JP2011119466A - リフロー装置の加熱条件決定方法及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】異なる種類の基板を加熱するリフロー装置での効率的な生産を可能にする加熱条件決定方法を提供する。
【解決手段】異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定する方法であって、異なる種類の基板の熱特性値の最大値及び最小値を含む仮想基板を第１搬送速度で搬送した場合の仮想基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、異なる種類の基板のすべての温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第１温度設定を探索する第１探索ステップ（Ｓ１１）と、第１温度設定の下、異なる種類の基板を第１搬送速度で搬送することを内容に含む加熱条件を決定する加熱条件決定ステップ（Ｓ１７）とを含む。
【選択図】図７

Description

リフロー装置における加熱条件をシミュレーションによって決定する方法及びプログラムであって、特に、異なる種類の部品実装基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置における加熱条件決定方法及びプログラムに関する。

リフロー装置は、クリームはんだが塗布されたプリント配線板に電子部品が載置された基板（以下、「基板」という。）を加熱・冷却する装置である。リフロー装置によって、プリント配線板のランド等に塗布されたはんだは溶融・凝固し、ランド等と電子部品の端子とがはんだを介して接合される。

良好なはんだ付けには、はんだの酸化を防ぎながら、はんだを十分に溶融することが重要である。また、電子部品の中には耐熱性が比較的弱いものがある。そのため、リフロー装置では、基板の経時的な温度変化を示す温度プロファイルが、はんだ付けに使用するフラックスの組成成分、はんだの組成成分、電子部品の耐熱性等に応じて、適切に制御される必要がある。

基板の温度プロファイルを制御するために、リフロー装置は、温度制御可能な空間を内部に備える。当該空間は、概略、基板を加熱する加熱ゾーンと基板を冷却する冷却ゾーンとに区分され、加熱ゾーンは、さらに小さいゾーンに細分化される。細分化された各ゾーンは、オペレータが設定した温度で制御され、これによって、基板が通過する温度環境をきめ細かに制御できる。

また、リフロー装置は、基板がそれらの各ゾーンを通過するように基板を搬送する搬送装置を備える。搬送装置は、オペレータが設定した速度で基板を搬送するように基板の搬送速度を制御できる。これによって、上記の各ゾーンを基板が通過するために要する時間を制御することができるため、各温度環境での基板の加熱時間を制御することができる。

このように、リフロー装置では、各ゾーンの温度設定と各温度環境での加熱時間を制御することができる。従って、リフロー装置の各ゾーンの温度設定と搬送速度とを内容とする加熱条件を適切に決定することによって、その基板に適した温度プロファイルを制御することができる。

加熱条件は、上記のように各ゾーンの温度設定と搬送速度を含み、多数の決定すべき要素を含む。具体的には、加熱ゾーンは、一般に、フラックスの活性化、基板の熱衝撃の緩和等のために比較的低温の温度環境を形成する予備加熱ゾーンと、はんだの溶融するための本加熱ゾーンとに区分され、予備加熱ゾーンと本加熱ゾーンとはさらに細分化される。例えば、予備加熱ゾーンが６ゾーンに区分され、本加熱ゾーンが２ゾーンに区分される場合、温度設定は８つの要素を含むことになる。搬送速度が１つの要素からなるとすると、加熱条件は温度設定と搬送速度とを合わせて９つの要素を含むことになる。

また、加熱条件の決定にあたって、はんだ付けに使用するフラックスの組成成分、はんだの組成成分、電子部品の耐熱性等の多数の要因を考慮する必要がある。そのため、加熱条件の決定は、熟練した技術者であっても困難なことであり、加熱条件を決定するために、リフロー装置で試験的に基板を加熱する試行を繰り返すこともある。温度設定を変更して基板を加熱する場合、リフロー装置内の空間が各ゾーンの設定した温度環境に従って収束するまでの待ち時間が発生する。そのため、試行を繰り返すと、長い時間と手間がかかる。そこで、長年の経験や試行錯誤に頼ることなく、望ましい加熱条件を短時間で決定することを可能にするために、リフロー装置の温度設定及び搬送速度の決定を支援する計算機構を備えるリフロー装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平３−５０７９０号公報

リフロー装置は、電子部品が実装された部品実装基板を生産する実装ラインに、印刷装置、部品実装装置等とともに備えられる。実装ラインでは、異なる種類の部品実装基板を生産することがある。この場合、生産される部品実装基板の種類に合わせて、リフロー装置の加熱条件を変更する、いわゆる段取りが必要になる。

加熱条件の温度設定を変更すると、リフロー装置内部の空間が温度設定に従って収束するまで相当の時間を要し、その間実装ラインのアイドルタイムが生じる。これに対して、搬送速度は、設定を変更するとほとんど待ち時間なく切り替わるため、実装ラインのアイドルタイムはほとんど生じない。実装ラインの生産効率を向上させるには、アイドルタイムはできる限り少ない方がよく、従って段取りでは、温度設定を変更しない方が望ましい。

しかしながら、リフロー装置の加熱条件を決定するための従来の技術は、１種類の基板を加熱する場合を想定しており、異なる種類の基板を効率的に生産しようとする場合に適用することは、以下に述べるような理由により困難である。

例えばまず、基板の温度プロファイルは同一基板内であっても一様ではなく、温度上昇が困難な部分と容易な部分がある。このような基板内の加熱特性は、基板に使用されたプリント配線板の材料、電子部品の種類、配置された電子部品の密集度等によって異なる。基板の種類が複数ある場合、加熱条件を決定するにあたって各基板の局所的な加熱特性の違いを考慮するには、従来にはない技術が必要になる。

また、基板の耐熱性に関する制約は、基板に搭載される電子部品の種類等によって決まることが多いが、種類が異なる基板の場合、通常、その種類ごとに基板に搭載される電子部品等が異なる。そのため、耐熱性に関する制約は基板の種類が増えると複雑になり、従来の方法では、複数種類の基板の耐熱性に関する制約をいかに考慮して加熱条件を決定するか、明らかではない。

さらに、異なる種類の実装基板を生産する場合、段取り時に、リフロー装置での各基板の搬送速度を適宜変更することによって、各基板に適した温度プロファイルを実現することができる。効率的に生産するには、同一の温度設定で搬送速度を変更することが望ましいが、異なる種類の基板に適用できる温度設定及び各基板の搬送速度を決定する方法が従来の方法では明らかではない。

そこで本発明は、異なる種類の基板を加熱するリフロー装置での効率的な生産を可能にする加熱条件決定方法を提供することを目的とする。

本発明に係る加熱条件決定方法の第１形態は、異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定する方法であって、前記異なる種類の基板の熱特性値の最大値及び最小値を含む仮想基板を第１搬送速度で搬送した場合の前記仮想基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記異なる種類の基板のすべての温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第１温度設定を探索する第１探索ステップと、当該第１温度設定の下、前記異なる種類の基板を前記第１搬送速度で搬送することを内容に含む前記加熱条件を決定する加熱条件決定ステップとを含む。

