JP2011040762A - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents

発光ダイオードパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2011040762A
JP2011040762A JP2010182560A JP2010182560A JP2011040762A JP 2011040762 A JP2011040762 A JP 2011040762A JP 2010182560 A JP2010182560 A JP 2010182560A JP 2010182560 A JP2010182560 A JP 2010182560A JP 2011040762 A JP2011040762 A JP 2011040762A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
light emitting
emitting diode
diode package
electrode pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010182560A
Other languages
English (en)
Inventor
Jin Bock Lee
ボク リー、ジン
Hee Seok Park
セオク パク、ヒー
Hyun Kun Kim
クン キム、ヒュン
Young Jin Lee
ジン リー、ヨン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung LED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung LED Co Ltd filed Critical Samsung LED Co Ltd
Publication of JP2011040762A publication Critical patent/JP2011040762A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10329Gallium arsenide [GaAs]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

【課題】本発明は発光ダイオードパッケージに関する。
【解決手段】第1キャビティ及び上記第1キャビティより小さい第2キャビティが備えられたパッケージモールドと、上記第1キャビティ及び上記第2キャビティの底面に備えられた第1電極パッド及び第2電極パッドと、上記第1電極パッド上に実装されたLEDチップと、上記LEDチップと上記第2電極パッドを電気的に連結するためのワイヤと、上記第1キャビティ及び上記第2キャビティに充填されたモールディング材とを含む発光ダイオードパッケージを提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は発光ダイオードパッケージに関し、より詳細には、LEDチップが実装されるキャビティのサイズを最小化し輝度を向上させた発光ダイオードパッケージに関する。
発光ダイオード(Light Emitting Diode、以下、LEDとする)とは、GaAs、AlGaAs、GaN、InGaInPなどの化合物半導体(compound semiconductor)材料の変更を通じて発光源を構成することで、多様な色の光が具現できる半導体素子のことである。
一般的に、LED製品の特性を決める要素としては、色(color)、輝度及び光変換効率などがある。このようなLED製品の特性は、1次的にはLEDに使用されている化合物半導体の材料により決まるが、2次的な要素としてLEDチップを実装するためのパッケージの構造によっても大きな影響を受ける。
これにより、最近では使用者の要求に従う高輝度製品を得るためには、材料開発などによる1次的な要素だけでは限界があり、パッケージ構造などに関心を寄せるようになった。特に、LEDパッケージの使用範囲が室内室外の照明装置、LCD(Liquid Crystal Display)のバックライトユニット(back light unit)、自動車のヘッドランプなど多様な分野へと拡大されることにより、高輝度特性が必要となった。
輝度の単位はcd/mmであり、同一光速であれば、光源の面積が減るほど輝度が増加する。従って、高輝度のLEDを得るためには光源のサイズの最小化が求められている。
従来技術によるLEDパッケージは、キャビティ(cavity)が形成されたパッケージモールド内にLEDチップを実装し、ワイヤボンティングした後、上記キャビティに透光性樹脂を塗布して製作する。
しかし、このような従来技術によるLEDパッケージは、キャビティ内にLEDチップと共にワイヤも位置するため、キャビティのサイズを減らすのに大きな制約を受ける。このとき、キャビティが大きいと、それにより光学系で感じる実際の光源のサイズも大きくなるため、輝度が低下するという問題点がある。
従って、本発明は上記問題点を解決すべく成されたもので、本発明の目的は、LEDチップが実装されるキャビティのサイズを減らすことで、光源のサイズを減らし、輝度を向上させることができる発光ダイオードパッケージを提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の実施例による発光ダイオードパッケージは、第1キャビティ及び上記第1キャビティより小さい第2キャビティが備えられたパッケージモールドと、上記第1キャビティ及び上記第2キャビティの底面に備えられた第1電極パッド及び第2電極パッドと、上記第1電極パッド上に実装されたLEDチップと、上記LEDチップと上記第2電極パッドを電気的に連結するためのワイヤと、上記第1キャビティ及び上記第2キャビティに充填されたモールディング材とを含むことができる。
ここで、上記第1キャビティと上記第2キャビティは、同じ深さで形成されることができる。
また、上記第2キャビティは、上記第1キャビティより浅く形成されることができる。
また、上記第1キャビティと上記第2キャビティは、互いが接するように備えられることができる。
また、上記第1キャビティと上記第2キャビティは、相互離隔されるように備えられることができる。
また、上記第1キャビティと上記第2キャビティの上部が相互通じるように上記第1キャビティと上記第2キャビティの間の上記パッケージモールドに形成された溝をさらに含むことができる。
また、上記溝は、上記第2キャビティより小さいことができる。
また、上記溝は、上記第1キャビティより浅く形成されることができる。
また、上記目的を達成するための本発明の他の実施例による発光ダイオードパッケージは、第1キャビティ及び上記第1キャビティより小さい複数の第2キャビティが備えられたパッケージモールドと、上記第1キャビティの底面に上記第2キャビティと同じ数で備えられた複数の第1電極パッドと、上記第2キャビティの底面に備えられた第2電極パッドと、上記それぞれの第1電極パッド上に実装されたLEDチップと、上記LEDチップと上記第2電極パッドを電気的に連結するためのワイヤと、上記第1キャビティ及び上記第2キャビティに充填されたモールディング材とを含むことができる。
ここで、上記第1キャビティと上記第2キャビティは、同じ深さで形成されることができる。
また、上記第2キャビティは、上記第1キャビティより浅く形成されることができる。
また、上記第1キャビティと上記第2キャビティは、相互接するように備えられることができる。
また、上記第1キャビティと上記第2キャビティは、相互離隔されるように備えられることができる。
以上で説明したように、本発明による発光ダイオードパッケージによれば、LEDチップが実装されることができる最小限のサイズで第1キャビティを形成し、上記LEDチップと電気的に連結されるワイヤがボンティングされる第2キャビティを、上記第1キャビティと隣接した所に、上記第1キャビティより小さく形成することで、キャビティの全体的なサイズを減らすことができる。
従って、本発明は自動車のヘッドランプなどに適用されるLED光源のサイズを減らして輝度を向上させることができるという効果がある。
本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図である。 図1に図示された発光ダイオードパッケージの構造を示した断面図である。 本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージの変形例を示した断面図である。 本発明の第2実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図である。 図4に図示された発光ダイオードパッケージの構造を示した断面図である。 本発明の第3実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図である。 図6のI−I'に沿って切断した断面図である。 図6のII−II'に沿って切断した断面図である。 本発明の第4実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図である。 図9のIII−III'に沿って切断した断面図である。
本発明による発光ダイオードパッケージの上記目的に対する技術的構成を含む作用効果に関する事項は、本発明の好ましい実施例が図示された図面を参照した下記の詳細な説明により明確に理解することができる。
<第1実施例>
図1から図3を参照して本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージについて詳しく説明する。
図1は本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図であり、図2は図1に図示された発光ダイオードパッケージの構造を示した断面図であり、図3は本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージの変形例を示した断面図である。
先ず、図1及び図2に図示されたように、本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージ100は、中央部に第1キャビティ115a及び上記第1キャビティ115aより小さい第2キャビティ115bが備えられたパッケージモールド110と、上記第1キャビティ115a及び上記第2キャビティ115bのそれぞれの底面に備えられた第1電極パッド120a及び第2電極パッド120bと、上記第1キャビティ115aの上記第1電極パッド120a上に実装されたLEDチップ130、及び上記LEDチップ130と上記第2電極パッド120bを電気的に連結するためのワイヤ140を含む。
上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bから成るキャビティ115を備える上記パッケージモールド110は、プラスチック材質などから成ることができ、これは一般的なフリーモールディング(pre−molding)工程などにより形成することができる。
上記第1電極パッド120aと上記第2電極パッド120bから成る一対の電極パッド120は、上記LEDチップ130に電流を供給し、銅などの導電性材質から成ることができる。
また、上記第1電極パッド120a上に実装される上記LEDチップ130としては、通常のGaN系列のLEDチップなどを使用することができる。
上記ワイヤ140は、金(Au)または銅(Cu)などから成ることができる。
上記第1キャビティ115a及び上記第2キャビティ115b内には、モールディング材150が充填されて上記LEDチップ130及び上記ワイヤ140を保護する。
上記モールディング材150は、具現しようとするLEDチップ130の色相により透光性樹脂または蛍光体が含まれている透光性樹脂などから成ることができる。
上記透光性樹脂としては、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂などを使用することができる。
上記モールディング材150は、上記のように蛍光体が含まれている透光性樹脂から成ることもでき、上記蛍光体はLEDチップ130から発生し、放出される特定波長の光を吸収して異なる波長の光に変換させる役割をする。
上記モールディング材150は、ディスペンシング(dispensing)などのような方式により上記キャビティ115内に充填されることができる。
ここで、上記第1キャビティ115aは、上記LEDチップ130が実装されることができる最小限のサイズで形成されることが好ましい。
また、上記第1キャビティ115aより小さく形成される上記第2キャビティ115bは、上記ワイヤ140とボンティングされる上記第2電極パッド120bを形成することができる最小限のサイズで形成されることが好ましい。
このとき、上記ワイヤ140の長さが最小化されることができるように、上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bは、図1でのように互いが接するように備えられることが好ましい。
このような本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージによれば、上記LEDチップ130が実装されることができる最小限のサイズで第1キャビティ115aを形成し、上記LEDチップ130と電気的に連結されるワイヤ140がボンティングされる第2キャビティ115bを上記第1キャビティ115aと隣接した所に上記第1キャビティ115aより小さく形成することで、LED光源の実際のサイズに該当する上記キャビティ115の全体的なサイズを減らすことができる。
従って、本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージは、上記のように光源のサイズを最小化して輝度を向上させることができるという効果がある。
一方、上記パッケージモールド110の上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bは同じ深さで形成されることもできるが、図3に図示された本発明の第1実施例による発光ダイオードパッケージの変形例のように、上記第2キャビティ115bが上記第1キャビティ115aより浅く形成されることもできる。
上記第2キャビティ115bが上記第1キャビティ115aより浅く形成される場合、上記第2キャビティ115bの底面が上記第1キャビティ115aの底面より高い所に位置するようになる。
従って、上記第2キャビティ115bの底面に備えられた上記第2電極パッド120bにボンティングされる上記ワイヤ140が曲がる具合を減らし、上記ワイヤ140の破損を防止することができるという長所がある。
<第2実施例>
図4及び図5を参照し本発明の第2実施例による発光ダイオードパッケージについて詳しく説明する。但し、第2実施例の構成のうち、第1実施例と同じ部分に対する説明は省略し、第2実施例において変わる構成に対してのみ詳細に説明する。
図4は本発明の第2実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図であり、図5は図4に図示された発光ダイオードパッケージの構造を示した断面図である。
図4及び図5に図示されたように、本発明の第2実施例による発光ダイオードパッケージ100は、第1実施例による発光ダイオードパッケージと大部分の構成が同一であり、上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bは互いが接せずに離隔されている点のみが第1実施例と異なる。
このような本発明の第2実施例による発光ダイオードパッケージ100は、上記ワイヤ140とボンティングされる第2電極パッド120bが底面に備えられる上記第2キャビティ115bが上記LEDチップ130が実装される第1キャビティ115aと分離するように形成されることで、光源の実際のサイズが上記第1キャビティ115aのサイズになるようにすることができる。
すなわち、本発明の第2実施例によれば、上記第2キャビティ115aが光学的に影響を及ぼさないようにすることができ、光源の実際のサイズをさらに減らすことができるという長所がある。
<第3実施例>
図6から図8を参照し本発明の第3実施例による発光ダイオードパッケージについて詳しく説明する。但し、第3実施例の構成のうち、第2実施例と同じ部分に対する説明は省略し、第3実施例において変わる構成に対してのみ詳細に説明する。
図6は本発明の第3実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図であり、図7は図6のI−I'に沿って切断した断面図であり、図8は図6のII−II'に沿って切断した断面図である。
図6から図8に図示されたように、本発明の第3実施例による発光ダイオードパッケージ100は、第2実施例による発光ダイオードパッケージと大部分の構成が同一であり、互いに離隔された上記第1キャビティ115aと第2キャビティ115bの間のパッケージモールド110に、上記第1キャビティ115aと第2キャビティ115bの上部が相互通じるように溝160がさらに形成されている点のみが第2実施例と異なる。
本発明の第3実施例によると、上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bの間に溝160が形成されることで、上記第1キャビティ115aと第2キャビティ115bの間に位置するワイヤ140が上述の第2実施例のようにパッケージモールド110の上部に突出することを防ぐことができる。
すなわち、上記溝160は、上記第1キャビティ115aと第2キャビティ115bの間の上記ワイヤ140をパッケージモールド110の内部に含ませるためのものであり、上記第1キャビティ115aより浅く形成されることができる。
このとき、上記溝160は、上記第2キャビティ115bより小さく形成し、光源の実際のサイズに影響を及ぼさないようにすることが好ましい。すなわち、上記溝160は、上記ワイヤ140が通過できる最小限のサイズで形成されることができる。
上記溝160の内部には、上記第1及び第2キャビティ115a、115bと同様にモールディング材150が充填され、上記ワイヤ140を保護することができる。
<第4実施例>
