JP2011075624A - フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板上に形成されたウェハの露光光に対して遮光性を有する遮光膜と、を備え、遮光膜に囲まれた透過性を有する主パターンが形成され、遮光膜の周辺に主パターンに対して同位相、且つウェハ上に転写しない複数の補助パターンを、主パターンより主パターン寸法分以上の距離に配置されることを特徴とするフォトマスク。
【選択図】図1
Description
NA:1.35(液浸露光)
σ(In/Out):0.57/0.85
露光倍率:×4
偏光:TE偏光
Claims (13)
- 基板と、
前記基板上に形成されたウェハの露光光に対して遮光性を有する遮光膜と、を備え、
前記遮光膜に囲まれた透過性を有する主パターンが形成され、前記遮光膜の周辺に前記主パターンに対して同位相、且つ前記ウェハ上に転写しない複数の補助パターンを、主パターンより主パターン寸法分以上の距離に配置されることを特徴とするフォトマスク。 - 前記補助パターンはライン状に形成され、前記主パターンと同等の面積且つ透過性を有することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクパターン。
- 前記補助パターンは方形状に形成され、前記主パターンと同等の面積且つ透過性を有することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記主パターン間の距離が、前記主パターン寸法の3倍以上の孤立及び準孤立である請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記遮光膜が、クロム、酸化クロム、モリブデン、シリコン、モリブデンシリコン、ジルコニウムおよびタンタルのうち、1つまたは複数の組成からなることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記遮光膜の透過率が0.1%以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のフォトマスク。
- 基板を準備し、
前記基板上に露光光に対して遮光性を有する遮光膜を形成し、
前記遮光膜に囲まれた透過性を有する主パターンおよび補助パターンを形成し、
前記補助パターンは、前記遮光膜の周辺に前記主パターンに対して同位相、且つ前記ウェハ上に転写しない複数の補助パターンであり、
前記補助パターンは、主パターンより主パターン寸法分以上の距離に配置することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記補助パターンはライン状に形成され、前記主パターンと同等の面積且つ透過性を有することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記補助パターンは方形状に形成され、前記主パターンと同等の面積且つ透過性を有することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記主パターン間の距離が、前記主パターン寸法の3倍以上の孤立および準孤立である請求項7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記遮光膜が、クロム、酸化クロム、モリブデン、シリコン、モリブデンシリコン、ジルコニウムおよびタンタルのうち、1つまたは複数の組成からなることを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記遮光膜の透過率が0.1%以下であることを特徴とする請求項7乃至請求項11のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
- 請求項7乃至請求項12のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、
ドライエッチング処理によりパターンニングする工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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- 2009-09-29 JP JP2009224180A patent/JP2011075624A/ja active Pending
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