本発明に係る加熱条件決定方法の第２形態は、上記の第１形態に係る加熱条件決定方法であって、前記第１温度設定を見つけることができない場合に、前記最大の熱特性値を含む第１基板を前記第１搬送速度で搬送した場合の前記第１基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記第１基板の温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第２温度設定を探索する第２探索ステップと、前記第１基板以外の各基板について、前記第２温度設定の下で搬送した場合の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記第１基板以外の各基板の温度プロファイル条件を満たす前記第１基板以外の各基板の搬送速度を探索する第３探索ステップとを含み、前記加熱条件決定ステップでは、前記第２温度設定の下、前記第１基板を前記第１搬送速度で搬送し、前記第１基板以外の各基板を前記各基板の搬送速度で搬送することを内容に含む加熱条件を決定する。

本発明に係る加熱条件決定方法の第３形態は、上記の第２形態に係る加熱条件決定方法であって、前記第１基板以外の各基板の搬送速度を見つけることができないときに、前記異なる種類の基板を異なるリフロー装置で加熱すべきことを報知する報知ステップを含む。

本発明に係る加熱条件決定方法の第４形態は、上記の第１〜第３形態のいずれかに係る加熱条件決定方法であって、前記異なる種類の基板の各々について、温度測定点に温度センサを取り付けた試験用基板を準備する準備ステップと、前記準備ステップにおいて準備した前記試験用基板を予め定めた温度設定の前記リフロー装置で搬送しながら、前記試験用基板の温度プロファイルを前記複数の温度センサから取得することによって温度プロファイルを実際に測定する測定ステップと、前記測定ステップにおいて測定された前記温度プロファイルに基づいて、前記温度測定点の温度上昇の困難さを示す指標である加熱特性値を算出する算出ステップとを含む。

本発明に係る加熱条件決定方法の第５形態は、上記の第１〜第４形態のいずれかに係る加熱条件決定方法であって、前記第１搬送速度は許容生産タクトに基づいて算出される。

本発明に係る加熱条件決定プログラムは、異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定するプログラムであって、前記異なる種類の基板の熱特性値の最大値及び最小値を含む仮想基板を第１搬送速度で搬送した場合の前記仮想基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記異なる種類の基板のすべての温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第１温度設定を探索する第１探索手順と、当該第１温度設定の下、前記異なる種類の基板を前記第１搬送速度で搬送することを内容に含む前記加熱条件を決定する加熱条件決定手順とを含む。

本発明によると、異なる種類の基板を通じて最大及び最小の加熱特性値を含む仮想基板について、異なる種類の基板の温度プロファイル条件に適合する加熱条件を決定する。このように決定された仮想基板の加熱条件では、第１及び第２基板の両方を適切に加熱することができる。そのため、仮想基板の加熱条件に従ってリフロー装置を設定することによって、生産する基板の種類を切り替える際に、加熱条件を変更する必要がなくなる。従って、段取りに伴うリフロー装置のアイドルタイムを低減し、効率的な生産を実現することが可能になる。

本発明の一実施の形態に係る加熱条件決定方法が適用されるリフロー装置の概略を示す平面図である。 本発明の一実施の形態に係る加熱条件決定方法の全体的なフローチャートである。 （ａ）第１基板についての第１試験用基板の平面図である。（ｂ）第１基板についての第１試験用基板の側面図である。 （ａ）第２基板についての第２試験用基板の平面図である。（ｂ）第２基板についての第２試験用基板の側面図である。 はんだの性質に応じて要求される温度プロファイル条件とともに、その条件を満たす第１基板の温度プロファイルの一例を示す図である。 基板長さをＬとし、Ｌ／２の基板間隔で基板を順次搬送した場合の、搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）と生産タクト（ｓｅｃ）との関係を示す図である。 図２に示す加熱条件決定処理の詳細を示すフローチャートである。 第１基板，第２基板及び仮想基板の加熱特性値の例を示す図である。 搬送速度を一定とした場合の加熱条件探索処理の詳細を示すフローチャートである。 温度設定を一定とした場合の加熱条件探索処理の詳細を示すフローチャートである。 第１基板の温度プロファイル条件に適合する場合の第１基板の温度プロファイルの例を示す図である。 第２基板の温度プロファイル条件に適合しない場合の第２基板の温度プロファイルの例を示す図である。 第２基板の温度プロファイル条件に適合する場合の第２基板の温度プロファイルの例を示す図である。 第１基板，第２基板及び仮想基板の加熱特性値の他の例を示す図である。

図を参照することにより、本発明に係る加熱条件決定方法が適用されるリフロー装置１０の構成及び動作について説明する。以下の説明では、基板を搬送するコンベアはｘ−ｙ面内に配置されるとし、基板の搬送方向をｘ方向とし、高さ方向をｚ方向とする。

図１に示すリフロー装置１０は、基板を搬送して電子部品が実装された部品実装基板を生産する実装ラインに備えられる装置の１つである。実装ラインは、リフロー装置１０の他に、印刷装置、部品実装装置等を備え（図示せず）、印刷装置、部品実装装置、リフロー装置の順にプリント配線基板を搬送する。搬送中に、印刷装置によってクリームはんだがプリント配線板に塗布され、部品実装装置によって電子部品がはんだを介して載置される。

リフロー装置１０には、クリームはんだが塗布されたプリント配線板に電子部品が載置された基板（以下、「基板」という。）が搬入される。リフロー装置１０は、基板を加熱することによってはんだを溶融した後、その基板を冷却することによってはんだを凝固させる。このように、リフロー装置１０で基板を加熱・冷却することによって、電子部品はプリント配線板にはんだ付けされる。

なお、プリント配線板に載置される電子部品は、コンデンサ、抵抗、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージ等を含む。また、クリームはんだは、リフロー装置によってプリント配線板に電子部品を接合するための接合材料の一例であり、その他の金属等であってもよい。

リフロー装置１０は、機種変更によって異なる種類の部品実装基板を生産する実装ラインに備えられるリフロー装置の一例であって、リフロー装置１０の構成の概略を図１の平面図に示す。リフロー装置１０は、図１に示すように、ｘ方向に基板を搬送するコンベア１２と、コンベア１２が通過する中空を内部に有する炉体１６とを備える。炉体１６内の中空は、内部の温度環境によって、ｘ方向に順に、予備加熱ゾーン１８と、本加熱ゾーン２０と、冷却ゾーン２２とに区分される。

予備加熱ゾーン１８は、フラックスを活性化するとともに、急激な加熱による基板の熱衝撃を緩和するためのゾーンであり、多くの場合、はんだの融点より低い温度環境が形成される。本加熱ゾーン２０は、はんだを十分に溶融させるためのゾーンであり、はんだの融点以上の温度環境が形成される。冷却ゾーン２２は、はんだを凝固させるために適した低温の温度環境が形成される。

