JP2011046780A - 蛍光体の製造方法及び蛍光体 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光効率が良く、粒径が微細なAlN:Eu,Si蛍光体の生産性を向上させる。
【解決手段】原料粉末としてα型窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピュウム粉末を用いて窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下合成されたAlN:Eu,Si蛍光体を粉砕し、粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体に純度99.999%、平均粒径が10μmで、且つ球形の高純度カーボンを混合してアニール処理を行うことで得られる。
【選択図】図1
【解決手段】原料粉末としてα型窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピュウム粉末を用いて窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下合成されたAlN:Eu,Si蛍光体を粉砕し、粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体に純度99.999%、平均粒径が10μmで、且つ球形の高純度カーボンを混合してアニール処理を行うことで得られる。
【選択図】図1
Description
本発明は、FED(Field Emission Display:電界放出ディスプレイ)やLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)などに用いられるAlN:Eu,Si蛍光体の製造方法及び該製造方法により作製された蛍光体に関するものである。
従来から、蛍光体は、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、白色発光ダイオード(LED)などに用いられている。これらの何れの用途においても、蛍光体を発光させるためには、蛍光体を励起するためのエネルギーを蛍光体に供給する必要があり、蛍光体は真空紫外線、紫外線、電子線、青色光などの高いエネルギーを有した励起源により励起されて、可視光線を発する。
しかしながら、蛍光体は上記のような励起源に曝される結果、蛍光体の輝度が低下するという問題があり、輝度低下のない蛍光体が求められている。そのため、従来のケイ酸塩蛍光体、リン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、硫化物蛍光体などの蛍光体に代わり、輝度低下の少ない蛍光体として、サイアロン蛍光体が提案されている。
サイアロン蛍光体の一例は、概ね以下に述べるような製造プロセスによって製造される。まず、窒化ケイ素(Si3 N4 )、窒化アルミニウム(AlN)及び酸化ユーロピュウム(Eu2 O3 )を所定のモル比に混合し、1気圧(0.1MPa)の窒素含有雰囲気中において1200℃〜2200℃の温度で1時間保持してホットプレス法により焼成して製造される。このプロセスで得られるEuイオンを賦活したαサイアロンは、450nmから500nmの青色光で励起されて550〜600nmの黄色の光を発する蛍光体となることが報告されている。
また、例えば下記特許文献1又は2に開示されるように、別のサイアロン蛍光体としてβ型サイアロン蛍光体も知られている。
製造方法としては、原料粉末としてα型窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピュウム粉末をそれぞれ秤量し、窒化ケイ素焼結体製のポットと窒化ケイ素焼結体製のボールとn−ヘキサンを用いてボールミルにより混合して乾燥後、混合粉体の乾燥物を得る。次に、得られた混合物を乳鉢と乳棒を用いて粉砕した後、ふるいを通して得られる粉体凝集体を窒化ホウ素製ルツボに自然落下させて入れ、ルツボを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした後、拡散ポンプにより炉内を真空にして800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入する。そして、ガス圧力を1MPaとして毎時500℃で約2000℃まで昇温して8時間保持することで、β型サイアロンであるAlN:Eu,Si蛍光体を得ることができる。
ところで、FED等のフルカラーディスプレイの蛍光面は、三原色の蛍光体を微細なドット状に形成し、これらの蛍光体を発光させて画像を表示している。そして、近年では、より高精細な画像表示が要求されており、蛍光体ドットもより小さく形成する必要がある。しかしながら、小さなドットを形成するには、蛍光体自体も小さくしなければドットパターンの形成が困難であり、ドット形成が不均一となった場合は、輝度低下とともにドット間の輝度のばらつきによる画質悪化を招いていた。
そのため、例えば対角8インチの通常テレビ画面(640×480ドットVGAサイズ)を形成する場合、およそ80μm幅の蛍光体ドットを形成する必要があるが、実用上は蛍光体の粒子サイズをドット幅の1/10以下、すなわち蛍光体の粒径を8μm以下にすることが望まれている。
また、フルカラーディスプレイにおける画質向上及び高精細化には、さらに蛍光体の粒径を微細化しなけらばならず、FED用の緑色発光用Y2 SiO5 :Tb蛍光体、及び赤色発光用Y2 O3 :Eu蛍光体の平均粒径は4μm程度のため、青色発光用であるAlN:Eu,Si蛍光体も同サイズにする必要がある。
しかしながら、緑色及び赤色発光蛍光体の平均粒径が3〜4μmであるのに対して、高温高圧下で合成するAlN:Eu,Si蛍光体は粒径が20〜30μmと成長するため、合成後に粉砕する必要があるが、粉砕による蛍光体結晶の破壊により発光効率が低下するという問題があった。
