JP2011124743A - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄型化が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、弾性波デバイスチップをパッケージ基板2の上面にフリップチップ実装する工程と、弾性波デバイスチップの側面を封止部8により封止する工程と、弾性波デバイスチップの上面及び封止部8の上面を削る工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部を削ることで低背化し、弾性波デバイスを薄型化することができる。
【選択図】図3
【解決手段】本発明は、弾性波デバイスチップをパッケージ基板2の上面にフリップチップ実装する工程と、弾性波デバイスチップの側面を封止部8により封止する工程と、弾性波デバイスチップの上面及び封止部8の上面を削る工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部を削ることで低背化し、弾性波デバイスを薄型化することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関し、特に弾性波デバイスチップをフリップチップ実装する弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
情報化社会の進展に伴い、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)デバイスや弾性境界波デバイスのような弾性波デバイスには、小型化・低コスト化が要求されている。こうした要求に応えるために、弾性波デバイスチップをパッケージ基板にフリップチップ実装した弾性波デバイスが開発されている。
特許文献1には、基板にフリップチップ実装した弾性波デバイスを、半田により封止する技術が開示されている。
しかし、従来の弾性波デバイスでは薄型化が困難な場合があった。本願発明は上記課題に鑑み、薄型化が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、弾性波デバイスチップをパッケージ基板の上面にフリップチップ実装する工程と、前記弾性波デバイスチップの側面を封止部により封止する工程と、前記弾性波デバイスチップの上面及び前記封止部の上面を削る工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部を削ることで低背化し、弾性波デバイスを薄型化することができる。
上記構成において、前記削る工程は、ブラスト工法により削る工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部をブラスト工法により削ることで、弾性波デバイスを薄型化できる。また、弾性波デバイスチップの上面に凹凸が形成されるため、反射波によるデバイス特性の悪化を抑制することができる。
上記構成において、前記フリップチップ実装する工程は、複数の前記弾性波デバイスチップを前記パッケージ基板の上面にフリップチップ実装する工程を含み、前記封止する工程は、前記複数の弾性波デバイスチップの各々の側面を封止部により封止する工程を含み、前記削る工程の後に、前記パッケージ基板を切断する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、簡単な工程で複数の弾性波デバイスを製造することができ、低コスト化を図ることができる。
上記構成において、前記封止する工程は、半田からなる前記封止部により封止する工程を含み、前記削る工程の後に、前記封止部の上面及び側面を覆う保護膜を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、半田により弾性波デバイスチップを気密性高く封止し、かつ電気的にシールドすることができる。また、保護膜により封止部を保護することができる。
上記構成において、前記削る工程の後であって、前記パッケージ基板を切断する工程の前に、前記複数の弾性波デバイスチップ間に配置された前記封止部を前記パッケージ基板が露出するまで切断する工程を有し、前記保護膜を形成する工程は、前記封止部を切断する工程の後であって、前記パッケージ基板を切断する工程の前に行われ、前記パッケージ基板を切断する工程は、前記封止部を切断する工程における切断領域と重なる切断領域で前記パッケージ基板を切断する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、封止部を切断する工程の後に保護膜を形成する工程を行うため、複数の弾性表面波デバイスの各々の側面に保護膜を形成できる。これにより、弾性表面波デバイスを効果的に保護することができる。
本発明は、パッケージ基板と、前記パッケージ基板の上面にフリップチップ実装され、上面がブラスト加工されている弾性波デバイスチップと、前記デバイスチップの側面を封止する封止部と、を具備する弾性波デバイスである。本発明によれば、弾性波デバイスチップをブラスト工法により削ることで低背化し、弾性波デバイスを薄型化することができる。また、弾性波デバイスチップの上面に凹凸が形成されるため、反射波による特性の悪化を抑制することができる。
上記構成において、前記パッケージ基板の上面から前記弾性波デバイスチップの上面までの高さは、前記パッケージ基板の上面から前記封止部の上面までの高さより大きい構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部を削ることで、弾性波デバイスを薄型化できる。
上記構成において、前記封止部の側面及び上面を覆う保護膜を有し、前記封止部は半田からなる構成とすることができる。この構成によれば、半田により弾性波デバイスチップを気密性高く封止し、かつ電気的にシールドすることができる。また、保護膜により封止部を保護することができる。
本発明によれば、薄型化が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することができる。
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
初めに、比較例と実施例1、それぞれに係る弾性表面波デバイスの構成について説明する。図1は比較例に係る弾性表面波デバイス1、及び実施例1に係る弾性表面波デバイス100を例示する断面図である。
図1(a)及び図1(b)に示すように、弾性表面波デバイス1及び弾性表面波デバイス100は、それぞれパッケージ基板2、バンプ4、配線6、封止部8、弾性表面波デバイスチップ10、及び保護膜14を備える。図1(a)に示すように、弾性表面波デバイス1はリッド12を備える。図1(b)に示すように、弾性表面波デバイス100はシードメタル16を備える。
パッケージ基板2は例えばセラミック等の絶縁体からなる。弾性表面波デバイスチップ10は、例えばLiTaO3又はLiNbO3からなる圧電基板と、圧電基板上に設けられた櫛形電極とを備える。バンプ4及び配線6は例えばAu等の金属からなる。封止部8は例えばSn−Ag等の半田からなる。リッド12は例えばコバールからなる。保護膜14及びシードメタル16は、例えばNi等の金属からなる。
弾性表面波デバイスチップ10はパッケージ基板2の上面にフリップチップ実装されている。弾性表面波デバイスチップ10が備える櫛形電極は、弾性表面波デバイスチップ10の下面に設けられており、空隙と接している。このため、櫛形電極による弾性表面波の励振が効果的に行われる。
弾性表面波デバイスチップ10は、バンプ4により配線6と電気的に接続されている。配線6は、パッケージ基板2の上面から、内部を通ってパッケージ基板2の下面に引き出されている。パッケージ基板2の下面に露出する配線6はフットパターンとして機能する。
パッケージ基板2の上面には金属パターンが形成されており、封止部8は金属パターンに接合される。封止部8はバンプ4や配線6とは接触せず、弾性表面波デバイスチップ10とは電気的に絶縁される。
図1(a)に示すように、比較例に係る弾性表面波デバイス1においては、弾性表面波デバイスチップ10の側面は封止部8に封止され、上面はリッド12に封止される。パッケージ基板2の上面から弾性表面波デバイスチップ10の上面までの高さは、パッケージ基板2の上面から封止部8までの上面までの高さと略等しい。パッケージ基板2の下面から保護膜14の上面までの高さH1、つまり弾性表面波デバイス1の高さH1は例えば0.5mmである。弾性表面波デバイスチップ10の厚さT1は例えば0.2mmである。つまり弾性表面波デバイスチップ10の厚さT1は、弾性表面波デバイス1の高さH1の40%を占める。また、リッド12の厚さT2は0.02mmである。
図1(b)に示すように、実施例1に係る弾性表面波デバイス100においては、封止部8が弾性表面波デバイスチップ10の側面の一部に接触し封止する。パッケージ基板2の上面から弾性表面波デバイスチップ10の上面までの高さは、パッケージ基板2の上面から封止部8までの上面までの高さより大きい。パッケージ基板2の下面から保護膜14の上面までの高さH2、つまり弾性表面波デバイス100の高さH2は例えば0.36mmである。弾性表面波デバイスチップ10の厚さT3は例えば0.08mmである。また、弾性表面波デバイスチップ10の上面、つまりパッケージ基板2と対向する面とは反対側の面はブラスト加工されており、凹凸が形成されている。