予備加熱ゾーン１８と本加熱ゾーン２０とはさらに、ｘ方向に複数の加熱ゾーンに区分される。実施の形態では、図１に示すように、予備加熱ゾーン１８は、６つの予備加熱ゾーン（ＰＨ１〜６）に区分され、本加熱ゾーン２０は、２つの本加熱ゾーン（ＲＥＦ１及び２）に区分される。各加熱ゾーンを形成する炉体１６の内壁には、その上下それぞれに加熱ユニット（図示せず）が設けられる。加熱ユニットは、例えばヒータとファンと温度センサとを備え、制御装置２３による制御の下、各加熱ゾーンがオペレータにより設定された温度環境となるように加熱する。なお、加熱ユニットは、各加熱ゾーンの温度環境を制御できれば、どのような形態であってもよい。

コンベア１２は、制御装置２３による制御の下、オペレータにより設定された搬送速度で第１基板２４又は第２基板２６を搬送する。

第１基板２４と第２基板２６とは、種類が異なる基板であって、プリント配線板の寸法、厚み及び材料、プリント配線板に実装される電子部品の種類、数量及び配置のされ方等が異なる基板である。具体例を挙げると、第１基板２４は、両面実装基板を製造する場合の表面のみに部品が実装された基板であり、第２基板２６は、第１基板２４の裏面に部品が実装された基板である。

種類が異なる基板２４，２６では、同一の温度環境下での温度上昇の困難さ（以下、「加熱特性」という。）が異なる。しかし、機種を切り替える際に、加熱条件を変更すると、設定変更の操作時間だけでなく、設定した加熱条件に従ってリフロー装置１０が収束するまでの待ち時間が発生し、生産性が低下する。特に、温度設定を変更すると、待ち時間は長くなる。そのため、リフロー装置１０を用いて異なる種類の基板を効率的に生産するには、機種を切り替える際に、できる限り加熱条件を変更することなく、特に温度設定を変更することなく、加熱することが望ましい。

ここで、このように効率的な生産を可能にする加熱条件の決定方法について説明するに前に、同一の温度設定であっても、加熱特性が異なる第１及び第２基板２４，２６の温度プロファイルを制御できる原理について説明する。

第１基板２４は、コンベア１２によって第１搬送速度Ｖ１で搬送される間に、第１予備加熱ゾーンＰＨ１から第６予備加熱ゾーンＰＨ６までの予備加熱ゾーン１８と、第１本加熱ゾーンＲＥＦ１から第２本加熱ゾーンＲＥＦ２までの本加熱ゾーン２０とを順に通過する。加熱ゾーンＰＨ１〜ＰＨ６、ＲＥＦ１及びＲＥＦ２のそれぞれを通過するために要する時間は、第１搬送速度Ｖ１によって決まる。そのため、第１基板２４は、設定に従って温度環境が制御された各加熱ゾーンを、その加熱特性に応じた時間を掛けて通過することになる。そのため、一定の温度環境下を通過する場合であっても、第１搬送速度Ｖ１を適切に決定することによって、第１基板２４について所望の温度プロファイルを実現することができる。

第２基板２６についても、一定の温度環境下を通過する場合であっても、第１基板２４の場合と同様に第２搬送速度Ｖ２を適切に決定することによって、第２基板２６について所望の温度プロファイルを実現することができる。

このように、リフロー装置１０では、リフロー装置１０の各加熱ゾーンＰＨ１〜ＰＨ６、ＲＥＦ１及びＲＥＦ２の温度設定と、第１搬送速度Ｖ１と、第２搬送速度Ｖ２とを適切に決定することによって、基板２４，２６に応じた温度プロファイルを実現することができる。その結果、機種を切り替える際に、温度設定を変更することなく、第１基板２４と第２基板２６とをはんだ付けすることができる。

本発明に係る加熱条件決定方法は、これまで説明したような異なる種類の基板を生産するリフロー装置１０に適用できる加熱条件を決定する方法である。この加熱条件は、各加熱ゾーンの温度設定と、第１搬送速度Ｖ１と、第２搬送速度Ｖ２とを含む。本発明に係る加熱条件決定方法は、コンピュータ等の情報処理装置（図示せず）によって、オペレータの入力した情報及び指示に基づいて実行される。実施の形態では、加熱条件決定方法を実行する情報処理装置は、リフロー装置１０とは別に設けられる。

ここから、図２を参照して、本発明に係る加熱条件決定方法の概略を説明する。図２は、本発明に係る加熱条件決定方法の全体的なフローチャートである。

情報処理装置は、第１基板２４及び第２基板２６それぞれの加熱特性値を示す情報（加熱特性情報）を取得する（Ｓ１）。

加熱特性値とは、基板の局所的な上記加熱特性を示す指標、すなわち、基板の局所的な昇温の困難さを示す指標である。加熱特性値は、第１及び第２基板２４，２６のそれぞれの温度測定点ごとに算出され、各温度測定点に熱電対を取り付けた試験用基板２８，３０（図３及び図４参照）を実際にリフロー装置１０で加熱することによって測定される各温度測定点の温度変化に基づいて算出される。

ここで、基板２４，２６の加熱特性値を算出する方法の詳細について一例を挙げて説明する。

まず、リフロー装置１０によって加熱・冷却する基板２４，２６のそれぞれについて試験用基板２８，３０を準備する（準備ステップ）。第１基板２４の試験用基板である第１試験用基板２８の平面図と側面図のそれぞれを図３（ａ）と（ｂ）に示す。同図に示すように、第１試験用基板２８には複数の熱電対が取り付けられる。

熱電対が取り付けられる箇所（温度測定点）は、当該基板において特徴的な温度プロファイルを示すと予想される箇所、当該基板の中で温度プロファイルに特に注意を要する箇所等に適宜設定される。温度測定点は、基板内の加熱特性値の分布を算出する数値計算結果、技術者の経験等に基づいて決定される。

図３に示す第１試験用基板２８では、３箇所の温度測定点ＴＰ１ａ〜ＴＰ１ｃが設定されている。第１温度測定点ＴＰ１ａは、第１基板２４の中で最も容易に昇温すると予測される箇所として、第１基板２４の端部近傍に設定される。第２温度測定点ＴＰ１ｂは、第１基板２４の中で最も昇温し難いと予測される箇所として、第１基板２４に載置される寸法が大きい部品のリード部分に設定される。第３温度測定点ＴＰ１ｃは、第１基板２４の中で温度プロファイルに特に注意を要する箇所として、第１基板２４に載置される部品の中で耐熱温度が低い部品に設定される。

第２基板２６の試験用基板である第２試験用基板３０の平面図と側面図のそれぞれを図４（ａ）と（ｂ）に示す。同図に示すように、第２基板２６についても、第１基板２４と同様に、第１温度測定点ＴＰ２ａは、第２基板２６の中で最も容易に昇温すると予測される箇所に設定され、第２温度測定点ＴＰ２ｂは、第２基板２６の中で最も昇温し難いと予測される箇所に設定され、第３温度測定点ＴＰ２ｃは、耐熱温度が低い部品に設定される。

第１試験用基板２８と第２試験用基板３０が準備されると、両試験用基板２８，３０は実際にリフロー装置１０で搬送され、各試験用基板２８，３０の温度プロファイルが測定される（測定ステップ）。試験用基板２８，３０を搬送する際のリフロー装置１０の加熱条件は、オペレータによって適宜設定されてよい。実測した温度プロファイルを次の式（１）に従って計算処理することによって、各温度測定点ＴＰ１ａ〜ＴＰ１ｃ及びＴＰ２ａ〜ＴＰ２ｃにつき加熱特性値が算出される（算出ステップ）。

ｍ：加熱特性値
Ｔ_ａ：加熱ゾーンにおける温度設定
Ｔ_int：加熱ゾーンにおける温度測定点の初期温度
Ｔ_ｓ：到達温度
t：加熱ゾーンでの加熱時間

なお、本願出願人らは、上記加熱特性値を利用した熱解析方法等に関する発明につき特許権の設定登録をしており（特許第４２２６８５５号公報参照）、上記加熱特性値ｍに関する考え方は、従来提案された技術である。

このように、実施の形態では、第１基板２４の加熱特性値は、各温度測定点ＴＰ１ａ〜ＴＰ１ｃについて算出される加熱特性値である。また、第２基板２６の加熱特性値は、各温度測定点ＴＰ２ａ〜ＴＰ２ｃについて算出される加熱特性値である。

なお、加熱特性情報の取得処理（Ｓ１）において、加熱特性情報は、図３に示すような試験用基板２８，３０の測定結果に基づいて情報処理装置自身が算出することによって取得されてもよく、また、試験用基板２８，３０の測定結果に基づいて又はシミュレーション解析によって、別の情報処理装置で算出された熱特性値情報をオペレータが入力する等によって取得されてもよい。

次に、情報処理装置は、第１及び第２基板２４，２６それぞれの温度プロファイル条件を示す情報（温度プロファイル条件情報）を取得する（Ｓ２）。

温度プロファイル条件とは、基板を損傷することなく、好適なはんだ接合を可能にする温度プロファイルを実現するための条件である。温度プロファイル条件は、はんだの性質に応じて要求される条件を含む。また、温度プロファイル条件は、細分化された加熱ゾーンの数に応じた多数の要素を含む温度設定を１つに決定するために必要となる条件をも含む。

はんだの性質に応じて要求される条件の例として、予備加熱ゾーン１８において、（Ａ１）最も昇温し易い箇所の温度が予備加熱終了時に予熱最高温度以下であること、（Ａ２）最も昇温し易い箇所の温度が予熱高温域となる時間が予熱制約時間以下であること等を挙げることができる。同条件の例として、本加熱ゾーンにおいて、（Ｂ１）最も昇温し易い箇所の温度が本加熱最高温度以下であること、（Ｂ２）最も昇温し難い箇所ではんだ溶融時間を確保できること等を含む。

はんだの性質に応じて要求される条件の具体例を図５に示す。図５は、はんだの性質に応じて要求される温度プロファイル条件とともに、その条件を満たす第１基板２４の温度プロファイルの一例を示しており、横軸は経過時間（又は通過ゾーン）、縦軸は温度を示す。図５に示す例では、予熱最高温度を１８０℃、予熱高温域を１５０℃〜１８０℃、予熱制約時間を１２０秒、本加熱最高温度を２４０℃、はんだ溶融時間を２２０℃〜２４０℃の範囲となる時間で４０秒としている。

また、温度設定を１つに決定するために必要となる条件の例として、予備加熱ゾーン１８において、（Ａ３）最も昇温し易い箇所と、最も昇温し難い箇所とで、予備加熱終了時の温度差が最小となること、（Ａ４）第１〜第６予備加熱ゾーンＰＨ１〜６の温度設定のそれぞれが、予熱最高温度（℃）の近傍値であること、（Ａ５）第１〜第６予備加熱ゾーンＰＨ１〜６の温度設定の分散が閾値より小さくなること等を挙げることができる。

図２に戻り、さらに、情報処理装置は、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎを示す情報（搬送最低速度情報）を取得する（Ｓ３）。

搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとは、許容できる第１及び第２搬送速度Ｖ１，Ｖ２の最低速度である。搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎを算出する方法の一例について、図６を参照して説明する。

図６は、搬送方向の基板長さをＬとし、Ｌ／２の基板間隔で基板を順次搬送した場合の、搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）と生産タクト（ｓｅｃ）との関係を示す。生産する基板長さＬが２００（ｍｍ）であり、搬送する際の基板間隔が１００（ｍｍ）であるとすると、当該基板の搬送速度と生産タクトとの関係は、図６の三角でマークした折れ線に従う。目標生産タクトが例えば２５（ｓｅｃ）と決定されると、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎは、三角でマークした折れ線において目標生産タクトに対応する搬送速度として算出される。このように、基板長さと、基板間隔と、目標生産タクトとを決定することによって、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎを算出することができる。

なお、搬送最低速度情報の取得処理（Ｓ３）において、搬送最低速度情報は、情報処理装置自身が搬送最低速度を算出することによって取得されてもよく、また、オペレータの入力等によって取得されてもよい。

最後に、情報処理装置は、先に実行された各処理（Ｓ１〜Ｓ３）で取得した加熱特性情報と、温度プロファイル条件情報と、搬送最低速度情報とを利用して、加熱条件を決定する加熱条件決定処理を実行する（Ｓ４）。

加熱条件決定処理（Ｓ４）では、加熱特性情報の取得処理（Ｓ１）において取得した情報に含まれる加熱特性値と、搬送最低速度情報の取得処理（Ｓ３）において取得した情報に含まれる搬送最低速度とを利用して、第１及び第２基板２４，２６をリフロー装置１０で加熱した場合の基板の温度プロファイルをシミュレートする。加熱条件を変えたシミュレートを繰り返すことによって、温度プロファイル条件の取得処理（Ｓ２）において取得した情報が示す温度プロファイル条件に適合する加熱条件が探索される。探索した結果、当該温度プロファイル条件に適合する加熱条件（適合加熱条件）を見つけることができた場合に、当該適合加熱条件が第１及び第２基板２４，２６に適用すべき加熱条件として決定され、当該加熱条件を示す情報が出力される。

加熱条件決定処理（Ｓ４）の概略について図７を参照して説明する。図７は、加熱条件決定処理（Ｓ４）の詳細を示すフローチャートである。図７の詳細は後に説明するため、ここでは、本発明に特徴的な加熱条件決定処理（Ｓ４）の概略について説明する。

加熱条件決定処理（Ｓ４）では、まず、第１搬送速度Ｖ１と第２搬送速度Ｖ２とを等しい速度として仮想基板について加熱条件が探索される（Ｓ１１。第１探索ステップに相当する。）。この探索処理（Ｓ１１）では、第１搬送速度Ｖ１と第２搬送速度Ｖ２とが等しく搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎであるとして、第１基板２４及び第２基板２６の温度プロファイル条件に適合する温度設定が探索される。

