JP2011091161A - 低誘電率絶縁膜の形成方法 - Google Patents
低誘電率絶縁膜の形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】原料ガス雰囲気に置かれた被成膜基板に中性粒子ビームを照射し、前記被成膜基板表面に吸着した原料ガスを解離して重合させ、低誘電率膜を成膜する工程を具備する低誘電率膜の形成方法において、前記被成膜基板への中性粒子ビームの照射を、1m秒未満の周期で間歇的に行うことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
しかし、従来のプラズマCVD法によるlow−k膜の製造方法の場合、プラズマが発する高エネルギーの電子や紫外光(UV光)あるいはフォトンにより、原料ガスを構成する前駆体分子が必要以上に分解されてしまう。例えば、前駆体分子中のSi−CH3結合からCH3基が、電子やUV光あるいはフォトンの過剰なエネルギーにより過剰に離脱したり、基板上に堆積したlow−k膜から有機基が離脱したりし、緻密化が進行する。このように、プラズマ化によりガスの解離が促進された場合、所望の分子構造を有するCVD膜を形成することが出来ない。このため、所望の誘電率(k<2.2以下)や高強度(ヤング率≧4GPa)を有する膜を形成することが困難であった。
原料ガスとしてDMOTMDS(ジメトキシトリメチルジシロキサン)を用い、図4に示す中性粒子照射型CVD装置を用いて、シリコン基板上に絶縁膜を堆積した。中性粒子ビームは、パルスオン時間を50μsに固定し、パルスオフ時間を変化させて、パルス状に照射し、絶縁膜を成膜した。基板温度は−70℃とした。
実施例1と同様にして、パルスオン時間を50μsに固定し、パルスオフ時間を変化させて、中性粒子ビームをパルス状に照射し、絶縁膜を成膜した。形成された絶縁膜をフーリエ変換赤外分光法により分析し、SiO構造組成の変化を調べた。その結果、図8に示す結果を得た。
実施例1と同様にして、パルスオン時間を50μsに固定し、パルスオフ時間を変化させて、中性粒子ビームをパルス状に照射し、絶縁膜を成膜した。形成された絶縁膜のk値をHgプローブを用いて測定し、ナノインデンターを用いてヤング率を測定した。また、Si-(CH3)xとSi-Oの相対密度をそれぞれ測定した。その結果を図9に示す。
原料ガスとしてDMOTMDS(ジメトキシトリメチルジシロキサン)を用い、図4に示す中性粒子照射型CVD装置を用いて、シリコン基板上に絶縁膜を堆積した。中性粒子ビームは、パルスオン時間を50μs、パルスオフ時間を100μsとして、パルス状に照射し、絶縁膜を成膜した。基板温度は−70℃とした。
原料ガスとしてMTMOS(メチルトリメトキシシロキサン)を用いたことを除いて、実施例4と同様にして、100nmの膜厚の絶縁膜を成膜した後に、原料ガスをDMOTMDS(ジメトキシトリメチルジシロキサン)に切替え、実施例4と同様にして、100nmの膜厚の絶縁膜を成膜し、2層積層構造の絶縁膜を得た。
原料ガスとしてDMOTMDS(ジメトキシトリメチルジシロキサン)を用い、基板温度70℃で、中性粒子ビームを連続的に照射して100nmの膜厚の絶縁膜を成膜した後、中性粒子ビームを、パルスオン時間を50μs、パルスオフ時間を100μsとして、パルス状に照射し、100nmの膜厚の絶縁膜を成膜し、2層積層構造の絶縁膜を得た。
Claims (7)
- 原料ガス雰囲気に置かれた被成膜基板に中性粒子ビームを照射し、前記被成膜基板表面に吸着した原料ガスを解離して重合させ、低誘電率膜を成膜する工程を具備する低誘電率膜の形成方法において、
前記被成膜基板への中性粒子ビームの照射を、1m秒未満の周期で間歇的に行うことを特徴とする低誘電率膜の形成方法。 - 前記中性粒子ビームの照射時間Tonと照射間隔Toffは、Ton≦Toffであることを特徴とする請求項1に記載の低誘電率膜の形成方法。
- Ton>50μ秒、Toff>100μ秒であることを特徴とする請求項2に記載の低誘電率膜の形成方法。
- 前記原料ガスは、シロキサン結合を有する化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の低誘電率膜の形成方法。
- 前記シロキサン結合を有する化合物は、2量体以上のメチルシロキサンであることを特徴とする請求項4に記載の低誘電率膜の形成方法。
- 前記2量体以上のメチルシロキサンは、ジメトキシトリメチルジシロキサンであることを特徴とする請求項5に記載の低誘電率膜の形成方法。
- 成膜中、前記被成膜基板は、0℃以下に冷却されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の低誘電率膜の形成方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009242692A JP5164079B2 (ja) | 2009-10-21 | 2009-10-21 | 低誘電率絶縁膜の形成方法 |
TW99133871A TW201131651A (en) | 2009-10-05 | 2010-10-05 | Low dielectric constant insulating film |
PCT/JP2010/067449 WO2011043337A1 (ja) | 2009-10-05 | 2010-10-05 | 低誘電率絶縁膜およびその形成方法 |
US13/440,480 US8828886B2 (en) | 2009-10-05 | 2012-04-05 | Low dielectric constant insulating film and method for forming the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009242692A JP5164079B2 (ja) | 2009-10-21 | 2009-10-21 | 低誘電率絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011091161A true JP2011091161A (ja) | 2011-05-06 |
JP5164079B2 JP5164079B2 (ja) | 2013-03-13 |
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JP (1) | JP5164079B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003019645A1 (fr) * | 2001-08-30 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Procede et appareil de formation d'un film |
JP2008530821A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高度な低誘電率の有機シリコン・プラズマ化学気相堆積膜 |
JP2009021442A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Tokyo Electron Ltd | 多孔質膜の成膜方法およびコンピュータ可読記録媒体 |
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WO2003019645A1 (fr) * | 2001-08-30 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Procede et appareil de formation d'un film |
JP2008530821A (ja) * | 2005-02-16 | 2008-08-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 高度な低誘電率の有機シリコン・プラズマ化学気相堆積膜 |
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