JP2011044567A - プラズマエッチング処理装置とプラズマエッチング処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器2に導入され、処理容器2内で処理ガスがプラズマ化されて基板Wがエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、CDが制御される。本発明によれば、処理ガス中に含まれるCF4ガスやCF4ガスなどの原料ガスの供給量の比を変えることにより、エッチングのCDを制御することが可能となる。
【選択図】図1
Description
1 プラズマ処理装置
2 処理容器
3 サセプタ
4 外部電源
5 ヒータ
10 排気装置
16 誘電体窓
20 ラジアルラインスロット板
25 誘電体板
30 同軸導波管
31 内部導体
32 外部導体
35 マイクロ波供給装置
36 矩形導波管
50 ガス供給源
50a Arガス供給部
50b CF4ガス供給部
50c CHF3ガス供給部
51 スプリッター
52、53 供給路
55 中央導入部
56 周辺導入部
57 インジェクターブロック
61 インジェクターリング
65 制御部
Claims (6)
- 複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器に導入され、処理容器内で処理ガスがプラズマ化されて基板がエッチング処理されるプラズマエッチング処理装置であって、
種類の異なる原料ガスを供給する複数の原料ガス供給部と、各原料ガス供給部による原料ガスの供給量を制御する制御部を備える、プラズマエッチング処理装置。 - 前記処理容器に収納された基板の中心部に処理ガスを導入する中央導入部と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に処理ガスを導入する周辺導入部と、前記中央導入部と前記周辺導入部に供給する処理ガスの流量比を可変に調節するスプリッターを備え、
前記制御部は、プラズマエッチング処理中に、前記中央導入部からの処理ガスの導入量と前記周辺導入部からの処理ガスの導入量の比を変化させるように、前記スプリッターを制御する、請求項1に記載のプラズマエッチング処理装置。 - 前記複数の原料ガス供給部は、CF4ガスを供給するCF4ガス供給部と、CHF3ガスを供給するCHF3ガス供給部を含み、
前記制御部は、前記CF4ガス供給部によるCF4の供給量と前記CHF3ガス供給部によるCHF3ガスの供給量を制御する、請求項1または2に記載のプラズマエッチング処理装置。 - 複数の原料ガスが混合された処理ガスが処理容器に導入され、処理容器内で処理ガスがプラズマ化されて基板がエッチング処理されるプラズマエッチング処理方法であって、
種類の異なる原料ガスの混合比を変えることにより、CDが制御される、プラズマエッチング処理方法。 - 前記処理容器に収納された基板の中心部に導入される処理ガスの導入量と、前記処理容器に収納された基板の周辺部に導入される処理ガスの導入量の比が、プラズマエッチング処理中に変化させられる、請求項4に記載のプラズマエッチング処理方法。
- 前記複数の原料ガスは、CF4ガスとCHF3ガスを含み、
前記CF4ガスの供給量と前記CHF3ガスの供給量が制御される、請求項4または5に記載のプラズマエッチング処理方法。
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