JP2011119575A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】結晶性半導体を用いるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、そのゲート電圧−ドレイン電流特性を向上させる。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、ゲート電極、ゲート絶縁膜、結晶性半導体層が、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【選択図】図1
【解決手段】基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、ゲート電極、ゲート絶縁膜、結晶性半導体層が、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)及びその製造方法に関し、特にフラットパネル型表示装置の駆動用に適するTFT及びその製造方法に関する。
液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置などのフラットパネル型表示装置の駆動用素子には、薄膜半導体層を用いたTFTが用いられている。フラットパネル型表示装置の一つである有機EL表示装置では、TFTの電流駆動によって有機EL素子の発光を制御している。このため、TFTがスイッチング素子としてのみ用いられている液晶型表示装置と比較して、有機EL表示装置の駆動用のTFTには、良好な初期特性と特性変動の抑制との両立が要求される。
これらの要求を満たすために、特許文献1ではTFTのチャネル層を結晶性シリコンと非晶質シリコンの積層構造としている。この構造によって、初期特性としてゲート電圧−ドレイン電流特性のスイングファクター(S値)と、特性変動として閾値電圧の変動(ΔVth)を小さく抑え、S値=1.9、ΔVth=0.1Vを得ている。
しかしながら、特許文献1に記載の構造ではS値の抑制が不十分であり、有機EL表示装置のような電流駆動型の表示装置の駆動用TFTとして適用することはできなかった。そのため、ΔVthを0.1Vと同程度に抑えつつ、S値を1.9よりさらに小さくすることが要求される。
そこで、本発明は、電流駆動型の表示装置の駆動用に耐えうる初期特性、特にS値、を示すボトムゲート型TFT及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記結晶性半導体層が、前記基板側からこの順で積層され、前記結晶性半導体層が、前記基板とは反対側で前記ソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタを提供するものである。
また、本発明は、基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うようにして、リンを含むゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を介して結晶性半導体層を形成する工程と、前記結晶性半導体層上にソース及びドレイン電極をオーミック接触させて形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供するものである。
本発明によれば、ΔVthを小さく抑えたまま、S値をより小さく抑えることができ、初期特性の向上を図ることができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。図1に、本発明の実施形態に係るTFT(薄膜トランジスタ)の代表的な例として、ボトムゲート型TFTの断面概略図を示す。
図1において、1は基板、2は基板1上に形成された保護層、3は保護層2上に形成されたゲート電極、4はゲート電極3を覆うように形成されたゲート絶縁膜、5はゲート電極3上に、ゲート絶縁膜4を介して形成された結晶性半導体層である。6は結晶性半導体層5上に形成されたエッチストップ層、7はエッチストップ層6及び結晶性半導体層5上に形成された不純物含有半導体層、8は不純物含有半導体層7及びゲート絶縁膜4上に形成されたソース/ドレイン電極である。
ゲート電極3及びソース/ドレイン電極8はスパッタあるいは真空蒸着法等によって形成され、保護層2、ゲート絶縁膜4、結晶性半導体層5、エッチストップ層6、不純物含有半導体層7はプラズマCVD法等によって形成される。