ここで、「仮想基板」とは、搬送する基板２４，２６の加熱特性値を包含する加熱特性値を有する仮想的な基板をいう。第１および第２基板２４，２６の仮想基板の加熱特性の例を図８に示す。同図に示すように、仮想基板の加熱特性値の最大値ＴＰ３_ｍａｘは、第１基板２４の加熱特性値の最大値ＴＰ１ｂと第２基板２６の加熱特性値の最大値ＴＰ２ｂとの大きい方である第１基板２４の加熱特性値の最大値ＴＰ１ｂと等しい。また、仮想基板の加熱特性値の最小値ＴＰ３_ｍｉｎは、第１基板２４の加熱特性値の最小値ＴＰ１ａと第２基板２６の加熱特性値の最小値ＴＰ２ａとの小さい方である第２基板２６の加熱特性値の最小値ＴＰ２ａと等しい。

なお、仮想基板の加熱特性値の最大値ＴＰ３_ｍａｘは、搬送する各基板の加熱特性値の最大値の中の最大値ＴＰ１ｂ以上であればよい。また、仮想基板の加熱特性値の最小値ＴＰ３_ｍｉｎは、搬送する各基板の加熱特性値の最小値の中の最小値ＴＰ２ａ以下であればよい。

搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとして仮想基板の適合加熱条件を見つけることができた場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、好ましくは、搬送速度を速くしながら（Ｓ１４）、温度プロファイル条件に適合する温度設定を探索する（Ｓ１５）。できるだけ速い搬送速度の加熱条件を見つけることによって、生産性を向上させることが可能になる。

このようにして、仮想基板について適合加熱条件を見つけることができた場合（Ｓ１２でＹｅｓ、又はＳ１６でＹｅｓ）、その適合加熱条件（Ｓ１３において保持された加熱条件）を第１基板２４及び第２基板２６に適用すべき加熱条件として決定する（Ｓ１７。加熱条件決定ステップに相当する。）。この場合、第１搬送速度Ｖ１と第２搬送速度Ｖ２は、等しい。また、その速度（Ｖ１＝Ｖ２）は、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎ又はそれ以上の速度である。

仮想基板について搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとした適合加熱条件を見つけることができなかった場合（Ｓ１２でＮｏ）、第１基板２４及び第２基板２６の加熱特性値のうち、最大の加熱特性値を含む第１基板２４につき、加熱条件が探索される（Ｓ１８。第２探索ステップに相当する。）。この探索処理（Ｓ１８）では、第１搬送速度Ｖ１を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとして、第１基板２４の温度プロファイル条件に適合する温度設定が探索される。

第１搬送速度Ｖ１を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎという遅い搬送速度にすることによって、第１基板２４の温度プロファイル条件に適合する温度設定の中でも低温の温度設定を見つけることができる。

この温度設定は、第１基板２４の後に生産される、第２基板２６にも適用される。第１基板２４は、両基板２４，２６の中で最大の加熱特性値を含むので、第２基板２６は、第１基板２４よりも全体的に温度上昇し易い基板と言える。そのため、仮想基板において適合加熱条件を見つけられない場合には（Ｓ１２でＮｏ）、第２搬送速度Ｖ２を第１搬送速度Ｖ１よりも速くする必要があるが、第２搬送速度Ｖ２の上限は、コンベア１２の搬送能力等によって制限される。

第１基板２４の温度プロファイル条件を満たす温度設定のうち、低温の温度設定をまず見つけることによって、第１基板２４及び第２基板２６の温度プロファイル条件を満たす第２搬送速度Ｖ２を可能な限り低速にすることができ、第２搬送速度Ｖ２をその上限以下にできる可能性が高くなる。

従って、第１基板２４の温度プロファイル条件を満たす低温の温度設定をまず見つけることによって、リフロー装置１０の性能ないし仕様上の制限下で、第１基板２４及び第２基板２６を同一の温度設定で加熱できる加熱条件を見つけ出すことが容易になる。

これまで説明したように第１基板２４につき加熱条件が探索された結果（Ｓ１８）、第１基板２４の温度プロファイル条件を満たす温度設定が見つけられた場合（Ｓ１９でＹｅｓ）、その温度設定の下で、第２基板２６の温度プロファイル条件を満たす第２搬送速度Ｖ２が探索される（Ｓ２０。第３探索ステップに相当する。）。第２搬送速度Ｖ２の探索の結果、第２基板２６の温度プロファイル条件を満たす第２搬送速度Ｖ２が見つけられた場合（Ｓ２１でＹｅｓ）、探索処理（Ｓ２０）によって見つけられた第２搬送速度Ｖ２と、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎである第１搬送速度Ｖ１と、第１基板２４の探索処理（Ｓ１８）によって見つけられた温度設定とを内容に含む加熱条件を決定する（Ｓ１７）。

最後に、決定された加熱条件を示す加熱条件情報が出力される（Ｓ２３）。これにより、加熱条件決定処理（図２のＳ４）は終了する。

なお、加熱条件決定方法は、出力された加熱条件情報に基づいて、リフロー装置１０により第１及び第２基板２４，２６を共通の温度設定で加熱できるか否かをオペレータに報知する処理を含んでもよい。この報知処理は、具体的には、情報処理装置が、出力された加熱条件情報に基づいて、例えば当該装置に接続されたモニタ、スピーカ等の１つ以上を含む報知手段を制御し、加熱できる場合に適切な加熱条件をオペレータに提示し、加熱できない場合にはその旨をオペレータに報知する（報知ステップ）。

本発明に係る加熱条件決定方法に含まれる加熱条件決定処理（図２のＳ４）は、これまで説明した一連の処理により実行でき、各処理の詳細、特に探索処理（図７のＳ１１，Ｓ１５，Ｓ１８及びＳ２０）の詳細は、これまで説明した本発明の趣旨に矛盾しない限り、いかなる方法であってもよい。

加熱条件決定処理（図２のＳ４）の詳細な例の１つについて、ここから図７に加えて、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、搬送速度一定とする場合の加熱条件探索処理（図７のＳ１２、Ｓ１５及びＳ１８）の詳細を示すフローチャートである。図１０は、温度設定一定とする場合の加熱条件探索処理（図７のＳ２０）の詳細を示すフローチャートである。

加熱条件決定処理（図２のＳ４）において情報処理装置は、まず、仮想基板につき、搬送速度を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとして、第１基板２４及び第２基板２６の温度プロファイル条件に適合する加熱条件を探索する（Ｓ１１）。

仮想基板の加熱条件探索処理（Ｓ１１）では、具体的には、搬送速度を一定として、第１基板２４及び第２基板２６の温度プロファイル条件に適合する温度設定が探索される。仮想基板の加熱条件探索処理（Ｓ１１）の詳細の一例を、図９のフローチャートを参照して説明する。

情報処理装置は、まず、予め定められた温度設定の初期条件を取得し（Ｓ３１）、取得した当該温度設定と搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとを利用して仮想基板の温度プロファイルをシミュレートする（Ｓ３２）。シミュレート（Ｓ３２）後に、情報処理装置は、シミュレートした結果が第１基板２４及び第２基板２６の温度プロファイル条件を満たすか否かを判断する（Ｓ３３）。

