JP2011075498A - 検査装置、及び検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】疑似接触を簡便に解消することで、電気的検査によってクラック等の微少不良の検出を可能とする検査装置、及び検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板６の実装面上に電子部品１０が実装された被検査部材の基板６と電子部品１０との導電状態を検査する検査装置であって、被検査部材を保持する保持手段８と、温度勾配により電子部品１０が反った状態になるよう電子部品１０を選択的に加熱又は冷却する熱処理手段３，４と、電子部品１０が反った状態で、電子部品１０と基板６との導電状態を検査する検査手段１とを備えている。
【選択図】図１

Description

この発明は、電気的検査により、基板上に実装されている電子部品の接続の良否を検査する検査装置、及び検査方法に関するものである。

電子部品をプリント基板上に実装する半導体装置のパッケージの一形態として、最近では、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＳＯＪ（Small Outline J-leaded）パッケージが使用されている。なお、ＢＧＡは、パッケージの底面にグリッド状に配設された、はんだボールを介してプリント基板等との接続を行うものであり、ＳＯＪは、パッケージの両側の長辺から出たリードの先端が、パッケージ本体を抱え込むように内側に曲げられており、曲げられた部分にははんだを付けて表面実装するものである。

これらＢＧＡやＳＯＪのパッケージにおいては、電子部品とプリント基板との接続良否の検査を行うには、実装基板であるプリント基板とのはんだ接続部の目視が困難であることより、例えばX線による検査が提案されている。しかしながら、Ｘ線では、画像の分解能が粗く、実際に検出したい、はんだボールの微少な亀裂等による接続不良箇所を見つけるのは困難である。そこで、はんだ接続部の目視が困難なパッケージの接続検査手法として、電気的な検査が重要度を増してきている。

このような電気的な検査手法として、例えば、特許文献１に開示されているような、プリント基板上に設けられた測定用専用パッドに電気パルスを入力し、その反射特性によってはんだボールの接続信頼性を検査するＴＤＲ（Time Domain Reflectometer：時間領域反射測定装置）を利用した検査装置やバウンダリスキャンを用いた検査手法が提案されている。しかし、クラック等の不良でありながらも疑似接触により電気的導通を保っている場合、ＴＤＲやバウンダリスキャン等の電気的な検査による不良の検出は不確実となる。なお、X線による検査では分解能上、クラックによる疑似接触の検出は不可能である。

ここで、疑似接触は、検査時には接触状態になっており通常の動作をするが、製品組み込み時の応力や市場での特定の条件により接触状態が解消されて非導通となる接続状態にあるもので、このような疑似接触があると、疑似接触の状態のまま接続良否を検査すると、接続不良として検出されないが、実際に製品化された際には、不良品となるため問題である。

そこで、このような疑似接触を解消する手法として、基板を押圧することによって基板を反らせた状態でインサーキットテスタによるオープン検査を行う方法（特許文献２）や、恒温槽で高温や低温での動作試験を行い、実装部品と基板の熱膨張の違いによって反りを発生させて測定を行う方法が提案されている（特許文献３）。

特開平９−６１４８６号公報 特開２００９−４７４３７号公報 特開２００７−０５９７２７号公報

しかしながら、上記従来の検査方法のように、基板を押圧により反らせる方法では、押圧することにより押圧部や強固に接続された部品接続部等に局所的な応力集中が発生し、基板に損傷を与え、また、強固な拘束によって反りによる変位が発生し難い部分では疑似接触を解消できないという問題がある。これは特にＢＧＡなどのリードを介さず基板に直接強固に接合されるパッケージで顕著である。

また、実装部品と基板との熱膨張係数の違いにより反らせる方法では、押圧することに起因する局所的な応力集中が発生することはないが、実装部品と基板の両方を全体的に加熱するようにしており、近年主流となりつつある接続信頼性向上のため熱膨張係数を基板の熱膨張係数と合わせこんだパッケージにおいては小さい温度変化では反りを十分に発生させることができず、また、温度変化が大きすぎると基板に損傷を与えてしまい、さらには温度の変化に時間がかかりすぎるという問題がある。

そこで、本発明では疑似接触を簡便に解消することで、電気的検査によってクラック等の微少不良の検出を可能とする検査装置、及び検査方法を提供する。

本発明にかかる検査装置は、基板の実装面上に電子部品が実装された被検査部材の基板と電子部品との導電状態を検査する検査装置であって、被検査部材を保持する保持手段と、温度勾配により被検査部材の電子部品又は基板が反った状態になるよう被検査部材の電子部品又は基板を選択的に加熱又は冷却する熱処理手段と、電子部品又は基板が反った状態で、電子部品と基板との導電状態を検査する検査手段とを備えている。

