JP2011072013A - 高周波回路部品およびこれを用いた通信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 部品点数が少なく、小型化が可能で、低消費電力な特性に優れた高周波回路部品、およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 アンテナ端子に接続する複数の通信システムの送信端子と受信端子とを有し、セラミック誘電体材料と導電材料を積層一体化した積層体に、複数のスイッチ回路と、スイッチ回路と接続する複数の高周波増幅回路を構成した高周波回路部品であって、 積層体の裏面には、中央部分にグランド電極を有し、前記グランド電極の周辺に、アンテナ端子電極と、スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子と、送信端子用電極と、受信端子用電極を形成し、複数の通信システムの送信端子用電極と受信端子用電極の全ては、前記積層体の裏面の一辺側にのみ配置し、アンテナ端子電極と、スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子は他の辺側に配置した。
【選択図】 図1
【解決手段】 アンテナ端子に接続する複数の通信システムの送信端子と受信端子とを有し、セラミック誘電体材料と導電材料を積層一体化した積層体に、複数のスイッチ回路と、スイッチ回路と接続する複数の高周波増幅回路を構成した高周波回路部品であって、 積層体の裏面には、中央部分にグランド電極を有し、前記グランド電極の周辺に、アンテナ端子電極と、スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子と、送信端子用電極と、受信端子用電極を形成し、複数の通信システムの送信端子用電極と受信端子用電極の全ては、前記積層体の裏面の一辺側にのみ配置し、アンテナ端子電極と、スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子は他の辺側に配置した。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子電器機器間における無線伝送を行う無線通信装置に関し、複数の通信システムで共用可能な高周波回路部品およびこれを用いた通信装置に関する。
2.4GHzのISM(Industrial, Scientific and Medical、産業、科学及び医療)帯域は、DSSS(Direct Sequence Spread Spectrum ダイレクト・シーケンス・スペクトル拡散)無線通信向けのもの等のIEEE802.11規格に準拠する無線LAN(WLAN)通信に利用されている。このような無線LAN(WLAN)と同じ2.4GHzのISM帯域を利用し、関連し合う電子機器との接続がケーブルを用いることなく実現でき極めて利便性の高い技術である近距離無線規格ブルートゥース(Bluetooth(登録商標))が提案されている。
2.4GHzのISM帯域を利用する主な無線LAN規格には、IEEE802.11bとIEEE802.11gがある。IEEE802.11bは、DSSS(Direct Sequence Spread Spectrum:ダイレクト・シーケンス・スペクトル拡散)方式で、5.5Mbps、11Mbpsの高速通信をサポートするものである。またIEEE802.11gは、OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiples:直交周波数多重分割)変調方式を用いて、最大54Mbpsの高速データ通信をサポートするものである。
ブルートゥースは2.4GHzの前記ISM周波数帯を複数の無線チャンネルに分割して使用し、さらに各無線チャンネルを単位時間(1/1600秒)ごとに分割してタイムスロットとし、使用する無線チャンネルをタイムスロットごとに切り替える耐ノイズ性に優れた周波数ホッピング方式が採用されている。
また、5GHz帯の無線LANの規格には、IEEE802.11aがあり、これは、OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiples:直交周波数多重分割)変調方式を用いて、最大54Mbpsの高速データ通信をサポートするものである。
無線LANは、その利用が50〜100m程度の距離の範囲内にある小グループを想定しており、またデータ伝送速度も数M〜数十Mbpsと速いため、100mW程度の電力を消費する。しかし、ブルートゥースはその利用が同一敷地内、同一建物内など比較的狭い地域として想定されており電波が到達するエリアは10m程度の距離範囲であり、また伝送速度も速くても2Mbpsであるので、10mW程度の省電力に設計されている。
