JP2011060993A - 面発光レーザおよび面発光レーザアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面レリーフ構造を備え、横モード制御が可能に構成された発振波長λの面発光レーザであって、
表面レリーフ構造は、
上部多層膜反射鏡の上に、第1の積層体による領域と、第1の積層体よりも光学的厚さが大きい第2の積層体による領域と、第1の積層体および第2の積層体よりも光学的厚さが大きい第3の積層体による領域と、を備えている。
【選択図】 図1
Description
この垂直共振器型面発光レーザ(以下、VCSELと記す)では、活性領域の両側を2つの反射鏡で挟み、基板面に垂直な方向に光共振器を形成し、基板面から垂直方向に光を放射する。
このようなVCSELにおいて、横モードを制御する方法の一つとして、表面レリーフ(Surface Relief)構造が知られている。
図2(a)において、1100はVCSELである。
図2(a)に示されるように、VCSEL1100は、基板1102上に下部多層膜反射鏡1104、下部クラッド層1106、活性層1108、上部クラッド層1110、酸化狭窄層1112、上部多層膜反射鏡1114が積層されて構成されている。
酸化狭窄層1112を層の側壁から酸化して形成するために、VCSEL1100は少なくとも酸化狭窄層1112が露出するようなメサ構造となっている。
VCSEL1100の発振モードの横モードは酸化狭窄層1112により支配され、例えば、図2(a)に示すような光強度分布を持つ基本モード1130、高次モード1132(ここでは1次モード)が存在する。
横モードの選択的な発振を目的として、上記VCSELの上部多層膜反射鏡1114の表面に例えば凸形状の表面レリーフ構造1120が形成される。
表面レリーフ構造によって、その領域ごとに上部多層膜反射鏡の反射率が異なるため、横モード間ごとのミラー損失を調整することができる。
この結果、特定の横モードを選択的に発振させることができる。
基本モード1130は高次モード1132に比べて、光強度が光出射領域の中心側に集中している。
したがって、上記構造では基本モードのミラー損よりも高次モードのミラー損失がより上昇するため、高次モードの発振が抑制される。
非特許文献1では、表面レリーフ構造1120として図2(b1)、(b2)に示すように2種類が開示されている。
周辺部1204をエッチングして反射率を下げた構造1122(これを凸型表面レリーフ構造と記す)と、中央部1202をエッチングして反射率を上げた構造1124(これを凹型表面レリーフ構造と記す)である。
図3(a1)に示されるように距離dだけエッチングしたときに、エッチング距離dだけエッチングされた側とエッチングされていない側から入射した光の反射率との関係を表すグラフを図3(a2)に示す。
ここでは、エッチング前の多層膜反射鏡のペア数は34ペアとし、高屈折率層1206の屈折率層を3.43、低屈折率層1208の屈折率を3.14としている。
また、エッチング側の媒質300は空気とし、その屈折率は1とした。入射光の波長λは680nmとした。
また、該低屈折率層1208を除去し高屈折率層1206を露出させた場合よりも、反射率が低くなる。
λ/2の光学距離に相当するエッチング深さdごとに反射率は周期的に極小極大を採る。
したがって、図2(b1)に示す凸型表面レリーフ構造1122では、λ/4厚の高屈折率層1206で終端した上部多層膜反射鏡について、周辺部1204の高屈折率層1206を除去することで、周辺部の反射率が下がっている。
また、図2(b2)に示す凹型表面レリーフ構造1124ではλ/4厚の低屈折率層1208で終端した上部多層膜反射鏡について、中央部1202の低屈折率層1208を除去することで、中央部の反射率が上がっている。
このエッチング領域の面内方向のサイズを調整することで、図2(b1)、(b2)に示すように基本モード1130の強度分布が高い領域で高反射率領域とし、高次モード1132の強度分布がある周囲領域で低反射率領域とする。
これにより、基本モード1130のみを選択的に発振させることができる。
すなわち、高反射領域が小さいと発振させたいモードに対するミラー損は上昇するため、しきい値が上昇する。高反射領域が大きいと、発振させたいモード以外のモードの発振を抑制できない。
しかしながら、特許文献1に開示されたVCSELの表面レリーフ構造1122、1124では、その作製プロセスによって、表面レリーフの高反射率領域1202のサイズが設計からばらつく可能性がある。
例えば、図4(a)のように、半導体402に凸型構造を形成する場合を考える。
この構造を作製するために、図4(b)に示すように半導体402上にハードマスク(誘電体、たとえばSiO2)404を積層し、その上にレジスト406を塗布する。
レジスト406にマスクアライナーなどで所望のパターンを露光する。
ここでのパターンは図4(a)の構造をエッチングで形成するために図4(b)に示す破線上に境界が来るようにする。
図4(c)に示すように、レジスト406を露光後に現像し、レジストマスクパターンを形成した後、図4(d)に示すように前記レジスト406をマスクとしてハードマスク404をエッチングする。
レジスト406を除去し、図5(e)に示すように、ハードマスク404をマスクとして半導体402をエッチングする。ハードマスク404を除去し、図4(a)に示す凸型構造が形成される。
まず、レジストを現像する工程にて、図4(c2)に示すように、現像時間過多により、残るべきレジストパターンのサイズが小さくなる可能性がある。
次に、パターニングしたレジストをマスクとしハードマスクをエッチングする工程で、図4(d2)に示すように、ハードマスク404がサイドエッチングされる可能性がある。
特に、厚めのハードマスク404のエッチングをウエットエッチングで行う場合、サイドエッチングは大きくなる。
最後に、ハードマスクをマスクとして半導体をエッチングする際に、図5(e2)に示すように、半導体402がサイドエッチングされる可能性がある。
なお、VCSELの作製において、厚いハードマスクが必要とされる場合があり、その場合はこれらの可能性の中で特にハードマスクのサイドエッチングが一番大きな問題となる。
例えば、AlGaAs系多層膜反射鏡を用いた赤色帯VCSELでは、反射鏡の反射率を稼ぐためにペア数の多い多層膜反射鏡が必要となる。
この結果、メサ形成に深いエッチングが必要となる。メサをプラズマドライエッチングで形成する場合、レジストマスクだけではエッチングに耐えられないため、厚いハードマスク(たとえば0.5μm厚)が必要となる。
また、VCSELメサと表面レリーフ構造1120の中心を合わせるセルフアラインプロセスを使用する場合、厚いハードマスク(たとえば0.5μm厚)が必要とされる場合がある。この場合にハードマスクのサイドエッチング量は0.5μm程度のばらつきがある。
VCSELの表面レリーフ構造のサイズについて具体的な値について説明する。
図2(a)に示すような酸化狭窄型VCSELで、基本モードのみを発振させ、高次モードを抑制するために好ましい表面レリーフ構造の高反射率部の直径は、つぎのような直径となる。
例えば、酸化狭窄アパーチャが直径6μmのものに対し、基本モード1130のみを発振させ、例えば、次に発振しやすい1次モードを抑制するために好ましい表面レリーフ構造1120の高反射率部の直径は、およそ半分の3μm程度となる。
ここで、上記プロセスを使用し図2(b1)、(b2)のような表面レリーフを作製すると、以下の課題がある。
すなわち、凸型表面レリーフ構造1122では、高反射率領域1202の面積が減少し、凹型表面レリーフ構造1124では逆に高反射率領域1202の面積が増加する。
例えば、直径3μmの凸型表面レリーフ構造でサイドエッチング等による高反射率領域の境界の変動が0.5μm以内で起こる場合、高反射率領域1202の面積は素子ごとに(2/3)2=0.44〜1倍の間でばらつくことになる。
これは素子特性(例えばレーザ発振しきい値や、出力光強度と投入電流の間のスロープ効率)の大幅なばらつきを引き起こしてしまう。
VCSELはアレイ化デバイスとして用いられることが多くあり、アレイ内での特性のばらつきは実用上好ましくない。
また、ウエハ内またはウエハ間で特性がばらついた場合、仕様を満たさない素子の割合が増えることになるから、素子製造の歩留まりを下げてしまう。
本発明の面発光レーザは、
基板上に、下部多層膜反射鏡、活性層、上部多層膜反射鏡を有し、該上部多層膜反射鏡上に光出射領域における中央部に周辺部よりも高い高反射率領域を形成した表面レリーフ構造を備え、横モード制御が可能に構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記表面レリーフ構造は、
前記上部多層膜反射鏡の上に、第1の積層体による領域と、該第1の積層体よりも光学的厚さが大きい第2の積層体による領域と、該第1の積層体および該第2の積層体よりも光学的厚さが大きい第3の積層体による領域と、を備えていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザアレイは、上記した面発光レーザを、アレイ状に配列して構成されていることを特徴とする。
これは図1(a)、(b)のように高反射率領域102、低反射率領域104をそれぞれ一様な表面高さの領域(上部多層膜反射鏡の下端からの距離が一様な領域)で作製する従来例の場合においては、避けられないことである。
これに対して、本発明では図1(c)、(d)に例を示すように、高反射領域102と低反射領域104のいずれか(両方でも良い)を分割し、光学厚さの異なる複数の積層体により構成する。
このような領域の位置関係の配置によって、前記中央部に形成される高反射率領域の作製要因によって生じるサイズの増減が相殺可能となり、高反射部面積のばらつきを、従来例より抑えることができる。
これらの詳細については、後述する実施例の説明で明らかにする。
[実施例1]
図6を用いて、本発明の実施例1における基板上に、下部多層膜反射鏡、活性層、上部多層膜反射鏡を有し、横モード制御が可能に構成された発振波長λの垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)の構成例について説明する。
図6(a)は、図1(c)に相当する表面レリーフ構造を持つ酸化狭窄型VCSEL600の斜視断面図である。
酸化狭窄層112より下は従来例の図2(a)と同様であるため省略している。また、図6(b)は前記VCSEL600を光出射面側から見た図である。
図6(c)は前記VCSEL600を側面から見た断面図である。
図6(a)と図6(c)に表示されている断面は、図6(b)の一点破線602で表される面での断面である。
図6(c)には、上部多層膜反射鏡114上に第3の半導体層616、第2の半導体層614、第1の半導体層212が積層された、光出射領域における中央部に周辺部よりも高い高反射率領域を形成した表面レリーフ構造が示されている。図6(c)に示すように、本表面レリーフ構造はA1、A2、A3、A4の4領域から構成される。
A2領域では半導体層はエッチングされておらず、A1とA4領域では第1の半導体層612が、A3領域では第1の半導体層612と第2の半導体層614がエッチングされている。
なお、ここでは第1の半導体層と第3の半導体層は、第2の半導体層に比べ屈折率が高い層となっている。
上部多層膜反射鏡114の最上層は、第3の半導体層より屈折率が低い層であり例えば第2の半導体層と同じ材料である。
具体的には例えば第1の半導体層はGaAsであり、第2の半導体層はAl0.9GaAsであり、第3の半導体層はAl0.5GaAsである。
また、これら3層の光学的厚さはVCSELの発振波長をλとするとλ/4である。
図6(b)の破線604で囲まれた領域は酸化狭窄層による電流狭窄アパーチャーを表す。
この長方形型のアパーチャーの長辺方向(図6(b)での横方向)に見て、中心側に位置する領域(A2とA3領域)が高反射率領域502となっており、周辺部に位置する領域(A1とA4)が低反射率領域504となっているため高次モードの発振が抑制できる。
図7はこの表面レリーフ構造の製造方法を説明する図である。
第1の半導体層612上にハードマスクおよびレジストを積層し、図7(a)に示すように、最終的にA2、A4となる領域に相当する箇所にマスクとして残るように、レジストを露光・現像、ハードマスクをエッチングする。
図7(a)の630はパターニングされたハードマスクである。
図7(b)に示すように、レジストを除去後、このハードマスクをマスクとして第1の半導体層612をエッチングする。
ここで、先に述べた理由(例えばハードマスクがサイドエッチングを大きく受ける場合)で、図7(a)の矢印方向に各境界が移動し、A2領域の面積が設計値から減少する可能性がある。
同じ理由で、A3領域の面積が設計値から増加する可能性がある。
しかし、図でのA1とA2の境界と、A3とA4の境界が移動する方向は同じ向きとなる。このためA2とA3を合わせた面積の変化量は、それぞれの面積の減少または増加量よりも小さい。
パターニングされたマスク630および632をマスクとして、図7(d)に示すように、A3領域の第2の半導体層614をエッチングする。
この後、レジストマスクを除去し、レジストを塗布、図7(e)に示すように、A2領域を覆うようにレジストマスク634をパターニングする。
次に、図7(f)に示すように、A4領域の第1の半導体層612をエッチングする。ここでは第1の半導体層612をエッチングし、第3の半導体層616を少ししかあるいは全くエッチングしないエッチャントを用いる。第2の半導体層614もエッチングしないことが望ましい。
最後に図7(g)に示すようにレジストマスク634を除去することで表面レリーフ構造が形成される。
図6(c)においては、上部多層膜反射鏡114上に形成された半導体層616、614、612に対し、A3領域の該半導体層を第1の積層体、A1領域およびA4領域の該半導体層を第2の積層体、A2領域の該半導体層を第3の積層体とする。
また、A3領域はA4領域と、A2領域はA1領域と隣接している。
すなわち、第2の積層体は、第1の積層体と隣接しており、また第3の積層体と隣接している。
また、この表面レリーフ構造では、A2領域とA3領域が高反射率領域502であり、A1領域およびA4領域が低反射率領域504である。
すなわち、第1の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R1)、および、第3の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R3)は、第2の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R2)よりも高い。
そして、上記したように、A3領域はA4領域と、A2領域はA1領域と隣接している。
したがって、上記したサイドエッチング等による、A2領域の面積は小さく、A3領域の面積は大きくなるため、高反射率領域を構成する第1の積層体と第3の積層体の作製時のばらつきによるサイズの変動は、これらにより相殺される。
結果として、この表面レリーフ構造の高反射率領域502の面積は、従来の構造(例えば図1(a)、(b))に比べて、設計値からのばらつきを抑えることができる。
図8に示すVCSEL700は、図6に示すVCSEL600と上部多層膜反射鏡および表面レリーフ構造以外は同じである。
図8のように、上部多層膜反射鏡114上に第6の半導体層714、第5の半導体層712、第4の半導体層710が積層されている。
図8に示すように、VCSEL700の表面レリーフ構造はB1、B2、B3、B4の4領域から構成される。
B4領域では半導体層はエッチングされておらず、B2とB3領域では第4の半導体層710が、B1領域では第4の半導体層710と第5の半導体層712がエッチングされている。
なお、ここでは第5の半導体層712は、第6の半導体層714に比べ屈折率が高い層となっている。
第4の半導体層710の屈折率は第5の半導体層より高くても低くても良い。
上部多層膜反射鏡の最上層は第6の半導体層よりも屈折率が高く、例えば第5の半導体層と同じ材料である。具体的には例えば第4の半導体層はGaAsであり、第5の半導体層はAl0.5GaAsであり、第6の半導体層はAl0.9GaAsである。
また、これら3層の光学的厚さはVCSELの発振波長をλとするとλ/4である。
図6の場合と同様に、酸化狭窄層112による電流狭窄アパーチャーの中心側に位置する領域(B2とB3領域)が高反射率領域502となっており、周辺部に位置する領域(B1とB4)が低反射率領域504となっているため高次モードの発振が抑制できる。
図8の表面レリーフ構造を、図1(c)および図6に示した表面レリーフ構造と比較すると、中心側(B2とB3)の領域が、周辺側(B1とB4)の領域よりも反射率が高くなっている。
すなわち、第1の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R1)、および、第3の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R3)は、
第2の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R2)よりも高い、という点で、同じである。
また、第2の積層体の光学厚さは、第1の積層体の光学厚さより大きく、第3の積層体の光学厚さより小さい、という点も同じである。
また、第2の積層体が、第1および第3の積層体と隣接しているという点も同じである。
しかし、図8の表面レリーフ構造では光出射領域の中心側領域に第2の積層体があり、周辺側に第1および第3の積層体があるという点で、図1(c)および図6に示した表面レリーフ構造と異なる。
第4の半導体層710上にハードマスクおよびレジストを積層し、図9(a)に示すように、最終的にB2、B4となる領域に相当する箇所にマスクとして残るように、レジストを露光・現像、ハードマスクをエッチングする。
図9(a)の630はパターニングされたハードマスクである。
図9(b)に示すように、レジストを除去後、このハードマスクをマスクとして第4の半導体層710をエッチングする。
ここで、先に述べた理由(例えばハードマスクがサイドエッチングを大きく受ける場合)で、図の矢印方向に各境界が移動し、B2領域の面積が設計値から減少する可能性がある。同じ理由で、B3領域の面積が設計値から増加する可能性がある。
しかし、図でのB1とB2の境界と、B3とB4の境界が移動する方向は同じ向きとなる。
このため、B2とB3を合わせた面積の変化量は、それぞれの面積の減少または増加量よりも小さい。
次に、レジストを塗布し、図9(c)に示すように、B3領域を覆うようにレジストマスク632を形成する。ハードマスクを併用しても良い。
パターニングされたマスク630および632をマスクとして、図9(d)に示すように、B1領域の第5の半導体層712をエッチングする。
次に図9(f)に示すように、B2領域の第4の半導体層710をエッチングする。
ここでは、第4の半導体層710をエッチングし、第6の半導体層714を少ししかあるいは全くエッチングしないエッチャントを用いる。第5の半導体層712もエッチングしないことが望ましい。
最後に図9(g)に示すようにレジストマスク634を除去することで表面レリーフ構造が形成される。
しかし、厳密にλ/4である必要はなく、本発明の範囲で調整することができる。
例えば、図6において各層の光学厚さをλ/4とした場合、高反射領域502に属する第3の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R3)は、第1の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R1)よりも少し高くなる。
第3の積層体と上部多層膜反射鏡を合わせたものは、第1の積層体と上部多層膜反射鏡を合わせたものにくらべ、1ペア分多層膜の多い反射鏡となるからである。
したがって、第1の積層体による領域の光学厚さと第3の積層体による領域の光学厚さの差を、λ/4より大きい光学厚とし、第1の半導体層612の光学厚さをλ/4から少しずらすことで、R1とR3を揃えることができる。
同様に、図8の表面レリーフ構造では、各層の光学厚さをλ/4とした場合、第1の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R1)は、第3の積層体と上部多層膜反射鏡の垂直入射光に対する反射率(R3)よりも低い。
低反射率領域504の反射率は必ずしも揃っている必要は無い。
しかし、揃えたい場合は、例えば第6の半導体層の光学厚さをλ/4より薄くし、第5の半導体層の光学厚さをλ/4より厚くし、これらの合計がλ/2となるようにすることで、R1とR3を揃えることができる。
実施例2は、本発明の表面レリーフ構造を基板面方向に2次元的に応用したものである。
実施例1では表面レリーフ構造が1次元的に配置されていたため、作製時のばらつきによる境界の変動に対して、高反射率領域の面積の変動は従来例よりも抑えられているものの、高反射率領域の重心位置が水平方向に少し移動する可能性がある。
これに対し、実施例2に示すように2次元的な表面レリーフ構造では、重心位置の変動を抑えることができる。
実施例2にかかるVCSEL800を図10(a)、図10(b)、図10(c)に示す。
図10(a)は、図1(c)を2次元的に応用した表面レリーフ構造を持つ酸化狭窄型VCSEL800の斜視断面図である。
酸化狭窄層112より下は、従来例の図2(a)と同様であるため省略している。
また図10(b)は前記VCSEL800を光出射面側から見た図である。図10(c)は前記VCSEL800を側面から見た断面図である。
図10(a)と図10(c)に表示されている断面は、図10(b)の一点破線802で表される面での断面である。
図10(c)に示すように、上部多層膜反射鏡114上に第3の半導体層616、第2の半導体層614、第1の半導体層612が積層されている。
図10(a)に示すように、本表面レリーフ構造はC1、C4、C6の3領域から構成される。
図10(a)においては、上部多層膜反射鏡114上に形成された半導体層616、614、612に対し、C4領域の該半導体層を第1の積層体、C6領域の該半導体層を第2の積層体、C1領域の該半導体層を第3の積層体とする。
第1の積層体はC4領域の半導体層616であり、第2の積層体はC6領域の半導体層616と半導体層614であり、第3の積層体はC1領域の半導体層616、614、612である。
したがって、第2の積層体の光学厚さは、第1の積層体の光学厚さより大きく、第3の積層体の光学厚さより小さい。
具体的には例えば第1の半導体層はGaAsであり、第2の半導体層はAl0.9GaAsであり、第3の半導体層はAl0.5GaAsである。
また、これら3層のそれぞれの光学的厚さはVCSELの発振波長をλとするとλ/4である。
図10(a)、図10(b)の破線604で囲まれた領域は酸化狭窄層による電流狭窄アパーチャーを表す。この電流狭窄構造は、例えば側面を露出させた高Al組成層を高温水蒸気中で側壁から酸化することにより形成される。
このアパーチャーの中心側に位置する領域(C1とC4領域)が高反射率領域502となっており、周辺部に位置する領域(C6)が低反射率領域504となっているため高次モードの発振が抑制できる。
図11は、この表面レリーフ構造の製造方法を説明する図であり、光出射側から見た表面レリーフ構造の概略図である。
基本的な製法は実施例1と共通であるから、図の簡潔さのために図11ではレジストおよびハードマスクの形状は割愛し、各領域の輪郭を実線で表記するに留める。
第1の半導体層612上にハードマスクおよびレジストを積層し、図11(a)に示すように、マスクパターンをC1およびC2領域に形成し、レジスト除去後、マスクの無い領域C3の第1半導体層612をエッチングする。
C1は2つのC2領域の中間にある。C2領域は最終的にはC6領域の一部となる領域である。C3は最終的にC4またはC6となる領域である。
ここで、C1、C2、C3はそれぞれ図7(a)、(b)のA2、A4、A3領域に相当すると言うことができる。
ここで、C5、C4はC3領域を分割した領域である。このマスクの開口はC1領域、C2領域の一部と重複している。
このマスクおよび図11(a)でのマスクにより、C4領域の第2の半導体層614をエッチングする。
ここで、C1、C2、C4、C5はそれぞれ図7(c)、(d)のA2、A4、A3、A1領域に相当する。
なお、酸化により電流狭窄構造を形成するために、高Al層の側壁を露出させるための溝を掘る場合、
その溝はC4領域と同時に第1半導体層および第2半導体層がエッチングされていると、溝と表面レリーフとを完全に位置合わせできるセルフアラインメントプロセスを得ることができる。
このマスクによって、C2領域の第1の半導体層612をエッチングする。
ここでは第1の半導体層を選択的にエッチングし、第2の半導体層614、第3の半導体層616を少ししかあるいは全くエッチングしないエッチャントを用いる。
この後、マスクを除去することで、図11(d)に示すように、表面レリーフ構造が完成する。
C2とC5を合わせた領域をC6とする。C1とC4は高反射率領域、C6は低反射率領域となる。
図11(a)に示すC1、C2領域に形成するマスクの設計サイズ(図の点線)について、C1の横方向サイズをax、縦方向サイズをay、2つのC2領域の間隔をdxとする。
実際のエッチング領域は、例えばマスクのサイドエッチングなどによって広くなる(図の実線部が実際の境界を表す)。
ここで発生するサイドエッチング量をe1とする。この場合、例えばC1領域のサイズは(ax−2×e1)×(ay−2×e1)ということになる。
この開口部の設計サイズについて縦方向サイズ(すなわちC4領域の縦方向サイズ)をbyとする。ここでも実際の製造過程でC4領域が設計より広がる可能性がある。
ここで発生するサイドエッチング量をe2とする。この場合、2つのC4領域の縦方向サイズはby+2×e2となる。
従って、この表面レリーフ構造の高反射率領域502のサイズは図11(d)に示すようになる。この面積Sは、
S=(ax−2×e1)×(ay−2×e1)+((dx+2×e1)−(ax−2×e1))×(by+2×e2)
となる。
具体的な値として、例えばax=2、ay=4.5、dx=3、by=2.5とし、また0≦e1≦0.5、0≦e2≦0.5とする。サイドエッチングなどによる設計と実際の間で各境界の変動が全くない場合(すなわちe1=e2=0)、S=11.5となる。
また、上記範囲でe1とe2を独立に動かした場合にSが取る値の範囲は、11(e1=0.5、e2=0)≦S≦14(e1=e2=0.5)となる。
このばらつき幅の指標として面積Sの最大値/最小値を計算すると14/11=1.27となる。
従来例の図2(b1)に示す凸型レリーフ構造の場合、高反射率部である中央の領域はサイドエッチングなどによって小さくなる。
例えば、中央領域の形状が正方形とし、1辺が√14=3.74で設計したとすると、中央領域の面積Sは7.5≦S≦14の範囲で変動する。
また、中央領域の形状を円形とし(円形の場合にSの変動幅が最小となる)、半径が√(14/π)=2.11で設計したとすると8.2≦S≦14の範囲で変動する。このときの面積Sの最大値/最小値を計算すると1.71となる。
また、従来例の図2(b2)に示す凹型レリーフ構造の場合、高反射率部である中央の領域はサイドエッチングなどによって大きくなる。
例えば、中央領域の形状が正方形とし、1辺が√11=3.3で設計したとすると、中央領域の面積Sは11≦S≦18.6の範囲で変動する。
また、中央領域の形状を円形とし(円形の場合にSの変動幅が最小となる)、半径が√(11/π)=1.87で設計したとすると11≦S≦17.7の範囲で変動する。面積Sの最大値/最小値を計算すると1.61となる。
この理由は以下のとおりである。本実施例の高反射率領域502は、低反射率領域C6よりもエッチングされていない領域C1と、低反射率領域よりもさらにエッチングされた領域C4からなっている。
そして、C1領域の第3の積層体とC4領域の第1の積層体の一部が、それぞれ低反射率領域であるC6領域の第2の積層体と隣接している。
例えばサイドエッチングにより、第3の積層体と第2の積層体の境界は第3の積層体側に、第1の積層体と第2の積層体の境界は第2の積層体側に移動する。
これによって、高反射率領域において、C1は小さく、C4は大きくなるため面積の増減が両者で相殺する。
したがって、トータルでの高反射率領域の面積変動が従来技術より抑えられるのである。
他の実施例を説明するために、図12のように表面レリーフ構造の領域を定義する。
図6と同じウエハを利用し形成された表面レリーフにおいて、エッチングされていない領域をD3、第1の半導体層612がエッチングされた領域をD2、第1の半導体層612と第2の半導体層614がエッチングされた領域をD1とする。
すなわち、上部多層膜反射鏡上に、D3領域では第3の積層体が、D2領域では第2の積層体が、D1領域では第1の積層体が形成されている。
また、図8と同じウエハを利用し形成された表面レリーフにおいて、エッチングされていない領域をE3、第4の半導体層710がエッチングされた領域をE2、第4の半導体層710と第5の半導体層712がエッチングされた領域をE1とする。
すなわち、上部多層膜反射鏡上に、E3領域では第3の積層体が、E2領域では第2の積層体が、E1領域では第1の積層体が形成されている。
この場合、D1とD3が高反射率領域、D2が低反射率領域となる。
また、E2が高反射率領域、E1とE3が低反射率領域となる。
実施例1および実施例2では、説明の簡単のために表面レリーフ構造の境界は直線で構成した。
しかし、表面レリーフ構造の境界として、図13(a)、(d)のように曲線、例えば円弧を含むほうがより良い場合がある。
例えば、図13(b)、(c)、(e)、(f)に例を示すように、高反射率領域、低反射率領域の分割形状に回転対称性を持たせることがよりよい場合がある。図13(b)、(c)には、それらを前記基板の主面のある法線に対し、2回以上分割形状に回転対称性を持たせた例が示されている。
こうすることで、例えば、VCSEL出射光の遠視野像の強度分布が回転対称性を持ち、一般的に使いやすいビーム形状となる場合がある。
また、例えば、高次モードの光強度分布の腹が来る位置が回転対称性を持つ場合、その位置に高反射率領域または低反射領域の分割境界を持ってくることで、高次モードの散乱がおき、より単一モード化が期待できる場合がある。
なお、VCSEL基本モードを発振させるための中央部を高反射率とし周辺部を低反射率とする表面レリーフ構造においては、中央部領域を分割するほうが、周辺部を分割する場合よりもVCSEL出射光の遠視野像の単峰性を維持できる場合がある。
本発明の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザ(VCSEL)をアレイ状に配列して面発光レーザアレイを構成する場合、全ての素子で表面レリーフ構造をそろえても良いし、アレイの箇所ごとに異なる表面レリーフ構造を配置しても良い。
また、本発明の表面レリーフ構造の材料は半導体に限るものではなく、本発明の範囲内で金属や誘電体などの材料を用いることもできる。
特に、単一モード発振する面発光レーザ(VCSEL)は、電子写真技術、光通信技術、その他各分野で有用な光源である。
114:上部多層膜反射鏡
502:高反射率領域
504:低反射率領域
604:破線
612:第1の半導体層
614:第2の半導体層
616:第3の半導体層
Claims (5)
- 基板上に、下部多層膜反射鏡、活性層、上部多層膜反射鏡を有し、該上部多層膜反射鏡上に光出射領域における中央部に周辺部よりも高い高反射率領域を形成した表面レリーフ構造を備え、横モード制御が可能に構成された発振波長λの面発光レーザであって、
前記表面レリーフ構造は、
前記上部多層膜反射鏡の上に、第1の積層体による領域と、該第1の積層体よりも光学的厚さが大きい第2の積層体による領域と、該第1の積層体および該第2の積層体よりも光学的厚さが大きい第3の積層体による領域と、
を備えていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記面発光レーザの発振波長λに対し、前記第1の積層体による領域の光学厚さと前記第3の積層体による領域の光学厚さの差が、λ/4より大きいことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記第1の積層体による領域と前記第3の積層体による領域で形成された前記中央部における高反射率領域の反射率が、前記第2の積層体による領域で形成された周辺部の反射率よりも高い反射率を有し、
または、前記第2の積層体による領域で形成された前記中央部における高反射率領域の反射率が、
前記第1の積層体による領域と前記第3の積層体による領域で形成された周辺部の反射率よりも高い反射率を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の面発光レーザ。 - 前記基板の主面のある法線に対し、前記第1の積層体による領域と前記第3の積層体による領域が、2回以上分割形状に回転対称性を持たせて配されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の面発光レーザを、アレイ状に配列して構成されていることを特徴とする面発光レーザアレイ。
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