また、本発明にかかる検査方法は、基板上に電子部品が実装された被検査部材の基板と電子部品との導電状態を検査する検査方法であって、被検査部材の電子部品又は基板を選択的に加熱又は冷却して温度勾配を発生させ、温度勾配により被検査部材の電子部品又は基板を反らせた状態で、電子部品と基板との導電状態を検査するものである。

本発明では、被検査部材の電子部品又は基板を加熱又は冷却して被検査部材に温度勾配を発生させ、温度勾配により電子部品又は基板を反らせた状態で、電子部品と基板との接続の良否を検査するようにしているので、疑似接触を解消して電気的検査を行うことが出来ると共に、局所的な応力集中の発生、及び熱による損傷を抑制することができる。

この発明の実施の形態１のプリント配線基板検査装置の概略を示す図である。 この発明の実施の形態２のプリント配線基板検査装置の概略を示す図である。 この発明の実施の形態３のプリント配線基板検査装置の概略を示す図である。

本発明の実施の形態を以下図面を参照して説明する。
実施の形態１．
本発明の実施の形態で、発明に用いる装置の概要から説明する。
図１は、この発明の実施の形態１のプリント基板検査装置の構成を示す図である。図１を参照して、検査装置（測定装置）１は、被検査部材の接続の良否を検査/測定を行うもので、リレー２の制御を行っている。急速加熱装置３は、ハロゲンヒータやレーザ加熱装置等の急速加熱が可能な装置であり、急速冷却装置４は、沸点の低い液体をかけて液体の気化熱を利用する冷却装置や冷却空気が吹き出すエアジェットクーラー等の急速冷却が可能な装置である。乾燥空気発生装置５は、乾燥空気を発生させる装置である。

検査装置（測定装置）１で検査/測定される被検査部材は、検査対象基板６と、基板６の実装面上に実装された半導体チップ等の電子部品１０とで構成されており、電子部品１０は、ＢＧＡやＳＯＪパッケージ等により、はんだ等の導電部材を介して基板６と電気的に接続されている。検査対象基板６は自動搬送装置によりガイドピン８が基準穴に通るようにセットされ、上から基板押さえ９によって押さえられることにより、プローブ７と電極パッド１１との接触が確実となる。基板押さえ９は検査対象基板６に大きなひずみを与えないように設計されている。また、温度制御を正確にするため、複数の非接触温度センサ１２が設けられている。

上記急速加熱装置３、急速冷却装置４は、被検査部材の電子部品１０が温度勾配により反った状態になるよう電子部品１０の表面を選択的に加熱又は冷却するものであり、この実施形態では、両装置ともに、基板６に対し同じ側（電子部品１０の上側）に配置されている。

次に、検査方法について説明する。
はじめに、検査対象基板６を自動搬送装置によりセットした後、検査対象基板６における電子部品１０を実装した実装面側から電子部品１０を冷却して、披検査部材を構成する電子部品１０に温度勾配を発生させ、この温度勾配により被検査部材である電子部品１０を反らせた状態にする。このように、電子部品１０を反らせた状態で、被検査部材の電子部品１０と基板６との接続が正しくなされているか（接続の良否）を検査する。具体的には、急速冷却装置４により電子部品１０の表面の急速冷却を行いながら検査装置１やパソコン等により制御されているリレー２により検査装置１とプローブ７の接続を高速で切り替えて短時間で測定を行い、その測定結果により検査を行う。

次に、検査対象基板６における電子部品を実装した実装面側から電子部品１０を加熱して、電子部品１０に温度勾配を発生させ、この温度勾配により電子部品１０を反らせた状態にする。このときには、電子部品１０は、冷却時に反った方向と反対方向に反った状態になる。そして、電子部品１０を反らせた状態で、被検査部材の電子部品１０と基板６との接続の良否を検査する。具体的には、乾燥空気発生装置５で発生させた乾燥空気を吹き付けつつ、急速加熱装置３で電子部品１０の表面の急速加熱を行いながら、検査装置１やパソコン等により制御されているリレー２により検査装置１とプローブ７の接続を高速で切り替えて短時間で測定を行い、その測定結果により検査を行う。