上記のように、実施例1に係る弾性表面波デバイス100は、弾性表面波デバイスチップ10を薄型化し、またリッド12を設けない分、比較例に係る弾性表面波デバイス1よりも例えば0.14mmの薄型化が可能となっている。言い換えれば実施例1により、弾性表面波デバイス1の厚さ0.5mmから約30%の薄型化を実現したことになる。
次に、弾性表面波デバイスの製造方法を説明する。まず、比較例に係る弾性表面波デバイス1の製造方法について説明する。
図2(a)から図2(e)は、比較例に係る弾性表面波デバイス1の製造方法を例示する断面図である。
図2(a)に示すように、複数の弾性表面波デバイスチップ10を、バンプ4を用いて、多面取り構造のパッケージ基板18の上面にフリップチップ実装する。
図2(b)に示すように、リッド20を介して半田シートを上から加圧し、かつ加熱する。これにより、半田からなる封止部8、及びリッド20で、複数の弾性表面波デバイスチップ10の各々を封止する。
図2(c)に示すように、封止部8及びリッド20を、パッケージ基板18が露出するまで切断するハーフダイシング工程を行う。このとき、パッケージ基板18が切断されない程度に溝が形成されてもよい。
図2(d)に示すように、封止部8の側面、及び個片化されたリッド12に、Niからなる保護膜14を形成する。
図2(e)に示すように、パッケージ基板18を切断するダイシング工程を行う。パッケージ基板18は、図2(c)における切断領域と重なる切断領域で切断され、個片化されたパッケージ基板2となる。以上の工程により、弾性表面波デバイス1が完成する。
比較例に係る弾性表面波デバイス1の製造方法では、図2(b)に示すようにフリップチップ実装した弾性表面波デバイスチップ10をそのまま封止する。このため、図1(a)に示すような厚さの弾性表面波デバイス1となり、薄型化が困難となる。次に実施例1に係る弾性表面波デバイス100の製造方法について説明する。
図3(a)から図3(e)は、実施例1に係る弾性表面波デバイス100の製造方法を例示する断面図である。図2(a)及び図2(b)に示した工程は、実施例1にも共通であるため説明を省略する。
図3(a)に示すように、封止部8、複数の弾性表面波デバイスチップ10の各々、及びリッド20に対してブラスト加工を行う。つまり、ブラスト工法により、封止部8の上面、複数の弾性表面波デバイスチップ10の各々の上面、及びリッド20を削る。ブラスト加工によりリッド20は除去される。また、封止部8及び弾性表面波デバイスチップ10の厚さは小さくなる。ブラスト加工は、砥粒として例えば粒径12μmのGC(Green Carborundom:グリーンカーボランダム)を、例えば噴射圧0.2MPaで噴射して行う。
図3(b)に示すように、複数の弾性表面波デバイスチップ10の間に配置された封止部8を、パッケージ基板18が露出するまで切断するハーフダイシング工程を行う。
図3(c)に示すように、パッケージ基板18の露出した面、封止部8の上面及び側面、並びに弾性表面波デバイスチップ10の側面の一部及び上面に、例えばNiからなる厚さが例えば0.1μmのシードメタル16を形成する。
図3(d)に示すように、シードメタル16の表面に、封止部8の上面及び側面、並びに弾性表面波デバイスチップ10の側面の一部及び上面を覆うように、例えばNiやCu等の金属からなる、厚さが例えば10μmの保護膜14を形成する。保護膜14の形成は、例えば電解メッキ法により行われる。
図3(e)に示すように、パッケージ基板18を切断するダイシング工程を行う。パッケージ基板18は、図2(c)における切断領域と重なる切断領域で、パッケージ基板18上に形成されたシードメタル16及び保護膜14とともに切断され、個片化されたパッケージ基板2となる。以上の工程により、弾性表面波デバイス100が完成する。
実施例1によれば、弾性表面波デバイスチップ10を封止した後、ブラスト加工を行い、弾性表面波デバイスチップ10及び封止部8を低背化する(図3(a)参照)。このため、図1(b)に示すように弾性表面波デバイス100の薄型化が可能となる。
図1(a)に示すフリップチップ実装の工程において、バンプ4と配線6とを超音波により接合することがある。この場合、弾性表面波デバイスチップ10には力が加わるため、ある程度の厚さがないと弾性表面波デバイスチップ10が破損することがある。図2(a)及び図3(a)に示すように、実施例1によれば弾性表面波デバイスチップ10をフリップチップ実装した後に、ブラスト加工を行う。弾性表面波デバイスチップ10は薄型化される前にフリップチップ実装されるため、破損を抑制できる。また、弾性表面波デバイスチップ10のハンドリングの際にも、破損を抑制できる。
