JP2011082207A - 触媒化学気相成長装置 - Google Patents
触媒化学気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011082207A JP2011082207A JP2009230697A JP2009230697A JP2011082207A JP 2011082207 A JP2011082207 A JP 2011082207A JP 2009230697 A JP2009230697 A JP 2009230697A JP 2009230697 A JP2009230697 A JP 2009230697A JP 2011082207 A JP2011082207 A JP 2011082207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst wire
- catalyst
- film
- chemical vapor
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】触媒化学気相成長装置は、真空チャンバ3と、基板Sを保持するホルダ1と、触媒線6と、交流電源装置8とを具備する。各触媒線6の長さは2m以上あり、各触媒線6は、反応室2内を垂直方向に垂下し、反応室2内の下部の領域で鉛直方向に折り返されるようにして真空チャンバ3に吊り下げられる。前記基板と前記触媒線間の間隔を60〜200mmとする。これにより、良好な膜質と成膜速度を確保できる。また、電源は触媒線に交流電圧を印加することで触媒線のねじれや振動が抑制される。
【選択図】図1
Description
前記保持機構は、前記チャンバ内で基板を立てた状態で保持する。
前記触媒線は、両端部を有し、長さが2m以上である。また、前記触媒線は、前記基板と前記触媒線との間隔が60mm以上200mm以下となるように、前記保持機構により保持された前記基板に対向して設けられ、垂直方向に折り返すように前記チャンバ内で吊り下げられている。
前記電源は、前記チャンバ内に導入された原料ガスの分解温度に前記触媒線を発熱させるために前記触媒線の前記両端部に印加する電圧を制御することが可能であり、前記触媒線に正弦波の交流電圧を印加する。
前記保持機構は、前記チャンバ内で基板を立てた状態で保持する。
前記触媒線は、両端部を有し、長さが2m以上である。また、前記触媒線は、前記基板と前記触媒線との間隔が60mm以上200mm以下となるように、前記保持機構により保持された前記基板に対向して設けられ、垂直方向に折り返すように前記チャンバ内で吊り下げられている。
前記電源は、前記チャンバ内に導入された原料ガスの分解温度に前記触媒線を発熱させるために前記触媒線の前記両端部に印加する電圧を制御することが可能であり、前記触媒線に正弦波の交流電圧を印加する。
さらに、基板と触媒線との間隔を200mm以下とすることで、基板と触媒線との間隔が広すぎることによる成膜速度の低下や、処理チャンバの巨大化を避けることができる。
一方で、基板と触媒線との間隔が60mmより狭いと触媒線からの輻射熱によって、成膜された膜がダメージを受け、膜中欠陥密度が大きくなり膜質を低下されてしまう。また、基板と触媒線との間隔が200mmより広いと成膜速度が低下してしまい、短時間で多枚数の基板を処理することができない。
また、触媒線の長さを2m以上とするのは、触媒線の長さが2m以上の大面積の成膜領域に成膜を行う場合に、何も対策をしないと、電流が印加されたときに発生する触媒線のねじれや振動が、特に大きくなり、膜質の均一性が大きく損なわれるからである。一方で触媒線の長さが2mより短い場合には、触媒線のねじれや振動が小さく、膜質の均一性に与える影響が少ない。
前記電源は、スライダック制御方式により出力電圧を制御するものでもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る触媒化学気相成長装置を示す概略構成図であり、触媒化学気相成長装置を側方から見た図である。図2は、図1に示す触媒化学気相成長装置と90度異なる角度から見た概略構成図である。
以上のように構成された触媒化学気相成長装置10を用いて、次のように触媒化学気相成長が行われる。
表1は、基板と触媒線との間隔を50mm、60mm、90mmとして、ポリシリコン膜膜を成膜した場合の膜中欠陥密度を比較したものである。なお、膜中欠陥密度は、シリコン膜のスピン密度を測定する電子スピン共鳴法(ESR, Electron Spin Resonance)を用いて計測した。
図3は、交流電源装置18の構成を示す図である。この交流電源装置18は、PWM制御方式によるスイッチング電源装置である。交流電源装置18は、例えば、入力ノイズフィルタ15、PWMスイッチ16、平滑フィルタ17、出力ノイズフィルタ20及び制御回路19を備える。
1…ホルダ
3…真空チャンバ
6…触媒線
8、18…交流電源装置
9…原料ガス供給部
10…触媒化学気相成長装置
Claims (4)
- チャンバと、
前記チャンバ内で基板を立てた状態で保持する保持機構と、
両端部を有し、長さが2m以上であり、前記基板との間隔が60mm以上200mm以下となるように、前記保持機構により保持された前記基板に対向して設けられ、垂直方向に折り返すように前記チャンバ内で吊り下げられた触媒線と、
前記チャンバ内に導入された原料ガスの分解温度に前記触媒線を発熱させるために前記触媒線の前記両端部に印加する電圧を制御することが可能であり、前記触媒線に交流電圧を印加する電源と
を具備する触媒化学気相成長装置。 - 請求項1に記載の触媒化学気相成長装置であって、
前記電源は、前記触媒線に正弦波の交流電圧を印加する電源である触媒線化学気相成長装置。 - 請求項2に記載の触媒化学気相成長装置であって、
前記電源は、スライダック制御方式により出力電圧を制御する電源である触媒化学気相成長装置。 - 請求項2に記載の触媒化学気相成長装置であって、
前記電源は、PWM(Pulse Width Modulation)制御方式によるスイッチング電源である触媒化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009230697A JP5362512B2 (ja) | 2009-10-02 | 2009-10-02 | 触媒化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009230697A JP5362512B2 (ja) | 2009-10-02 | 2009-10-02 | 触媒化学気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011082207A true JP2011082207A (ja) | 2011-04-21 |