披検査部材を加熱又は冷却する際には、電子部品１０の温度勾配により電子部品１０が反るように電子部品１０を選択的に加熱又は冷却すればよい。例えば、ＢＧＡなど電極が半導体チップの下面に設けられている電子部品では、局所的に、即ち、半導体チップを含めた半導体チップ周辺に限って加熱又は冷却するのが好ましい。さらに、熱効率の関係に加え、半導体チップのみならずその周辺も含めて加熱又は冷却すると、半導体チップ周辺からの熱が半導体チップ下面の電極に伝わり、その影響により半導体チップ内で温度勾配を発生させ難くなるため、半導体チップの領域のみを加熱又は冷却するのがより好ましい。上記半導体チップの領域のみを加熱又は冷却するには、例えば、図１に示したように、電子部品１０の表面を所定の領域を残して覆うようにし、この領域内において加熱又は冷却することで実現することができる。

また、この実施の形態では、電子部品１０を冷却して測定後、加熱して測定するようにしているが、加熱して測定後、冷却して測定するようにしてもよい。但し、電子部品１０を冷却して測定後、加熱して測定する順番で実行するようにすれば、基板を露点異常の温度まで戻すための余分な加熱工程を行う必要がないため、検査時間を短くでき、また結露による基板の損傷を防ぐことができる。また、この実施の形態では、検査対象基板６の実装面側から冷却・加熱をするようにしているが、実装面と反対側の面から冷却・加熱するようにしてもよい。

この実施の形態では、被検査部材の電子部品を加熱又は冷却して被検査部材に温度勾配を発生させ、温度勾配により電子部品を反らせた状態で、電子部品と基板との接続の良否を検査するようにしているので、押圧により検査対象基板を反らせる手法に比し局所的な応力集中の発生を抑制することができる。さらに、被検査部材を全体的に加熱又は冷却して実装部品と基板との熱膨張係数の違いにより反らせる手法に比し、加熱又は冷却時間を短時間にすることができ、熱による損傷を抑制し、目視困難なはんだ接続部の不良で疑似接触が発生してしまう場合でも、疑似接触を解消することにより電気的検査で不良を検出することができる。

また、加熱と冷却を両方行うことで、電子部品１０を両側に反らし、全ての疑似接触に対して、加熱・冷却のいずれかで疑似接触を解消させることができる。疑似接触を解消させるには、疑似接触部の界面に引張応力を発生させる必要がある。加熱もしくは冷却のどちらか一方だけでは、引張応力を受ける場所、中立となる場所、圧縮応力を受ける場所がそれぞれどこかに必ず存在する。加熱・冷却の両方を行うことで、加熱・冷却時のいずれかで疑似接触界面に引張応力を発生させることが可能となる。この実施の形態では、加熱・冷却時の熱分布および応力分布を解析した上でコントロールすることにより、加熱・冷却時のいずれかで疑似接触界面に引張応力を発生させ、全ての疑似接触を検出可能としている。

次に、具体的な手法について説明する。
冷却はＢＧＡの表面のみに対して行うとする。このときの冷却能力を５００Ｗとし、冷却対象部品への伝達効率を１０％とすると５０ＷでＢＧＡの表面を冷却することができる。ここで、たとえば、ＢＧＡパッケージの厚みは２ｍｍ、サイズは３１．６ｍｍ×３１．６ｍｍ（約１×１０^−３ｍ^２）とし、比熱は１J／ｇ・K、熱伝導率は１Ｗ／ｍ・K、線膨張係数を１０×１０^−６、ヤング率を１０ＧＰａとする。パッケージ中のチップ等は体積的に小さいため無視できると仮定する。

以上の条件で発生する温度勾配と、拘束されていない場合に発生する変位、および拘束されている場合に発生する応力について考える。なお、正確にはシミュレーションにより解析を行う必要があるが、説明を簡便にするため、一部の値については仮定したものを使用する。熱輻射は無視できると仮定し、更に接合部のはんだボールは熱伝導率がパッケージと比較して約２桁高いので、面積が約１桁減り距離は約１／３になることを考えても熱伝導は十分であるので、接合部で発生する温度勾配は無視できるものと仮定する。また、基板はＢＧＡＩＣと比較して十分に大きく、銅配線により熱伝導率も大きいことから熱浴とみなすことができると仮定する。実際に５０Ｗで１５秒冷却するとし、７５０Ｊの熱量が全ての基板から奪われるとしても、１．５ｍｍ×２００ｍｍ×２００ｍｍで、比重１ｇ／ｃｍ^３、比熱１Ｊ／ｇ・Ｋの基板の温度変化は１２．５Ｋと小さい。よって、ＢＧＡパッケージの基板側の温度は変化しないため、冷却により奪われた熱量はすべて基板から供給されると仮定する。