従って、合成した蛍光体結晶を粉砕した後に焼成温度より低い温度で再加熱する処理(アニール処理)を行うことで発光効率を回復しているが、発光効率を維持しながらアニール処理を行うためには焼成用のルツボに仕込む量が少量に限られてしまい、莫大な生産コストが掛かってしまうという問題があった。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、蛍光体粒子の微細化による粉砕後であっても発光効率を維持しながらアニール処理時のルツボ仕込み量を増量することのできる蛍光体の製造方法及び蛍光体を提供することを目的とするものである。
上記した目的を達成するために、請求項1記載の蛍光体の製造方法は、AlN窒化物結晶に、窒化珪素、酸化ユーロピュウムを窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成して合成されたAlN:Eu,Si蛍光体を粉砕し、該粉砕されたAlN:Eu,Si蛍光体に高純度カーボンを混合してアニール処理を施すことを特徴とする。
請求項2記載の蛍光体の製造方法は、請求項1記載の蛍光体の製造方法において、前記高純度カーボンは、純度が99.999%以上で、且つ球形を成していることを特徴とする。
請求項3記載の蛍光体は、請求項1又は2記載の蛍光体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
本発明の蛍光体の製造方法によれば、アニール処理時に粉砕したAlN:Eu,Si蛍光体に対して高純度カーボンを0.03〜0.1wt%の範囲で投入することで、AlN:Eu,Si蛍光体の残存酸素が還元されるため、粉砕前の合成品と略同等まで発光効率を回復させることができる。また、製造時のルツボ仕込み量が従来に比べて増量することが可能となるため、生産効率の向上に伴い生産コストを大幅に減少させる効果を奏することができる。
さらに、このように作製された蛍光体は、発光効率を維持したままFED用の緑色発光用Y2 SiO5 :Tb蛍光体、及び赤色発光用Y2 O3 :Eu蛍光体の平均粒径と略同等の粒径にまで微細化することができるため、例えばFEDなどのフルカラーディスプレイにおける画質向上及び高精細化に最適な蛍光体を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、この形態に基づいて当業者等によりなされる実施可能な他の形態、実施例及び運用技術等はすべて本発明の範疇に含まれる。
本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、上述した特許文献1に開示される製法に基づき合成したAlN:Eu,Si蛍光体をエタノール中で湿式粉砕することで、AlN:Euの酸素量が激増することを酸素分析結果によって確認した(図2を参照)。その結果、アニール処理時にルツボ内に投入する蛍光体の仕込み量を増大すると発光効率が回復できない原因として、アニール処理前の粉砕処理により蛍光体の活性面が現れ、この活性面からエタノール中及び大気中の水分との加水分解が起こり酸素量が増加することが推察された。そこで、アニール処理時に処理できない残留酸素量の増加原因や仕込み量の増加に伴う発光効率の低下について検討した結果、アニール処理時に残存酸素量を抑制させる条件があることを見いだした。
具体的には、原料粉末としてα型窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム粉末、酸化ユーロピュウム粉末を用いて上述した特許文献1に開示される製造方法により窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下(好ましくは2000℃付近)で合成されたAlN:Eu,Si蛍光体をボールミル、ローラミル、ジェットミル等で機械的に粉砕し、乾燥した後、粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体に高純度カーボンを混合してアニール処理を行う。なお、アニール処理は、合成時と同温度では再び蛍光体粉末の粒径が成長してしまい、低すぎるとアニール効果が得られないため、蛍光体合成段階(焼成時)よりも100〜200℃程度低い温度で焼成を行う。
このようにして作製された蛍光体は、高純度カーボンによって加水分解したAlN:Euの酸素が還元除去されるため、蛍光体の粒径が微細になるとともに、アニール処理後の発光効率を粉砕前と略同等にまで回復することがわかった。
アニール処理時に投入される高純度カーボンとしては、発光に関与しない不純物によって発光が阻害される虞があるため、純度99.999%以上が好ましい。また、高純度カーボンの形状としては、酸素の還元効果が最適となる平均粒径が10μm以下若しくは平均粒径が120μm、さらに形状は球形状(好ましくは真球形状)のものが良い。なお、平均粒径10μm以下の高純度カーボンと平均粒径120μmの高純度カーボンとでは、所望の発光効率まで回復させるためのルツボの仕込み量が異なるが、加熱温度等のその他の条件は同様でよい。
さらに、アニール時に混合される高純度カーボンの量は、混合量が0.01wt%以下では製造安定性が悪化して発光効率が粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体と同程度となってしまい、混合量が0.25wt%以上では混合量の7〜8割が残留して発光がカーボンに吸収されて発光効率が粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体と同程度になってしまう。
従って、粉砕前の発光効率を維持し、且つアニール焼成後にほぼ酸化燃焼によって消失する量として、ルツボ内に投入される粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体に対して0.03〜0.1wt%の範囲で高純度カーボンを投入するのが好適である。
