JP2011085493A - 表面検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】異常の原因を短時間で解析可能な表面検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハWを支持するステージ15と、ステージ15に支持されたウェハWの表面に照明光を照射する照明系20と、照明光が照射されたウェハWの表面からの光を検出する撮像装置35と、撮像装置35により検出された光の情報に基づいてウェハWの表面を検査する画像処理部40とを備えた表面検査装置において、表面検査に用いられた光の情報を記憶する記憶部42と、ウェハWに作製された半導体素子の電気的特性に関する情報と、記憶部42に記憶された光の情報との相関に基づいて、半導体素子の異常の原因を解析する解析演算部45とを有して構成される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体ウェハWを支持するステージ15と、ステージ15に支持されたウェハWの表面に照明光を照射する照明系20と、照明光が照射されたウェハWの表面からの光を検出する撮像装置35と、撮像装置35により検出された光の情報に基づいてウェハWの表面を検査する画像処理部40とを備えた表面検査装置において、表面検査に用いられた光の情報を記憶する記憶部42と、ウェハWに作製された半導体素子の電気的特性に関する情報と、記憶部42に記憶された光の情報との相関に基づいて、半導体素子の異常の原因を解析する解析演算部45とを有して構成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体製造工程において半導体ウェハ等の基板表面を検査する表面検査装置に関する。
上述のような表面検査装置として、半導体ウェハの表面全体を一度に検査可能なマクロ検査装置が知られている(例えば、特許文献1を参照)。半導体製造工程のいわゆる前工程では、フォトリソグラフィー工程の際にマクロ検査装置によるウェハの表面検査が行われ、最終的には、ウェハに作製した半導体素子の電気的特性を試験するウェハテストがプローバー(テスティング装置)を用いて行われる。
しかしながら、マクロ検査装置による表面検査においては、検査に用いたデータを検査後に記録していなかったため、例えば、ウェハテストで半導体素子の異常が検出されて異常の原因を解析する場合、解析を行うための情報が少ないために、異常の原因を特定するのに時間が掛かっていた。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、異常の原因を短時間で解析可能な表面検査装置を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査装置は、半導体基板を支持するステージ部と、前記ステージ部に支持された前記半導体基板の表面に照明光を照射する照射部と、前記照明光が照射された前記半導体基板の表面からの光を検出する検出部と、前記検出部により検出された前記光の情報に基づいて前記半導体基板の表面を検査する検査部とを備えた表面検査装置において、前記表面の検査に用いられた前記光の情報を記憶する記憶部と、前記半導体基板に作製された半導体素子の電気的特性に関する情報と、前記記憶部に記憶された前記光の情報との相関に基づいて、前記半導体素子の異常の原因を解析する解析演算部とを有して構成される。
なお、上述の表面検査装置において、前記半導体素子の電気的特性を試験する半導体試験装置から出力された前記電気的特性に関する情報が入力される入力部を有し、前記解析演算部は、前記入力部に入力された前記電気的特性に関する情報と、前記記憶部に記憶された前記光の情報との相関に基づいて、前記半導体試験装置により前記試験が行われた前記半導体素子の異常の原因を解析することが好ましい。
また、上述の表面検査装置において、前記解析演算部は、前記解析の結果に基づいて、前記表面の検査における検査基準を決定することが好ましい。
本発明によれば、異常の原因を短時間で解析することができる。
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。まず、本実施形態の表面検査装置が組み込まれた半導体装置の製造システムについて、図2を参照しながら説明する。この半導体装置の製造システム1は、いわゆる前工程における製造システムであり、複数の加工装置および検査装置を主体に構成されて、これらがライン制御システム8とそれぞれ電気的に接続されている。半導体装置の製造ラインには複数の工程があり、半導体装置の製造システム1には、各工程に応じた加工装置(半導体製造装置)がそれぞれ組み込まれている。