冷却装置は十分に沸点の低い液体の気化熱を利用するタイプのもので、下限温度が十分に低いと仮定すると、ＢＧＡパッケージの熱伝導度は、１×（３１．５×１０^−３）^２／（２×１０^−３）≒０．５Ｗ／Ｋであるので、熱流速が５０Ｗの場合、発生している温度勾配は１００Ｋとなり、熱膨張によるひずみはパッケージの加熱側で−５×１０^−４となる。ＢＧＡパッケージを１次元の梁と考えると、このパッケージを拘束しない場合、ひずみは完全に開放され、ε＝ｙ／Ｒより曲げＲは２ｍとなる。このときのパッケージ端のパッケージ中央からの変位はｙ＝−１／２ｄｘｄｘより、約０．０６ｍｍとなる。

はんだボールの大きさをφ０．６ｍｍとすると、はんだボールの残留ひずみは最大でも１×１０^−３であることから、残留ひずみによる変位量は最大でも０．６μｍ程度となる。はんだボール以外の残留ひずみを考慮にいれてもクラック等による疑似接触は数μ離れる方向に変位させれば十分顕在化可能であると考えられるので、周辺の拘束を考えても温度勾配による反りで顕在化可能と考えられる。

また、完全に拘束されている場合、発生するモーメントはＭ＝ＥＩ_Ｚ／Ｒより０．２Ｎ・ｍであり、これは、ＢＧＡの方端を固定した状態で、他端に約６０Ｎつまり約６ｋｇｆの力を加えたのと同等のモーメントであり、たとえ疑似接触部が半固着状態であっても十分に顕在化できると考えられる。以上の概算では、基板を熱浴として考えていたため、実際よりも大きく温度勾配を見積もっており、更にパッケージを１次元の梁と考えており、変位が大きめに見積もられているが、変位やモーメントのオーダーは変わらないと考えられる。

ＴＤＲやＩＣＴ試験装置は一括プローブ治具およびリレーを用いることで、数百の検査を１０秒程度で行うことができるので、温度勾配が発生している間に測定を行うことができる。熱のかけ方については、ＢＧＡパッケージに損傷を与えないように、また、全ての疑似接触部に対して引張応力を発生させることができるように、電熱／熱応力解析を行った上で決定することが望ましい。また、温度コントロールを正確にするために、複数の非接触温度センサ１２を用いて制御を行うことが望ましい。

実施の形態２．
実施の形態１では、被検査部材の電子部品を加熱又は冷却して電子部品に温度勾配を発生させ、温度勾配により電子部品を反らせた状態で、電子部品と基板との接続の良否を検査するようにしているが、この実施の形態２では、第１の熱処理手段により電子部品の実装面側から電子部品を選択的に加熱又は冷却する際に、第２の熱処理手段により実装面と反対側の面から冷却又は加熱するようにしたものである。なお、その他は実施の形態１と同様である。

図２は、この発明の実施の形態２のプリント基板検査装置の構成を示す図である。図２を参照して、加熱装置１３は、検査対象基板６の実装面と反対の面側からから電子部品１０を加熱できるよう、検査対象基板６の実装面と反対の面側に配置されている。この加熱装置１３は、急速加熱装置３と同様のものを用いても良く、また、急速加熱装置３に比し加熱能力の低く、全体をゆっくり加熱できる通常の加熱装置を用いても良い。冷却装置１４は、検査対象基板６の実装面と反対の面側から電子部品１０を冷却できるよう、検査対象基板６の実装面と反対の面側に配置されている。冷却装置１４は、急速冷却装置４と同様のものを用いても良く、また、急速加冷却装置４に比し冷却能力の低く、全体をゆっくり冷却できる通常の冷却装置を用いても良い。非接触温度センサ１２は検査対象基板６の実装面と反対側の面側で温度制御を正確に行うため設けるようにしている。なお、その他は図１と同じで、図１と同じものには同じ付番を付している。

