JP2011136414A - 同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び標識方法 - Google Patents
同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び標識方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011136414A JP2011136414A JP2010268128A JP2010268128A JP2011136414A JP 2011136414 A JP2011136414 A JP 2011136414A JP 2010268128 A JP2010268128 A JP 2010268128A JP 2010268128 A JP2010268128 A JP 2010268128A JP 2011136414 A JP2011136414 A JP 2011136414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- isotope
- doped
- carbon nanotube
- nanostructure
- isotopes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002372 labelling Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 138
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 101
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 101
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 11
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 9
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N Gluconic acid Natural products OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 8
- 235000001727 glucose Nutrition 0.000 description 8
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 7
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 7
- 235000010356 sorbitol Nutrition 0.000 description 7
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 6
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N (+)-Biotin Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)O)SC[C@@H]21 YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002304 glucoses Chemical class 0.000 description 3
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N Acetylene Chemical compound C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 2
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 2
- 229960002685 biotin Drugs 0.000 description 2
- 235000020958 biotin Nutrition 0.000 description 2
- 239000011616 biotin Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000003141 isotope labeling method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/16—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/34—Length
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
- C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
- C01B2202/36—Diameter
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/13—Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
- Y10T428/298—Physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10T436/23—Carbon containing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
【解決手段】同位体をドープしたナノ構造体は、少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントを含み、且つ該少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントは少なくとも一種の元素の少なくとも両種の同位体からなり、該少なくとも両種の同位体は所定の質量比で均一に分散する。また、本発明は、前記同位体をドープしたナノ材料の製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法を提供する。
【選択図】図1
Description
図1を参照すると、本実施例の同位体をドープしたカーボンナノチューブ10は、一つのカーボンナノチューブセグメント(図示せず)を含む。前記カーボンナノチューブセグメントは、所定の質量比で分散した少なくとも二種の炭素同位体からなる。前記同位体をドープしたカーボンナノチューブ10の長さは10μm〜1000μmである。前記炭素同位体は12C、13C、又は14Cである。本実施例において、前記同位体をドープしたカーボンナノチューブ10は、12C、13C、及び14Cからなり、該三種の炭素同位体の質量比が7.2:6.5:5.6である。前記同位体をドープしたカーボンナノチューブ10の長さは10μm〜50μmであり、その直径は0.5nm〜50nmである。