例えば、半導体装置の製造システム1には、ウェハの表面にシリコン酸化膜等の薄膜を成膜する成膜装置2、成膜されたウェハの表面にレジスト膜を塗布するレジスト塗布装置(コーター)3、レジスト膜に所定の回路パターンを露光する露光装置4、レジスト膜に露光されたパターンの現像を行う現像装置(ディベロッパー)5、および、現像されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うエッチング装置6等が順に組み込まれている。また、成膜装置2とレジスト塗布装置3との間や、レジスト塗布装置3と露光装置4との間、および、現像装置5とエッチング装置6との間には、それぞれ直前の加工装置により加工処理が行われたウェハの表面検査を行う表面検査装置10がそれぞれ組み込まれている。
このような半導体装置の製造システム1において、材料ウェハWaは、システムを構成する複数の加工装置によって順に加工処理が施され、半導体装置の各層を形成するために同様の加工処理が繰り返し行われる。このとき、成膜装置2による成膜処理と、レジスト塗布装置3によるレジスト塗布処理と、露光装置4による露光処理の後にはそれぞれ、表面検査装置10による表面検査が行われる。なお、工程によっては、成膜処理およびレジスト塗布処理の後に表面検査を行わない場合もある。
そして、最終的には、テスティング装置7によるウェハテストが行われて複数の半導体素子Cpを有する製品ウェハWbが完成する。なお、ウェハテストにおいて、テスティング装置7は、プローバー(図示せず)を用いてウェハに作製された半導体素子Cpの電気的特性(電流や電圧等)を試験し、試験結果を(そのときのアナログデータとともに)ライン制御システム8に出力する。ライン制御システム8は、システムを構成する加工装置および検査装置から入力されたデータに基づいて、製造システム1の作動を統括的に制御する。
ところで、上述のような半導体装置の製造システム1に組み込まれる表面検査装置10を図1に示しており、この装置により検査対象となるウェハW(以下適宜、単にウェハWと称する)の表面全体を一度に検査する。本実施形態の表面検査装置10は、略円盤形に形成されたウェハWを支持するステージ15を備え、不図示の搬送装置によって搬送されてくるウェハWは、ステージ15の上に載置されるとともに真空吸着によって固定保持される。ステージ15は、ウェハWの回転対称軸(ステージ15の中心軸)を回転軸として、ウェハWを回転(ウェハWの表面内での回転)可能に支持する。また、ステージ15は、ウェハWの表面を通る軸を中心に、ウェハWをチルト(傾動)させることが可能であり、照明光の入射角を調整できるようになっている。
表面検査装置10はさらに、ステージ15に支持されたウェハWの表面に照明光を平行光として照射する照明系20と、照明光の照射を受けたときのウェハWからの光を集光する受光系30と、受光系30により集光された光を受けてウェハWの表面の像を撮像する撮像装置35と、画像処理部40および解析演算部45とを備えて構成される。照明系20は、照明光を射出する照明ユニット21と、照明ユニット21から射出された照明光をウェハWの表面に向けて反射させる照明側凹面鏡25とを有して構成される。照明ユニット21は、メタルハライドランプや水銀ランプ等の光源部22と、光源部22からの光のうち所定の波長を有する光を抽出し強度を調節する調光部23と、調光部23からの光を照明光として照明側凹面鏡25へ導く導光ファイバ24とを有して構成される。
そして、光源部22からの光は調光部23を通過し、所定の波長(例えば、248nmの波長)を有する照明光が導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出され、導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出された照明光は、導光ファイバ24の射出部が照明側凹面鏡25の焦点面に配置されているため、照明側凹面鏡25により平行光束となってステージ15に保持されたウェハWの表面に照射される。なお、ウェハWに対する照明光の入射角と出射角との関係は、ステージ15をチルト(傾動)させてウェハWの載置角度を変化させることにより調整可能である。
ウェハWの表面からの出射光は受光系30により集光される。受光系30は、ステージ15に対向して配設された受光側凹面鏡31を主体に構成され、受光側凹面鏡31により集光された出射光は、撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハWの像が結像される。撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハWの表面の像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力する。
画像処理部40は、撮像装置35から入力されたウェハWの画像信号に基づいて、ウェハWのデジタル画像を生成する。画像処理部40の内部メモリ(図示せず)には、良品ウェハの画像データが予め記憶されており、画像処理部40は、ウェハWの画像(デジタル画像)を生成すると、ウェハWの画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハWの表面における欠陥(異常)の有無を検査する。そして、画像処理部40による検査結果およびそのときのウェハWの画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。
また、画像処理部40には、ケーブル等を介してライン制御システム8と繋がった入出力部41が電気的に接続されており、画像処理部40によるウェハWの検査結果が入出力部41を介してライン制御システム8に出力されるようになっている。さらに、画像処理部40には記憶部42が電気的に接続されており、画像処理部40によるウェハWの検査結果および、このとき検査に用いたウェハWの画像データ(輝度データ)が記憶部42に記憶されるようになっている。
解析演算部45は、入出力部41と電気的に接続され、テスティング装置7により試験が行われた製品ウェハWbの電気的特性(電流や電圧等)に関するデータを、入出力部41を介してライン制御システム8から取り込めるようになっている。また、解析演算部45は、記憶部42と電気的に接続され、記憶部42に記憶されている表面検査を行ったウェハWの画像データ(輝度データ)を、記憶部42から取り込めるようになっている。そして、解析演算部45は、ライン制御システム8および記憶部42からそれぞれ取り込んだ、表面検査を行ったウェハWの画像データ(輝度データ)および、表面検査を行ったウェハWに対応する製品ウェハWb(半導体素子Cp)の電気的特性(電流や電圧等)に関するデータに基づいて、製品ウェハWbに作製された半導体素子Cpの異常の原因を解析できるようになっている(詳細は後述する)。なお、解析演算部45による解析結果は、図示しない画像表示装置で出力表示される。
ところで、検査対象となるウェハWは、検査対象となる加工処理(成膜処理、レジスト塗布処理、もしくは露光処理)の後、各加工装置(成膜装置2、レジスト塗布装置3、もしくは露光装置4)から不図示の搬送装置によりステージ15上に搬送される。なおこのとき、検査対象となるウェハWは、ウェハWのパターンもしくは外縁部(ノッチやオリエンテーションフラット等)を基準としてアライメントが行われた状態で、ステージ15上に搬送される。なお、詳細な図示を省略するが、ウェハWの表面には、複数のチップ領域(ショット領域)が縦横に配列され、各チップ領域の中には、露光処理等によってラインパターンまたはホールパターン等の繰り返しパターン(レジストパターン)が形成されることになる。
以上のように構成される表面検査装置10を用いて、ウェハWの表面検査を行うには、まず、不図示の搬送装置により、検査対象となるウェハWをステージ15上に搬送する。なお、搬送の途中で不図示のアライメント機構によりウェハWの表面に形成されているパターンの位置情報を取得しており、ウェハWをステージ15上の所定の位置に所定の方向で載置することができる。
このとき例えば、ウェハWの表面からの正反射光を検出する場合には、照明光の入射角と出射角が等しくなるようにステージ15をチルトさせる。また例えば、ウェハWの表面からの回折光を検出する場合には、ウェハWの表面上における照明方向とパターンの繰り返し方向とが一致するようにステージ15を回転させるとともに、パターンのピッチをPとし、ウェハWの表面に照射する照明光の波長をλとし、照明光の入射角をθ1とし、n次回折光の出射角をθ2としたとき、ホイヘンスの原理より、次の(1)式を満足するように設定を行う(ステージ15をチルトさせる)。
P=n×λ/{sin(θ1)−sin(θ2)} …(1)
次に、照明光をウェハWの表面に照射する。このような条件で照明光をウェハWの表面に照射する際、照明ユニット21における光源部22からの光は調光部23を通過し、所定の波長(例えば、248nmの波長)を有する照明光が導光ファイバ24から照明側凹面鏡25へ射出され、照明側凹面鏡25で反射した照明光が平行光束となってウェハWの表面に照射される。
ウェハWの表面から出射された出射光(正反射光もしくは回折光)は、受光側凹面鏡31により集光されて撮像装置35の撮像面上に達し、ウェハWの表面の像(正反射像もしくは回折像)が結像される。そこで、撮像装置35は、撮像面上に形成されたウェハWの表面の像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部40に出力する。画像処理部40は、撮像装置35から入力された画像信号に基づいて、ウェハWの表面の画像(デジタル画像)を生成する。また、画像処理部40は、ウェハWの画像(デジタル画像)を生成すると、ウェハWの画像データと良品ウェハの画像データとを比較して、ウェハWの表面における欠陥(異常)の有無を検査(検出)する。なお、ウェハWの表面検査は、チップ領域ごとに行われ、検査対象となるウェハWの輝度値と良品ウェハの輝度値との差が所定の閾値よりも大きい場合に、欠陥(異常)と判定する。一方、輝度値の差が閾値よりも小さければ、正常と判定する。