次に、検査方法について説明する。
はじめに、検査対象基板６を自動搬送装置によりセットした後、検査対象基板６における実装面側から電子部品１０の表面を急速加熱しながら、冷却装置１４により電子部品１０が実装されている基板裏面を急速冷却もしくは基板全体を冷却し、電子部品１０に温度勾配を発生させ、この温度勾配により電子部品１０を反らせた状態にする。そして、電子部品１０を反らせた状態で測定を行い、検査対象基板６の電子部品１０との接続の良否を検査する。

その次に、乾燥空気を吹き付けながら急速冷却装置で電子部品１０の表面を急速冷却しながら、加熱装置１３により検査対象部品が実装されている基板裏側を急速加熱もしくは基板全体を加熱しながら測定を行い、被検査部材の電子部品１０と基板６との接続の良否を検査する。

最後に、基板に周辺環境の露点以下の場所が存在しなくなるまで、乾燥空気を吹き付けながら全体の加熱を行う。温度勾配を発生させたい部品に対して、急速加熱もしくは冷却をしながら反対側に対して冷却もしくは加熱を行うことで、基板全体の温度を大きく変化させることなく、大きな温度勾配を発生させることができる。また、加熱、冷却の方向を変えることで反りの方向を変え、全ての疑似接触を検出することができる。

熱のかけ方については、ＢＧＡパッケージに損傷を与えないように、また、全ての疑似接触部に対して引張応力を発生させることができるように、伝熱／熱応力解析を行った上で決定することが望ましい。たとえば、冷却装置１４は急速加加熱装置３の出力および観測される温度を元に出力を制御することで熱ダメージを防ぎ、急速加熱時は、若干ＢＧＡの縁の温度が高くなるように、急速冷却時は若干ＢＧＡの中央部の温度が低くなるように制御すれば、全ての疑似接触部に対して引張応力を発生させることができる。また、温度コントロールを正確にするために、複数の被接触温度センサ１２を用いて制御を行うことが望ましい。

実施の形態３．
実施の形態１、２では、被検査部材の電子部品を選択的に加熱又は冷却することで電子部品を反らせるようにしているが、この実施の形態では、被検査部材の基板の所定部位を選択的に加熱又は冷却することで基板を反らせるようにしたものである。詳細には、複数の冷却装置、加熱装置（第３、第４の熱処理手段）を検査対象基板の同じ側に配置し、検査部位周辺を急速加熱又は冷却しながら、急速加熱又は冷却している部位近傍（加熱している部位に隣接する部位）を冷却又は加熱するようにしたものである。なお、その他は実施の形態１と同様である。

図３は、この発明の実施の形態３のプリント基板検査装置の構成を示す図である。図３を参照して、加熱装置１３は、検査対象基板６の実装面から検査対象基板６を加熱できるよう、検査対象基板６の実装面側に配置されている。急速加熱装置３と同様のものを用いても良く、また、急速加熱装置３に比し加熱能力の低く、全体をゆっくり加熱できる通常の加熱装置を用いても良い。冷却装置１４は、検査対象基板６の実装面側から検査対象基板６を冷却できるよう、検査対象基板６の実装面側に配置されており、急速冷却装置４と同様のものを用いても良く、また、急速加冷却装置４に比し冷却能力の低く、全体をゆっくり冷却できる通常の冷却装置を用いても良い。非接触温度センサ１２は検査対象基板６の実装面と反対側の面側で温度制御を正確に行うため設けるようにしている。なお、その他は図１と同じで、図１と同じものには同じ付番を付している。但し、急速加熱装置３、急速冷却装置４が熱処理する部位は、基板６上の部位を選択的に熱処理できるようにしている。

次に、検査方法について説明する。
はじめに、検査対象基板６を自動搬送装置によりセットした後、検査対象基板６における電気部品を実装した実装面側から検査対象基板６の表面を急速加熱する。その際、急速加熱する部位は、実際に測定（検査）するべき部位には直接行わず、その近くの特定の場所を急速加熱すると共に、冷却装置１４により急速加熱を行っている基板表面周辺の冷却を行う。このようにして、検査対象基板６に温度勾配を発生させて検査対象基板６を反らせた状態で測定を行い、検査対象基板６の電子部品と基板との接続の良否を検査する。

その次に、乾燥空気を吹き付けながら急速冷却装置４で検査対象部品近くの特定の場所の基板表面を急速冷却しながら、加熱装置１３により急速冷却を行っている基板表面周辺の加熱を行いながら測定を行い、検査対象基板６の電子部品と基板との接続の良否を検査する。このように、急速加熱、および急速冷却を行う場所を変化させながら、それに合わせて複数の部品の検査を行うことで、多数の部品の接続検査を行うことができる。

