JP2011096801A - ハイドライド気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】中空の反応管110の内部で基板122が下流側から基板回転機構120により軸支されて回転駆動される。この基板122の表面に上流からGaClガスと(NH3+H2)ガスを供給する。これにより基板122の表面に結晶が成長される。ただし、基板122の表面を通過したガスを排出する構造のため、必然的に加熱されたガスと下流部の冷却されたガスとの間で対流が生じる。基板122の下流で反応管110の内部の少なくとも外側を対流防止部材150が遮蔽している。このため、上述のように反応管110の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板122の表面に到達することが防止される。
【選択図】図1
Description
基板122の材料は特に限定されず、サファイア(Al2O3)基板、GaN基板(自立基板)、SiC基板などを用いることができる。特に、C面、M面、A面またはR面のGaN自立基板を好適に用いることができる。
110 反応管
120 基板回転機構
121 サセプタ回転軸
122 基板
130 ソースボート
132 第一ヒータ機構
133 第一断熱材
140 第二供給機構
142 第二ヒータ機構
143 第二断熱材
150 対流防止部材
151 貫通孔
210 対流防止部材
211 対流防止部材
Claims (4)
- 少なくとも第一反応ガスと第二反応ガスとを上流から下流の基板の表面に供給して結晶を成長させるハイドライド気相成長装置であって、
中空の反応管と、
前記反応管の内部で前記基板を下流側からサセプタ回転軸により軸支して回転駆動する基板回転機構と、
回転駆動される前記基板の表面に前記第一反応ガスを上流から供給する第一供給機構と、
回転駆動される前記基板の表面に前記第二反応ガスを上流から供給する第二供給機構と、
表面に前記第一反応ガスと前記第二反応ガスとが供給される前記基板の下流で前記反応管の内部の少なくとも外側を遮蔽する対流防止部材と、
を有するハイドライド気相成長装置。 - 前記対流防止部材は、中心に貫通孔が形成されていて前記反応管の内周面を遮蔽する円筒状に形成されており、
前記対流防止部材の前記貫通孔を前記基板回転機構の前記サセプタ回転軸が貫通している請求項1に記載のハイドライド気相成長装置。 - 前記対流防止部材は、前記基板の表面を通過した前記第一反応ガスと前記第二反応ガスとを前記貫通孔と前記サセプタ回転軸との間隙から所定の流速で下流に流動させる形状に形成されている請求項2に記載のハイドライド気相成長装置。
- 前記反応管の外側から前記基板を加熱する基板加熱機構と、
前記基板加熱機構より下流で前記反応管を断熱する反応管断熱材とを、さらに有し、
前記対流防止部材が前記反応管断熱材より下流に位置している請求項1ないし3の何れか一項に記載のハイドライド気相成長装置。
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