ここで、結晶性半導体とは結晶性シリコンであり、シリコン層のもちうる構造の中から、ラマン分光法により520cm-1にラマンシフトが観測され、特に結晶の体積分率が20%以上であるようなシリコン層を結晶性シリコンと定義する。結晶性シリコンの中でも結晶粒径の大きさで微結晶と多結晶とを区別する。さらに、本発明では、520cm-1にラマンシフトが観察されても結晶の体積分率が20%以下、または、520cm-1にラマンシフトが観測されない場合に非晶質シリコンという。
不純物含有半導体層7は非晶質シリコンあるいは結晶性シリコンである。ソース/ドレイン電極8とオーミックコンタクトをとるために、成膜の際、不純物(n型となるリンや砒素などの5族の元素、またはp型となるホウ素などの3族の元素)を多く混入することで抵抗値を下げている。
ゲート電極3、ゲート絶縁膜4、結晶性半導体層5は、基板側からこの順で積層され、結晶性半導体層5が、基板とは反対側でソース及びドレイン電極8とオーミック接触している。
以下、上記構成のTFTの製造方法について説明する。
まず、高融点ガラス、石英、セラミック等の絶縁性、またはシリコン、SUS等の導電性の基板上に、プラズマCVD等によって、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(SiNx)等の絶縁層による保護層2を成膜する。このとき、SiO2の材料ガスとして、テトラエトキシシラン(TEOS)と酸素(O2)の混合ガス等、SiNxの材料ガスとして、シラン(SiH4)、アンモニア(NH3)と窒素(N2)の混合ガス等を用いる。
次に、スパッタあるいは真空蒸着法等によって、ゲート電極3を10〜300nm成膜する。ゲート電極3としては、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タングステン(W)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、あるいはそれらの合金、それらの積層構造体等が用いられる。
続いて、これにレジストでパターンを形成した後、ハロゲン元素を含むドライエッチとウェットエッチを組み合わせて、あるいはどちらか一方でエッチングし、ゲート電極3を所望の形状にパターニングする。
次に、プラズマCVD等によって、ゲート電極上に、リンを含むゲート絶縁膜4としてSiNxを形成する。一般的にSiNxは、SiH4、NH3とN2の混合ガスを用いて成膜される。ここでは、この混合ガスにホスフィン(PH3)を混合して、リンをドープしたゲート絶縁膜4を成膜する。リンのドープに際しては、ゲート絶縁膜中のリンの濃度が結晶性半導体層5に近づくにつれて高くなるようにリンをドープするのが好ましい。膜厚は、50〜500nm、望ましくは100nm〜300nmである。成膜条件は、RFパワー密度として一般的には、0.1〜10W/cm2、望ましくは0.5〜5W/cm2。圧力としては一般的には、66.661〜666.61Pa(0.5〜5Torr)、望ましくは93.3254〜266.644Pa(0.7〜2Torr)である。
続いて、プラズマCVD等によって、結晶性半導体層5を形成する。結晶性半導体層5は、結晶の粒径が5〜100nmの結晶性シリコンであり、膜厚は一般には50〜300nm、望ましくは100〜200nmである。成膜条件は、相対的に高圧力、高水素稀釈であり、RFパワー密度としては一般的には、0.05〜1W/cm2、望ましくは0.1〜0.8W/cm2。圧力としては一般的には、133.322〜1333.22Pa(1.0〜10Torr)、望ましくは199.983〜1199.898Pa(1.5〜9Torr)である。また、材料ガスはSiH4、ジシラン(Si2H6)、SiH2Cl2、四フッ化シラン(SiF4)、SiH2F2、稀釈ガスとしてH2や不活性ガス等を用いる。なお、結晶性シリコンを成膜するためには、シリコン系材料ガスの水素稀釈率(H2/SiH4等)が重要なパラメータとなる。
次に、プラズマCVD等によって、結晶性半導体層上に、エッチストップ層6を形成する。膜厚は、100〜500nmである。このエッチストップ層6としては、SiO2やSiNx、またはそれらの積層膜等が用いられ、TEOSとO2の混合ガス、SiH4、NH3とN2の混合ガス等を用いてプラズマCVD等により成膜される。
ゲート絶縁膜4、結晶性半導体層5及びエッチストップ層6までのプラズマCVD等による成膜では、同一チャンバーにおいて連続して行っても良く、あるいは真空を保持したまま基板搬送し、成膜ごとに個別のチャンバーを用いて行っても良い。また、ゲート絶縁膜4を成膜後に大気曝露しても良いが、結晶性半導体層5の成膜前にチャンバー内においてゲート絶縁膜4の表面をプラズマ処理することが望まれる。ここでのプラズマ処理とは、水素またはN2O等を用いて行われる。