図3を参照すると、同位体をドープしたカーボンナノチューブ20は第一カーボンナノチューブセグメント210と、第二カーボンナノチューブセグメント220及び第三カーボンナノチューブセグメント230と、を含む。前記第二カーボンナノチューブセグメント220は、前記第一カーボンナノチューブセグメント210の長手方向に沿って、前記第一カーボンナノチューブセグメント210の上に積層される。前記第三カーボンナノチューブセグメント230は、前記第二カーボンナノチューブセグメント220の長手方向に沿って、前記第二カーボンナノチューブセグメント220の上に積層される。前記第一カーボンナノチューブセグメント210は12C及び14Cからなり、且つ12C及び14Cの質量比が8:7である。前記第二カーボンナノチューブセグメント220は12C、13C及び14Cからなり、且つ12C、13C及び14Cの質量比が8:8:7である。前記第三カーボンナノチューブセグメント230は12Cからなる。前記同位体をドープしたカーボンナノチューブ20の長さは、30μm〜50μmの間である。
(1)排気通路116により反応室110の空気を排気して、前記反応室110を真空化させた後、前記ガス導入通路118により1気圧の保護ガスを導入するとともに、反応炉106によって、反応室110を700℃まで加熱する。
(2)前記バルブ112及び114を同時に開けて、ガス導入通路102から流量が120sccmの12C及びガス導入通路104から流量が80sccmの14Cを含むエチレンを導入して反応させる。これにより、基板132に12C及び14Cを含む第一カーボンナノチューブセグメント210を堆積する。
(3)前記第一カーボンナノチューブセグメント210は所定の長さを堆積した後、バルブ113を開けて、ガス導入通路103から流量が110sccmの13Cを含むエチレンを反応室110に導入して反応させる。これにより、12C、13C及び14Cの三種の同位体を含む第二カーボンナノチューブセグメント220が、前記第一カーボンナノチューブセグメント210の長手方向に沿って、前記第一カーボンナノチューブセグメント210の上に積層される。前記第二カーボンナノチューブセグメント220における12C、13C及び14Cの質量比が8:8:7である。
(4)前記第二カーボンナノチューブセグメント220は予定の長さを堆積した後、バルブ113と114を閉じ、ガス導入通路102から流量が120sccmの12Cを含むエチレンを導入して反応させる。これにより、12Cを含む前記第三カーボンナノチューブセグメント230が、前記第二カーボンナノチューブセグメント220の長手方向に沿って、前記第二カーボンナノチューブセグメント220の上に積層される。
(5)前記第三カーボンナノチューブセグメント230は予定の長さを堆積した後、バルブ112を閉じ、前記反応室110を室温に冷却させ、前記基板132に前記同位体をドープしたカーボンナノチューブ20が得られる。
前記第一ステップにおいて、前記第一種の炭素を含む原料ガスは12C及び13Cを含む混合ガスであり、且つ12C及び13Cの質量比が8:7である。前記第二種の炭素を含む原料ガスは12C、13C及び14Cを含む混合ガスであり、且つ12C、13C及び14Cの質量比が8:8:7である。前記第三種の炭素を含む原料ガスは12Cを含むガスである。
図4を参照すると、同位体をドープしたカーボンナノチューブ30は、第一カーボンナノチューブセグメント310と、第二カーボンナノチューブセグメント320と、第三カーボンナノチューブセグメント330と、第四カーボンナノチューブセグメント340と、を含む。前記第二カーボンナノチューブセグメント320は、前記第一カーボンナノチューブセグメント310の長手方向に沿って、前記第一カーボンナノチューブセグメント310の上に積層される。前記第三カーボンナノチューブセグメント330は、前記第二カーボンナノチューブセグメント320の長手方向に沿って、前記第二カーボンナノチューブセグメント320の上に積層される。前記第四カーボンナノチューブセグメント340は、前記第三カーボンナノチューブセグメント330の長手方向に沿って、前記第三カーボンナノチューブセグメント330の上に積層される。前記第一カーボンナノチューブセグメント310は12C、13C及び14Cからなり、且つ12C、13C及び14Cの質量比が7:7:6.5である。前記第二カーボンナノチューブセグメント320は12C、13C及び14Cからなり、且つ12C、13C及び14Cの質量比が7.2:6.5:5.6である。前記第三カーボンナノチューブセグメント330は12C、13C及び14Cからなり、且つ12C、13C及び14Cの質量比が5.5:6.5:7である。前記第四カーボンナノチューブセグメント340は13C及び14Cからなり、且つ13C及び14Cの質量比が1:1である。前記同位体をドープしたカーボンナノチューブ30の長さは50μm〜100μmの間である。
(1)複数の異なる未標識構造体と、複数の異なる同位体をドープしたナノ構造体と、を提供する。前記同位体をドープしたナノ構造体は、ナノ構造セグメントからなり、一定のラマン分光スペクトルのピーク値を有する。各々の前記同位体をドープしたナノ構造体は、少なくとも一種の元素の少なくとも二種の同位体を含み、且つ該二種の同位体が所定の質量比で均一に分散する。
(2)各々の前記複数の異なる同位体をドープしたナノ構造体を、別々に前記複数の異なる未標識構造体の中に埋め込む。
(3)ラマン分光スペクトルによって、前記複数のナノ構造体のラマンピーク値を検知する。
(4)検知された前記複数のナノ構造体のラマンピーク値により、前記複数の異なる未標識構造体が検知される。
(1)グルコース(glucoses)と、グルコン酸(gluconic acids)と、ソルビトール(sorbitols)と、前記カーボンナノチューブ構造体10と、前記カーボンナノチューブ構造体20と、前記カーボンナノチューブ構造体30と、を提供する。前記カーボンナノチューブ構造体10のラマン分光スペクトルのピーク値はL1であり、前記カーボンナノチューブ構造体20のラマン分光スペクトルのピーク値はL2であり、前記カーボンナノチューブ構造体30のラマン分光スペクトルのピーク値はL3である。
(2)前記カーボンナノチューブ構造体10を前記グルコン酸(gluconic acids)の中に埋め込み、前記カーボンナノチューブ構造体20を前記グルコース(glucoses)の中に埋め込み、前記カーボンナノチューブ構造体30をソルビトール(sorbitols)の中に埋め込む。
(3)ラマン分光スペクトルによって、前記カーボンナノチューブを含む前記三種の未標識構造体のグルコース(glucoses)、グルコン酸(gluconic acids)及びソルビトール(sorbitols)を検知する。それぞれ前記三種の未標識構造体のラマン分光スペクトルのピーク値はL1、L2及びL3である。
(4)検知された前記カーボンナノチューブ構造体のラマンピーク値により、三種の未標識構造体のグルコース(glucoses)、グルコン酸(gluconic acids)及びソルビトール(sorbitols)が検知される。
100 カーボンナノチューブの製造装置
102 ガス導入通路
103 ガス導入通路
104 ガス導入通路
106 反応炉
110 反応室
112 バルブ
113 バルブ
114 バルブ
116 排気通路
118 ガス導入通路
132 基板
134 触媒層
20 同位体をドープしたカーボンナノチューブ
