JP2011077201A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】面方位が(100)面のシリコン基板1の表面に、1nm以下の酸化膜10を形成する。そして、この酸化膜10の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が(111)面のアルミニウム膜2を形成する。そして、アルミニウム膜2の表面に、無電解めっき処理によりニッケルめっき層を形成する。また、アルミニウム膜2を形成した後、シリコン基板1とアルミニウム膜2とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。
【選択図】図2
Description
図1または図2は、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法について順に示す断面図である。本実施の形態においては、大きさが例えば6インチで、面方位が(100)面のSi基板を用いている。まず、図1に示すように、このSi基板1に、例えば5vol%の過酸化水素によって、例えば25℃の温度で、30分間の浸漬処理を行い、Si基板1の表面に、例えば0.7nmの厚さの酸化膜10を成長させる。この酸化膜10が、Si基板1のダングリングボンドと結合し、ダングリングボンドを終端する。上記過酸化水素水溶液にアンモニアを含ませてもよい。
2 アルミニウム膜
10 酸化膜
Claims (4)
- シリコン基板の表面に1nm以下の厚さの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記酸化膜の表面に、アルミニウム電極を形成する電極形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記電極形成工程の後に、前記アルミニウム電極の表面に、ニッケル膜を形成するニッケル膜形成工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ニッケル膜形成工程においては、前記ニッケル膜を、無電解めっき処理により形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電極形成工程においては、前記アルミニウム電極を、スパッタリングまたは蒸着によってアルミニウム膜を成膜することで形成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
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