JP2011089846A - 静電解析方法及び静電解析装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被検査対象物にレーザ光を走査しながら照射するレーザ光入射工程と、前記レーザ光の前記被検査対象物からの反射光を検出する反射光検出工程と、前記反射光検出工程と同期して、前記被検査対象物において前記レーザ光の入射に起因して変化する静電界を静電検出センサの検出電極により電気的に非接触で検出する静電界検出工程と、前記静電界検出工程で取得した検出信号を前記反射光検出工程で取得した検出信号に基づき画像化する画像化工程と、前記画像化工程で形成した静電界強度分布に基づいて前記被検査対象物を解析する解析工程とを設ける。
【選択図】 図1
Description
E(r)=A(1/r3 +jk/r2 +k2 /r)
で表される。
(付記1) 被検査対象物にレーザ光を走査しながら照射するレーザ光入射工程と、前記レーザ光の前記被検査対象物からの反射光を検出する反射光検出工程と、前記静電界検出工程と同期して、前記被検査対象物において前記レーザ光の入射に起因して変化する静電界を静電検出センサの検出電極により電気的に非接触で検出する静電界検出工程と、前記静電界検出工程で取得した検出信号を前記反射光検出工程で取得した検出信号に基づき画像化する画像化工程と、前記画像化工程で形成した静電界強度分布に基づいて前記被検査対象物を解析する解析工程とを有する静電解析方法。
(付記2) 静電界検出工程において、静電検出センサの検出電極と前記被検査対象物との間に誘電体材料を介在させる付記1に記載の静電解析方法
(付記3)前記レーザ光入射工程において、前記レーザ光の走査周波数より速い周波数のリップル電圧を前記被検査対象物に誘導結合により印加するともに、前記リップル電圧の周波数に同期して、前記静電検出センサからの検出信号を取り込む付記1または付記2に記載の静電解析方法
(付記4)前記レーザ光入射工程において、前記レーザ光の走査周期より速い周波数で前記レーザ光を光変調するとともに、光変調周波数に同期して、前記静電検出センサからの検出信号を取り込む付記1または付記2に記載の静電解析方法。
(付記5) レーザ光源と、被検査対象物に前記レーザ光源からのレーザ光を走査しながら照射する走査光学系と、前記レーザ光の前記被検査対象物からの反射光を検出する反射光検出手段と、前記反射光検出と同期して、前記被検査対象物において前記レーザ光の入射に起因して変化する静電界を電気的に非接触で検出する検出電極を備えた静電検出センサと、前記静電検出センサで取得した検出信号を前記反射光検出手段で取得した検出信号に基づき画像化する画像化手段とを有する静電解析装置。
(付記6)
前記静電検出センサの検出電極が、針状電極である付記4に記載の静電解析装置。
(付記7) 前記被検査対象物に誘導結合により、前記走査光学系の走査周期より速い周波数のリップル電圧を印加する手段を備えるとともに、前記リップル電圧の周波数と同期して、前記静電検出センサからの検出信号を取り込む手段を備えた付記5または付記6に記載の静電解析装置。
(付記8) 前記レーザ光を光変調する光変調手段を備えるとともに、光変調周波数と同期して、前記静電検出センサからの検出信号を取り込む手段を備えた付記5または付記6に記載の静電解析装置
(付記9) 前記静電検出センサが、入力容量が2pF以下の低容量電界効果型トランジスタを備えている付記5乃至付記8のいずれか1に記載の静電解析装置。
(付記10) 前記被検査対象部を非導電性の測定用部材上に載置するとともに、前記静電検出センサを前記測定用部材上に複数個設置し、前記被検査対象部で発生する静電界分布を前記試料台を介して検出する付記5に記載の静電解析装置。
2 試料台
3 被検査対象物
4 走査光学系
5 静電検出センサ
6 検出電極
7 反射光検出手段
8 画像化手段
9 回路エレメント
10 素子分離層
11 レーザ光源
12 ガルバノミラー
13 ステージ
14 透明板
15 半導体チップ
16 静電界プローブ
17 容量電極
18 アンプ
19 ハーフミラー
20 光検出器
21 アンプ
22 画像化装置
23 誘電体層
24 針状電極
25 パッケージ封止樹脂
26 半導体チップ
27 ベアシリコン基板
31,32 電極
33 ロックインアンプ
34 光変調手段
35 枠状検出電極
36 誘電体層
37 スイッチングマトリクス回路&アンプ回路
Claims (5)
- 被検査対象物にレーザ光を走査しながら照射するレーザ光入射工程と、
前記レーザ光の前記被検査対象物からの反射光を検出する反射光検出工程と、
前記反射光検出工程と同期して、前記被検査対象物において前記レーザ光の入射に起因して変化する静電界を静電検出センサの検出電極により電気的に非接触で検出する静電界検出工程と、
前記静電界検出工程で取得した検出信号を前記反射光検出工程で取得した検出信号に基づき画像化する画像化工程と、
前記画像化工程で形成した静電界強度分布に基づいて前記被検査対象物を解析する解析工程と
を有する静電解析方法。 - レーザ光源と、
被検査対象物に前記レーザ光源からのレーザ光を走査しながら照射する走査光学系と、 前記レーザ光の前記被検査対象物からの反射光を検出する反射光検出手段と、
前記反射光の検出に同期し、前記被検査対象物において前記レーザ光の入射に起因して変化する静電界を電気的に非接触で検出する検出電極を備えた静電検出センサと、
前記静電検出センサで取得した検出信号を前記反射光検出手段で取得した検出信号に基づき画像化する画像化手段と
を有する静電解析装置。 - 前記静電検出センサの検出電極が、針状電極である請求項2に記載の静電解析装置。
- 前記被検査対象物に誘導結合により、前記走査光学系の走査周期より速い周波数のリップル電圧を印加する手段を備えるとともに、前記リップル電圧の周波数と同期して、前記静電検出センサからの検出信号を取り込む手段を備えた請求項2または請求項3に記載の静電解析装置。
- 前記レーザ光を光変調する光変調手段を備えるとともに、光変調周波数と同期して、前記静電検出センサからの検出信号を取り込む手段を備えた請求項2または請求項3に記載の静電解析装置。
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