JP2011134059A - 電圧安定化装置及びそれを用いた半導体装置並びに電圧安定化方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の電圧(Vwell)を生成する第1の電圧生成部10と、第1の電圧が予め定められる基準電圧より低い第1の状態と、基準電圧より高い第2の状態を判定する判定部20と、第1の状態にあるとき第1の電圧が供給され、第1の電圧以下の第2の電圧(Vwl)を生成する第2の電圧生成部30と、第2の状態にあるとき第1の電圧より高い電圧(Vh)が供給され、第2の電圧生成部30の出力において第2の電圧を生成する第3の電圧生成部40とを備えている。
【選択図】図1
Description
この構成によれば、第1の電圧生成部によって生成された第1の電圧が予め定められる基準電圧より低い第1の状態にある場合には、第1の電圧が供給される第2の電圧生成部によって、第1の電圧以下の第2の電圧が生成される。他方、第1の電圧生成部によって生成された第1の電圧が予め定められる基準電圧より高い第2の状態にある場合には、第1の電圧より高い電圧が供給される第3の電圧生成部によって、第2の電圧生成部の出力において第2の電圧が生成される。この基準電圧を、第1の電圧が負荷容量等を充分充電した状態の電圧に設定することで、第1の電圧より高い電圧が供給される第3の電圧生成部によって生成される第2の電圧を、第1の電圧以下に容易に制御することができる。また、第3の電圧生成部に第1の電圧より高い電圧を供給することで、第2の電圧の充電能力を高めることができる。
2、2a 第1のレギュレータ
3、3b 第2のレギュレータ
10 第1の電圧生成部
20、20a 判定部
30 第2の電圧生成部
40、40b 第3の電圧生成部
13、14、21、22 抵抗
12、15、32、35、42、43、121 PチャネルMOSトランジスタ
11、31、44、45 オペアンプ
16、36 レベルシフト回路
100 半導体チップ(半導体装置)
111 不揮発性メモリセル
Claims (10)
- 第1の電圧を生成する第1の電圧生成部と、
前記第1の電圧が予め定められる基準電圧より低い第1の状態と、前記基準電圧より高い第2の状態を判定する判定部と、
前記第1の状態にあるとき前記第1の電圧が供給され、前記第1の電圧以下の第2の電圧を生成する第2の電圧生成部と、
前記第2の状態にあるとき前記第1の電圧より高い電圧が供給され、前記第2の電圧生成部の出力において前記第2の電圧を生成する第3の電圧生成部と
を備えることを特徴とする電圧安定化装置。 - 前記第3の電圧生成部は、
前記第1の電圧の変化にしたがった前記判定部の判定結果に応じて、活性化される
ことを特徴とする請求項1に記載の電圧安定化装置。 - 前記第3の電圧生成部は、
前記判定部の判定結果に応じて、前記第1の電圧より高い電圧が供給される
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電圧安定化装置。 - 前記判定部は、前記第1の電圧生成部が出力する第1の電圧の分圧回路を前記第1の電圧生成部と共有する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電圧安定化装置。 - 前記第1の電圧生成部が、
前記第1の電圧を第1の分圧比で分圧した入力に応じ、第1の基準電圧を基準として第1の出力トランジスタを駆動する第1の演算増幅回路と、
前記第1の分圧比を所定の制御信号に応じて変化させる第1の分圧比変化部と
を有している
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電圧安定化装置。 - 前記第2の電圧生成部が、第2の基準電圧を基準として第2の出力トランジスタを駆動する第2の演算増幅回路を有して構成され、
前記第3の電圧生成部が、前記第2の基準電圧を基準として第3の出力トランジスタを駆動する第3の演算増幅回路を有して構成され、
前記第2の出力トランジスタの出力端と前記第3の出力トランジスタの出力端とが接続されている
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電圧安定化装置。 - 前記第2の電圧生成部が、前記第2の電圧を第2の分圧比で分圧した入力に応じ、第2の基準電圧を基準として第2の出力トランジスタを駆動する第2の演算増幅回路を有して構成され、
前記第3の電圧生成部が、前記第2の電圧を第2の分圧比で分圧した入力に応じ、前記第2の基準電圧を基準として第3の出力トランジスタを駆動する第3の演算増幅回路を有して構成され、
前記第2の出力トランジスタの出力端と前記第3の出力トランジスタの出力端とが接続され、
さらに、前記第2の分圧比を所定の制御信号に応じて変化させる第2の分圧比変化部を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の電圧安定化装置。 - 記憶素子と、
前記記憶素子に供給される電源電圧又は制御信号の電圧が、請求項1から請求項7のいずれかに記載の電圧安定化装置によって供給される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記記憶素子が、多値記憶の不揮発性半導体素子であり、
前記第1の電圧が複数の前記不揮発性半導体素子に接続されたワード線を駆動するPチャネルMOSトランジスタのウェル電位であり、
前記第2の電圧が前記PチャネルMOSトランジスタのソース電位である
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 第1の電圧生成部が、第1の電圧を生成し、
判定部が、前記第1の電圧が予め定められる基準電圧より低い第1の状態と、前記基準電圧より高い第2の状態を判定し、
第2の電圧生成部が、前記第1の状態にあるとき前記第1の電圧が供給され、前記第1の電圧以下の第2の電圧を生成し、
第3の電圧生成部が、前記第2の状態にあるとき前記第1の電圧より高い電圧が供給され、前記第2の電圧生成部の出力において前記第2の電圧を生成する
ことを特徴とする電圧安定化方法。
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