当該温度プロファイル条件を満たさないと判断された場合（Ｓ３３でＮｏ）、情報処理装置はさらに、温度設定を変更できるか否かを判断する（Ｓ３４）。

温度設定を変更できるか否かは、例えば、リフロー装置１０において設定できる各加熱ゾーンの最高温度及び最低温度を基準に決定される。温度設定を変更した場合に、各加熱ゾーンの温度設定が、当該最低温度以上であってかつ当該最高温度以下であるとき、温度設定を変更できると判断され（Ｓ３４でＹｅｓ）、当該最高温度より高いか又は当該最低温度より低い温度設定を含むとき、温度設定を変更できないと判断される（Ｓ３４でＮｏ）。

温度設定を変更できると判断されたとき（Ｓ３４でＹｅｓ）、情報処理装置は、温度設定を変更して（Ｓ３５）、シミュレーション（Ｓ３２）を再度実行する。

シミュレートした結果が第１基板２４及び第２基板２６の温度プロファイル条件を満たすと判断された場合には（Ｓ３３でＹｅｓ）、情報処理装置は、加熱条件を示す情報を探索結果情報として出力する（Ｓ３６）。ここで出力される情報が示す加熱条件は、当該判断の基になったシミュレーション（Ｓ３２）に利用した温度設定と、第１搬送速度Ｖ１及び第２搬送速度Ｖ２を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとすることを含む。

また、温度設定を変更できないと判断されたとき（Ｓ３４でＮｏ）、情報処理装置は、仮想基板の加熱条件を決定できないことを示す情報を探索結果情報として出力する（Ｓ３６）。

これによって、仮想基板の加熱条件探索処理（Ｓ１１）は終了する。ここから、図７に戻って、加熱条件決定処理（図２のＳ４）の詳細の続きを説明する。

情報処理装置は、適合加熱条件の有無を判断する（Ｓ１２）。具体的には、仮想基板の加熱条件探索処理（Ｓ１１）において出力される探索結果情報が加熱条件を示す情報である場合、情報処理装置は、適合加熱条件がある（Ｓ１２でＹｅｓ）と判断する。これに対して、探索結果情報が加熱条件を決定できないことを示す情報である場合、情報処理装置は、適合加熱条件がない（Ｓ１２でＮｏ）と判断する。

適合加熱条件があると判断された場合に（Ｓ１２でＹｅｓ）、情報処理装置は、探索結果情報が加熱条件を示す情報を自身が備える記憶手段に保持する（Ｓ１３）。続けて、情報処理装置は、より速い速度に搬送速度を変更して（Ｓ１４）、変更後の搬送速度を利用して仮想基板につき加熱条件を探索する（Ｓ１５）。この加熱条件探索処理（Ｓ１５）は、加熱条件探索処理（Ｓ１１）と同様である。ここで出力される情報が示す加熱条件は、当該判断の基になったシミュレーション（Ｓ３２）に利用した温度設定及び第１搬送速度Ｖ１を含む。

さらに、情報処理装置は、適合加熱条件の有無を判断する（Ｓ１６）。適合加熱条件の判断処理（Ｓ１６）の詳細は、適合加熱条件の判断処理（Ｓ１２）と同様である。適合加熱条件があると判断された場合（Ｓ１６でＹｅｓ）、情報処理装置は、上記各処理（Ｓ１３〜Ｓ１６）を繰り返す。適合加熱条件がないと判断された場合（Ｓ１６でＮｏ）、情報処理装置は、加熱条件保持処理（Ｓ１３）において保持した加熱条件を第１基板２４及び第２基板２６に適用すべき加熱条件として決定する（Ｓ１７）。

適合加熱条件がないと判断された場合に（Ｓ１２でＮｏ）、情報処理装置は、第１基板２４につき、搬送速度を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとして、第１基板２４の温度プロファイル条件に適合する加熱条件を探索する（Ｓ１８）。第１基板２４の加熱条件探索処理（Ｓ１８）は、仮想基板の加熱条件探索処理（Ｓ１１）と同様に搬送速度を所与として加熱条件を探索する処理であり、各処理（Ｓ３１〜Ｓ３６）の対象を仮想基板から第１基板２４に変更したものである。また、ここで出力される情報が示す加熱条件は、当該判断の基になったシミュレーション（Ｓ３２）に利用した温度設定と、第１搬送速度Ｖ１を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとすることを含む。

第１基板２４の加熱条件探索処理（Ｓ１８）の後に、情報処理装置は、適合加熱条件の有無を判断する（Ｓ１９）。適合加熱条件の判断処理（Ｓ１９）の詳細は、適合加熱条件の判断処理（Ｓ１２）と同様である。適合加熱条件があると判断された場合に（Ｓ１９でＹｅｓ）、情報処理装置は、第１基板２４の加熱条件探索処理（Ｓ１８）において見つけられた温度設定を利用して、第２基板２６につき、第２基板２６の温度プロファイル条件に適合する加熱条件を探索する（Ｓ２０）。

第２基板２６の加熱条件探索処理（Ｓ２０）では、具体的には、温度設定を一定として、第２基板２６の温度プロファイル条件に適合する温度設定が探索される。第２基板２６の加熱条件探索処理（Ｓ２０）の詳細の一例を、図１０のフローチャートを参照して説明する。

情報処理装置は、まず、予め定められた第２搬送速度Ｖ２の初期条件を取得する（Ｓ４１）。第２搬送速度Ｖ２の初期条件は、例えば、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎである。

情報処理装置は、取得した当該第２搬送速度Ｖ２と、第１基板の加熱条件探索処理（Ｓ１８）において見つけられた温度設定とを利用して、第２基板２６の温度プロファイルをシミュレートする（Ｓ４２）。

シミュレート（Ｓ４２）後に、情報処理装置は、シミュレートした結果が第２基板２６の温度プロファイル条件を満たすか否かを判断する（Ｓ４３）。

当該温度プロファイル条件を満たさないと判断された場合（Ｓ４３でＮｏ）、情報処理装置は、例えばより高速に、第２搬送速度Ｖ２を変更できるか否かを判断する（Ｓ４４）。

第２搬送速度Ｖ２を変更できるか否かは、例えば、リフロー装置１０において設定できる第２搬送速度Ｖ２の範囲を基準に決定される。第２搬送速度Ｖ２の初期条件が搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎであり、第２搬送速度Ｖ２を高速にしてシミュレートする場合には、設定可能な第２搬送速度Ｖ２の最高速度が基準となる。シミュレートのための第２搬送速度Ｖ２を高速に変更した場合に、第２搬送速度Ｖ２が当該最高速度以下であるとき、第２搬送速度Ｖ２を変更できると判断される（Ｓ４４でＹｅｓ）。また、第２搬送速度Ｖ２が当該最高速度より速いとき、第２搬送速度Ｖ２を変更できないと判断される（Ｓ４４でＮｏ）。