このように、無線LANとブルートゥースでは、伝送速度、伝送できる距離などが異なるため、同時に1つの通信装置に搭載し、用途毎に使い分け、有利な方を使用することができる。
このように、無線LANとブルートゥースでは、伝送速度、伝送できる距離などが異なるため、同時に1つの通信装置に搭載し、用途毎に使い分け、有利な方を使用することができる。
無線LANのデュアルバンド対応の例が、特許文献1に記載されている。この特許文献の図7には、その従来の技術として、スイッチモジュールと、信号の送受信を行う4本のアンテナと、2つの送受信回路との関係が記載されている。つまり、IEEE802.11aの周波数帯の信号を送受信するアンテナ2本と、IEEE802.11bの周波数帯の信号を送受信するアンテナ2本とを別に設け、それぞれの周波数帯で分かれた回路構成となり、ダイバーシティ方式での通信に対応させたものである。
また特許文献2には、ブルートゥースのRF回路の一例が記載されている。この特許文献2の図8には、アンテナの後段に帯域通過フィルタが配置され、その後段には送信回路とアンテナとの接続、及び受信回路とアンテナとの接続を切り替える高周波スイッチと、高周波スイッチと送信回路間に配置されるバルントランスと、高周波スイッチと受信回路間に配置されるバルントランスとが記載されている。
この特許文献1の図7に示された回路では、アンテナを4本使用するため、電子機器の外形を小型化しにくいという問題点が指摘されている。そして、アンテナを2本とし、アンテナとスイッチの間に分波器を挿入した例が、特許文献の図8に示されている。しかし、この例に対しては、新たに分波器が設けられるため、部品点数が多くなり、さらなる小型化への対応が困難であり、また分波器の挿入損失により、消費電力が大きくなってしまうという問題点がある。さらに、3つのシステムに対応させるには、新たにスイッチを追加し、分波器の設置と同様に、部品点数が増加すると共に実装面積が増大し、小型化、薄型化、軽量化が図れないという問題点があり、分波器のアイソレーションの問題も指摘されている。
また特許文献2に示された回路では、GaAsスイッチは広帯域な挿入損失を備えており、帯域外の減衰量が小さく、帯域通過フィルタに、その帯域外減衰量の大きなものが必要とされており、そのため、帯域通過フィルタを構成する回路素子を増やさざるを得ず、挿入損失が劣化し、形状も大きくなるを得ず、小型化に限界があったとの指摘がなされている。また、更なる低消費電力化が望まれていた。
本発明は上述の様な問題点を鑑み、無線LANやブルートゥースなどの複数の通信システムを共用可能な回路部品に関し、部品点数が少なく、小型化が可能で、低消費電力な特性に優れた高周波回路部品、およびこれを用いた通信装置を提供する事を目的とする。
本発明は、アンテナ端子に接続される、複数の通信システムの送信端子と受信端子とを有し、セラミック誘電体材料と導電材料を積層一体化した積層体に、複数のスイッチ回路と、前記スイッチ回路と接続する複数の高周波増幅回路を構成した高周波回路部品であって、前記積層体の裏面には、中央部分にグランド電極を有し、前記グランド電極の周辺に、アンテナ端子電極と、前記スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子と、送信端子用電極と、受信端子用電極が形成され、前記複数の通信システムの送信端子用電極と受信端子用電極の全ては、前記積層体の裏面の一辺側にのみ配置され、アンテナ端子電極と、前記スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子は他の辺側に配置されていることを特徴とする高周波回路部品である。
本発明においては、アンテナ端子電極は、送信端子用電極及び受信端子用電極と対向する辺側に配置するのが好ましい。
また、複数の高周波増幅回路で共通とする駆動用電源端子を、アンテナ端子電極と、送信端子用電極及び受信端子用電極とは異なる辺側に配置するのが好ましい。
また、複数の高周波増幅回路で共通とする駆動用電源端子を、アンテナ端子電極と、送信端子用電極及び受信端子用電極とは異なる辺側に配置するのが好ましい。
複数の高周波増幅回路はそれぞれ検波回路を含み、各検波回路で共通とする駆動用電源端子を、アンテナ端子電極と、送信端子用電極及び受信端子用電極とは異なる辺側に配置するのも好ましい。更に、検波回路の各検波端子を前記駆動用電源端子と同じ一辺側に並んで配置するのが好ましい。
また、第1と第2のアンテナ端子、第1通信システム用の送信端子、第1通信システム用の受信端子、第2通信システム用の送信端子、第2通信システム用の受信端子、第3通信システム用の送信受信端子を有する高周波回路部品とし、前記第1通信システム用の送信端子、第1通信システム用の受信端子、又は前記第3通信システム用の送信受信端子の何れかと前記第1のアンテナ端子との接続を切り替える第1のスイッチ回路と、前記第2通信システム用の送信端子又は第2通信システム用の受信端子と前記第2のアンテナ端子との接続を切り替える第2のスイッチ回路とを有し、前記第1のスイッチ回路と前記第1のアンテナ端子との間に設けられる第1のバンドパスフィルタ回路と、前記第2のスイッチ回路と前記第2のアンテナ端子との間に設けられる第2のバンドパスフィルタ回路と、前記第1のスイッチ回路と前記第1通信システム用の送信端子との間に設けられる第1の高周波増幅回路と、前記第2のスイッチ回路と前記第2通信システム用の送信端子との間に設けられる第2の高周波増幅回路と、前記第1の高周波増幅回路と前記第1通信システム用の送信端子との間に設けられる第3のバンドパスフィルタ回路とを有する高周波回路部品としても良い。
また前記第1のスイッチ回路が、2つのスイッチ回路を組み合わせて構成したものであってもよい。
また前記第2のバンドパスフィルタ回路が、ハイパスフィルタ回路とローパスフィルタ回路との組合せであることが好ましい。
また前記第1のスイッチ回路が、2つのスイッチ回路を組み合わせて構成したものであってもよい。
また前記第2のバンドパスフィルタ回路が、ハイパスフィルタ回路とローパスフィルタ回路との組合せであることが好ましい。
また本発明は、上記した高周波回路部品を用いた通信装置である。
本発明によれば、複数の通信システムに対応し、アンテナと各送受信回路との接続を適宜選択できる高周波回路部品を得ることができる。また、2つの通信システムを同時に通信することが可能であり、一体化した小型で低消費電力である高周波回路部品を得ることができる。そして、本発明の高周波回路部品を用いることにより、通信装置の高機能化、小型化、部品点数の削減を可能とすることができる。
本発明の実施形態を図面を用いて説明する。この実施態様では、第1通信システムとして、2.4GHz帯の無線LANシステム、第2通信システムとして、5GHz帯の無線LANシステム、第3通信システムとして、ブルートゥースシステムを用いることができ、本実施態様では、それを用いた例を説明する。もちろん、他のシステムに変更することも可能である。尚、本発明は、下記する実施態様に限定されるものではない。
図1は、本発明に係る一実施例の回路ブロック図である。この実施例は、2つのアンテナ端子2A,5Aを有し、第1のアンテナ端子2Aに第1のバンドパスフィルタ回路1が接続される。第1のバンドパスフィルタ回路1は、第1通信システムおよび第3通信システムの使用周波数の信号を通過させ、低周波側では他の無線システム(例えば携帯電話やGPSなど)の使用周波数の信号を減衰させ、また高周波側では高調波の周波数および他の無線システム(例えば5GHzの無線LANシステムやWiMAX)の使用周波数の信号を減衰させる機能を有している。
前記第1のバンドパスフィルタ回路1に第1のスイッチ回路11が接続される。この第1のスイッチ回路は2段のスイッチ回路となっており、1段目のスイッチ回路3で第1通信システム用の受信端子2RとポートP4を切り替え、2段目のスイッチ回路4でポートP5と第3通信システム用の送信受信端子BLTとを切り替えている。この1段目のスイッチ回路3の制御用電源端子V1、V2、2段目のスイッチ回路の制御用電源端子V3、V4が設けられている。
ポートP5には高周波増幅回路6が接続されている。この高周波増幅回路6に第3のバンドパスフィルタ回路8が接続され、更に第1通信システム用の送信端子2Tに接続されている。第3のバンドパスフィルタ回路8は、第1通信システムの使用周波数の信号を通過させ、第1通信システム用の送信端子2Tから入力される雑音信号を減衰させる。また、この高周波増幅回路6には出力電力に応じた電圧を出力するための検波回路が内蔵されており、検波端子2Pdet、検波回路駆動用電源端子Vdetが設けられている。また、高周波増幅回路6には駆動用電源端子Vccおよび制御用電源端子Vb2が設けられている。
また、第1のバンドパスフィルタ回路1と第1のアンテナ端子2Aの間には、一端が接地されるインダクタンス素子Lagが設けられている。このインダクタンス素子Lagはアンテナ端子2Aに印加される静電気等のサージからスイッチ回路や高周波増幅回路を保護する為のものである。
第2のバンドパスフィルタ回路において必要な減衰量が確保できない場合、あるいは第2通信システム用の送信端子5Tから入力される雑音信号を減衰させる必要がある場合には、第2の高周波増幅器7と第2通信システム用の送信端子5Tの間に、バンドパスフィルタやハイパスフィルタを配置する。
第1通信システム用の送信端子2T、受信端子2R、第2通信システム用の送信端子5T、受信端子5R、第3通信システム用の送信受信端子BLTを平衡出力にする必要がある場合には、各端子に接続するように平衡−不平衡変換回路を配置しても良い。
第1の高周波増幅回路6あるいは第2の高周波増幅回路7に内蔵される検波回路にて、出力電圧、出力電圧に対する感度、高周波増幅回路の出力側インピーダンス変化に対する感度が不十分な場合には、方向性結合器とショットキーダイオードを主構成とした検波回路を、高周波増幅回路の出力端とスイッチ回路の間に配置しても良い。
アンテナ端子2Aには2.4GHz帯専用のアンテナ、アンテナ端子5Aには5GHz帯専用のアンテナを接続することができる。そのため、2.4GHzと5GHzで共用できるアンテナを使用するよりも、特性の良いアンテナを使用することができ、低消費電力を達成することができる。
また、2.4GHz帯を使用する第1通信システムと第3通信システム用の共用回路と、5GHz帯を使用する第2通信システム用の回路の間のアイソレーションを高くすることができ、それぞれのシステムが誤動作するのを防ぐことができる。
第1通信システム用の送信端子2T、受信端子2R、第2通信システム用の送信端子5T、受信端子5R、第3通信システム用の送信受信端子BLTを平衡出力にする必要がある場合には、各端子に接続するように平衡−不平衡変換回路を配置しても良い。
第1の高周波増幅回路6あるいは第2の高周波増幅回路7に内蔵される検波回路にて、出力電圧、出力電圧に対する感度、高周波増幅回路の出力側インピーダンス変化に対する感度が不十分な場合には、方向性結合器とショットキーダイオードを主構成とした検波回路を、高周波増幅回路の出力端とスイッチ回路の間に配置しても良い。
アンテナ端子2Aには2.4GHz帯専用のアンテナ、アンテナ端子5Aには5GHz帯専用のアンテナを接続することができる。そのため、2.4GHzと5GHzで共用できるアンテナを使用するよりも、特性の良いアンテナを使用することができ、低消費電力を達成することができる。
また、2.4GHz帯を使用する第1通信システムと第3通信システム用の共用回路と、5GHz帯を使用する第2通信システム用の回路の間のアイソレーションを高くすることができ、それぞれのシステムが誤動作するのを防ぐことができる。
図2に、第1のバンドパスフィルタ回路1の等価回路図を示す。この第1のバンドパスフィルタ回路1は、キャパシタンス素子cpg1,3,14、cpg2,4,15、cpg5、cpg6、cpg7、cpg8,12、cpg9,13と伝送線路lpg2,4、lpg3,5から構成され、この伝送線路lpg2,4と伝送線路lpg3,5は磁気結合している。このcpg1,3,14は、後に説明する多層セラミック基板内に形成する電極の符号と合わせており、電極パターンのcpg1とcpg3とcpg14を用いて構成されることを意味している。このことは、cpg2,4,15、cpg8,12、cpg9,13、lpg2,4、lpg3,5も同様である。また、以下も同様の表現は、同様の意味である。
図3に、第2のバンドパスフィルタ回路2の等価回路図を示す。この第2のバンドパスフィルタ回路2は、キャパシタンス素子cpa1、cpa2、cpa4、cpa5、cpa6、cpa9と伝送線路lpa2,3、lpa4,5、lpa7,8から構成されている。そして、キャパシタンス素子cpa4、cpa5、cpa6、cpa9と伝送線路lpa4,5、lpa7,8によりハイパスフィルタ回路を、またキャパシタンス素子cpa1、cpa2と伝送線路lpa2,3からローパスフィルタ回路を構成し、このハイパスフィルタ回路とローパスフィルタ回路により、バンドパスフィルタ回路を構成している。尚、一般的なハイパスフィルタ回路では、伝送線路lpa4,5の接地側に、伝送線路lpa7,8と同様にキャパシタンス素子を配置するが、この実施例では、伝送線路lpa4,5を直接接地した。これにより、回路素子数を削減するとともに、広帯域で大きな減衰量特性を得る構成とすることができた。このため、第2通信システムの送信時には、第2通信システムの使用周波数より低い周波数を使用するシステムへの干渉を低減することができ、また第2通信システムの受信時には、受信感度を良くすることができる。
図4に、第1のスイッチ回路の1段目のスイッチ回路3の等価回路を、図5に、第1のスイッチ回路の2段目のスイッチ回路4の等価回路を示す。また、図6に、第2のスイッチ回路5の等価回路を示す。それぞれ、スイッチ回路を構成する半導体素子I3、I4、I5とキャパシタンス素子Crb、Ct、CBLT、Craから構成されており、制御電源端子V1、V2、V3、V4、V5、V6を有している。
図7は、高周波増幅回路6の等価回路図である。この高周波増幅回路6は、2.4GHz帯で使用され、入力整合回路、2段のトランジスタからなる電力増幅回路、一定の電圧を供給する電圧供給回路、高周波増幅回路の出力電力を制御できるように構成されたバイアス制御回路と出力整合回路により構成されている。そして、電力増幅回路部分は半導体素子I6を用い、その他半導体素子I6に加えて、入力整合回路用に、キャパシタンス素子C1と伝送線路lig1,2、lig3,4,5、出力整合回路用に、キャパシタンス素子C3、cog1と伝送線路log3−6、log7,8、電圧供給回路用にキャパシタンス素子C6、C9、C30と伝送線路lcg3−10、lcg12−17、lcg17、バイアス制御回路用にキャパシタンス素子C4、C5、検波回路用にキャパシタンス素子Cdb、抵抗素子Rdbを有し、駆動用電源端子Vcc、制御用電源端子Vb2、検波回路駆動用電源端子Vdet、検波端子2Pdetを有している。
ここで、伝送線路log3−6とは、後に説明する多層セラミック基板内に形成する電極の符号と合わせており、電極パターンのlog3とlog4とlog5とlog6を用いて構成されることを意味している。このことは、lcg3−10、lcg12−17も同様である。以下も同様の表現は、同様の意味である。
ここで、伝送線路log3−6とは、後に説明する多層セラミック基板内に形成する電極の符号と合わせており、電極パターンのlog3とlog4とlog5とlog6を用いて構成されることを意味している。このことは、lcg3−10、lcg12−17も同様である。以下も同様の表現は、同様の意味である。
図8は、高周波増幅回路7の等価回路図である。この高周波増幅回路7は、5GHz帯で使用され、入力整合回路、3段のトランジスタからなる電力増幅回路、一定の電圧を供給する電圧供給回路、高周波増幅回路の出力電力を制御できるように構成されたバイアス制御回路と出力整合回路により構成されている。そして、電力増幅回路部分は半導体素子I7を用い、その他半導体素子I7に加えて、入力整合回路用に、キャパシタンス素子cia1、Ctaと伝送線路lia3−6、lia11−14、lia8,9、lia10,16,17、抵抗素子R2、出力整合回路用に、キャパシタンス素子C14と伝送線路loa1,9、loa3−8、電圧供給回路用にキャパシタンス素子cca1,4、cca2、cca3、C40、C19、C17と伝送線路lca1、lca2−4、lca5、lca7、lca8、バイアス制御回路用に、キャパシタンス素子C15、C20、検波回路用にキャパシタンス素子Cda、抵抗素子Rdaを有し、駆動用電源端子Vcc、制御用電源端子Vb5、検波回路駆動用電源端子Vdet、検波端子5Pdetを有している。
図9は、第3のバンドパスフィルタ回路8の等価回路図である。この第3のバンドパスフィルタ回路8は、キャパシタンス素子cpi1,3,14、cpi2,4,15、cpi5、cpi6、cpi7、cpi8,12、cpi9,13と伝送線路lpi2,4、lpi1,3から構成され、この伝送線路lpi2,4と伝送線路lpi1,3は磁気結合している。
尚、各伝送線路は、以下インダクタンス素子と称する場合があるが、同意として読むことができる。
尚、各伝送線路は、以下インダクタンス素子と称する場合があるが、同意として読むことができる。
本発明に係る高周波回路部品を積層部品(セラミック多層基板を用いた部品)として構成した場合を説明する。図10は、本発明の高周波回路部品10を、積層基板100を用いて構成した外観斜視図である。図11,12,13は、その積層基板100中の各層の構成を示しており、図11は、上から1層目から6層目を、図12は、7層目から12層目を、図13は、13層目から16層目、及び裏面を示す。
積層基板100上面の複数のランド電極には、スイッチ回路の半導体素子I3、I4、I5、及び高周波増幅回路の半導体素子I6、I7がベアチップ状態で搭載されており、チップコンデンサC5、C6、C30、C9、C4、C1、Cdb、C3、CBLT、Crb、CT、Cda、C14、Cta、C40、Cra、C15、C17、C19、C20、チップインダクタLag、Laa、及びチップ抵抗R2、Rda、Rdbが実装されている。
半導体素子のベアチップの裏面は、積層基板100上面のランド電極と導電性接着材であるAgペーストや半田などで接合される。また半導体素子の回路と、積層基板100上面の接続すべきランド電極は、ワイヤーにて接続されている。このワイヤーは、例えば金線で、25μmの太さのものが使用される。また、積層基板100上面のランド電極はビアホールを介して積層基板100内の接続線路及び回路素子に接続している。積層基板100の上面に搭載されているチップコンデンサ、チップインダクタ及びチップ抵抗は、積層基板100の内部に形成しても良い。また、積層基板100の内部に形成したキャパシタンス素子、伝送線路のいずれかを積層基板に搭載するようにしてもよい。これらは、適宜変更できる。
半導体素子のベアチップの裏面は、積層基板100上面のランド電極と導電性接着材であるAgペーストや半田などで接合される。また半導体素子の回路と、積層基板100上面の接続すべきランド電極は、ワイヤーにて接続されている。このワイヤーは、例えば金線で、25μmの太さのものが使用される。また、積層基板100上面のランド電極はビアホールを介して積層基板100内の接続線路及び回路素子に接続している。積層基板100の上面に搭載されているチップコンデンサ、チップインダクタ及びチップ抵抗は、積層基板100の内部に形成しても良い。また、積層基板100の内部に形成したキャパシタンス素子、伝送線路のいずれかを積層基板に搭載するようにしてもよい。これらは、適宜変更できる。
また、積層基板100の上には、金属ケースを付けることもできるし、樹脂封止や管封止することも出来る。このように高周波回路部品を積層基板として構成することにより、小型化が可能であり、通信装置としても用いる部品点数の削減が可能である。尚、送受信回路部を構成したRFICやベースバンドICを前記積層基板に複合化することも当然可能である。
図11〜13に示す通り、積層基板100の一番上(1層目)のグリーンシートには、部品搭載用のランド電極が形成されている。2層目のグリーンシートにはグランド電極e18、インダクタンス素子用の電極lia10が形成されている。3層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi15、cpi14、cpg14、cpg15、インダクタンス素子用の電極log2、lia9、及びグランド電極e12、e13、e14、e15が形成されている。4層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi12、cpi13、cpg12、cpg13、インダクタンス素子用の電極lpg1、loa9、log3、lia8、及びグランド電極e10、e11が形成されている。5層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi10、cpi11、cpg10、cpg11、インダクタンス素子用の電極loa1、loa13、lia16、lpa1、lpg4、lcg10、lig3及びグランド電極e8、e9が形成されている。6層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi8、cia1、cpg8、cpg9、cpi9、インダクタンス素子用の電極loa4、lia3、lia17、lpa2、log5、lcg9、lcg17、及びグランド電極e19、e20が形成されている。
7層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cia2、cpa4、インダクタンス素子用の電極lcg8、lcg16、lia4、lca8、loa5、log6が形成されている。8層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpa5、及びインダクタンス素子用の電極lpg2、lpg3、lcg7、lcg8、lcg15、lpi3、lpi4、loa6、lia5、lca4、lca5、lca7が形成されている。9層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpa8、及びインダクタンス素子用の電極lpi1、lpi2、lcg6、lcg14、log7、lpg4、lpg5、lca3、loa7、lia6が形成されている。10層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpa6、及びインダクタンス素子用の電極lcg5、lcg13、loa8、lia1、lca2、lpa4が形成されている。11層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi7、cpg7、インダクタンス素子用の電極lcg4、lcg12、lia12、lig1、lpa5、lpa7、及びグランド電極e6が形成されている。12層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi5、cpi6、cpg5、cpg6、インダクタンス素子用の電極lig2、lia13、lpa8、lcg3及びグランド電極e5が形成されている。