従って、粉砕前の発光効率を維持し、且つアニール焼成後にほぼ酸化燃焼によって消失する量として、ルツボ内に投入される粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体に対して0.03〜0.1wt%の範囲で高純度カーボンを投入するのが好適である。
以上説明したように、上述した蛍光体の製造方法は、本発明の蛍光体の製造方法によれば、合成したAlN:Eu,Si蛍光体を粉砕してアニール処理する際に、粉砕したAlN:Eu,Si蛍光体に対して高純度カーボンを0.03〜0.1wt%の範囲で投入することで、AlN:Eu,Si蛍光体の残存酸素が還元されるため、粉砕前の合成品と略同等まで発光効率を回復させることができる。また、製造時のルツボ仕込み量が従来に比べて増量することが可能となるため、生産効率の向上に伴い生産コストを大幅に減少させる効果を奏することができる。
さらに、このように作製された蛍光体は、合成時の発光効率を維持したままFED用の緑色発光用Y2 SiO5 :Tb蛍光体、及び赤色発光用Y2 O3 :Eu蛍光体の平均粒径と略同等の粒径にまで微細化することができるため、フルカラーディスプレイにおける画質向上及び高精細化に最適な蛍光体を提供することができる。
[実施例]
以下、本発明に係る蛍光体を製造工程に沿って具体的に説明する。なお、下記実施例は本発明を限定するものではなく、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
以下、本発明に係る蛍光体を製造工程に沿って具体的に説明する。なお、下記実施例は本発明を限定するものではなく、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
<AlN:Eu,Si蛍光体の合成>
このAlN:Eu,Si蛍光体に関する合成方法については、例えば特許文献1に開示されるような公知の合成方法に基づき作製した。
原料混合物としての原料粉末は、以下の通りに秤量した。
・窒化アルミニウム粉末(トクヤマ製Eグレード):93.1重量%
・α型窒化珪素粉末(宇部興産製SE−E10グレード):5.54重量%
・酸化ユーロピュウム(信越科学工業製純度99.9%):1.64重量%
このAlN:Eu,Si蛍光体に関する合成方法については、例えば特許文献1に開示されるような公知の合成方法に基づき作製した。
原料混合物としての原料粉末は、以下の通りに秤量した。
・窒化アルミニウム粉末(トクヤマ製Eグレード):93.1重量%
・α型窒化珪素粉末(宇部興産製SE−E10グレード):5.54重量%
・酸化ユーロピュウム(信越科学工業製純度99.9%):1.64重量%
次に、エタノールを溶媒として使用し、これらの原料を窒化珪素製等のボールミルで2時間湿式混合した。ロータリーエバポレータによりエタノールを除去し、混合粉体の乾燥物を得た。この粉体凝集体を直径20mm高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製ルツボに自然落下させて充填し、このルツボを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。
焼成操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入してガス圧力を1MPaとし、毎時500℃で約2000℃まで昇温して8時間保持して、AlN:Eu,Si蛍光体を得た。
得られた蛍光体をメノウ乳鉢等により凝集を解し、レーザ回折式粒度分布測定により平均粒子径を測定した結果、図1に示すように平均粒径は19.4μmであり、発光効率は2.3(lm/W)であった。
<粉砕処理>
上記のように得られたAlN:Eu,Si蛍光体をボールミルで機械的に粉砕する。粉砕時にはエタノールを溶媒として使用した。粉砕後、スリラー分離、回収を行い、さらに遠心分離により溶媒を除去し、乾燥させる。
上記のように得られたAlN:Eu,Si蛍光体をボールミルで機械的に粉砕する。粉砕時にはエタノールを溶媒として使用した。粉砕後、スリラー分離、回収を行い、さらに遠心分離により溶媒を除去し、乾燥させる。
粉砕処理後のAlN:Eu,Si蛍光体は、図1に示すように平均粒径が6.4μmであり、発光効率が1.4(lm/W)であった。また、図2に示すように粉砕後のAlN:Eu,Si蛍光体は、合成後のAlN:Eu,Si蛍光体に比べて酸素量が激増していた。
<アニール処理>
粉砕、乾燥後のAlN:Eu,Si蛍光体を解し、窒化ホウ素製ルツボに充填し、高純度カーボンをAlN:Eu,Si蛍光体に対して0.1wt%を混合し、1900℃で6時間焼成して加水分解したAlN:Euの酸素を還元除去した。
粉砕、乾燥後のAlN:Eu,Si蛍光体を解し、窒化ホウ素製ルツボに充填し、高純度カーボンをAlN:Eu,Si蛍光体に対して0.1wt%を混合し、1900℃で6時間焼成して加水分解したAlN:Euの酸素を還元除去した。
アニール処理後のAlN:Eu,Si蛍光体は、図1に示すように平均粒径が8.1μmであり、発光効率が2.1(lm/W)であった。また、図2に示すように、アニール処理後のAlN:Eu,Si蛍光体は、合成後のAlN:Eu,Si蛍光体に比べて酸素量が略同等であった。
図3は工程毎の酸素量及び発光効率を示すグラフである。図示のように、従来のアニール処理後と本実施例のアニール処理後を比べると、ルツボの仕込み量を約6倍以上増量した場合であっても、AlN:Eu,Si蛍光体の酸素量は減少し、発光効率は粉砕前の合成品と略同等まで回復していた。すなわち、アニール処理時に高純度カーボンを投入したことにより残存酸素が還元除去されていることを示している。