弾性表面波デバイスチップ10及び封止部8を削る工程は、ブラスト工法以外の工法で行ってもよい。ただし、ブラスト工法を用いた場合、弾性表面波デバイスチップ10の上面が粗くなる。つまり上面に凹凸が形成される。弾性表面波デバイスチップ10の上面に凹凸が形成されると、弾性表面波が上面においてランダムに反射され、打ち消し合う。このため、弾性表面波が上面で反射することによるデバイス特性の悪化を抑制することができる。従って、ブラスト工法を用いることが好ましい。
弾性表面波デバイスチップ10が備える圧電基板を形成するLiTaO3又はLiNbO3は、封止部8を形成する半田より硬い。このため、ブラスト加工による弾性表面波デバイスチップ10が削られる厚さは、封止部8が削られる厚さより小さくなる。従って、パッケージ基板2の上面から弾性表面波デバイスチップの上面までの高さは、パッケージ基板2の上面から封止部8までの上面までの高さより大きくなる。
封止部8は半田以外に、例えばエポキシ樹脂等の絶縁体で形成してもよい。しかし、封止部8を半田で形成することで、より気密性高く弾性表面波デバイスチップ10を封止し、異物や水分の浸入を抑制することができる。また、半田により弾性表面波デバイスチップ10を電気的にシールドするため、デバイス特性の悪化を抑制することもできる。従って、封止部8は半田で形成することが好ましい。
また、保護膜14はなくてもよい。ただし、保護膜14を例えばNiやCu等の金属で形成することで、シールドの効果をより高めることができる。また、封止部8が半田で形成されている場合、弾性表面波デバイス100を基板等に実装する際のリフロー工程等で、封止部8が溶融する恐れがある。このため、封止部8が半田で形成されている場合は特に封止部8を保護膜14で覆うことが好ましい。また、保護膜14は電解メッキ法以外の方法で形成してもよい。電解メッキ法を用いない場合、例えば無電解メッキ法等を用いる場合、通電させなくてよいため、シードメタル16は形成しなくてもよい。
パッケージ基板は多面取り構造に限定されず、個片化されたパッケージ基板2に1つの弾性表面波デバイスチップ10を実装し、封止、ブラスト加工、保護膜の形成を行ってもよい。しかし、複数の弾性表面波デバイスチップ10を、多面取り構造のパッケージ基板18に実装することにより、簡単な工程で複数の弾性表面波デバイス100を製造することができ、低コスト化できる。また、図3(b)のハーフダイシング工程の後に、図3(d)の保護膜の形成を行うため、複数の弾性表面波デバイスの各々の側面に保護膜を形成して、弾性表面波デバイスの保護を効果的にすることができる。
次に実施例1の変形例について説明する。図4(a)及び図4(b)は、実施例1の変形例に係る弾性表面波デバイス200の製造方法を例示する断面図である。図4(a)より前の工程は、図2(a)及び図2(b)、並びに図3(a)及び図3(b)に示す工程と同じであるため、説明を省略する。
図4(a)に示すように、ブラスト加工及びハーフダイシング工程の後、封止部8の側面及び上面に保護膜14を形成する。
図4(b)に示すように、保護膜を形成した後、パッケージ基板18を切断する。以上の工程により、弾性表面波デバイス200が完成する。
実施例1の変形例によれば、ブラスト加工により弾性表面波デバイスチップ10及び封止部8を削るため、弾性表面波デバイスの薄型化が可能である。また、保護膜14は封止部8の上面及び側面を覆うため、封止部8を保護することができる。一方、弾性表面波デバイスチップ10は保護膜に覆われない。このため、電解メッキ法により保護膜14を形成する場合でも、シードメタル16を形成しなくてよい。従って、工程が簡単になり、かつ材料も削減できるため、弾性表面波デバイスの低コスト化が可能となる。さらに、保護膜14及びシードメタル16が弾性表面波デバイスチップ10の上面に形成されない分、弾性表面波デバイスの薄型化が可能となる。なお、電解メッキは封止部8に接続された電極に通電することで行われる。
実施例では弾性表面波デバイスを例に説明したが、これに限定されない。例えば弾性境界波デバイスチップを実装した弾性境界波デバイスや、他の弾性波デバイスにも、本発明は適用可能である。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
弾性表面波デバイス 1,100,200
パッケージ基板 2,18
バンプ 4
配線 6
封止部 8
弾性表面波デバイスチップ 10
リッド 12,20
保護膜 14
シードメタル 16
パッケージ基板 2,18
バンプ 4
配線 6
封止部 8
弾性表面波デバイスチップ 10
リッド 12,20
保護膜 14
シードメタル 16
Claims (8)