13層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極cpi3、cpi4、cca1、cpa1、cpa2、cpg3、cpg4、及びインダクタンス素子用の電極lca6、伝送線路lpd1が形成されている。14層目のグリーンシートにはグランド電極e2が形成されている。15層目のグリーンシートには、キャパシタンス素子用の電極ccpi1、cpi2、cca2、cca3、cca4、cpa7、cpg1、cog1、cpg2、伝送線路lca10及びグランド電極e2が形成されている。16層目(最下層)のグリーンシートにはグランド電極e1が形成されている。グリーンシート316の裏面には、回路基板に実装するための端子電極が形成されている。端子電極は、図1の符号と同じ符号を付けている。尚、GNDはグランド電極の端子電極である。
これらインダクタンス素子用のライン電極、キャパシタンス素子用のコンデンサ用電極、及びグランド電極はグリーンシートに形成されたビアホールを介して適宜接続されている。
これらインダクタンス素子用のライン電極、キャパシタンス素子用のコンデンサ用電極、及びグランド電極はグリーンシートに形成されたビアホールを介して適宜接続されている。
高周波電力増幅回路6、7の入力整合回路、電圧供給回路及び出力整合回路間のアイソレーションが不足すると、パワーアンプの誤動作及び発振が起きるおそれがあるので、これらの回路間のアイソレーションを十分に確保するように平面的なグランド電極やそれに連結するビアホールの配置を最適化する。高周波電力増幅回路6、7からの不要ノイズの影響を受けにくいように、アンテナ端子に接続するバンドパスフィルタ回路1、2を構成する電極を高周波電力増幅回路6、7からできるだけ遠く配置するのが望ましい。
同様に、無線LANの受信経路及びブルートゥースの送受信経路を構成する電極も、高周波電力増幅回路6、7からできるだけ遠く配置するのが望ましい。これにより、高周波電力増幅回路6、7からの不要のノイズの混信が低減され、受信感度が向上する。
同様に、無線LANの受信経路及びブルートゥースの送受信経路を構成する電極も、高周波電力増幅回路6、7からできるだけ遠く配置するのが望ましい。これにより、高周波電力増幅回路6、7からの不要のノイズの混信が低減され、受信感度が向上する。
前記積層基板100は、例えば1000℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料からなり、厚さが10μm〜200μmのグリーンシートに、低抵抗率のAgやCu等の導電ペーストを印刷して所定の電極パターンを形成し、複数のグリーンシートを適宜一体的に積層し、焼結することにより製造することが出来る。
前記誘電体材料としては、例えばAl、Si、Srを主成分として、Ti、Bi、Cu、Mn、Na、Kを副成分とする材料や、Al、Si、Srを主成分としてCa、Pb、Na、Kを複成分とする材料や、Al、Mg、Si、Gdを含む材料や、Al、Si、Zr、Mgを含む材料が用いられ、誘電率は5〜15程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をHTCC(高温同時焼成セラミック)技術を用いて、誘電体材料をAl2O3を主体とするものとし、伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
前記誘電体材料としては、例えばAl、Si、Srを主成分として、Ti、Bi、Cu、Mn、Na、Kを副成分とする材料や、Al、Si、Srを主成分としてCa、Pb、Na、Kを複成分とする材料や、Al、Mg、Si、Gdを含む材料や、Al、Si、Zr、Mgを含む材料が用いられ、誘電率は5〜15程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をHTCC(高温同時焼成セラミック)技術を用いて、誘電体材料をAl2O3を主体とするものとし、伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
また、この積層基板100の高周波増幅回路用の半導体素子が搭載される部分には、サーマルビアが上面から裏面にかけて設けられている。これは放熱性を高めるためである。また、不要なノイズ輻射を抑制するために、適宜内部のグリーンシートに広いグランド電極を形成している。
この積層基板100には各回路が積層基板に三次元的に構成される。ここで、各回路を構成する電極パターンは、それぞれ他の回路を構成する電極パターンとの不要な電磁気的干渉を防ぐように、グランド電極(平面的なグランド電極やこのグランド電極につながるビアホール)により分離する等、積層方向に見て互いが重ならないようにしている。