そして、画像処理部40による検査結果およびそのときのウェハWの表面の画像が図示しない画像表示装置で出力表示される。またこのとき、画像処理部40によるウェハWの検査結果が入出力部41を介してライン制御システム8に出力される。さらにこのとき、画像処理部40によるウェハWの検査結果および、このとき検査に用いたウェハWの画像データ(輝度データ)が記憶部42に記憶される。
ところで、本実施形態の表面検査装置10においては、製品ウェハWbに作製された半導体素子Cpの異常の原因を解析できるようになっている。そこで、製品ウェハWbに作製された半導体素子Cpで異常が見つかった場合に、異常の原因を解析するまでのフローについて、図3に示すフローチャートを参照しながら説明する。このフローでは、まず、成膜装置2による成膜処理が行われ(ステップS101)、当該成膜処理によって薄膜が成膜されたウェハWの表面に対して表面検査装置10による表面検査が行われる(ステップS102)。
次に、レジスト塗布装置3によるレジスト塗布処理が行われ(ステップS103)、当該レジスト塗布処理によってレジスト膜が塗布されたウェハWの表面に対して表面検査装置10による表面検査が行われる(ステップS104)。続いて、露光装置4による露光処理および現像装置5による現像処理が行われ(ステップS105)、当該露光処理および現像処理によってレジストパターン(繰り返しパターン)が形成されたウェハWの表面に対して表面検査装置10による表面検査が行われる(ステップS106)。
レジストパターンが形成されたウェハWに対する表面検査が終わると、エッチング装置によるエッチング処理が行われ(ステップS107)、当該エッチング処理が最終工程におけるものか否か判定を行う(ステップS108)。判定がNoである場合、次の工程についてステップS101〜S107までの処理を繰り返し、判定がYesである場合、テスティング装置7によるウェハテストが行われる(ステップS109)。
テスティング装置7によるウェハテストが終了すると、各表面検査装置10の解析演算部45は、テスティング装置7による試験結果と表面検査装置10による検査結果との間の相関係数をチップ単位で求める(ステップS110)。このとき、解析演算部45は、表面検査装置10による検査結果に関するデータを、記憶部42から取り込むとともに、テスティング装置7による試験結果に関するデータを、入出力部41を介してライン制御システム8から取り込む。そして、解析演算部45は、記憶部42およびライン制御システム8からそれぞれ取り込んだ、表面検査を行ったウェハWの画像データ(輝度データ)および、表面検査を行ったウェハWに対応する製品ウェハWb(半導体素子Cp)の電気的特性(電流や電圧等)に関するデータから、チップ単位の相関係数を求める。
なお、この相関係数は、成膜処理、レジスト塗布処理、および現像処理の後の表面検査について、それぞれ求められる。また、相関係数は、チップ単位に限らず、チップ領域内の所定のブロック単位(例えば、メモリブロック単位)で求めるようにしてもよい。
チップ単位の相関係数を求めると、所定の(例えば、レジストパターンが形成されたウェハWの表面検査を行う)表面検査装置10の解析演算部45は、他の表面検査装置10で求めた相関係数と比較して、各表面検査装置10で求めた相関係数の中から相関係数の最大値を求める(ステップS111)。相関係数の最大値を求めると、解析演算部45は、求めた相関係数の最大値が所定の閾値よりも大きいか否かを判定し(ステップS112)、判定がYesである場合には、相関係数が最大となる加工処理において異常が発生したと断定する(ステップS113)。
ここで、例えば、製品ウェハWbにおいて半導体素子Cpの異常が図4(a)で示すように左側で発生し、成膜処理後の表面検査画像が図4(b)に示すようになり、現像処理後の表面検査画像が図4(c)に示すようになった場合について述べる。この場合、成膜処理後のウェハW1においてチップ領域A1の輝度変化が上側で発生し、現像処理後のウェハW2においてチップ領域A2の輝度変化が左側で発生しているため、チップ単位の相関係数は、現像処理後のウェハW2において最大となる。これにより、現像処理が原因で異常が発生したと断定することができる。
また例えば、製品ウェハWbにおいて半導体素子Cpの異常が図5(a)で示すように右下側で発生し、成膜処理後の表面検査画像が図5(b)に示すようになり、現像処理後の表面検査画像が図5(c)に示すようになった場合について述べる。この場合、成膜処理後のウェハW1においてチップ領域A1の輝度変化が右下側で発生し、現像処理後のウェハW2においてチップ領域A2の輝度変化が上下で発生しているため、チップ単位の相関係数は、成膜処理後のウェハW1において最大となる。これにより、成膜処理が原因で異常が発生したと断定することができる。