図4は発光効率とカーボン混合量との関係を示すグラフ、図5はカーボン混合量に対する酸素・炭素濃度と発光効率との関係を示すグラフである。図4、5に示すように、高純度カーボンの混合量と発光効率との関係は、0.01wt%以上1wt%以下で従来よりも発光効率を向上させることができ、発光効率と残存酸素量を考慮した最適な混合量としては図4に示すように0.03〜0.1wt%の範囲であった。また、AlN:Eu,Si蛍光体に対して高純度カーボンを0.25wt%以上混合しても残存酸素量は変わらず、残存炭素量のみ増大した。
また、図4に示すように、平均粒径120μmの高純度カーボンを使用した場合であっても、下記表1に記載されたカーボン量をアニール処理時にルツボへ仕込むことで、平均粒径10μmの高純度カーボンと同等の発光効率まで回復させることができた。なお、平均粒径10μmの高純度カーボンと平均粒径120μmの高純度カーボンとでは、アニール処理時におけるルツボへの仕込み量が異なる(平均粒径120μmの高純度カーボンの方がルツボへの仕込み量が増加)傾向にあるが、加熱温度等のその他の実施条件は、上述した「AlN:Eu,Si蛍光体の合成」、「粉砕処理」、「アニール処理」の条件と同様である。
図6は、従来のアニール処理後と本実施例のアニール処理後のAlN:Eu,Si蛍光体の発光効率残存率を示したグラフである。図示のように、本実施例のAlN:Eu,Si蛍光体の方が従来品と比べて発光効率残存率(寿命特性)が向上していることがわかる。すなわち、アニール処理時に高純度カーボンを投入したことにより残存酸素が還元除去されていることを示している。
以上のように、本発明に係る蛍光体の製造方法によって製造された蛍光体は、発光効率を維持しつつ粒子の微細化を実現しているため、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、白色発光ダイオード(LED)などに好適に用いられる窒化物蛍光体である。また、従来の製造方法では、生産量が少量に限定され工業規模での生産を考えた場合に問題の多いプロセスであったが、本発明の蛍光体の製造方法は、生産能力の増大に伴って生産コストを削減して効率的に窒化物蛍光体を製造し、提供することを可能とする当該蛍光体の製造技術を提供するものとして有用である。
Claims (3)
- AlN窒化物結晶に、窒化珪素、酸化ユーロピュウムを窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成して合成されたAlN:Eu,Si蛍光体を粉砕し、該粉砕されたAlN:Eu,Si蛍光体に高純度カーボンを混合してアニール処理を施すことを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 前記高純度カーボンは、純度が99.999%以上で、且つ球形を成していることを特徴とする請求項1記載の蛍光体の製造方法。
- 請求項1又は2記載の蛍光体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする蛍光体。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102719243A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-10 | 华南农业大学 | 一种锰离子激活红色长余辉发光材料及其制备方法 |
CN112980435A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 西安鸿宇光电技术有限公司 | 一种小粒径荧光粉的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005336450A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置 |
WO2006016711A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP2008088399A (ja) * | 2006-02-10 | 2008-04-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 |
JP2009010315A (ja) * | 2007-05-30 | 2009-01-15 | Sharp Corp | 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005336450A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体組成物とその製造方法、並びにその蛍光体組成物を用いた発光装置 |
WO2006016711A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP2008088399A (ja) * | 2006-02-10 | 2008-04-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置 |
JP2009010315A (ja) * | 2007-05-30 | 2009-01-15 | Sharp Corp | 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102719243A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-10 | 华南农业大学 | 一种锰离子激活红色长余辉发光材料及其制备方法 |
CN112980435A (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-18 | 西安鸿宇光电技术有限公司 | 一种小粒径荧光粉的制备方法 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121031 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130625 |