JP2011134724A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (10)

1. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
   前記素子を含む層に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
   前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に熱伝導性を有する膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
   前記素子を含む層に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
   前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に熱伝導性を有する膜を形成し、
   前記熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む層を挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記熱伝導性を有する膜はそれぞれ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、もしくは酸化ベリリウムの単層または積層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
   前記素子を含む層に第１の熱伝導性を有する膜を形成し、
   前記第１の熱伝導性を有する膜に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
   前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に第２の熱伝導性を有する膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に酸化物層を形成し、
   前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
   前記素子を含む層に第１の熱伝導性を有する膜を形成し、
   前記第１の熱伝導性を有する膜に支持体を接着した後、前記基板を剥離して前記素子を含む層を前記支持体に転置し、
   前記転置後の前記素子を含む層の下方の剥離した面に第２の熱伝導性を有する膜を形成し、
   前記第２の熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む層を挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または請求項５において、
   前記第１の熱伝導性を有する膜及び前記第２の熱伝導性を有する膜はそれぞれ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、もしくは酸化ベリリウムの単層または積層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記剥離層は、タングステンを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記素子は、トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記支持体及び前記転写体は、プラスチックを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 前記酸化物層の上に素子を含む層を有し、
    前記素子を含む層の上に第１の熱伝導性を有する膜を有し、
    前記第１の熱伝導性を有する膜の上にプラスチックを含む第１の基板を有し、
    前記酸化物層の下側の剥離した面に形成された第２の熱伝導性を有する膜を有し、
    前記第２の熱伝導性を有する膜の下にプラスチックを含む第２の基板を有することを特徴とする半導体装置。