続いて、これにレジストでパターンを形成する。その後、ハロゲン元素を含むドライエッチとフッ酸を含むウェットエッチを組み合わせて、あるいはどちらか一方でエッチングし、エッチストップ層6を、ゲート絶縁膜4及び結晶性半導体層5を介して、ゲート電極3上に所望の形状にパターニングする。
なお、後述のソース/ドレイン電極8のパターンを形成する際に結晶性半導体層5の上面までエッチングするチャネルエッチタイプのボトムゲート型TFTを作製する場合には、エッチストップ層6を形成しないのが好ましい。この場合、結晶性半導体層5の上に連続してプラズマCVD等によって後述の不純物含有半導体層7を成膜できる。エッチストップ層6に係る工程を省略することができるため、工程を大幅に簡略化できる。
次に、プラズマCVD等によって、不純物含有半導体層7を形成する。膜厚は、一般には10〜300nm、望ましくは20〜100nmである。不純物含有半導体層7としては、非晶質シリコン、結晶性シリコンなどの、結晶性によらないシリコン層が用いられる。非晶質シリコンを用いたときの成膜条件は、RFパワー密度としては一般的には、0.01〜1W/cm2、望ましくは0.01〜0.3W/cm2。圧力としては一般的には、66.661〜666.61Pa(0.5〜5Torr)、望ましくは93.3254〜266.644Pa(0.7〜2.0Torr)である。また、材料ガスとしては、SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、SiF4、SiH2F2等、稀釈ガスとしてはH2や不活性ガス等を用いる。なお、シリコン系材料ガスの水素稀釈率は一般には、0〜20、望ましくは0〜15である。結晶性シリコンを用いたときの成膜条件は、結晶性半導体層5である結晶性シリコンの成膜条件のうち、RFパワー密度、圧力、材料ガス、稀釈ガスについては同様で、そこに不純物混入用ガスを流す条件である。不純物混入用ガスとしては、n型半導体では、PH3、フッ化リン(PF3)、アルシン(AsH3)、フッ化砒素(AsF5)等、p型半導体では、ジボラン(B2H6)、三フッ化ホウ素(BF3)等を用いる。
続いて、これにレジストでパターンを形成した後、ハロゲン元素を含むドライエッチとウェットエッチを組み合わせて、あるいはどちらか一方でエッチングし、不純物含有半導体層7及び結晶性半導体層5を所望の形状にパターニングする。
次に、スパッタあるいは真空蒸着法等によって、Al、Cr、Ti、Mo、Ta、あるいはそれらの合金、それらの積層膜等により、膜厚が100〜600nmのソース/ドレイン電極8を成膜する。
続いて、これにレジストでパターンを形成した後、ハロゲン元素を含むドライエッチとウェットエッチを組み合わせて、あるいはどちらか一方でエッチングし、ソース/ドレイン電極8及び不純物含有半導体層7を所望の形状にパターニングする。
最後に、レジストでパターンを形成した後、ドライエッチとウェットエッチを組み合わせて、あるいはどちらか一方でエッチングし、ゲート電極3と電気的に接続するように、ゲート絶縁膜4にコンタクトホールを形成し、TFTの完成となる。
上記のように、ゲート絶縁膜にリンをドープしたことで、ΔVthを抑制すると同時にS値を減少させ、良好な初期特性を得ることができる。また、本発明のTFTの製造方法によれば、従来のボトムゲート型TFTの工程とほとんど同様の工程で、良好な初期特性を有するTFTを作製することが可能になる。
以下、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
図2は本実施例のボトムゲート型TFTの製造工程を示す図である。図2に基づいて、その製造工程を説明する。
図2は本実施例のボトムゲート型TFTの製造工程を示す図である。図2に基づいて、その製造工程を説明する。
まず、図2(a)に示すように、絶縁基板であるガラス基板1上に、プラズマCVDにて保護層2となるSiNxを約200nm成膜する。成膜条件は、圧力213.3152Pa(1.6Torr)、RFパワー2000W、設定温度395℃である。このときの材料ガスは、SiH4を160sccm、N2を2000sccm、NH3を1000sccmである。
次に、図2(b)に示すように、保護層2上に、スパッタにてMoを約100nm成膜し、それを島状にパターニングして、ゲート電極3を形成する。
続いて、図2(c)に示すように、ゲート電極3を覆うように、リンを含んだゲート絶縁膜4をプラズマCVDにて約200nm成膜する。成膜条件は、圧力173.3186Pa(1.3Torr)、RFパワー1100W、設定温度395℃である。このときの材料ガスは、SiH4を100sccm、N2を3500sccm、NH3を500sccm、水素で0.5%に稀釈したPH3を100sccmである。
