JP2011054588A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置において、リードと封止体（モールド封止体）の密着性を向上させ、剥離を起こさない半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ５と、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリード３と、前記半導体チップを封止する封止体２とを備えた半導体装置において、リード３と封止封止体（モールド封止体）の密着性を向上させるため、リード３の表面材料と封止体２の組合せとして、格子整合性の良い材料の組合せを用い、アセン類を主構材料とする封止体２を用いる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、有機物を半導体チップを封止する封止体として使用する構造を有する半導体装置およびその製造に適用して有効な技術に関するものである。
特許文献１（特開平９−１９５０６８号公報）には、Ｃｕ合金からなるリード母材に下地めっきとしてＣｕストライクめっきをした後にワイヤボンディング用ないしダイボンディング用の銀，金，パラジウムなどを部分めっきし、リードが接続された半導体チップを封止体等で封止する方法が公開されている。また、特許文献２（特開２００３−２８２７９８号公報）には、放熱性を向上させるために、熱伝導率の高い熱硬化性樹脂をマトリックスとし、無機セラミックス粉末をフィラー（充填材）とした封止体を用いる半導体装置が開示されている。
特開平９−１９５０６８号公報 特開２００３−２８２７９８号公報
近年の携帯機器の発達に伴い、高性能化，小型軽量化のニーズから、半導体装置における実装密度がますます増大してきている。それに従い、パッケージ構造も、ＤＩＰ（Dual Inline Plastic Package），ＳＯＰ（Small Outline Plastic Package），ＳＯＪ（Small Outline J-lead Plastic Package），ＱＦＰ（Quad Flat Plastic Package），ＴＳＯＰ（Thin Small Out-line Plastic package），ＴＳＯＪ（Thin Small Outline J-lead Plastic Package），ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Plastic Package）とさまざまな構造が開発されている。こうした中で、チップの発熱密度が増加してきているため、特許文献２（特開２００３−２８２７９８号公報）に記載されているような熱伝導率の高い熱硬化性樹脂をマトリックスとし、無機セラミックス粉末をフィラー（充填材）とした封止体を用いても、十分な放熱性が確保できなくなってきている。
そこで、本発明の目的は、放熱性を向上させた半導体装置を提供することにある。また、本発明の目的は、放熱性を向上させた半導体装置の製造方法を提供することにある。
半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置において、発明者らは、放熱性を向上させるための手段を得るために鋭意研究を行った結果、リードの表面材料と封止体用マトリックス有機物の組合せとして、リード表面材料と封止体マトリックス有機物の界面部ヤング率が、リード表面材料のヤング率よりも小さく、封止体用マトリックス有機物のヤング率よりも大きくなるような組合せを用いることが有効であることを見出した。また、封止体用マトリックス有機物とその中に充填材（フィラー）として含有させる無機セラミックス粉末の組合せとして、無機セラミックス粉末と封止体用マトリックス有機物の界面部ヤング率が、無機セラミックス粉末のヤング率よりも小さく、封止体用マトリックス有機物のヤング率よりも大きくなるような組合せを用いることが有効であることを見出した。
具体的には、
（１）半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とす る複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置におい て、前記封止体としてアセン類をマトリックス有機物とする材料を用いることが有効 である。
（２）半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とす る複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置におい て、前記封止体としてテトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なく ともひとつのアセン類をマトリックス有機物とする材料を用いることが有効である。
（３）半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とす る複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置におい て、前記封止体としてテトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なく ともひとつのアセン類をマトリックス有機物とする材料を用い、前記封止体に無機セ ラミックス粉末をフィラー（充填材）として含有させることが有効である。