この積層基板100には各回路が積層基板に三次元的に構成される。ここで、各回路を構成する電極パターンは、それぞれ他の回路を構成する電極パターンとの不要な電磁気的干渉を防ぐように、グランド電極(平面的なグランド電極やこのグランド電極につながるビアホール)により分離する等、積層方向に見て互いが重ならないようにしている。
この積層基板100の裏面(実装面)には、図13に示すように端子電極が形成されている。この裏面(実装面)では、中央部分に広いグランド電極GND、周辺に周回状に各端子電極が形成されている。
この端子電極は、送信用端子電極と受信用端子電極、送信用端子電極とアンテナ端子電極が隣合わないように配置され、間にグランド電極GND又は制御用電源端子電極が配置される。
この端子電極のうち、アンテナ端子電極2A、5Aは、積層基板の一辺側に配置し、その一辺に対向する辺側に、2.4GHz帯の無線LAN用の送信端子電極2T、受信端子電極2R、5GHz帯の無線LAN用の送信端子電極5T、受信端子電極5Rを配置している。このように、アンテナ端子電極と、送信・受信端子電極を対向する辺側に配置することにより、互いの干渉を低減させることができる。
また、本実施例では前記端子電極をLGA(Land Grid Array)としているが、BGA(Ball Grid Array)なども採用することが出来る。
この端子電極は、送信用端子電極と受信用端子電極、送信用端子電極とアンテナ端子電極が隣合わないように配置され、間にグランド電極GND又は制御用電源端子電極が配置される。
この端子電極のうち、アンテナ端子電極2A、5Aは、積層基板の一辺側に配置し、その一辺に対向する辺側に、2.4GHz帯の無線LAN用の送信端子電極2T、受信端子電極2R、5GHz帯の無線LAN用の送信端子電極5T、受信端子電極5Rを配置している。このように、アンテナ端子電極と、送信・受信端子電極を対向する辺側に配置することにより、互いの干渉を低減させることができる。
また、本実施例では前記端子電極をLGA(Land Grid Array)としているが、BGA(Ball Grid Array)なども採用することが出来る。
1:第1のバンドパスフィルタ回路
2:第2のバンドパスフィルタ回路
3:第1のスイッチ回路の1段目のスイッチ回路
4:第1のスイッチ回路の2段目のスイッチ回路
5:第2のスイッチ回路
6、7:高周波増幅回路
8:第3のバンドパスフィルタ回路
10:高周波回路部品
100:積層基板
2:第2のバンドパスフィルタ回路
3:第1のスイッチ回路の1段目のスイッチ回路
4:第1のスイッチ回路の2段目のスイッチ回路
5:第2のスイッチ回路
6、7:高周波増幅回路
8:第3のバンドパスフィルタ回路
10:高周波回路部品
100:積層基板
Claims (6)
- アンテナ端子に接続される複数の通信システムの送信端子と受信端子とを有し、セラミック誘電体材料と導電材料を積層一体化した積層体に、複数のスイッチ回路と、前記スイッチ回路と接続する複数の高周波増幅回路を構成した高周波回路部品であって、
前記積層体の裏面には、中央部分にグランド電極を有し、前記グランド電極の周辺に、アンテナ端子電極と、前記スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子と、送信端子用電極と、受信端子用電極が形成され、
前記複数の通信システムの送信端子用電極と受信端子用電極の全ては、前記積層体の裏面の一辺側にのみ配置され、アンテナ端子電極と、前記スイッチ回路の制御電源端子電極と、高周波増幅回路の駆動用電源端子と制御用電源端子は他の辺側に配置されていることを特徴とする高周波回路部品。 - アンテナ端子電極を、送信端子用電極及び受信端子用電極と対向する辺側に配置することを特徴とする請求項1に記載の高周波回路部品。
- 複数の高周波増幅回路で共通とする駆動用電源端子を、アンテナ端子電極と、送信端子用電極及び受信端子用電極とは異なる辺側に配置することを特徴とする請求項1又は2に記載の高周波回路部品。
- 複数の高周波増幅回路はそれぞれ検波回路を含み、各検波回路で共通とする駆動用電源端子を、アンテナ端子電極と、送信端子用電極及び受信端子用電極とは異なる辺側に配置することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の高周波回路部品。
- 検波回路の各検波端子が前記駆動用電源端子と同じ一辺側に並んで配置されたことを特徴とする請求項4に記載の高周波回路部品。
- 請求項1〜5の何れかに記載の高周波回路部品を用いたことを特徴とする通信装置。
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