第２搬送速度Ｖ２を変更できると判断されたとき（Ｓ４４でＹｅｓ）、情報処理装置は、例えば高速に第２搬送速度Ｖ２を変更して（Ｓ４５）、シミュレーション（Ｓ４２）を再度実行する。

シミュレートした結果が第２基板２６の温度プロファイル条件を満たすと判断された場合には（Ｓ４３でＹｅｓ）、情報処理装置は、加熱条件を示す情報を探索結果情報として出力する（Ｓ４６）。ここで出力される情報が示す加熱条件は、当該判断の基になったシミュレーション（Ｓ４２）に利用した温度設定及び第２搬送速度Ｖ２を含む。

また、第２搬送速度Ｖ２を変更できないと判断されたとき（Ｓ４４でＮｏ）、情報処理装置は、第２基板２６の加熱条件を決定できないことを示す情報を探索結果情報として出力する（Ｓ４６）。

これによって、第２基板２６の加熱条件探索処理（Ｓ２０）は終了する。ここから、図７に戻って、加熱条件決定処理（図２のＳ４）の詳細の続きを説明する。

情報処理装置は、適合加熱条件の有無を判断する（Ｓ２１）。適合加熱条件の判断処理（Ｓ２１）の詳細は、適合加熱条件の判断処理（Ｓ１２）と同様である。

適合加熱条件があると判断された場合に（Ｓ２１でＹｅｓ）、情報処理装置は、第１基板２４の加熱条件探索処理（Ｓ１８）における探索結果として出力された温度設定と、第１搬送速度Ｖ１を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとすることと、第２基板２６の加熱条件探索処理（Ｓ２０）における探索結果として出力された第２搬送速度Ｖ２とを含む加熱条件を決定する（Ｓ１７）

また、適合加熱条件の有無の判断処理（Ｓ１９又はＳ２１）において、適合加熱条件がない（Ｓ１９でＮｏ又はＳ２１でＮｏ）と判断された場合、情報処理装置は、適合加熱条件がないと決定する（Ｓ２２）。最後に、情報処理装置は、加熱条件決定処理（Ｓ１７）において決定された加熱情報、又は決定処理（Ｓ２２）において決定された適合加熱条件がないことを示す情報を加熱条件情報として出力し（Ｓ２３）、処理を終了する。

以上説明したように、実施の形態によると、種類の異なる第１及び第２基板２４，２６の加熱特性値を包含する加熱特性値を有する仮想基板の適合加熱条件を探索する。これによって、リフロー装置１０において異なる種類の第１及び第２基板２４，２６を適切に加熱するために適用できる共通の加熱条件を決定することができる。このような加熱条件を設定することによって、第１及び第２基板２４，２６の機種を切り替える際に、加熱条件の設定を変更する必要はなくなり、段取りに要する時間を短縮することができるため、効率的な生産が可能になる。

また、実施の形態では、仮想基板の適合加熱条件を見つけることができない場合に、最大の加熱特性値を含む第１基板２４について、可能な限り低速の第１搬送速度で適合加熱条件を探索する。これによって、低温の温度設定を見つけることができる。第１基板２４が最大の加熱特性値を含むため、第２基板２６は第１基板２４より昇温し易い。そのため、第２搬送速度を第１搬送速度より速くすることで、第２基板２６の適合加熱条件を探索することができる。

ここで、実施の形態で説明した加熱条件決定方法により決定した加熱条件に従ってシミュレートした基板の温度プロファイルの一例を図１１〜図１３に示す。基板は、加熱特性値が大きい第１基板２４として、厚さ３ｍｍの基板を使用し、加熱特性値が大きい第２基板２６として、厚さ０．９ｍｍの基板を使用した。リフロー装置は、５つの予備加熱ゾーンＰＨ１〜５と２つの本加熱ゾーンＲＥＦ１〜２とを有するとした。

また、温度プロファイル条件は、上記の（Ａ１）〜（Ａ５）及び（Ｂ１）〜（Ｂ２）であって、両基板２４，２６に共通で、予熱最高温度を１８０℃、予熱高温域を１５０℃〜１８０℃、予熱制約時間を１２０秒、本加熱最高温度を２４０℃、はんだ溶融時間を２２０℃〜２４０℃の範囲となる時間で４０秒とした。

図１１は、第１基板２４の温度プロファイルの例を示す。シミュレーションでは、第１予備加熱ゾーンＰＨ１の温度を１７０度、第２〜５予備加熱ゾーンＰＨ２〜５の温度を１８０度、第１本加熱ゾーンＲＥＦ１の温度を２５５度、第２本加熱ゾーンＲＥＦ２の温度を２４０度とし、第１搬送速度Ｖ１を０．６０ｍ／ｍｉｎとした。同図に示す第１基板２４の温度プロファイルは、上記の温度プロファイル条件を満たす。

そこで、第２基板２６について、同一の温度設定かつ同一搬送速度（Ｖ２＝Ｖ１＝０．６０ｍ／ｍｉｎ）としてシミュレートした結果を図１２に示す。同図に示す第２基板２６の温度プロファイルでは、予備加熱において、予熱高温域１５０℃〜１８０℃となる時間が約１７０秒であり、予熱制約時間１２０秒を超えている。また、本加熱において、最高温度が２５０度近くまで上昇しており、本加熱最高温度２４０℃を超えている。そのため、同一の温度設定かつ同一搬送速度では、温度プロファイル条件を満たすことができない。

次に、第２搬送速度Ｖ２を１．０４ｍ／ｍｉｎとし、同一の温度設定でシミュレートした結果を図１３に示す。同図に示す第２基板２６の温度プロファイルは、上記の温度プロファイル条件を満たす。このように、第１基板２４より昇温し易い第２基板２６では、第２搬送速度を第１搬送速度より速くすることで、第２基板２６の適合加熱条件を見つけ出すことができる。

従って、リフロー装置１０において同一の温度設定で第１及び第２基板２４，２６を適切に加熱することができる加熱条件が決定される。このような加熱条件を設定することによって、第１及び第２基板２４，２６の機種を切り替える際に必要な変更は、搬送速度だけであって、温度設定を変更する必要はない。そのため、機種を切り替える際に、リフロー装置１０内の温度環境が設定された温度に従って収束するまでの待ち時間は発生せず、段取りに要する時間を短縮することができるため、効率的な生産が可能になる。

また、加熱特性値は、第１及び第２試験用基板２８，３０をリフロー装置１０で加熱することによって取得され、取得された加熱特性値に基づいて加熱条件を決定できる。そのため、加熱条件を決定するために実際に基板を加熱する回数は少なくてすむ。従って、加熱条件を決定するために実際に基板を加熱するという試行を繰り返すような従来の加熱条件決定方法よりも、加熱条件の決定に要する時間を低減し手間を軽減することが可能になる。