JP5362512B2 JP5362512B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=44075994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009230697A Active JP5362512B2 (ja) | 2009-10-02 | 2009-10-02 | 触媒化学気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5362512B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108048815A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-18 | 中国科学技术大学 | 用于确定临近催化化学气相沉积中催化剂的热形变的装置和方法 |
CN113755786A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 株式会社爱发科 | 电热丝的制造方法及制造装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299313A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Anelva Corp | 化学蒸着方法及び化学蒸着装置 |
JP2000303182A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-31 | Anelva Corp | 化学蒸着装置 |
JP2003073833A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Ulvac Japan Ltd | 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 |
-
2009
- 2009-10-02 JP JP2009230697A patent/JP5362512B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299313A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Anelva Corp | 化学蒸着方法及び化学蒸着装置 |
JP2000303182A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-31 | Anelva Corp | 化学蒸着装置 |
JP2003073833A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Ulvac Japan Ltd | 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108048815A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-18 | 中国科学技术大学 | 用于确定临近催化化学气相沉积中催化剂的热形变的装置和方法 |
CN108048815B (zh) * | 2017-12-08 | 2023-10-20 | 中国科学技术大学 | 用于确定临近催化化学气相沉积中催化剂的热形变的装置和方法 |
CN113755786A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 株式会社爱发科 | 电热丝的制造方法及制造装置 |
CN113755786B (zh) * | 2020-06-01 | 2024-03-22 | 株式会社爱发科 | 电热丝的制造方法及制造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5362512B2 (ja) | 2013-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103354202B (zh) | 等离子处理装置 | |
JP2015530742A (ja) | 半導体処理のための流動可能な炭素 | |
JP2013534970A (ja) | 化学気相成長を制御するための装置及び方法 | |
CN110890265B (zh) | 基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法 | |
CN103415911B (zh) | 催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法 | |
US9082694B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing substrate, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP7051897B2 (ja) | 電極フィラメントを有するプラズマ反応器 | |
JP5362512B2 (ja) | 触媒化学気相成長装置 | |
JP2006073913A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102306573B1 (ko) | 질화막 성막 방법 | |
KR20180044432A (ko) | 고 종횡비 구조들 상의 실리콘 질화물의 저온 등각적 증착 | |
JP2010212277A (ja) | 成膜装置 | |
KR20080070771A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
KR101160008B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치에 있어서의 기판 흡착력의 제어 방법 | |
JP5329796B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4691377B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
JP4890313B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
KR101426729B1 (ko) | 히터 및 성막 장치 | |
JP5792986B2 (ja) | 表面処理装置および表面処理方法 | |
JP2013008770A (ja) | 成膜装置での堆積物クリーニング方法 | |
JP2005089791A (ja) | シリコン窒化膜形成方法 | |
JP4680619B2 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
JP4594770B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP2006086470A (ja) | プラズマ発生装置 | |
JP2012169153A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130814 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5362512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |