えば下記特許文献1に記載がある。
米国特許第5319668号明細書
しかしながら、外部共振器型レーザの光源にレーザチップを用いる場合、外部共振器内の様々な光路による光学フィードバックに起因する寄生発振が生じるといった課題がある。
この課題に対し、本発明者らは例えばレーザチップ前面にペイントを施すことでこの寄生発振を抑制できるのではないかと考えた。しかしながら、高出力動作では反射ビームによりこのペイントが燃焼してレーザチップ前端面に付着し、端面反射の増加と同調特性の劣化を引き起こしてしまうといった新たな課題を生じさせてしまった。つまり、レーザチップ前面に対するペイント以外に上記問題を解決する方法を見出さなければならない。
そこで、本発明は上記課題を鑑み、寄生発振を抑え、高出力動作においても特性劣化の起こりにくい外部共振器レーザ、それに用いられるレーザチップ及びビームフィルタを提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一観点にかかるビームフィルタは、光乱散乱体薄膜を用いる。
また本発明の他の一観点にかかるレーザチップは、光乱散乱体薄膜を用いるビームフィルタを備えている。
また本発明の他の一観点にかかるレーザチップは、光乱散乱体薄膜を用いるビームフィルタを備えたレーザチップと、レーザチップからの光を回折させる回折格子と、回折格子からの光を反射するミラーと、を有する。
以上、本発明により、寄生発振を抑え、高出力動作においても特性劣化の起こりにくい外部共振器レーザ、それに用いられるレーザチップ及びビームフィルタを提供することができる。
外部共振器レーザの概略を示す図である。 レーザチップの一例を示す図である。 実施形態に係る光乱散乱体の例についての概略図である。 実施形態に係る光乱散乱体の例についての概略図である。 寄生発振を抑えた状態を示す図である。 実施例に係る中心波長測定結果を示す図である。 実施例に係る光乱散乱体薄膜の写真図である。 比較例に係る中心波長測定結果を示す図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施形態に限定されるものではない。
(実施形態1)
図1は、本実施形態に係る外部共振器レーザ1の概略を示す図である。本レーザ1は、光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタ21を備えたレーザチップ2と、レーザチップ2からの光を回折させる回折格子3と、回折格子3からの光を反射するミラー4と、を有する。また本レーザ1には、回折格子3とレーザチップ2との間にコリメートレンズ5と、λ/2板6が配置されている。
本実施形態に係るレーザチップ2は、光を放出することのできるものであって、この限りにおいて限定されるわけではないが、図2の一例で示すように、マウント221と、サブマウント222と、レーザダイオード223と、を有して構成されている。またレーザダイオードは活性層2231と、この活性層2231を挟む一対のp型の導波路層2232及びn型の導波層2233と、これらを挟むp型及n型のクラッド層2234、2235と、更にいずれか一方、マウント221と活性層2231を挟み込む側に配置される電極2236を備えたものである。本図で示すレーザチップ2は、マウント221と電極2236の間に電流を流し活性層2231内で発光させ、この発光を伝播させて積層方向に垂直な方向から光を放出させる。なおこのため、レーザチップ2の後端面(回折格子3に向いていない側の端面)には、反射層がコーティングされており、回折格子3から戻ってきた光を反射させて再び回折格子3側に光を放出させることができる。放出する光の波長範囲としては、発振させるレーザ光の波長に応じ適宜調整可能であり限定されるわけではないが、例えば700nm以上1200nm以下であることが好ましく、より好ましくは900nm以上1000nmである。
図3、4は、本実施形態に係る光乱散乱体の例についての概略図である。本実施形態に係るレーザチップ2の前端面側には、光乱散乱体薄膜21を用いたビームフィルタ2が配置されている。本実施形態に係る光乱散乱体薄膜21は、光を散乱させることのできるものであって、この限りにおいて限定されるわけではないが、例えばセラミックスを好適に用いることができる。本実施形態に係る光乱散乱体薄膜21は、限定されるわけではないが、マウント221及びサブマウント222を覆うように配置されていることが好ましい。寄生発振は主としてマウント221、サブマウント222及びこれらの間に必然的に存在するハンダ等の接着層によって発生し、場合によってはレーザダイオード223とサブマウント222の間に不可避的に配置される接着層及びレーザダイオードの電極2236により生じることとなる。そのため、少なくともサブマウント222及びマウント221の前端面を覆って配置されていることが好ましい。このようにすることで、外部共振器内の様々な光路による光学フィードバックに起因する寄生発振を効率的に抑えることができるようになる。また本実施形態に係る光乱散乱体薄膜21の厚さは、材料等の条件によって適宜調整可能であるが、セラミックスを用いた場合は0.3mm以上1mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.7mm以下である。0.3mm以上とすることで照射される十分に光を乱散乱させることができる一方、1mm以下とすることで、レーザダイオードから放出されるブロードな光が乱散乱に当たって乱散乱されてしまうことを防止することができ、0.7mm以下とすることでこの効果をより顕著にすることができる。
また、本実施形態に係る光乱散乱体薄膜21の形状は、上記の通り、サブマウント222及びマウント221の前端面を覆うことができる限りにおいて限定されるわけではなく、サブマウント及びマウントの形状と同一の形状であっても、これら全体を覆う矩形状であってもよいが、例えばピンホール(微小な孔)211が形成された円形状であることは好ましい一例である。この場合ピンホールの大きさとしては、レーザダイオード223から放出される光及び回折格子3側から戻ってくる光(図4中点線)が透過できる程度の大きさである限りにおいて限定されるわけではないが、例えば上記0.3mm以上1mm以下の厚さの光乱散乱体を用いた場合、0.3mm以上1mm以下の円形状であることが好ましく、より好ましくは0.5mm以上0.8mm以下の円形状である。このようにすることで、マウント及びサブマウントを効果的に覆い、レーザダイオードから放出される光を十分に透過させ、レーザダイオードから放出される光がブロードに広がっている場合でも、この光を乱散乱させる虞が少なくなるといった効果がある。なお本実施形態においてビームフィルタ21は、レーザチップ2の前端面から所定の距離をとって支持部材により固定されていてよいが、レーザチップにおけるマウント又はサブマウント、好ましくはマウントの前端面に接着部材を介して貼り付けておくことは不必要な光を乱散乱させて必要な光を乱散乱させない観点から好ましい。
本実施形態に係る回折格子3は、レーザチップ2からの光のうち特定の波長の光を回折させてミラー4側に放出させる一方、ミラー4からの反射光を再び回折させて再びレーザチップ2側に放出するものである。回折格子3は上記機能を有する限りにおいて限定されるわけではないが、例えば表面31に鋸状の歯32を複数形成してなる回折格子であることは好ましい一例である。
反射するミラー4は、回折格子3から入射される光を反射して再び回折格子3に戻すことのできるものであり、この機能を有する限りにおいて限定されず、周知のミラーを使用することができる。
本実施形態において、回折格子3とミラー4は、レーザチップ2からの光が回折及び反射を経て再びレーザチップ2側に戻ることができるよう、所定の角度をもって向き合って配置されるだけでなく、この向き合う角度を調節することによって光路長を変化させ、発振する波長を変化させることができるよう配置される。例えば本実施形態に係る回折格子3及びミラー4のそれぞれ表面31、41は、常時回転中心(Pivot Point)PPを通る直線上にあるよう支持部材によって固定されるとともに、支持部材を操作することによって回折格子3又はミラー4の一方を回転させ、光路長を変化させることができる。なおここで回転中心PPは、レーザチップ2の後端面BEに平行な面上にあることが好ましい。
また本実施形態において、コリメートレンズ5は、レーザチップ2から放出され光を平行にするためのレンズであり、コリメートレンズ5により平行にされた光は回折格子3及びミラー4により回折及び反射され、再びコリメートレンズ5に入射され、再び光を集光してレーザチップ2に入射させる。
また本実施形態においてλ/2板6は、レーザチップ2から放出される光が偏光である場合に、良好な同調性及び高出力の少なくともいずれかを得ることができるように配置するものである。λ/2板6の遅延軸は、レーザチップ2から放出される光の進行方向に対し垂直であれば、回折格子3又はミラー4の回転面に対して平行な方向であってもよいし、垂直な方向であっても良い。
本実施形態に係る外部共振器レーザ1は、上記の通り光乱散乱体薄膜21を備えたビームフィルタ2を配置しているため、例えば図5で示すような寄生発振をきわめて有効に抑えることができる。具体的には、様々な光路による光学フィードバックにより、光乱散乱体の領域に回折、反射して戻ってきた光は光乱散乱体薄膜21によって乱散乱されることとなる。この結果、寄生発振に悩まされることなく利得領域全体にわたる波長同調が可能となり、高出力動作においても特性劣化を極めて少なくすることができる。
ここで、上記実施形態に係る外部共振器レーザを実際に作製し、その効果を確認した。この結果を以下に示す。
(実施例)
レーザチップ2として、銅のマウントにハンダ層を介してサブマウントを固定し、その上に更にはんだを介して固定されたレーザダイオードを用いた。なおレーザダイオードとしては通常での利得中心が1060nmのレーザダイオードを用い、回折格子3としては1200L/mmのもの(Nwe Port社製、型番10RG 1200−1000−2)を用い、ミラーとしては金コートのもの(エドモンド・オプティクス・ジャパン社製、直径25φ、厚さ3mm)を用いた。また、レーザチップ2及び回折格子3に関しては支持具を用いて固定し、ミラー4については、回転中心PPを中心に回転可能に支持し、Littman型の配置とした。また本実施例ではマウントの前端面に、0.6mmのピンホールが形成されたセラミックス(直径1cmの略円形状、厚さ0.5mm)からなる光乱散乱体を配置し、接着部材により貼り付けた。
そして、25℃、300mAの条件下で駆動し、モーターのカウント数に対する中心波長を測定した。この結果を図6に示す。この結果、中心波長にとびがなく、波長同調領域の拡大が確認でき、高出力動作においても寄生発振を十分に抑えることができるのを確認した。なお、この場合における光乱散乱体薄膜を貼った状態の写真図を図7に示す。
(比較例)
上記実施例において、ピンホールを形成した光乱散乱体薄膜を備えたビームフィルタを、レーザダイオードの前端面に塗布したペイントに変えた以外はほぼ実施例1と同様の構成として、外部共振器を駆動させた。すると、高出力時において反射ビームによりペイントが焼け、燃焼物がレーザチップの前面に付着し、端面反射の増加と同調特性の劣化を引き起こしてしまった。上記実施例と同様モーターのカウント数に対する中心波長を測定した結果を図8に示す。この結果、寄生発振が発生していることが確認できた。
以上、本実施例及び比較例により、本外部共振器レーザの有用性を確認することができた。
本発明は、外部共振器レーザ及びその構成部材として産業上の利用可能性がある。
1…外部共振器レーザ、2…レーザチップ、3…回折格子、4…ミラー、5…コリメートレンズ、6…ミラー