また、仮想基板及び第１基板の適合加熱条件の探索では、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎが使用され、搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎは、例えば目標生産タクトを考慮して決定される。その場合、実施の形態の加熱条件決定方法によって決定される加熱条件は、生産性を考慮したものとなる。そのため、一定以上の生産効率を確保しながら加熱条件を決定することが可能になる。

以上本発明に係る一実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。

例えば、実施の形態では、第１基板２４は全体的に、第２基板２６よりも昇温し難い場合を例に説明した。すなわち、第１基板２４の加熱特性値の最大値は、両基板２４，２６を通じて最大の加熱特性値である一方で、第１基板２４の加熱特性値の最小値は、両基板２４，２６を通じて最小の加熱特性値ではなく、第２基板２６の加熱特性値の最小値よりも大きい。

しかし、実際の基板では、図１４に示すように、第１基板２４の加熱特性値の最大値及び最小値が、第１及び第２基板２４，２６の両基板を通じて最大及び最小となる場合もある。このように、第１基板２４が、第２基板２６の加熱特性値を包含する場合、仮想基板の加熱特性値は、図１４に示すように第１基板２４の加熱特性値と同一となるが、仮想基板の温度プロファイル条件と第１基板２４の温度プロファイル条件とは、異なることがある。この場合も、実施の形態において説明した加熱条件決定方法によって、リフロー装置１０において同一の温度環境下で第１及び第２基板２４，２６を加熱することができ、そのため効率的に種類の異なる基板を生産することが可能になる。

例えば、実施の形態では、機種を切り替えることによってリフロー装置１０が２つの異なる種類の基板を生産する例について説明したが、本発明に係る加熱条件決定方法は、基板の種類を切り替えることによって３種以上の基板を生産する場合にも適用できる。この場合、仮想基板は、実施の形態と同様に、搬送する基板の加熱特性値を包含する加熱特性値を有する仮想的な基板とするとよい。仮想基板の適合加熱条件が存在しない場合も、実施の形態と同様に、まず、最大の加熱特性値を含む基板について、搬送速度を搬送最低速度Ｖ_ｍｉｎとして当該基板の温度プロファイル条件に適合する温度設定が探索される。探索によって、そのような温度設定を見つけることができた場合、実施の形態での温度設定を一定とした加熱条件の探索処理が他の基板のそれぞれについて実行される。探索処理を実行する基板の順序は、任意であってよいが、好ましくは最小の加熱特性値を含む基板から探索処理を行う。最大の加熱特性値を含む基板について決定された一定の温度設定の下で、最小の加熱特性値を含む基板の搬送速度を見つけることができた場合、残りの基板についてもそれぞれの温度プロファイル条件に適合する搬送速度を見つけられる可能性が高くなり、無駄な計算処理を減らすことができるからである。このようにして、リフロー装置１０において機種を切り替えることによって３種以上の基板を生産する場合の温度設定と各基板の搬送速度とを決定することができる。

例えば、実施の形態では、本発明に係る加熱情報決定方法を実行する情報処理装置がリフロー装置１０とは別に設けられることとしたが、当該情報処理装置は、リフロー装置１０に備えられてもよく、例えばリフロー装置１０が備える制御装置２３に組み込まれてもよい。

例えば、本発明は、加熱条件決定方法として実現されるだけでなく、当該方法に含まれる各処理を各手順として情報処理装置（コンピュータ）に実行させるプログラムとして実現することができる。また、本発明は、加熱条件決定方法に含まれる各工程を実行する機能を発揮する手段を備えた加熱条件決定装置として実現することもできる。

例えば、加熱特性値は、特定の温度環境下での昇温の困難さを示す指標として定義したが、この値は、特定の温度環境下での昇温のし易さを示す指標、特定の温度環境下での温度降下のし難さ又はし易さを示す指標等を適宜変換することによって代替することもできる。これらの代替可能な各指標は適宜選択して利用されてよく、加熱特性値の定義は、これら代替可能な指標を利用する場合を本発明から除外する趣旨ではない。

本発明は、異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定するために利用できる。

１０ リフロー装置
１２ コンベア
１６ 炉体
１８ 予備加熱ゾーン
２０ 本加熱ゾーン
２２ 冷却ゾーン
２３ 制御装置
２４ 第１基板
２６ 第２基板
２８ 第１試験用基板
３０ 第２試験用基板

Claims (6)

1. 異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定する方法であって、
   前記異なる種類の基板の熱特性値の最大値及び最小値を含む仮想基板を第１搬送速度で搬送した場合の前記仮想基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記異なる種類の基板のすべての温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第１温度設定を探索する第１探索ステップと、
   当該第１温度設定の下、前記異なる種類の基板を前記第１搬送速度で搬送することを内容に含む前記加熱条件を決定する加熱条件決定ステップとを含む
   ことを特徴とするリフロー装置の加熱条件決定方法。
2. 前記第１温度設定を見つけることができない場合に、前記最大の熱特性値を含む第１基板を前記第１搬送速度で搬送した場合の前記第１基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記第１基板の温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第２温度設定を探索する第２探索ステップと、
   前記第１基板以外の各基板について、前記第２温度設定の下で搬送した場合の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記第１基板以外の各基板の温度プロファイル条件を満たす前記第１基板以外の各基板の搬送速度を探索する第３探索ステップとを含み、
   前記加熱条件決定ステップでは、前記第２温度設定の下、前記第１基板を前記第１搬送速度で搬送し、前記第１基板以外の各基板を前記各基板の搬送速度で搬送することを内容に含む加熱条件を決定する
   ことを特徴とする請求項１に記載のリフロー装置の加熱条件決定方法。
3. 前記第１基板以外の各基板の搬送速度を見つけることができないときに、前記異なる種類の基板を異なるリフロー装置で加熱すべきことを報知する報知ステップを含む
   ことを特徴とする請求項２に記載のリフロー装置の加熱条件決定方法。
4. 前記異なる種類の基板の各々について、温度測定点に温度センサを取り付けた試験用基板を準備する準備ステップと、
   前記準備ステップにおいて準備した前記試験用基板を予め定めた温度設定の前記リフロー装置で搬送しながら、前記試験用基板の温度プロファイルを前記複数の温度センサから取得することによって温度プロファイルを実際に測定する測定ステップと、
   前記測定ステップにおいて測定された前記温度プロファイルに基づいて、前記温度測定点の温度上昇の困難さを示す指標である加熱特性値を算出する算出ステップとを含む
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリフロー装置の加熱条件決定方法。
5. 前記第１搬送速度は許容生産タクトに基づいて算出される
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリフロー装置の加熱条件決定方法。
6. 異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定するプログラムであって、
   前記異なる種類の基板の熱特性値の最大値及び最小値を含む仮想基板を第１搬送速度で搬送した場合の前記仮想基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、前記異なる種類の基板のすべての温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第１温度設定を探索する第１探索手順と、
   当該第１温度設定の下、前記異なる種類の基板を前記第１搬送速度で搬送することを内容に含む前記加熱条件を決定する加熱条件決定手順とを含む
   ことを特徴とするリフロー装置の加熱条件決定プログラム。

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