半導体素子Cpの異常の原因となる加工処理が断定されると、解析演算部45による解析結果が図示しない画像表示装置で出力表示され、異常の原因とされる加工装置(半導体製造装置)の点検が行われて(ステップS114)、フローが終了する。なお、ステップS112において判定がNoである場合には、異常の原因となる加工処理を断定できないので、その旨が画像表示装置で出力表示されて(ステップS115)、フローが終了する。
このように、本実施形態の表面検査装置10によれば、表面検査を行ったウェハWの画像データ(輝度データ)および、表面検査を行ったウェハWに対応する製品ウェハWb(半導体素子Cp)の電気的特性(電流や電圧等)に関するデータに基づいて、製品ウェハWbに作製された半導体素子Cpの異常の原因を解析するため、解析を行うための情報が従来と比較して増えることから、異常の原因を短時間で解析することができる。
なお、上述の実施形態において、ウェハWの正反射像や回折像を利用してウェハWの表面を検査しているが、これに限られるものではなく、ウェハWの表面で生じた散乱光や偏光の状態変化を利用してウェハWの表面を検査する場合にも、本発明を適用可能である。また、ウェハWに限らず、例えばガラス基板の表面を検査する場合にも、本発明を適用可能である。
また、上述の実施形態において、解析演算部45は、上述した解析の結果に基づいて、各加工処理後の表面検査における検査基準を決め直すようにしてもよい。従来の検査装置は、各工程において独自に閾値を設けて良否判断を行っていたため、設定される閾値が厳しくなり、各工程で過剰なプロセス設定になるおそれがあった。これに対し、本実施形態の表面検査装置10を用いて、表面検査を行ったウェハWの画像データ(輝度データ)と、表面検査を行ったウェハWに対応する製品ウェハWb(半導体素子Cp)の電気的特性(電流や電圧等)との間の相関を解析するようにすれば、表面検査装置10による表面検査の結果と半導体素子Cpの電気的特性との間の相関を短時間で解析することができ、相関に応じて適切な閾値を設定することにより、各工程で過剰なプロセス設定になるのを防止することができる。
W 検査対象となるウェハ(半導体基板)
Wa 材料ウェハ Wb 製品ウェハ(半導体基板)
W1 成膜処理後のウェハ W2 現像処理後のウェハ
Cp 半導体素子
1 半導体装置の製造システム
7 テスティング装置(半導体試験装置)
10 表面検査装置
15 ステージ(ステージ部) 20 照明系(照射部)
30 受光系 35 撮像装置(検出部)
40 画像処理部(検査部) 41 入出力部
42 記憶部 45 解析演算部
Wa 材料ウェハ Wb 製品ウェハ(半導体基板)
W1 成膜処理後のウェハ W2 現像処理後のウェハ
Cp 半導体素子
1 半導体装置の製造システム
7 テスティング装置(半導体試験装置)
10 表面検査装置
15 ステージ(ステージ部) 20 照明系(照射部)
30 受光系 35 撮像装置(検出部)
40 画像処理部(検査部) 41 入出力部
42 記憶部 45 解析演算部
Claims (3)
- 半導体基板を支持するステージ部と、前記ステージ部に支持された前記半導体基板の表面に照明光を照射する照射部と、前記照明光が照射された前記半導体基板の表面からの光を検出する検出部と、前記検出部により検出された前記光の情報に基づいて前記半導体基板の表面を検査する検査部とを備えた表面検査装置において、
前記表面の検査に用いられた前記光の情報を記憶する記憶部と、
前記半導体基板に作製された半導体素子の電気的特性に関する情報と、前記記憶部に記憶された前記光の情報との相関に基づいて、前記半導体素子の異常の原因を解析する解析演算部とを有して構成されることを特徴とする表面検査装置。 - 前記半導体素子の電気的特性を試験する半導体試験装置から出力された前記電気的特性に関する情報が入力される入力部を有し、
前記解析演算部は、前記入力部に入力された前記電気的特性に関する情報と、前記記憶部に記憶された前記光の情報との相関に基づいて、前記半導体試験装置により前記試験が行われた前記半導体素子の異常の原因を解析することを特徴とする請求項1に記載の表面検査装置。 - 前記解析演算部は、前記解析の結果に基づいて、前記表面の検査における検査基準を決定することを特徴とする請求項1または2に記載の表面検査装置。
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JP2008151663A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Nikon Corp | 検査装置 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130906 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140516 |