Claims (6)

  1. 光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタ。
  2. ピンホールが形成された光散乱体薄膜を用いたビームフィルタ。
  3. 光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタを備えたレーザチップ。
  4. 前記光乱散乱体にはピンホールが形成されてなる請求項3記載のレーザチップ。
  5. 光乱散乱体薄膜を用いたビームフィルタを備えたレーザチップと、
    前記レーザチップからの光を回折させる回折格子と、
    前記回折格子からの光を反射するミラーと、を有する外部共振器レーザ。
  6. 前記光乱散乱体薄膜にはピンホールが形成されてなる請求項5記載の外部共振器レーザ。
JP2009299283A 2009-12-30 2009-12-30 ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ Expired - Fee Related JP5637474B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009299283A JP5637474B2 (ja) 2009-12-30 2009-12-30 ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009299283A JP5637474B2 (ja) 2009-12-30 2009-12-30 ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011138996A true JP2011138996A (ja) 2011-07-14
JP5637474B2 JP5637474B2 (ja) 2014-12-10

Family

ID=44350111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009299283A Expired - Fee Related JP5637474B2 (ja) 2009-12-30 2009-12-30 ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5637474B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016013653A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
CN106711744A (zh) * 2016-12-08 2017-05-24 天津工业大学 一种实现可调谐激光器在波长扫描过程中纵模序数保持不变的谐振腔几何设计方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6124031A (ja) * 1984-07-13 1986-02-01 Sony Corp 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置
JPS63128755U (ja) * 1987-02-13 1988-08-23
JPH0198135A (ja) * 1988-09-19 1989-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 光学式ピックアップ装置
JPH08502144A (ja) * 1992-09-30 1996-03-05 フランシス エス. ルーケ 外部空洞ダイオードレーザーのための同調装置
JP2003289173A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Ando Electric Co Ltd 波長可変機構
JP2006128656A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 外部共振型半導体レーザ
JP2009264975A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Horiba Ltd 分析計用波長安定化レーザ装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6124031A (ja) * 1984-07-13 1986-02-01 Sony Corp 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置
JPS63128755U (ja) * 1987-02-13 1988-08-23
JPH0198135A (ja) * 1988-09-19 1989-04-17 Sanyo Electric Co Ltd 光学式ピックアップ装置
JPH08502144A (ja) * 1992-09-30 1996-03-05 フランシス エス. ルーケ 外部空洞ダイオードレーザーのための同調装置
JP2003289173A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Ando Electric Co Ltd 波長可変機構
JP2006128656A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 外部共振型半導体レーザ
JP2009264975A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Horiba Ltd 分析計用波長安定化レーザ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016013653A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JPWO2016013653A1 (ja) * 2014-07-25 2017-04-27 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
CN106711744A (zh) * 2016-12-08 2017-05-24 天津工业大学 一种实现可调谐激光器在波长扫描过程中纵模序数保持不变的谐振腔几何设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5637474B2 (ja) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5747355B2 (ja) 外部共振器レーザ
US7733925B2 (en) Continuous wavelength tunable laser source with optimum positioning of pivot axis for grating
US7636376B2 (en) Method and apparatus for wavelength tuning laser diodes
JP6293675B2 (ja) Octのためのgrsmを伴う波長調整可能な外部キャビティレーザーダイオード
US20200028332A1 (en) Wavelength combining laser apparatus
JPWO2017022142A1 (ja) 半導体レーザ装置
US7424044B2 (en) Semiconductor laser device
WO2004100331A1 (ja) 半導体レーザ装置
JP2005167008A (ja) 外部共振器型半導体レーザ
JP5637474B2 (ja) ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ
JP7280498B2 (ja) 光源装置
US5684824A (en) Semiconductor light emitting device
JP4402030B2 (ja) 外部共振型半導体レーザ
JP4024270B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2015056469A (ja) 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール
JP2008288616A5 (ja)
JP2012074445A (ja) 波長可変レーザ
JP2005175049A (ja) 外部共振器型半導体レーザ
JP2007300015A (ja) 光学装置
JP2007207886A (ja) 半導体レーザ装置
US6865197B2 (en) Laser diode module
JP2010225932A (ja) 波長可変光源
JP2845997B2 (ja) 外部共振器型レーザ
JP3454870B2 (ja) 光学式変位センサ
JP2011077076A (ja) 外部共振型半導体レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120926

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131030

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131211

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140310

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140509

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140922

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141010

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees