JP2007150566A - マルチバンド用アンテナスイッチモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】少なくとも３つの通信システムを共用可能なマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを得る。
【解決手段】複数のアンテナ端子と、複数の送信系に共通の経路と、複数の受信系に共通の経路とを切り替えるスイッチ回路を有し、前記スイッチ回路に接続される第１の分波回路と第２の分波回路を有し、第１の分波回路は、それぞれ高周波増幅回路とフィルタ回路を介して第１、第２の送信端子に繋がっており、第２の分波回路は、それぞれフィルタ回路を介して第１、第２の受信端子に繋がっており、前記複数のアンテナ端子と前記スイッチ回路との間には、それぞれフィルタ回路が接続され、前記アンテナ端子の一つに繋がるフィルタ回路と前記スイッチ回路との間にカップラ回路又は分配回路が接続され、前記カップラ回路又は分配回路が第３の送受信端子に繋がっているマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子電器機器間における無線伝送を行う無線通信装置に関し、特には少なくとも３つの通信周波数が異なる通信システムに共用でき、更には略同一の周波数帯を使用する少なくとも２つの異なる通信システムで共用可能なマルチバンド用アンテナスイッチモジュールに関する。

現在、ＩＥＥＥ８０２．１１規格に代表される無線ＬＡＮ（ＷＬＡＮ）によるデータ通信が広く一般化している。例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、プリンタやハードディスク、ブロードバンドルータ等のＰＣの周辺機器、ＦＡＸ、冷蔵庫、標準テレビ（ＳＤＴＶ）、高品位テレビ（ＨＤＴＶ）、カメラ、ビデオ、携帯電話等の電子機器、自動車内や航空機内でのワイヤに変わる信号伝達手段として採用され、それぞれの電子電器機器間において無線データ伝送が行われている。

無線ＬＡＮの規格として現在複数の規格が存在する。例えば、ＩＥＥＥ８０２．１１ａは、ＯＦＤＭ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ：直交周波数多重分割）変調方式を用いて、最大５４Ｍｂｐｓの高速データ通信をサポートするものであり、その周波数帯域は５ＧＨｚ帯が利用される。なおＩＥＥＥ８０２．１１ａを欧州で使用可能にするための規格としてＩＥＥＥ８０２．１１ｈがある。

またＩＥＥＥ８０２．１１ｂは、ＤＳＳＳ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｓｐｒｅａｄ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ：ダイレクト・シーケンス・スペクトル拡散）方式で、５．５Ｍｂｐｓ、１１Ｍｂｐｓの高速通信をサポートするものであり、無線免許なしに自由に利用可能な２．４ＧＨｚのＩＳＭ（Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ, Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｍｅｄｉｃａｌ：産業、科学及び医療）帯域が利用される。
またＩＥＥＥ８０２．１１ｇは、ＯＦＤＭ変調方式を用いて、最大５４Ｍｂｐｓの高速データ通信をサポートするものであり、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂと同様に２．４ＧＨｚ帯域が利用される。

またＩＥＥＥ８０２．１１ｂやＩＥＥＥ８０２．１１ｇと同じ２．４ＧＨｚのＩＳＭ帯域を利用し、関連し合う電子機器との接続がケーブルを用いることなく実現でき極めて利便性の高い技術である近距離無線規格ブルートゥース（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ）が提案されている。
ブルートゥースは２．４ＧＨｚの前記ＩＳＭ周波数帯を複数の無線チャンネルに分割して使用し、さらに各無線チャンネルを単位時間（１／１６００秒）ごとに分割してタイムスロットとし、使用する無線チャンネルをタイムスロットごとに切り替える耐ノイズ性に優れた周波数ホッピング方式が採用されている。

無線ＬＡＮはその利用が５０〜１００ｍ程度の距離の範囲内にある小グループを想定しており、またデータ伝送速度も数Ｍ〜数十Ｍｂｐｓと速いため、１００ｍＷ程度の電力を消費する。しかし、ブルートゥースはその利用が同一敷地内、同一建物内など比較的狭い地域として想定されており電波が到達するエリアは１０ｍ程度の距離範囲であり、また伝送速度も速くても２Ｍｂｐｓであるので、１０ｍＷ程度の省電力に設計されている。
このように、無線ＬＡＮとブルートゥースでは、伝送速度、伝送できる距離などが異なるため、同時に１つの通信装置に搭載し、用途毎に使い分け、有利な方を使用することができる。
以下説明では無線ＬＡＮのＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｇを第１の通信システムとし、無線ＬＡＮのＩＥＥＥ８０２．１１ａとＩＥＥＥ８０２．１１ｈを第２の通信システムとし、ブルートゥースを第３の通信システムとして説明する場合がある。

無線ＬＡＮ（２．４ＧＨｚを使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇ）とブルートゥースを共用可能な回路が、特許文献１に記載されている。この回路は、第１のアンテナポート（ＰA1）と第1の通信システムの送信側回路（WLAN Tx）あるいは第２の高周波スイッチ回路（SwB）との接続を切替える第１の高周波スイッチ回路（SwA）と、第１の通信システムの受信側回路（WLAN Rx）と第1の高周波スイッチ回路（SwA）あるいは第３の高周波スイッチ回路（SwC）との接続を切替える第２の高周波スイッチ回路（SwB）と、第２のアンテナポート（ＰA2）と第２の通信システムの送受信回路（BTTx/Rx）あるいは第２の高周波スイッチ回路（SwB）との接続を切替える第３の高周波スイッチ回路（SwC）を有し、第１の高周波スイッチ回路（SwA）と第１の通信システムの送信側回路（WLAN Tx）との間に第２のフィルター（FL2）と、第２の高周波スイッチ回路（SwB）と第１の通信システムの受信側回路（WLAN Rx）の間に第１のフィルタ（FL1）とを備えるものである（図１８参照）。

また、無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇと５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈを共用可能な回路が、特許文献２（図示せず）に記載されている。この回路は、第１のアンテナポート（第２のアンテナポート）と第１および第３の通信システムの送信側回路と第１および第３の通信システムの受信側回路との経路を切替える高周波スイッチ回路と、高周波スイッチ回路の受信側回路ポートに接続され通信システムの周波数帯域に応じて高周波信号を第１の通信システムの受信側回路と第３の通信システムの受信側回路とに分波する第１の分波回路と、第１の分波回路の低周波側ポートに接続される高周波フィルタと低雑音増幅器と、第１の分波回路の高周波側ポートに接続される高周波フィルタと低雑音増幅器と、第１高周波スイッチ回路の送信側回路ポートに接続され通信システムの周波数帯域に応じて高周波信号を第１の通信システムの送信側回路と第３の通信システムの送信側回路とに分波する第２の分波回路と、第２の分波回路の低周波側ポートに接続される高周波フィルタと高周波電力増幅器と、第２の分波回路の高周波側ポートに接続される高周波フィルタと高周波電力増幅器とを備えるものである。

また、ブルートゥースと無線ＬＡＮの５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈを共用可能な回路が、特許文献３に記載されている。この回路は、第１のアンテナ（８）（図３１では丸付きの数字で示す、以下同様）と第２のシステムの送信側回路（１）とダイバーシチィ切替えスイッチ（４）との経路を切替える第１の高周波スイッチ回路（３）と、第２のシステムの受信側回路（２）と第１の高周波スイッチ回路（３）と第２のシステムの周波数帯域を通過帯域とする第１のバンドパスフィルタ（６）との経路を切替える第２の高周波スイッチ回路（４）とを備え、第１のバンドパスフィルタ（６）は第２のマルチバンドアンテナ（９）と第２の高周波スイッチ回路（４）との間に配置され、第３のシステムの周波数帯域を通過帯域とする第２のバンドパスフィルタ（７）は第２のマルチバンドアンテナ（９）と第３のシステムの送受信回路（５）との間に配置されるものである。（図１９参照）

特開２００１-２４５７９号（図２） WO０３／０９２９９７（ＦＩＧ．５） 特開２００３-８７０２３号（図１）

以上のように無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇとブルートゥースを共用可能な回路、無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇと５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈを共用可能な回路、またブルートゥースと無線ＬＡＮの５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈを共用可能な回路は提案されていた。しかし、これらの回路は２つの通信システムに対応した回路であり、無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇとブルートゥースと無線ＬＡＮの５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈの３つの通信システムを共用することは困難であった。

本発明は上述の様な問題点を鑑み、無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇとブルートゥースと無線ＬＡＮの５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈの少なくとも３つの通信システムを共用可能なマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを提供する事を目的とする。

本発明は、複数のアンテナと複数の通信システムの送信及び／又は受信回路との間に用いられるマルチバンド用アンテナスイッチモジュールにおいて、少なくとも２つのアンテナ端子を有し、前記複数のアンテナ端子と、複数の送信系に共通の経路と、複数の受信系に共通の経路とを切り替えるスイッチ回路を有し、
前記複数の送信系に共通の経路に、低周波側の第１の送信経路と高周波側の第２の送信経路に分けられる第１の分波回路を有し、前記第１の送信経路に第１の高周波増幅回路を有し、前記第１の高周波増幅回路が第１のフィルタ回路を介して第１の送信端子に繋がっており、前記第２の送信経路に第２の高周波増幅回路を有し、前記第２の高周波増幅回路が第２のフィルタ回路を介して第２の送信端子に繋がっており、
前記複数の受信系に共通の経路に、低周波側の第１の受信経路と高周波側の第２の受信経路に分けられる第２の分波回路を有し、前記第１の受信経路は第３のフィルタ回路を介して第１の受信端子に繋がっており、前記第２の受信経路は第４のフィルタ回路を介して第２の受信端子に繋がっており、
前記複数のアンテナ端子と前記スイッチ回路との間には、それぞれフィルタ回路が接続され、前記アンテナ端子の一つと前記スイッチ回路との間にカップラ回路又は分配回路が接続され、前記カップラ回路又は分配回路が第３の送受信端子に繋がっていることを特徴とするマルチバンド用アンテナスイッチモジュールである。
また本発明では、前記カップラ回路又は分配回路が前記アンテナ端子の一つに繋がるフィルタ回路と前記スイッチ回路との間に配置されていることが好ましい。

また本発明は、積層セラミック基板の内部に電極パターン及びビア電極を形成して回路素子、配線パターンを形成し、前記積層セラミック基板上にチップ部品並びに半導体素子を搭載して構成されたマルチバンド用アンテナスイッチモジュールであって、
少なくとも２つのアンテナ端子を有し、前記複数のアンテナ端子と、複数の送信系に共通の経路と、複数の受信系に共通の経路とを切り替えるスイッチ回路を有し、
前記複数の送信系に共通の経路に、低周波側の第１の送信経路と高周波側の第２の送信経路に分けられる第１の分波回路を有し、前記第１の送信経路に第１の高周波増幅回路を有し、前記第１の高周波増幅回路が第１のフィルタ回路を介して第１の送信端子に繋がっており、前記第２の送信経路に第２の高周波増幅回路を有し、前記第２の高周波増幅回路が第２のフィルタ回路を介して第２の送信端子に繋がっており、
前記複数の受信系に共通の経路に、高周波側の第１の受信経路と低周波側の第２の受信経路に分けられる第２の分波回路を有し、前記第１の受信経路は第３のフィルタ回路を介して第１の受信端子に繋がっており、前記第２の受信経路は第４のフィルタ回路を介して第２の受信端子に繋がっており、
前記複数のアンテナ端子と前記スイッチ回路との間には、それぞれフィルタ回路が接続され、前記アンテナ端子の一つと前記スイッチ回路との間にカップラ回路又は分配回路が接続され、前記カップラ回路又は分配回路が第３の送受信端子に繋がっており、
前記分波回路はフィルタ回路の組み合わせからなり、前記複数のフィルタ回路の少なくとも一部は前記積層セラミック基板の内部に構成された回路素子から構成され、前記スイッチ回路、前記第１及び第２の高周波増幅回路を構成するための半導体素子は前記積層セラミック基板上に搭載され、また前記複数の回路を構成するための複数のチップコンデンサ、チップ抵抗器、チップインダクタが前記積層セラミック基板上に搭載されていることを特徴とするマルチバンド用アンテナスイッチモジュールである。
また本発明では、前記カップラ回路又は分配回路が前記アンテナ端子の一つに繋がるフィルタ回路と前記スイッチ回路との間に配置されていることが好ましい。

また本発明において、前記カップラ回路が第１のインダクタと第２のインダクタとの結合により構成され、前記第１のインダクタ及び第２のインダクタは、前記積層セラミック基板の内部に、それぞれ複数ターンのコイル状に形成され、かつ前記コイル状の第１のインダクタと第２のインダクタは、前記積層セラミック基板の内部で、積層方向の上下の関係となるように配置されていることが好ましい。

また本発明において、前記アンテナ端子、第１の送信端子、第２の送信端子、第１の受信端子、第２の受信端子、第３の送受信端子は、前記積層セラミック基板の実装面に周囲に整列されて構成されており、前記端子間には適宜グランド端子が配置され、前記グランド端子のいくつかに接続し、前記実装面の中央に大きな連続するグランド電極が形成されており、前記各端子の周囲並びに前記中央のグランド電極上に、前記グランド電極を分離するようにオーバーコート層が形成されていることが好ましい。
また、前記オーバーコート層によって分割された中央のグランド電極の内、少なくとも一つは、前記高周波増幅器回路用の半導体素子の放熱用端子となっていることが好ましい。このオーバーコート層は、積層セラミック基板に形成した各端子用の電極の密着強度を向上させることができ、また半田流れ等を防止し、端子間の絶縁性を向上させることができる。また、中央のグランド電極を分離するようにオーバーコート層を設けることにより、通信機器の基板への実装時に、実装位置ズレの発生等を低減することができ、生産性を向上できる。

本発明では、第１の送信端子及び第１の受信端子を第１の通信システム（無線ＬＡＮのＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｇ）用として用い、第２の送信端子及び第２の受信端子を第２の通信システム（無線ＬＡＮのＩＥＥＥ８０２．１１ａとＩＥＥＥ８０２．１１ｈ）用として用い、第３の送受信端子を第３の通信システム（ブルートゥース）用として用いることができる。これにより、３つの通信システムに対応し、それぞれアンテナと送信・受信回路との接続を行うことができる。

本発明において、アンテナ端子とスイッチ回路の間に設けたフィルタ回路は、高調波低減回路としての機能を有し、この高調波低減回路（フィルタ回路１１、１２）をアンテナトップに設けることにより、高周波増幅回路やスイッチ回路から発生した高調波を低減することができる。
また、スイッチ回路と分波回路との間あるいは高周波増幅回路との間に第２の高調波低減回路を設けてもよい。アンテナトップの高調波低減回路と第２の高調波低減回路の両方を設けることは必要でない場合が多いが、場合によっては低減する周波数帯域をずらして効率的に高調波の低減効果を狙うことを行うことも出来る。

本発明では、アンテナ端子とスイッチ回路との間に、カップラ回路又は分配回路を設けて、第３の送受信端子を接続している。このように、スイッチ回路より前のアンテナトップ部分で、第３の通信システムの送受信を行えるようにした。この回路構成にすることにより、アンテナの本数を増やすことなく、第１・第２の通信システムの受信と第３の通信システムの受信を同時に行うことが可能となる。また、アンテナと第３の通信システムの送受信端子との接続に新たにスイッチ回路を設ける必要がなく、スイッチ制御用の回路の増加を防ぐことができる。

本発明では、少なくとも２つのアンテナを使うことができるマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを構成したので、ダイバーシチィ通信を行うことができ、良好な通信を行うことができる。

本発明では、積層セラミック基板を用い、複数のフィルタ回路の少なくとも一部を前記積層セラミック基板の内部に構成し、前記スイッチ回路、前記第１及び第２の高周波増幅回路を構成するための半導体素子並びに複数のチップコンデンサ、チップ抵抗器、チップインダクタを前記積層セラミック基板上に搭載することにより、小型に構成でき、しかも損失の少ないマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを得ることができる。

本発明によれば、電子電器間における無線伝送を行う無線通信装置に関し、特に無線ＬＡＮの２．４ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇと５ＧＨｚ帯を使用するＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈの２つの通信システム、及びブルートゥースを加えた３つの通信システムを共用可能な回路を構成することができ、高調波発生量が少なく小型化が可能なマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを提供することができる。

以下、本発明の実施態様を図面を参照して説明する。尚、以下の説明では、第１の送信端子及び第１の受信端子を第１の通信システム（無線ＬＡＮのＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｇ）用として用い、第２の送信端子及び第２の受信端子を第２の通信システム（無線ＬＡＮのＩＥＥＥ８０２．１１ａとＩＥＥＥ８０２．１１ｈ）用として用い、第３の送受信端子を第３の通信システム（ブルートゥース）用として用いた場合の実施態様を用いて説明する。これは好ましい実施態様であるが、それ以外に適用できることは言うまでもない。

図１は本発明の一実施例であるマルチバンド用アンテナスイッチモジュールの回路ブロック図である。それぞれがマルチバンドアンテナに接続される２つのアンテナ端子Ａｎｔ１、Ａｎｔ２を有し、アンテナ端子Ａｎｔ１とスイッチ回路２との間に、フィルタ回路１１が接続され、アンテナ端子Ａｎｔ２とスイッチ回路２との間には、フィルタ回路１２とカップラ回路１が接続されている。スイッチ回路２には、第１の分波回路３と第２の分波回路４が接続され、第１の分波回路３には第１の高周波増幅回路５と第２の高周波増幅回路６が接続され、第１の高周波増幅回路５は第１のフィルタ回路７を介して、第１の送信端子Ｔｘ＿２Ｇに接続されている。また、第２の高周波増幅回路６は第２のフィルタ回路８を介して、第２の送信端子Ｔｘ＿５Ｇに接続されている。そして、第２の分波回路４には、第３のフィルタ回路９と第４のフィルタ回路１０が接続されており、第３のフィルタ回路９は、第１の受信端子Ｒｘ＿２Ｇに接続され、第４のフィルタ回路１０は、第２の受信端子Ｒｘ＿５Ｇに接続されている。また、カップラ回路１から第３の送受信端子Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈが設けられている。ここで、Ｖ１、Ｖ２は、スイッチ回路２を制御するための制御電源端子であり、Ｖｄ、Ｖｃｃは第１の高周波増幅回路５と第２の高周波増幅回路６の制御電圧端子であり、Ｖｂｂ＿２Ｇは第１の高周波増幅回路５の制御電圧端子であり、Ｖｂｂ＿５Ｇは第２の高周波増幅回路６の制御電圧端子であり、Ｖｄｅｔ＿２Ｇは第１の高周波増幅回路５の検波回路の出力電圧ポートであり、Ｖｄｅｔ＿５Ｇは第２の高周波増幅回路６の検波回路の出力電圧ポートである。

本発明によれば、２つマルチバンドアンテナにより、ダイバシティー方式をとることができる。スイッチ回路２は、４つのポート（Ｐ１、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）を有し、これらの４つの経路を切替え接続するＤＰＤＴ（Dual Pole Dual Throw）型のスイッチである。第１の分波器回路３は、低周波側フィルタ回路と高周波側フィルタ回路から構成され、低周波側フィルタ回路は、２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信信号を通過させ、５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信信号を減衰させ、一方、高周波側フィルタ回路は、５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信信号を通過させ、２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信信号を減衰させる。尚、第１、第２の分波回路は、３つのポートを有するＳＰＤＴ（Single Pole Dual Throw）型の高周波スイッチに代えることができる。

本発明のカップラ回路１の一実施例の等価回路図を図２に示す。スイッチ回路に繋がるポートＰ３とフィルタ回路１２に繋がるポートＰ２との間に、主線路ｌｓｃ４−６（ｌｓｃ４、ｌｓｃ５、ｌｓｃ６）と、その主線路に結合する副線路ｌｓｃ１−３（ｌｓｃ１、ｌｓｃ２、ｌｓｃ３）を設け、その副線路の一端をＢｌｕｅｔｏｏｔｈ端子とし、副線路の他端を抵抗Ｒｃを介して接地電極に繋がっている。

本発明のスイッチ回路２の一実施例の等価回路図を図３に示す。このスイッチ回路２は、４つのポートＰ１、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５を有し、４つの電界効果トランジスタＦＥＴと、コンデンサＣ、制御電源端子Ｖ１、Ｖ２から構成されている。このスイッチ回路２は、ダイオードなどのスイッチング素子を用い、適宜インダクタンス素子、キャパシタンス素子を用いて構成してもよい。

本発明の第１の分波回路３の一実施例の等価回路図を図４に示す。ポートＰ４とポートＰ６の間に、伝送線路ｌｆｔ８、伝送線路ｌｆｔ９と、キャパシタンス素子ｃｆｔ５，９（ｃｆｔ５、ｃｆｔ９）、キャパシタンス素子ｃｆｔ１，３（ｃｆｔ１、ｃｆｔ３）、キャパシタンス素子ｃｆｔ２，４（ｃｆｔ２、ｃｆｔ４）、キャパシタンス素子ｃｆｔ６，１０（ｃｆｔ６、ｃｆｔ１０）を有し、２．４GHｚ帯の信号を通過させるバンドパスフィルタ回路を構成している。またポートＰ４とバンドパスフィルタの間に位相調整用の伝送線路ｌｆｔ４−６（ｌｆｔ４、ｌｆｔ５、ｌｆｔ６）を配置する。伝送線路ｌｆｔ４−６の長さは、Ｐ４からバンドパスフィルタ側を見た場合の５ＧＨｚ帯のインピーダンスがオープン近辺になるようにする。
また、ポートＰ４とポートＰ７の間に、伝送線路ｌｆｔ１−２（ｌｆｔ１、ｌｆｔ２）、伝送線路ｌｐｔａ１−２（ｌｐｔａ１、ｌｐｔａ２）と、キャパシタンス素子ｃｆｔ１１、キャパシタンス素子ｃｆｔ１４、キャパシタンス素子ｃｆｔ１３、キャパシタンス素子ｃｐｔａ２、キャパシタンス素子ｃｐｔａ１を有し、ハイパスフィルタ回路＋ローパスパスフィルタ回路を構成している。
そして、ポートＰ４とポートＰ６の間で、２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信信号を通過させ、ポートＰ４とポートＰ７の間で、５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信信号を通過させ、それぞれ、他の周波数帯は阻止するように構成されている。

本発明の第２の分波回路４の一実施例の等価回路図を図５に示す。ポートＰ５とポートＰ８の間に、伝送線路ｌｆｒ５、伝送線路ｌｆｒ６と、キャパシタンス素子ｃｆｒ６，１０（ｃｆｒ６、ｃｆｒ１０）、キャパシタンス素子ｃｆｒ２，４（ｃｆｒ２、ｃｆｒ４）、キャパシタンス素子ｃｆｒ１，３（ｃｆｒ１、ｃｆｒ３）、キャパシタンス素子ｃｆｒ５，９（ｃｆｒ５、ｃｆｒ９）を有し、バンドパスフィルタ回路を構成している。またポートＰ５とバンドパスフィルタの間に位相調整用の伝送線路ｌｆｒ２−４（ｌｆｒ２、ｌｆｒ３、ｌｆｒ４）を配置する。伝送線路ｌｆｒ２−４の長さは、Ｐ５からバンドパスフィルタ側を見た場合の５ＧＨｚ帯のインピーダンスがオープン近辺になるようにする。
また、ポートＰ５とポートＰ９の間に、伝送線路ｌｆｒ７−８（ｌｆｒ７、ｌｆｒ８）と、キャパシタンス素子ｃｆｒ１２、キャパシタンス素子ｃｆｒ１４、キャパシタンス素子ｃｆｒ１１を有し、ハイパスフィルタ回路を構成している。
そして、ポートＰ５とポートＰ８の間で、２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの受信信号を通過させ、ポートＰ５とポートＰ９の間で、５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの受信信号を通過させ、それぞれ、他の周波数帯は阻止するように構成されている。

本発明の第１のフィルタ回路７の一実施例の等価回路図を図６に示す。ポートＰ１０とポートＴｘ＿２Ｇの間に、伝送線路ｌｐｔｇ２、伝送線路ｌｐｔｇ１６と、キャパシタンス素子ｃｐｔｇ５，９（ｃｐｔｇ５、ｃｐｔｇ９）、キャパシタンス素子ｃｐｔｇ１，３（ｃｐｔｇ１、ｃｐｔｇ３）、キャパシタンス素子ｃｐｔｇ２，４（ｃｐｔｇ２、ｃｐｔｇ４）、キャパシタンス素子ｃｐｔｇ６，１０（ｃｐｔｇ６、ｃｐｔｇ１０）を有し、バンドパスフィルタ回路を構成している。

本発明の第２のフィルタ回路８の一実施例の等価回路図を図８に示す。ポートＰ１１とポートＴｘ＿５Ｇの間に、伝送線路ｌｐａ１，２（ｌｐａ１、ｌｐａ２）と、キャパシタンス素子ｃｐｔ４、キャパシタンス素子ｃｐｔ２、キャパシタンス素子ｃｐｔ１を有し、ハイパスフィルタ回路を構成している。

本発明の第３のフィルタ回路９の一実施例の等価回路図を図７に示す。ポートＰ８とポートＲｘ＿２Ｇの間に、伝送線路ｌｐｒｇ２、伝送線路ｌｐｒｇ１と、キャパシタンス素子ｃｐｒｇ５，９（ｃｐｒｇ５、ｃｐｒｇ９）、キャパシタンス素子ｃｐｒｇ１，３（ｃｐｒｇ１、ｃｐｒｇ３）、キャパシタンス素子ｃｐｒｇ２，４（ｃｐｒｇ２、ｃｐｒｇ４）、キャパシタンス素子ｃｐｒｇ６，１０（ｃｐｒｇ６、ｃｐｒｇ１０）を有し、バンドパスフィルタ回路を構成している。

本発明の第４のフィルタ回路１０の一実施例の等価回路図を図９に示す。ポートＰ９とポートＲｘ＿５Ｇの間に、伝送線路ｌｐｒ１−３（ｌｐｒ１、ｌｐｒ２、ｌｐｒ３）と、キャパシタンス素子ｃｐｒ４、キャパシタンス素子ｃｐｒ２、キャパシタンス素子ｃｐｒ１を有し、ハイパスフィルタ回路を構成している。

本発明の第１の高周波増幅回路の一実施例の等価回路図を図１０に示す。この高周波増幅回路５は、ポートＰ６とポートＰ１０間に構成され、制御電圧端子Ｖｃｃ、Ｖｄ、Ｖｂｂ＿２Ｇ、検波回路の出力電圧ポートＶｄｅｔ＿２Ｇを有している。この等価回路において、ｌｃｇ２−５（ｌｃｇ２、ｌｃｇ３、ｌｃｇ４、ｌｃｇ５）、ｌｃｇ７−１１（ｌｃｇ７、ｌｃｇ８、ｌｃｇ９、ｌｃｇ１０、ｌｃｇ１１）、ｌｃｇ１２−１３（ｌｃｇ１２、ｌｃｇ１３）は高周波増幅回路の電源回路を構成する伝送線路であり、ｌｏｇ１−２（ｌｏｇ１、ｌｏｇ２）、ｌｏｇ３−７（ｌｏｇ３、ｌｏｇ４、ｌｏｇ５、ｌｏｇ６、ｌｏｇ７）は出力整合回路を構成する伝送線路であり、ｃｏｇ１は出力整合回路を構成する容量電極であり、ｌｉｇ１−３（ｌｉｇ１、ｌｉｇ２、ｌｉｇ３）、ｌｉｇ４−５（ｌｉｇ４、ｌｉｇ５）は入力整合回路を構成する伝送線路であり、これらは積層セラミック基板内に構成され、その他のキャパシタンス素子、抵抗素子はチップ素子として、積層セラミック基板上に搭載される。また、この高周波増幅回路用の半導体素子Ｉ５も積層セラミック基板上に搭載される。Ｉ５の実装方法としてはベアチップ状の半導体素子を積層セラミック基板上に導電性接着剤で固定して、ワイヤボンド等で積層セラミック基板と電気的に接続しても良いし、樹脂等で封止されたパッケージ状態のＩ５を半田で実装しても良い。また、上記実施例で示した伝送線路や容量電極を構成する場所は積層セラミック基板の内部に限るものではなく、その一部または全てを半導体素子Ｉ５の中に集積しても良い。