次に、ゲート絶縁膜4の成膜と同一チャンバーにおいて、結晶性半導体層5となる結晶性シリコンを約50nm成膜する。成膜条件は、圧力1199.898Pa(9Torr)、RFパワー300W、設定温度300℃である。SiH4、H2を用い、流量比は、SiH4:H2=1:600である。ここで、本実施例の場合、水素稀釈率は、600となっており、良質な結晶性シリコンを成膜するための好適な条件となっている。
続いて、図2(d)に示すように、さらに同一チャンバーにおいて、エッチストップ層6を300nm成膜し、チャンバーから取り出して、島状にパターニングする。成膜条件は、圧力213.3152Pa(1.6Torr)、RFパワー2000W、設定温度395℃である。このときの材料ガスは、SiH4を160sccm、N2を2000sccm、NH3を1000sccmである。
次に、不純物含有半導体層7となるn型結晶性シリコンをプラズマCVDにて、約50nm成膜する。成膜条件は、圧力1199.898Pa(9Torr)、RFパワー300W、設定温度200℃である。このときの材料ガスは、SiH4、PH3、H2を用い、流量比は、SiH4:PH3:H2=100:1:60000である。
続いて、図2(e)に示すように、不純物含有半導体層7及び結晶性半導体層5を島状にパターニングして、活性層となる結晶性半導体層5を素子ごとに分離する。
最後に、図2(f)に示すように、不純物含有半導体層7上に、スパッタにてMoを約100nm成膜し、それを島状にパターニングして、ソース/ドレイン電極8を形成する。こうして、TFTが完成する。
上記のように作製されたTFTの電気特性を測定した。測定には、Agilent社製4155C半導体パラメータアナライザを使用し、作製したTFTを25℃に保たれたステージ上で測定した。測定条件は、ソース電極に0V、ドレイン電極に0.1V、1V、10Vをそれぞれ印加した状態でゲート電圧(VG)を−10Vから+20Vまでスイープさせた。こうして得られたドレイン電流(ID)の特性をTFTのVG−ID特性とした。また、TFTの耐久試験として、ソース電極及びドレイン電極に0V、ゲート電極に+10Vを20時間印加し続け、その前後でのVG−ID特性の測定を行い、特性の変化を確認した。測定結果を図3に示す。
図3のVG−ID特性において、ドレイン電極に10V印加したときのS値が、ゲート絶縁膜にリンを含まないTFTでは1.3であるのに対し、リンを含むTFTでは0.7に減少した。また、上記耐久試験におけるΔVthは、ゲート絶縁膜にリンを含むTFTと含まないTFTとで同様に小さい値を示した。これらのことから、ゲート絶縁膜にリンをドープしたことで、ΔVthを抑制すると同時にS値を減少させ、良好な初期特性を示すことがわかった。
1:基板、3:ゲート電極、4:ゲート絶縁膜、5:結晶性半導体層、8:ソース/ドレイン電極
Claims (4)
- 基板上に、
ゲート電極、リンを含むゲート絶縁膜、結晶性半導体層、ソース及びドレイン電極を有し、
前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記結晶性半導体層が、前記基板側からこの順で積層され、
前記結晶性半導体層が、前記基板とは反対側で前記ソース及びドレイン電極とオーミック接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート絶縁膜中のリンの濃度は、前記結晶性半導体層に近づくにつれて高くなっていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うようにして、リンを含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極上に前記ゲート絶縁膜を介して結晶性半導体層を形成する工程と、
前記結晶性半導体層上にソース及びドレイン電極をオーミック接触させて形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜を形成する工程において、ホスフィンとシラン及びアンモニアとの混合ガスを使用することを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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2009
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