最後に、基板に周辺環境の露点以下の場所が存在しなくなるまで、乾燥空気を吹き付けながら全体の加熱を行う。以上のように、基板の横方向に大きな温度勾配を発生させることで、基板を大きく反らすことで疑似接触を解消することができる。また、加熱、冷却の方向を変えることで反りの方向を変え、全ての疑似接触を検出することができる。

この方法によれば、接続検査対象の部品が熱に弱く、大きな温度変化を与えることができない場合においても疑似接触を解消することができる。また、熱を加えた周囲の部品の疑似接触を顕在化可能となるので、多くの部品に対して疑似接触の検査を行う場合に有効である。熱のかけ方については、基板および部品に損傷を与えないように、また、全ての疑似接触部に対して引張応力を発生させることができるように、伝熱／熱応力解析を行った上で決定することが望ましい。また、温度コントロールを正確にするため、複数の非接触温度センサ１２を用いて制御を行うことが望ましい。

また、局所的な応力集中の発生を抑制すると共に、加熱又は冷却時間を短時間にし、熱による損傷を抑制し、目視困難なはんだ接続部の不良で疑似接触が発生してしまう場合でも、疑似接触を解消することにより電気的検査で不良を検出することができる。

１ 検査装置 ２ リレー ３ 急速加熱装置
４ 急速冷却装置 ５ 乾燥空気発生装置 ６ 検査対象基板
７ プローブ ８ ガイドピン ９ 基板押さえ
１０ 電子部品 １１ 電極パッド １２ 非接触温度センサ
１３ 加熱装置 １４ 冷却装置

Claims (9)

1. 基板の実装面上に電子部品が実装された被検査部材の前記基板と前記電子部品との導電状態を検査する検査装置であって、
   前記被検査部材を保持する保持手段と、
   温度勾配により前記被検査部材の電子部品が反った状態になるよう前記被検査部材の電子部品を選択的に加熱又は冷却する熱処理手段と、
   前記電子部品が反った状態で、前記電子部品と前記基板との導電状態を検査する検査手段とを備えた検査装置。
2. 前記熱処理手段は、
   前記基板の実装面側に配置され前記被検査部材の電子部品を選択的に加熱又は冷却する第１の熱処理手段と、
   前記基板の実装面と反対の面側に配置され前記被検査部材の実装面と反対側の面を冷却又は加熱する第２の熱処理手段と
   を備えた請求項１に記載の検査装置。
3. 前記熱処理手段は、前記電子部品が実装面側に反った状態になるよう熱処理する熱処理装置と、前記電子部品が実装面と反対の面側に反った状態になるよう熱処理する熱処理装置を有する請求項１に記載の検査装置。
4. 前記熱処理手段は、前記電子部品のみを加熱又は冷却する請求項１に記載の検査装置。
5. 基板の実装面上に電子部品が実装された被検査部材の前記基板と前記電子部品との導電状態を検査する検査装置であって、
   前記被検査部材を保持する保持手段と、
   温度勾配により前記被検査部材の基板が反った状態になるよう前記被検査部材の基板を選択的に加熱又は冷却する熱処理手段と、
   前記基板が反った状態で、前記電子部品と前記基板との導電状態を検査する検査手段とを備えた検査装置。
6. 前記熱処理手段は、
   前記基板の実装面又は実装面と反対側の面を加熱する第３の熱処理手段と、
   前記被検査部材の基板における前記第３の熱処理手段により加熱される面を冷却する第４の熱処理手段とを含む請求項５に記載の検査装置。
7. 前記熱処理手段は、ハロゲンヒータ又はレーザ加熱装置である請求項１または請求項５に記載の検査装置。
8. 前記熱処理手段が冷却処理をした後に、前記被検査部材に乾燥空気を吹き付ける乾燥空気発生装置を備えた請求項１または請求項５に記載の検査装置。
9. 基板上に電子部品が実装された被検査部材の前記基板と前記電子部品との導電状態を検査する検査方法であって、
   前記被検査部材の電子部品又は基板を選択的に加熱又は冷却して温度勾配を発生させ、前記温度勾配により前記被検査部材の電子部品又は基板を反らせた状態で、前記電子部品と前記基板との導電状態を検査する検査方法。

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