本発明の第２の高周波増幅回路の一実施例の等価回路図を図１１に示す。この高周波増幅回路６は、ポートＰ７とポートＰ１１間に構成され、制御電圧端子Ｖｃｃ、Ｖｄ、Ｖｂｂ＿５Ｇ、検波回路の出力電圧ポートＶｄｅｔ＿５Ｇを有している。この等価回路において、ｌｃａ２、ｌｃａ３，５，６，７（ｌｃａ３、ｌｃａ５、ｌｃａ６、ｌｃａ７）、ｌｃａ４、ｌｃａ８、ｌｃａ９は、高周波増幅回路の電源回路を構成する伝送線路であり、ｃｃａ１、ｃｃａ２、ｃｃａ３はこの電源回路を構成する容量電極であり、ｌｏａ１−６（ｌｏａ１，ｌｏａ２，ｌｏａ３，ｌｏａ４，ｌｏａ５，ｌｏａ６）、ｌｏａ７は出力整合回路を構成する伝送線路であり、ｃｏａ１は出力整合回路を構成する容量電極であり、、ｌｉａ２−４（ｌｉａ２，ｌｉａ３，ｌｉａ４）、ｌｉａ５−１１（ｌｉａ５，ｌｉａ６，ｌｉａ７，ｌｉａ８，ｌｉａ９，ｌｉａ１０，ｌｉａ１１）、ｌｉａ１２−１４（ｌｉａ１２，ｌｉａ１３，ｌｉａ１４）は入力整合回路を構成する伝送線路であり、ｃｉａ１は入力整合回路を構成する容量電極であり、これらは積層セラミック基板内に構成され、その他のキャパシタンス素子、抵抗素子はチップ素子として、積層セラミック基板上に搭載される。また、この高周波増幅回路用の半導体素子Ｉ６も積層セラミック基板上に搭載される。Ｉ６の実装方法としてはベアチップ状の半導体素子を積層セラミック基板上に導電性接着剤で固定して、ワイヤボンド等で積層セラミック基板と電気的に接続しても良いし、樹脂等で封止されたパッケージ状態のＩ６を半田で実装しても良い。また、上記実施例で示した伝送線路や容量電極を構成する場所は積層セラミック基板の内部に限るものではなく、その一部または全てを半導体素子Ｉ６の中に集積しても良い。

本発明のアンテナ端子Ａｎｔ１と前記スイッチ回路２との間に設けられるフィルタ回路１１の等価回路を図１２に示す。このフィルタ回路１１は、伝送線路Ｌｓａ１とキャパシタンス素子Ｃｓａ１，２（Ｃｓａ１、Ｃｓａ２）から構成されたノッチフィルタであり、これらは積層セラミック基板内に構成される。そのフィルタ回路１１とアンテナ端子Ａｎｔ１の間には、チップインダクタＬａ１が接続されている。このチップインダクタＬａ１は、積層セラミック基板上に搭載される。このチップインダクタＬａ１により、静電気等のサージによってアンテナスイッチモジュールに搭載された半導体部品が破壊しないよう保護することができる。また、チップコンデンサＣｂを介してポートＰ１に接続される。このチップコンデンサＣｂは、直流カット用あり、Ｐ１に続くスイッチ回路側に設けることにより、省くこともできる。

本発明のアンテナ端子Ａｎｔ２と前記スイッチ回路２との間に設けられるフィルタ回路１２の等価回路を図１３に示す。このフィルタ回路１２は、伝送線路Ｌｓａ６とキャパシタンス素子Ｃｓａ３，４（Ｃｓａ３、Ｃｓａ４）から構成されたノッチフィルタであり、これらは積層セラミック基板内に構成される。そのフィルタ回路１２とアンテナ端子Ａｎｔ２の間には、チップインダクタＬａ２が接続されている。このチップインダクタＬａ２は、積層セラミック基板上に搭載される。このチップインダクタＬａ２により、静電気等のサージによってアンテナスイッチモジュールに搭載された半導体部品が破壊しないよう保護することができる。また、チップコンデンサＣａを介してポートＰ２に接続される。このチップコンデンサＣａは、直流カット用あり、Ｐ２に続くスイッチ回路側に設けることにより、省くこともできる。

次に、本発明に係るマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを積層セラミック基板と搭載部品とにより構成した外観斜視図を図１４に、その積層セラミック基板の各層の電極構成を示す展開図を図１５、１６、１７に示す。図１５は、積層セラミック基板の上から１層目〜６層目までを示し、図１６は７層目〜１２層目を示し、図１７は１３層目〜１６層目、及び裏面（実装面）を示している。この積層セラミック基板と搭載部品とにより構成されたマルチバンド用アンテナスイッチモジュールは、図１に示す回路ブロックのものであり、図２〜図１３に示す等価回路からなる。また、図１４に示す搭載部品に付した記号は、図２〜図１３の等価回路で付した記号と合致しており、図１５〜図１７に示す電極パターンに付した記号は、図２〜図１３の等価回路で示した符号（複数の電極パターンにより構成されるものはカッコ内に記載している）に合致している。

この積層セラミック基板１００は、例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導伝ペーストを印刷して所定の電極パターンを形成し、複数のグリーンシートを適宜一体的に積層し、焼結することにより製造することが出来る。
前記誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が用いられ、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２ Ｏ３ を主体とするものとし、伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。

積層セラミック基板１００は計１６層のシートからなり、１〜１６層が上から順番に積層されている。１層目の上面には積層基板に内蔵されないチップ部品を搭載するための複数のランド電極が形成されている。これらの電極の上に図１４に示すように、スイッチ回路素子２、第１の高周波増幅回路素子Ｉ５（２．４ＧＨｚ帯用）、第２の高周波増幅回路素子Ｉ６が搭載され、ワイヤーボンディングで接続されている。また、チップコンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ９、Ｃ３０、Ｃ１４、Ｃ１５、Ｃ１７、Ｃ１９、Ｃ２０、Ｃ４０、Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｄｇ、Ｃｄａ、チップ抵抗Ｒｃ、Ｒｄｇ、Ｒｄａ、Ｒ２、Ｒｄｄ１、Ｒｄｄ２、チップインダクタＬａ１、Ｌａ２が搭載されている。これらは、等価回路に記載の符号と一致している。
尚、前記ランド電極に実装されるスイッチはベア状態で前記積層セラミック基板に実装し、樹脂封止や管封止することが出来る。このように高周波回路部品を積層セラミック基板として構成すれば小型化が可能である。また、送受信回路部を構成したＲＦ-ＩＣやベースバンドＩＣを前記積層セラミック基板に複合化することも当然可能である。

次に、この積層セラミック基板１００の内部の電極パターン構造について説明する。
図示するように２層目のグリーンシートから１６層目のグリーンシートに適宜、ライン電極、コンデンサ用電極、グランド電極が形成されており、それぞれがグリーンシートに形成されたビアホール（図中、小さい四角で表示）で接続されている。そして、最下層の１６層目のグリーンシート１６には、広がりを有する導体層で形成されたグランド電極ｅ１が形成されており、その裏面側には、回路基板に実装するための端子電極が形成されている。この図１７に示す端子電極には、図１に示す回路ブロック図に付した端子の符号と同じ符号を付している。また、ＧＮＤはグランド電極であり、グランド接続（接地）される。尚、高周波増幅回路素子Ｉ５、Ｉ６が搭載される部分には、放熱性を高めるためにサーマルビアを上面から裏面にかけて設けている。そして、裏面ではグランド電極に接続され、そのグランド電極の一部をサーマルビア用の放熱用端子として用いることができる。また、不要なノイズ輻射を抑制するために、２層目、１４層目、１６層目には広いグランド電極ｅ５、ｅ２、ｅ１を形成している。

各グリーンシートに設けた伝送線路やキャパシタを形成する電極パターンは図２〜図１３に用いた符号と同じ符号を付けて示したので、詳細な説明は省略する。但し、積層セラミック基板には各回路が三次元的に構成されるが、各回路を構成する電極パターンは、他の回路を構成する電極パターンとの不要な電磁気的干渉を防ぐように、グランド電極（平面的なグランド電極（グランド電極には最初にｅの符号を付した）やこのグランド電極につながるビアホール）により分離したり、積層方向に見て互いが重ならないように配置するようにしている。

この積層セラミック基板１００の裏面には、図１７に示すように端子電極が形成されている。この裏面には大きなグランド電極ＧＮＤを設け、入出力端子間へ延びたグランド電極端子を設けている、周囲の４辺にはアンテナポート（Ａｎｔ１、Ａｎｔ２）と、２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信ポート（Ｔｘ＿２Ｇ）、受信ポート（Ｒｘ＿２Ｇ）、５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮの送信ポート（Ｔｘ＿５Ｇ）、受信ポート（Ｒｘ＿５Ｇ）、スイッチ回路の制御用のコントロールポート（Ｖ１、Ｖ２）、高周波増幅回路用の電源ポート（Ｖｃｃ、Ｖｂｂ＿２Ｇ、Ｖｂｂ＿５Ｇ、Ｖｄ）、検波回路の出力電圧ポート（Ｖｄｅｔ＿２Ｇ、Ｖｄｅｔ＿５Ｇ）、グランド端子ＧＮＤ、そしてブルートゥース用の送受信端子（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ）の端子電極が図に示すように配置されている。また、本実施例では前記端子電極をＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）としているが、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）なども採用することが出来る。
この裏面に設けた各端子電極（各ポート用電極）は、端子保護並びに端子間絶縁のために、各端子間及び端子の周囲を覆うようにオーバーコート層を設けることができる。このオーバーコート層を、前記大きなグランド電極上にも設け、この大きなグランド電極を見掛け上、複数のグランド電極に分割することができる。無線機器の基板上に当該アンテナスイッチモジュールを実装する手段としては、無線機器の基板上の対応する電極状にペースト状の半田を塗布し、その上に当該アンテナスイッチモジュールを乗せ、高温雰囲気中で半田を溶融することが一般的である。この実装時には溶融した半田の表面張力によりアンテナスイッチモジュールの位置が動くことがある。アンテナスイッチモジュールの底面にある大きなグランド電極を細分することにより、溶融時のアンテナスイッチモジュールの移動位置を制御することができる。これにより、アンテナスイッチモジュールを基板に乗せる際の位置ズレを起因とする実装ズレを低減することが可能となる。

以上により、無線ＬＡＮとブルートゥースの同時受信が可能な小型かつ低挿入損失なアンテナスイッチモジュールを実現することが可能となる。

以上説明したように、本発明のマルチバンド用アンテナスイッチモジュールは、例えば２．４ＧＨｚ帯無線ＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｇ）と５ＧＨｚ帯無線ＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ａおよび／あるいはＩＥＥＥ８０２．１１ｈ）とブルートゥースの３つの通信システムを共用可能なＲＦフロントエンド回路となすことができ、これを備えた小型のマルチバンド通信装置を実現することが出来る。通信システムは上記した周波数帯域や通信規格に限るものではなく各種通信システムに利用可能である。また、マルチバンド通信装置としては、例えば携帯電話に代表される無線通信機器、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、プリンタやハードディスク、ブロードバンドルータ等のＰＣの周辺機器、ＦＡＸ、冷蔵庫、標準テレビ（ＳＤＴＶ）、高品位テレビ（ＨＤＴＶ）、カメラ、ビデオ、等の家庭内電子機器などに展開が出来る。

本発明に係る一実施例に係る高周波回路の回路ブロックである。 本発明に係るカップラ回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係るスイッチ回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第１の分波回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第２の分波回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第１のフィルタ回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第３のフィルタ回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第２のフィルタ回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第４のフィルタ回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第１の高周波増幅回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係る第２の高周波増幅回路の一実施例の等価回路図である。 本発明に係るアンテナ端子Ａｎｔ１とスイッチ回路２との間に設けられるフィルタ回路の等価回路である。 本発明に係るアンテナ端子Ａｎｔ２とスイッチ回路２との間に設けられるフィルタ回路の等価回路である。 本発明に係るマルチバンド用アンテナスイッチモジュールを積層セラミック基板と搭載部品とにより構成した外観斜視図である。 本発明に係る積層セラミック基板の１層目〜６層目の電極パターンを示す分解斜視図である。 本発明に係る積層セラミック基板の７層目〜１２層目の電極パターンを示す分解斜視図である。 本発明に係る積層セラミック基板の１３層目〜１６層目、及び裏面（実装面）の電極パターンを示す分解斜視図である。 従来例の回路ブロック図である。 別の従来例の回路ブロック図である。

符号の説明

１ カップラ
２ スイッチ回路
３ 第１の分波回路
４ 第２の分波回路
５ 第１の高周波増幅回路
６ 第２の高周波増幅回路
７ 第１のフィルタ回路
８ 第２のフィルタ回路
９ 第３のフィルタ回路
１０ 第４のフィルタ回路
１１、１２ フィルタ回路

Claims (7)

1. 複数のアンテナと複数の通信システムの送信及び／又は受信回路との間に用いられるマルチバンド用アンテナスイッチモジュールにおいて、少なくとも２つのアンテナ端子を有し、前記複数のアンテナ端子と、複数の送信系に共通の経路と、複数の受信系に共通の経路とを切り替えるスイッチ回路を有し、
   前記複数の送信系に共通の経路に、低周波側の第１の送信経路と高周波側の第２の送信経路に分けられる第１の分波回路を有し、前記第１の送信経路に第１の高周波増幅回路を有し、前記第１の高周波増幅回路が第１のフィルタ回路を介して第１の送信端子に繋がっており、前記第２の送信経路に第２の高周波増幅回路を有し、前記第２の高周波増幅回路が第２のフィルタ回路を介して第２の送信端子に繋がっており、
   前記複数の受信系に共通の経路に、低周波側の第１の受信経路と高周波側の第２の受信経路に分けられる第２の分波回路を有し、前記第１の受信経路は第３のフィルタ回路を介して第１の受信端子に繋がっており、前記第２の受信経路は第４のフィルタ回路を介して第２の受信端子に繋がっており、
   前記複数のアンテナ端子と前記スイッチ回路との間には、それぞれフィルタ回路が接続され、前記アンテナ端子の一つと前記スイッチ回路との間にカップラ回路又は分配回路が接続され、前記カップラ回路又は分配回路が第３の送受信端子に繋がっていることを特徴とするマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
2. 前記カップラ回路又は分配回路が前記アンテナ端子の一つに繋がるフィルタ回路と前記スイッチ回路との間に配置されていることを特徴とする請求項１記載のマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
3. 積層セラミック基板の内部に電極パターン及びビア電極を形成して回路素子、配線パターンを形成し、前記積層セラミック基板上にチップ部品並びに半導体素子を搭載して構成されたマルチバンド用アンテナスイッチモジュールであって、
   少なくとも２つのアンテナ端子を有し、前記複数のアンテナ端子と、複数の送信系に共通の経路と、複数の受信系に共通の経路とを切り替えるスイッチ回路を有し、
   前記複数の送信系に共通の経路に、低周波側の第１の送信経路と高周波側の第２の送信経路に分けられる第１の分波回路を有し、前記第１の送信経路に第１の高周波増幅回路を有し、前記第１の高周波増幅回路が第１のフィルタ回路を介して第１の送信端子に繋がっており、前記第２の送信経路に第２の高周波増幅回路を有し、前記第２の高周波増幅回路が第２のフィルタ回路を介して第２の送信端子に繋がっており、
   前記複数の受信系に共通の経路に、低周波側の第１の受信経路と高周波側の第２の受信経路に分けられる第２の分波回路を有し、前記第１の受信経路は第３のフィルタ回路を介して第１の受信端子に繋がっており、前記第２の受信経路は第４のフィルタ回路を介して第２の受信端子に繋がっており、
   前記複数のアンテナ端子と前記スイッチ回路との間には、それぞれフィルタ回路が接続され、前記アンテナ端子の一つと前記スイッチ回路との間にカップラ回路又は分配回路が接続され、前記カップラ回路又は分配回路が第３の送受信端子に繋がっており、
   前記分波回路はフィルタ回路の組み合わせからなり、前記複数のフィルタ回路の少なくとも一部は前記積層セラミック基板の内部に構成された回路素子から構成され、前記スイッチ回路、前記第１及び第２の高周波増幅回路を構成するための半導体素子は前記積層セラミック基板上に搭載され、また前記複数の回路を構成するための複数のチップコンデンサ、チップ抵抗器、チップインダクタが前記積層セラミック基板上に搭載されていることを特徴とするマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
4. 前記カップラ回路又は分配回路が前記アンテナ端子の一つに繋がるフィルタ回路と前記スイッチ回路との間に配置されていることを特徴とする請求項３記載のマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
5. 前記カップラ回路が第１のインダクタと第２のインダクタとの結合により構成され、前記第１のインダクタ及び第２のインダクタは、前記積層セラミック基板の内部に、それぞれ複数ターンのコイル状に形成され、かつ前記コイル状の第１のインダクタと第２のインダクタは、前記積層セラミック基板の内部で、積層方向の上下の関係となるように配置されていることを特徴とする請求項３又は４に記載のマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
6. 前記アンテナ端子、第１の送信端子、第２の送信端子、第１の受信端子、第２の受信端子、第３の送受信端子は、前記積層セラミック基板の実装面に整列されて構成されており、前記端子間には適宜グランド端子が配置され、前記グランド端子のいくつかに接続し、前記実装面の中央に大きな連続するグランド電極が形成されており、前記各端子の周囲並びに前記中央のグランド電極上に、前記グランド電極を分離するようにオーバーコート層が形成されていることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載のマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。
7. 前記オーバーコート層によって分離された中央のグランド電極の内、少なくとも一つは、前記高周波増幅器回路用の半導体素子の放熱用端子となっていることを特徴とする請求項６に記載のマルチバンド用アンテナスイッチモジュール。

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