210 第一カーボンナノチューブセグメント
220 第二カーボンナノチューブセグメント
230 第三カーボンナノチューブセグメント
30 同位体をドープしたカーボンナノチューブ
310 第一カーボンナノチューブセグメント
320 第二カーボンナノチューブセグメント
330 第三カーボンナノチューブセグメント
340 第四カーボンナノチューブセグメント
Claims (3)
- 同位体をドープしたナノ構造体であって、
少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントを含み、
前記少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントは、少なくとも一種の元素の少なくとも二種の同位体からなり、該少なくとも二種の同位体は所定の質量比で均一に分散していることを特徴とするナノ構造体。 - 基板を反応室に置く第一ステップと、
一種の元素の少なくとも二種の同位体を含む原料ガスを、同時に前記反応室に導入し、化学気相堆積法により、前記基板に少なくとも一つのナノ構造体セグメントを堆積し、一つの前記ナノ構造体セグメントが一種の元素の少なくとも二種の同位体を含み、前記少なくとも二種の同位体が所定の質量比で均一に分散する第二ステップと、
を含むことを特徴とする同位体をドープしたナノ構造体の製造方法。 - 請求項1に記載の同位体をドープしたナノ構造体を利用する標識方法であって、
複数の異なる未標識構造体と、複数の異なるラマン分光スペクトルのピーク値を有する前記同位体をドープしたナノ構造体と、を提供する第一ステップと、
各々の前記同位体をドープしたナノ構造体を、別々に各前記複数の異なる未標識構造体の中に埋め込む第二ステップと、
ラマン分光スペクトルによって、前記複数の同位体をドープしたナノ構造体を検知することにより、前記複数の異なる未標識構造体を検知する第三ステップと、
を含むことを特徴とする同位体をドープしたナノ構造体を利用する標識方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009102396619A CN102115026A (zh) | 2009-12-31 | 2009-12-31 | 一维纳米结构、其制备方法及一维纳米结构作标记的方法 |
CN200910239661.9 | 2009-12-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011136414A true JP2011136414A (ja) | 2011-07-14 |
Family
ID=44188032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010268128A Pending JP2011136414A (ja) | 2009-12-31 | 2010-12-01 | 同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び標識方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8241917B2 (ja) |
JP (1) | JP2011136414A (ja) |
CN (1) | CN102115026A (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2953394B1 (fr) * | 2009-12-08 | 2012-09-07 | Centre Nat Rech Scient | Retine artificielle comprenant une couche en materiau photovoltaique comprenant un semiconducteur a base de titane |
CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
US8754114B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-06-17 | Incyte Corporation | Substituted imidazopyridazines and benzimidazoles as inhibitors of FGFR3 |
CN102564951A (zh) * | 2012-02-08 | 2012-07-11 | 清华大学 | 一种实现一维纳米材料的光学可视化和/或有效标记的方法 |
CN107383009B (zh) | 2012-06-13 | 2020-06-09 | 因塞特控股公司 | 作为fgfr抑制剂的取代的三环化合物 |
US9388185B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-07-12 | Incyte Holdings Corporation | Substituted pyrrolo[2,3-b]pyrazines as FGFR inhibitors |
CN102815668A (zh) * | 2012-09-07 | 2012-12-12 | 天津大学 | 一种纳米半导体器件生物加工方法 |
US9266892B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-02-23 | Incyte Holdings Corporation | Fused pyrazoles as FGFR inhibitors |
CN105263931B (zh) | 2013-04-19 | 2019-01-25 | 因赛特公司 | 作为fgfr抑制剂的双环杂环 |
US10851105B2 (en) | 2014-10-22 | 2020-12-01 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR4 inhibitors |
CN104359940B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-02-01 | 中国科学院物理研究所 | 一维材料的轴向热导率的测定方法 |
CN104359941B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-03-29 | 中国科学院物理研究所 | 一维材料的局部定位方法 |
EP3617205B1 (en) | 2015-02-20 | 2021-08-04 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
MA41551A (fr) | 2015-02-20 | 2017-12-26 | Incyte Corp | Hétérocycles bicycliques utilisés en tant qu'inhibiteurs de fgfr4 |
WO2016134294A1 (en) | 2015-02-20 | 2016-08-25 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as fgfr4 inhibitors |
AR111960A1 (es) | 2017-05-26 | 2019-09-04 | Incyte Corp | Formas cristalinas de un inhibidor de fgfr y procesos para su preparación |
US11466004B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-10-11 | Incyte Corporation | Solid forms of an FGFR inhibitor and processes for preparing the same |
JP2021523118A (ja) | 2018-05-04 | 2021-09-02 | インサイト・コーポレイションIncyte Corporation | Fgfr阻害剤の塩 |
WO2020185532A1 (en) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | Incyte Corporation | Methods of treating cancer with an fgfr inhibitor |
US11591329B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-02-28 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors |
AU2020366006A1 (en) | 2019-10-14 | 2022-04-21 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors |
US11566028B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-01-31 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors |
BR112022010664A2 (pt) | 2019-12-04 | 2022-08-16 | Incyte Corp | Derivados de um inibidor de fgfr |
EP4069696A1 (en) | 2019-12-04 | 2022-10-12 | Incyte Corporation | Tricyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
WO2021146424A1 (en) | 2020-01-15 | 2021-07-22 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
JP2024522189A (ja) | 2021-06-09 | 2024-06-11 | インサイト・コーポレイション | Fgfr阻害剤としての三環式ヘテロ環 |
AU2022367432A1 (en) | 2021-10-14 | 2024-05-02 | Incyte Corporation | Quinoline compounds as inhibitors of kras |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003034514A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-02-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 同位体比率を制御した炭素材料及びその製造方法 |
JP2004175655A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 炭素ナノチューブ、その製造方法及び製造装置 |
US20050191417A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-09-01 | Tsinghua University | Isotope-doped carbon nanotube and method for making the same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4338520A (en) | 1979-05-18 | 1982-07-06 | Rolls Royce Limited | Method of and apparatus for analyzing gas flows inside hollow bodies |
US4427884A (en) | 1982-01-25 | 1984-01-24 | The Research Foundation Of State University Of New York | Method for detecting and quantifying carbon isotopes |
US4900830A (en) | 1987-10-28 | 1990-02-13 | Israel Institute For Biological Research | Process for labelling sulfur-containing compounds |
US6183714B1 (en) | 1995-09-08 | 2001-02-06 | Rice University | Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes |
JP2873930B2 (ja) | 1996-02-13 | 1999-03-24 | 工業技術院長 | カーボンナノチューブを有する炭素質固体構造体、炭素質固体構造体からなる電子線源素子用電子放出体、及び炭素質固体構造体の製造方法 |
US5753088A (en) | 1997-02-18 | 1998-05-19 | General Motors Corporation | Method for making carbon nanotubes |
US6232706B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-05-15 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Self-oriented bundles of carbon nanotubes and method of making same |
US6139919A (en) | 1999-06-16 | 2000-10-31 | University Of Kentucky Research Foundation | Metallic nanoscale fibers from stable iodine-doped carbon nanotubes |
CN1328161C (zh) * | 2004-05-20 | 2007-07-25 | 清华大学 | 一种碳纳米管和其制备方法 |
CN1307093C (zh) * | 2004-06-09 | 2007-03-28 | 清华大学 | 碳纳米管的制备方法 |
CN1309659C (zh) * | 2004-06-10 | 2007-04-11 | 清华大学 | 碳纳米管的制备方法 |
US7786086B2 (en) * | 2004-09-08 | 2010-08-31 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd. | Peptide nanostructures containing end-capping modified peptides and methods of generating and using the same |
CN101493457A (zh) * | 2009-02-24 | 2009-07-29 | 中国检验检疫科学研究院 | 用拉曼光谱仪检测经单壁碳纳米管标记的检测物的方法 |
-
2009
- 2009-12-31 CN CN2009102396619A patent/CN102115026A/zh active Pending
-
2010
- 2010-06-04 US US12/794,356 patent/US8241917B2/en active Active
- 2010-12-01 JP JP2010268128A patent/JP2011136414A/ja active Pending
-
2012
- 2012-07-03 US US13/540,716 patent/US8361803B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003034514A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-02-07 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 同位体比率を制御した炭素材料及びその製造方法 |
JP2004175655A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 炭素ナノチューブ、その製造方法及び製造装置 |
US20050191417A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-09-01 | Tsinghua University | Isotope-doped carbon nanotube and method for making the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102115026A (zh) | 2011-07-06 |
US8241917B2 (en) | 2012-08-14 |
US8361803B2 (en) | 2013-01-29 |
US20110159604A1 (en) | 2011-06-30 |
US20120270296A1 (en) | 2012-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011136414A (ja) | 同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び標識方法 | |
Liu et al. | Chirality-controlled synthesis and applications of single-wall carbon nanotubes | |
JP4474502B2 (ja) | カーボンナノチューブアレイの製造方法 | |
JP5470610B2 (ja) | グラフェンシートの製造方法 | |
JP4474503B2 (ja) | カーボンナノチューブ薄膜の製造方法 | |
US7354871B2 (en) | Nanowires comprising metal nanodots and method for producing the same | |
Chen et al. | Diameter controlled growth of single-walled carbon nanotubes from SiO2 nanoparticles | |
JP5065336B2 (ja) | カーボンナノチューブフィルムの製造方法 | |
EP2298697B1 (en) | Method for producing a carbon wire assembly and a conductive film | |
US8388924B2 (en) | Method for growth of high quality graphene films | |
Sutter et al. | Microscopy of graphene growth, processing, and properties | |
JP2015145339A (ja) | 結晶表面構造およびその製造方法 | |
McLean et al. | Boron nitride nanotube nucleation via network fusion during catalytic chemical vapor deposition | |
CN102092704A (zh) | 碳纳米管阵列的制备装置及制备方法 | |
Otsuka et al. | Digital isotope coding to trace the growth process of individual single-walled carbon nanotubes | |
Xiang | Atomic precision manufacturing of carbon nanotube—A perspective | |
Otsuka et al. | Universal map of gas-dependent kinetic selectivity in carbon nanotube growth | |
CN104944412A (zh) | 一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 | |
KR101679693B1 (ko) | 탄소나노튜브 제조방법 및 하이브리드 탄소나노튜브 복합체 | |
JP5266303B2 (ja) | 半導体型カーボンナノチューブの製造方法 | |
Devaux et al. | On the low-temperature synthesis of SWCNTs by thermal CVD | |
KR20100026151A (ko) | 탄소 나노튜브를 형성하기 위한 촉매 및 탄소 나노튜브 제조 방법 | |
Kim et al. | Formation of Graphene on Gold–Nickel Surface Alloys | |
KR20010076463A (ko) | 탄소나노튜브의 합성 방법 및 그를 위한 벨트형열화학기상증착장치 | |
TWI491555B (zh) | 一維奈米結構、其製備方法及一維奈米結構作標記的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140805 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140825 |