- 弾性波デバイスチップをパッケージ基板の上面にフリップチップ実装する工程と、
前記弾性波デバイスチップの側面を封止部により封止する工程と、
前記弾性波デバイスチップの上面及び前記封止部の上面を削る工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法。 - 前記削る工程は、ブラスト工法により削る工程を含む請求項1記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記フリップチップ実装する工程は、複数の前記弾性波デバイスチップを前記パッケージ基板の上面にフリップチップ実装する工程を含み、
前記封止する工程は、前記複数の弾性波デバイスチップの各々の側面を封止部により封止する工程を含み、
前記削る工程の後に、前記パッケージ基板を切断する工程を有する請求項1又は2記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記封止する工程は、半田からなる前記封止部により封止する工程を含み、
前記削る工程の後に、前記封止部の上面及び側面を覆う保護膜を形成する工程を有する請求項1から3いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記削る工程の後であって、前記パッケージ基板を切断する工程の前に、前記複数の弾性波デバイスチップ間に配置された前記封止部を前記パッケージ基板が露出するまで切断する工程を有し、
前記保護膜を形成する工程は、前記封止部を切断する工程の後であって、前記パッケージ基板を切断する工程の前に行われ、
前記パッケージ基板を切断する工程は、前記封止部を切断する工程における切断領域と重なる切断領域で前記パッケージ基板を切断する工程を含む請求項4記載の弾性波デバイスの製造方法。 - パッケージ基板と、
前記パッケージ基板の上面にフリップチップ実装され、上面がブラスト加工されている弾性波デバイスチップと、
前記デバイスチップの側面を封止する封止部と、を具備する弾性波デバイス。 - 前記パッケージ基板の上面から前記弾性波デバイスチップの上面までの高さは、前記パッケージ基板の上面から前記封止部の上面までの高さより大きい請求項6記載の弾性波デバイス。
- 前記封止部の側面及び上面を覆う保護膜を有し、
前記封止部は半田からなる請求項6又は7記載の弾性波デバイス。
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JP2009280077A JP2011124743A (ja) | 2009-12-10 | 2009-12-10 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
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US9654081B2 (en) | 2013-07-17 | 2017-05-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and manufacturing method therefor |
JP2018074051A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
KR20190138104A (ko) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | (주)와이솔 | 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법 |
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2009
- 2009-12-10 JP JP2009280077A patent/JP2011124743A/ja not_active Withdrawn
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JP2018074051A (ja) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
KR20190138104A (ko) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | (주)와이솔 | 표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법 |
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