JP2011123162A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、複数画素に信号を供給する複数信号線と、前記信号線と接続する断線等検査回路とを備え、
前記断線等検査回路は、検査用薄膜トランジスタを複数段に配置し、
第1検査用配線IW1と下段の検査用薄膜トランジスタを介在させて接続される第2検査用配線IW2が、上段の検査用薄膜トランジスタの間を走行するように構成する。
【選択図】図1
Description
検査用信号が供給される第1検査用配線と電気的に接続され下段の検査用薄膜トランジスタを介在させて形成される第2検査用配線が、上段の検査用薄膜トランジスタの間を走行するように構成したものである。
前記断線等検査用回路は検査用薄膜トランジスタと検査用配線とを備え
前記検査用薄膜トランジスタは、第1方向に延在されたゲート配線を共通のゲート電極として形成され、
前記検査用配線は、検査用信号が供給され前記第1方向に延在されるN個の第1検査用配線と、これら第1検査用配線と電気的に接続され前記検査用薄膜トランジスタを介在させて前記第1方向と交差する第2方向に延在される第2検査用配線とから構成され、
一端側から順次配列されるN個の検査用薄膜トランジスタを1ユニットとした場合、各ユニットの第n(N以下の値)の検査用薄膜トランジスタは第nの第1検査用配線と電気的に接続された第2検査用配線に接続されている表示装置であって、
前記検査用薄膜トランジスタは複数段に配列されるとともに、前記N個の第1検査用配線は各段ごとに割り振られて配置され、
各段における前記検査用薄膜トランジスタは、他の段における前記検査用薄膜トランジスタに対し、前記第1方向にずれを有して配置され、
各段の互いに隣接する前記検査用薄膜トランジスタの間には、当該段よりも下段の前記検査用薄膜トランジスタに接続される前記第2検査用配線が走行するように構成したことを特徴とする。
一端側から順次配列される4個の前記検査用薄膜トランジスタを1ユニットとし、前記第2検査用配線は前記検査用薄膜トランジスタを介して前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とする。
一端側から順次配列される2個の前記検査用薄膜トランジスタを1ユニットとし、前記第2検査用配線は前記検査用薄膜トランジスタを介して前記ゲート信号線に電気的に接続されていることを特徴とする。
一端側から順次配列される3個の前記検査用薄膜トランジスタを1ユニットとし、前記第2検査用配線は前記検査用薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に電気的に接続されていることを特徴とする。
図2は、液晶表示装置の実施例1の概略を示す平面図である。図2において、液晶(図示せず)を挟持して対向配置される第1基板SUB1、第2基板SUB2がある。第2基板SUB2は観察者側に配置されるようになっている。第1基板SUB1の背面にはバックライト(図示しない)が配置されるようになっている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1よりも若干小さな面積となっており、第1基板SUB1の図中下側の辺部SDを露出させるようになっている。第1基板SUB1の図中下側の辺部SDには半導体装置(チップ)SECが搭載されている。この半導体装置SECは後述の表示領域ARにおける各画素を駆動する制御回路となっている。第2基板SUB2の周辺には、第1基板SUB1との固着を図るシール材SLが形成され、このシール材SLは液晶を封止させる機能をも有している。
図3は、断線等検査回路を示した回路図である。なお、図3は、等価回路であり、その回路構成を容易に理解できるように、たとえば検査用薄膜トランジスタITFT等の幾何学的配置は従来通りとなっている。本願発明の実施例における検査用薄膜トランジスタITFT等の幾何学的配置は図1に示している。
図1は、液晶表示装置の基板SUB1に形成された断線検査回路の1実施例を示す平面図である。図1は、図3の点線枠Qに示す部分に相当する構成図となっている。また、図1のIV−IV線における断面図を図4に示している。
このように構成された断線等検査回路は、まず、検査用薄膜トランジスタITFTを複数段に配列することによって、各段における検査用薄膜トランジスタITFTの隣接する他の検査用薄膜トランジスタITFTとの間隙を大きくすることができる。そして、第1検査用配線を各段ごとに割り振って配置させ、各段における検査用薄膜トランジスタITFTを、他の段における検査用薄膜トランジスタに対し、ずれをもたせて配置させることによって、下段の検査用薄膜トランジスタITFTに接続される第2検査用配線を上段の検査用薄膜トランジスタの間に走行させるようにできる。この場合、第2検査用配線IW2の線幅は細く形成できることから、それぞれの検査用薄膜トランジスタITFTは、そのサイズを、前記第2検査用配線に影響されることなく大きくすることができる。このため、これまでの検査用薄膜トランジスタITFTにおいて、Vthシフトによる書き込み不良を回避することができる。
Claims (11)
- 基板上に、複数の画素とこれら画素に信号を供給する表示駆動信号線を備える表示領域と、前記表示駆動信号線と電気的に接続される断線等検査回路とを備え、
前記断線等検査用回路は検査用薄膜トランジスタと検査用配線とを備え
前記検査用薄膜トランジスタは、第1方向に延在されたゲート配線を共通のゲート電極として形成され、
前記検査用配線は、検査用信号が供給され前記第1方向に延在されるN個の第1検査用配線と、これら第1検査用配線と電気的に接続され前記検査用薄膜トランジスタを介在させて前記第1方向と交差する第2方向に延在される第2検査用配線とから構成され、
一端側から順次配列されるN個の検査用薄膜トランジスタを1ユニットとした場合、各ユニットの第n(N以下の値)の検査用薄膜トランジスタは第nの第1検査用配線と電気的に接続された第2検査用配線に接続されている表示装置であって、
前記検査用薄膜トランジスタは複数段に配列されるとともに、前記N個の第1検査用配線は各段ごとに割り振られて配置され、
各段における前記検査用薄膜トランジスタは、他の段における前記検査用薄膜トランジスタに対し、前記第1方向にずれを有して配置され、
各段の互いに隣接する前記検査用薄膜トランジスタの間には、当該段よりも下段の前記検査用薄膜トランジスタに接続される前記第2検査用配線が走行するように構成したことを特徴とする表示装置。 - 前記断線等検査回路は、前記基板にフェースダウンされる前記半導体装置の搭載面に形成され、前記半導体装置の出力バンプが電気的に接続される端子には、前記表示駆動信号線および前記第2検査用配線が接続されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記表示駆動信号線はゲート信号線からなり、
一端側から順次配列される4個の前記検査用薄膜トランジスタを1ユニットとし、前記第2検査用配線は前記検査用薄膜トランジスタを介して前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 表示領域の外側において、互いに隣接する4本のゲート信号線のうち、偶数番目のゲート信号線と奇数番目のゲート信号線とが層を異ならしめた2層構造で形成されていることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記表示駆動信号はゲート信号線からなり、
一端側から順次配列される2個の前記検査用薄膜トランジスタを1ユニットとし、前記第2検査用配線は前記検査用薄膜トランジスタを介して前記ゲート信号線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記ゲート信号線は、同層の1層構造で形成されていることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記表示駆動信号はドレイン信号線からなり、
一端側から順次配列される3個の前記検査用薄膜トランジスタを1ユニットとし、前記第2検査用配線は前記検査用薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記ユニットの前記検査用薄膜トランジスタに接続される前記第2検査用配線のそれぞれは、赤色、緑色、および青色を担当する各ドレイン信号線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
- 前記第1検査用配線は、前記ゲート配線と同層で形成され、第2検査用配線と異なる層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 表示装置は、有機EL表示装置であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
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