（４）半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とす る複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置におい て、前記封止体としてテトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なく ともひとつのアセン類をマトリックス有機物とする材料を用い、前記封止体に窒化ホ ウ素，窒化アルミニウムの群から選ばれる少なくともひとつからなる無機セラミック ス粉末をフィラー（充填材）として含有させることが有効である。
（５）半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とす る複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置におい て、前記封止体としてテトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なく ともひとつのアセン類をマトリックス有機物とする材料を用い、前記アセン類が持つ ＣＨのボンドのうち１２％以上８５％以下をＣＯＯＨ，ＣＯＨ，ＣＮＨ2，ＣＳに置 き換え、前記封止体に窒化ホウ素，窒化アルミニウムの群から選ばれる少なくともひ とつからなる無機セラミックス粉末をフィラー（充填材）として含有させることがさ らに有効である。
（６）半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とす る複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備え、前記複数のリード のそれぞれの一部が前記封止体から露出するアウターリード部分と封止体に埋め込ま れたインナーリード部分を有する半導体装置において、前記封止体としてテトラセン ，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なくともひとつのアセン類をマトリッ クス有機物とする材料を用い、前記アセン類が持つＣＨのボンドのうち１２％以上８ ５％以下をＣＯＯＨ，ＣＯＨ，ＣＮＨ2，ＣＳに置き換え、前記封止体に窒化ホウ素 ，窒化アルミニウムの群から選ばれる少なくともひとつからなる無機セラミックス粉 末をフィラー（充填材）として含有させ、さらに前記封止体にエポキシ樹脂，ポリエ ステル樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂の群から選ばれる少なくともひとつから なる樹脂を添加物として含有させ、前記インナーリード部分の表面材料に銅またはパ ラジウムを主構成材料とする材料を用いることがさらに有効である。
本発明によれば、放熱性を向上させ、不良を起こさない半導体装置を提供できる。また、本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置を提供できる。さらに、本発明の目的は、歩留りの高い半導体製造方法を提供することができる。
本発明の実施の形態１における半導体装置の外観を示す図である。 図１のＡ−Ｂ線で切断した断面を示す断面図である。 図２に示す半導体装置に形成されているタブの一部を拡大した断面図である。 図３の周囲を含めて詳細に示した従来構造の図である。 従来構造について、ヤング率の関係を説明する図である。 図３の周囲を含めて詳細に示した本発明の構造を示す図である。 本発明の構造について、ヤング率の関係を説明する図である。 本発明の界面のヤング率に対する効果を示す図である。 本発明の界面の熱伝導率に対する効果を示す図である。 本発明の界面のヤング率に対する効果を示す図である。 本発明の界面の熱伝導率に対する効果を示す図である。 本発明のペンタセンＣＨボンド置換率と誘電率の比を示す図である。 実施の形態１における半導体装置の製造工程を示す図であって、ダイシングを説明する図である。 図１３に続く半導体装置の製造工程を示す図であって、リードフレーム上に半導体チップを搭載する工程を示す図である。 図１４に続く半導体装置の製造工程を示す図であって、半導体チップとリードとをワイヤで電気的に接続する工程を示す図である。 図１５に続く半導体装置の製造工程を示す図であって、半導体チップを樹脂で封止する工程を示す図である。 実施の形態１における半導体装置の外観を示す図である。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例，詳細，補足説明等の関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数，数値，量，範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状，位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
以下、本発明の実施の形態を図に示した実施例により詳細に説明する。
まず、本発明における第一の実施例である半導体装置の斜視図を図１に示す。また、図１のＡ−Ｂ線で切断した断面図を図２に示す。本実施例における半導体装置のパッケージ形態は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）である。
図１に示すように、本実施の形態１における半導体装置１は、有機物をマトリックス材料とする封止体２で覆われており、この封止体２の四側面からリード３が突出している。リード３は、Ｌ字型に曲げられた構造をしている。
また、図２に示すように、リード３は、封止体２の側面から突出しているアウターリード３ａと封止体２の内部に形成されているインナーリード３ｂから構成されている。左右のインナーリード３ｂで挟まれた（複数のインナーリード３ｂで囲まれた）中央部には、タブ４が形成されており、このタブ４上に半導体チップ５が配置されている。半導体チップ５には、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）などの回路素子や配線が形成されており、最上層にボンディングパッド５ａが形成されている。ボンディングパッド５ａ上は、ワイヤ６と接続されており、このワイヤ６はインナーリード３ｂに接続されている。
図３は、図２の領域Ｃを拡大した図である。すなわち、図３は、封止体２に埋め込まれているタブ４を拡大した断面図である。また、インナーリード３ｂを拡大した断面図も図３と同様である。図３に示すように、タブ４の表面（裏面も含む）には、表面層１０が形成されている。また、インナーリード３ｂの表面（裏面も含む）にも表面層１０が形成されている。タブ４およびリード３は銅，銅合金，ニッケル合金，鉄合金を主構成材料として構成されている。尚、ここで、主構成材料とは最も多く含有されている材料を意味する。表面層１０は、銅，パラジウム，ニッケル，白金，ルテニウム，金，銀等を主構成材料とする。本発明では、以下に説明するように、タブ４およびインナーリード３ｂの表面（裏面も含む）から封止体２への放熱性を向上させるために、ナフタレン，アントラセン，テトラセン，ペンタセン，ヘキサセン等のアセン類を封止体２のマトリックス材料とする。また、さらに放熱性を向上させるために、フィラー（充填材）として、窒化ボロン，窒化アルミニウムを含有させる。
図４は図３の周囲を含めて詳細に示した従来構造の図であるが、従来は、マトリックス材料２０１としては、エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂等が用いられていたが、マトリックス材料２０１とタブ４およびインナーリード３ｂの表面（裏面も含む）との界面で熱の伝導がうまくいかず、近年増大してきているチップの発熱密度に対しては放熱性が十分ではなくなってきた。発明者らは、従来構造において放熱性が十分に高くない原因を探るために鋭意研究を行い、図４に示すような次の関係を見出した。すなわち、タブ４およびインナーリード３ｂの表面材料である銅やパラジウム等の金属のヤング率Ｅｍ（簡単には原子間をつなぐバネのバネ定数）は数十ＧＰａ以上と大きく、エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂等の樹脂のヤング率Ｅｒは数ＧＰａと小さいが、これらの金属と樹脂の界面のヤング率Ｅｒｍは、樹脂の１０分の１程度となり、樹脂よりも小さなヤング率となってしまうことが界面での熱伝導が低い原因であることを見出した。つまり、図５に示すように、界面でのヤング率Ｅｒｍが極めて小さいために（バネ定数が極めて小さいために）、バネが熱振動を伝えにくいことを見出した。さらには、従来、マトリックス材料２０１として用いられてきたエポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂等とフィラー２０２（シリカやアルミナのような無機セラミックス粒子）の界面における熱伝達も十分ではなくなってきた。発明者らは、この原因を解明するための研究も行い、次のことを見出した。すなわち、図４に示すように、フィラーとして用いられてきたシリカやアルミナのような無機セラミックス粒子のヤング率Ｅｃが数十ＧＰａ以上と大きく、エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂等の樹脂のヤング率Ｅｒは数ＧＰａと小さいが、これらの無機セラミックス粒子と樹脂の界面のヤング率Ｅｒｃは、樹脂の１０分の１程度となり、樹脂よりも小さなヤング率となってしまうことが界面での熱伝導が低い原因であることを見出した。つまり、図５に示すように、界面でのヤング率Ｅｒｃが極めて小さいために（バネ定数が極めて小さいために）、バネが熱振動を伝えにくいことを見出した。以上の原因解明に基づき、発明者らは、図６に示すような良好なヤング率の関係を達成できるような材料構成を見出すための研究を行った。良好なヤング率の関係とは、図６，図７に示すように、タブ４およびインナーリード３ｂの表面材料である金属とマトリックス材料２０１の界面のヤング率Ｅｏｍが、タブ４およびインナーリード３ｂの表面材料である金属のヤング率Ｅｍとマトリックス材料２０１のヤング率Ｅｏの中間となるような関係である。発明者らが鋭意研究した結果、ナフタレン，アントラセン，テトラセン，ペンタセン，ヘキサセン等のアセン類を封止体２のマトリックス材料とすることで、良好なヤング率の関係が達成でき、放熱性が良好となることを見出した。この効果を図８に示す。アセン類をマトリックス材料２０１として用いた場合には、従来、マトリックス材料として用いられてきたエポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂等の樹脂を用いるよりも、界面のヤング率が大きくなり、金属（図８では銅）のヤング率（数十ＧＰａ以上）とマトリックス材料（数ＧＰａ程度）の中間程度の値となっていることが図８からわかる。また、図９からわかるように、アセン類をマトリックス材料２０１として用いた場合には、従来、マトリックス材料として用いられてきたエポキシ樹脂，ポリエステル樹脂等の樹脂を用いるよりも、界面の熱伝導率が桁違いに高くなる。なお、図８，図９は、金属が銅の場合の結果であるが、他の金属についても同様の効果が得られる。また、同じ金属でも、めっき条件など形成方法の違いによって、ヤング率や熱伝導率が変わるが、それでも図８，図９と同様の効果が得られる。なお、特に効果が高いアセン類はこれらの図からわかるように、テトラセン，ペンタセン，ヘキサセンである。
前述の他に、アセン類からなるマトリックス材料２０１とフィラー２０２の界面のヤング率を良好にするフィラー材料として、窒化ボロン，窒化アルミニウムが有効であることを見出した。この効果を図１０に示す。また、界面の熱伝導率に対する効果を図１１に示す。これらの図から、シリカ，アルミナよりも、酸化チタン，酸化ジルコニウム，酸化ハフニウムが良好であり、窒化ボロン，窒化アルミニウムがさらに良好であることがわかる。窒化ボロン，窒化アルミニウムを用いると、図１０のような良好なヤング率の関係により、熱伝導だけではなく、封止体の強度が向上する効果も得られる。
以上の他に、図１２のように、アセン類（この図ではペンタセン）が持つＣＨのボンドのうち１２％以上８５％以下をＣＯＯＨ，ＣＯＨ，ＣＮＨ2，ＣＳに置き換えると誘電率が下がることがわかった。誘電率が下がったほうが電気的な配線遅延が抑制されるので、電気特性としてはより好ましい。なお、図１２では、置き換えを行う前の誘電率を１として表示している。また、図１２は、アセン類のうちでペンタセンを用いた場合の図であるが、他のアセン類を用いた場合にも同様の効果が得られた（図は省略）。
アウターリード３ａにスズ（錫，Ｓｎ）を主構成材料とするめっき膜を形成する場合が従来からあるが、これは次のような理由によるものであり、本実施例においてもあるほうが好ましい。図１に示す半導体装置１は、実装基板上に実装されるが、このとき、実装基板上に形成されている端子と半導体装置１に形成されているリード３が電気的に接続される。この端子とリード３との電気的な接続には、半田が用いられる。したがって、銅よりなるリード３を直接端子と半田で接続することも可能であるが、リード３の半田に対する濡れ性を向上させるために、リード３の表面にめっき膜１０が形成されるのである。このようにリード３の表面にめっき膜１０を形成することにより、リード３と半田との間の濡れ性が向上し、半田を介したリード３と実装基板上の端子との接続信頼性を向上することができる。めっき膜１０には、半田との濡れ性が良好なスズを主材料とする膜が使用される。さらに、リード３の表面にめっき膜１０を形成することにより、リード３の腐食防止および酸化防止を図ることができる。
次に、本実施の形態１における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態１のパッケージ形態としてＱＦＰについて説明したが、以下に示す製造方法ではＱＦＰと同じ表面実装型のパッケージ形態であるＳＯＰ（Small Outline Package）について説明する。パッケージ形態がＱＦＰやＳＯＰであっても基本的な製造工程は同様である。
まず、図１３において、半導体ウェハ２０を用意する。半導体ウェハ２０は複数のチップ領域に区分けされており、複数のチップ領域のそれぞれにＬＳＩ（Large Scale Integration Circuit）が形成されている。ＬＳＩはいわゆるウェハプロセス（前工程）で形成される。続いて、ブレード２１によって半導体ウェハ２０を切断する。すなわち、半導体ウェハ２０をチップ領域単位で切断することにより、半導体チップを取得する。一方、半導体チップを搭載するためのリードフレームを用意する。このリードフレーム２２は、例えば、銅を主材料としている。続いて、リードフレームに形成されているリードの表面にめっき膜を形成する。このめっき工程で本実施の形態１における技術的思想が具現化される。例えば、上述したように、リードの表面にまず、電界めっき法により金膜を形成する。その後、金膜上に電解めっき法でスズを主材料とするめっき膜を形成する。
そして、図１４に示すように、めっき処理したリードパターンが形成されているリードフレーム２２のタブ上に半導体チップ２０ａを搭載する。半導体チップ２０ａは、ダイボンダによりリードフレーム２２に形成されているタブ上に搭載される。
次に、図１５に示すように、タブ上に搭載した半導体チップ２０ａに形成されているパッド（図示せず）と、リードフレーム２２に形成されている複数のリード（インナーリード）をワイヤ２３により接続する。ワイヤ２３はキャピラリを使用することによりパッ
ドとリードとを接続する。
その後、図１６に示すように、リードフレーム２２に搭載された半導体チップ２０ａとインナーリードを含む領域を封止体２４によって封止する。封止体２４による封止は、半導体チップ２０ａを外力による衝撃や水分の浸入から保護するために行われる。封止体２４は、例えば、図７に示されるマトリックス材料２０１であるアセン類とフィラーである無機セラミックス粉末２０２を溶かした１，２，４−トリクロロベンゼンまたは３，４−ジクロロトルエンを塗布した後、１８０〜２００℃の温度で加熱して溶剤を蒸発させることにより行う。なお、この後さらに、従来用いられていたセラミックフィラー入りエポキシ樹脂やポリエステル樹脂を、熱伝導性が悪くならない１００ミクロン程度以下に薄く塗布して１３０〜２００℃の温度で熱硬化させることにより、絶縁性の高い構造を形成するとさらに良い。
次に、リードフレーム２２から封止体２４で封止した封止体を個片化する。これにより、図１７に示す半導体装置２５を得ることができる。半導体装置２５は、封止体２４による封止体と、この封止体から突出しているリード（アウターリード）２６から構成される。そして、封止体から突出しているリード２６の表面にめっき膜（図示せず）が形成されている。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
本発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。
１，２５ 半導体装置
２，２４ 封止体
３，２６ リード
３ａ アウターリード
３ｂ インナーリード
４ タブ
５，２０ａ 半導体チップ
５ａ ボンディングパッド
６，２３ ワイヤ
１０，１５ めっき膜
２０ 半導体ウェハ
２１ ブレード
２２ リードフレーム
２０１ マトリックス有機物
２０２ セラミックス粉末
ａ，ｂ，ｃ 結晶軸
Ｌ，Ｐ 間隔

Claims (13)

  1. 半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置において、前記封止体がアセン類をマトリックス材料とすることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記封止体が、テトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なくともひとつのアセン類をマトリックス材料とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記封止体が、無機セラミックス粉末をフィラーとして含有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  4. 前記封止体が、窒化ホウ素，窒化アルミニウムの群から選ばれる少なくともひとつからなる無機セラミックス粉末をフィラーとして含有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
  5. 前記アセンが持つＣＨのボンドのうち１２％以上８５％以下がＣＯＯＨ，ＣＯＨ，ＣＮＨ2，ＣＳに置き換えることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
  6. 前記封止体が、エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂の群から選ばれる少なくともひとつからなる樹脂を添加物として含有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
  7. 半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置において、前記封止体がアセン類を主構成材料とし、前記複数のリードのそれぞれの一部が前記封止体から露出するアウターリード部分と封止体に埋め込まれたインナーリード部分を有し、かつ前記インナーリード部分の表面材料が銅またはパラジウムを主構成材料とすることを特徴とする半導体装置。
  8. 前記封止体が、テトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なくともひとつのアセン類をマトリックス材料とすることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
  9. 前記封止体が、無機セラミックス粉末をフィラーとして含有することを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
  10. 前記封止体が、窒化ホウ素，窒化アルミニウムの群から選ばれる少なくともひとつからなる無機セラミックス粉末をフィラーとして含有することを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
  11. 前記アセン類が持つＣＨのボンドのうち１２％以上８５％以下がＣＯＯＨ，ＣＯＨ，ＣＮＨ2，ＣＳに置き換えることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
  12. 前記封止体が、エポキシ樹脂，ポリエステル樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂の群から選ばれる少なくともひとつからなる樹脂を添加物として含有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
  13. （ａ）金属を主構成材料とするリードフレームを用意する工程と、
    （ｂ）前記リードフレームに形成されている複数のリードの表面に、銅またはパラジウムを主構成材料とするめっき膜を３５℃以上で形成する工程と、
    （ｃ）前記リードフレームのタブ上に半導体チップを搭載する工程と、
    （ｄ）前記半導体チップと、前記リードフレームに形成されている前記複数のリードと
    をワイヤで接続する工程と、
    （ｅ）前記半導体チップの周囲に、アセン類をマトリックス材料とする封止体が溶けた１，２，４−トリクロロベンゼンまたは３，４−ジクロロトルエンを塗布する工程と、
    （ｆ）１８０〜２００℃の温度で加熱して封止体を形成する工程と、
    （ｇ）前記リードフレームを切断して前記封止体を個片化する工程とを備え、
    前記アセン類がテトラセン，ペンタセン，ヘキサセンの群から選ばれる少なくともひとつであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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