図9及び図10を参照し本発明の第4実施例による発光ダイオードパッケージについて詳しく説明する。但し、第4施例の構成のうち、第1実施例と同じ部分に対する説明は省略し、第4実施例において変わる構成に対してのみ詳細に説明する。
図9は本発明の第4実施例による発光ダイオードパッケージの構造を示した平面図であり、図10は図9のIII−III'に沿って切断した断面図である。
図9及び図10に図示されたように、本発明の第4実施例による発光ダイオードパッケージ100は、第1実施例による発光ダイオードパッケージと大部分の構成が同一であり、上記第1キャビティ115aと隣接した所に複数の第2キャビティ115bが形成され、上記第1キャビティ115aには上記第2キャビティ115bと同じ数のLEDチップ130が実装されている点のみが第1実施例と異なる。
すなわち、本発明の第4実施例による発光ダイオードパッケージ100は、第1キャビティ115a及び上記第1キャビティ115aより小さい複数の第2キャビティ115bが備えられたパッケージモールド110と、上記第1キャビティ115aの底面に上記第2キャビティ115bと同じ数で備えられた複数の第1電極パッド120aと、上記第2キャビティ115bの底面に備えられた第2電極パッド120bと、上記それぞれの第1電極パッド120a上に実装されたLEDチップ130、及び上記LEDチップ130と上記第2電極パッド120bを電気的に連結するためのワイヤ140を含む。
ここで、図面には第2キャビティ115b、LEDチップ130及びワイヤ140が4つずつ形成されたものを図示したが、これは例示的なものであり、必ずしもこれに限定されない。
上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bは、上述のように同じ深さで形成されることもできるが、上記ワイヤ140の曲がり具合を減らすために上記第2キャビティ115bが上記第1キャビティ115aより浅く形成されることもできる。
また、上記第1キャビティ115aと上記第2キャビティ115bは互いが接するか、または離隔されるように備えられることができる。
このような第1及び第2キャビティ115a、115bにはモールディング材150が充填されて上記LEDチップ130とワイヤ140を保護する。
このような本発明の第4実施例によると、様々なLEDチップ130がアレイされる発光ダイオードパッケージ100の光源のサイズを減らすことで、輝度を向上させることができるという効果がある。
以上で説明した本発明の好ましい実施例は、例示する目的で開示されたものであり、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明の技術的思想から外れない範囲内で様々な置換、変形及び変更することができ、そのような置換、変更などは添付の特許請求の範囲に属するものである。
100 発光ダイオードパッケージ
110 パッケージモールド
115 キャビティ
115a 第1キャビティ
115b 第2キャビティ
120 電極パッド
120a 第1電極パッド
120b 第2電極パッド
130 LEDチップ
140 ワイヤ
150 モールディング材
160 溝

Claims (13)

  1. 第1キャビティ及び上記第1キャビティより小さい第2キャビティが備えられたパッケージモールドと、
    上記第1キャビティ及び上記第2キャビティの底面に備えられた第1電極パッド及び第2電極パッドと、
    上記第1電極パッド上に実装されたLEDチップと、
    上記LEDチップと上記第2電極パッドを電気的に連結するためのワイヤと、
    上記第1キャビティ及び上記第2キャビティに充填されたモールディング材と
    を含む発光ダイオードパッケージ。
  2. 上記第1キャビティと上記第2キャビティは、同じ深さで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 上記第2キャビティは、上記第1キャビティより浅く形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 上記第1キャビティと上記第2キャビティは、互いが接するように備えられたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 上記第1キャビティと上記第2キャビティは、相互離隔されるように備えられたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 上記第1キャビティと上記第2キャビティの上部が相互通じるように上記第1キャビティと上記第2キャビティの間の上記パッケージモールドに形成された溝をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードパッケージ。
  7. 上記溝は、上記第2キャビティより小さいことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードパッケージ。
  8. 上記溝は、上記第1キャビティより浅く形成されたことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードパッケージ。
  9. 第1キャビティ及び上記第1キャビティより小さい複数の第2キャビティが備えられたパッケージモールドと、
    上記第1キャビティの底面に上記第2キャビティと同じ数で備えられた複数の第1電極パッドと、
    上記第2キャビティの底面に備えられた第2電極パッドと、
    上記それぞれの第1電極パッド上に実装されたLEDチップと、
    上記LEDチップと上記第2電極パッドを電気的に連結するためのワイヤと、
    上記第1キャビティ及び上記第2キャビティに充填されたモールディング材と
    を含む発光ダイオードパッケージ。
  10. 上記第1キャビティと上記第2キャビティは、同じ深さで形成されたことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードパッケージ。
  11. 上記第2キャビティは、上記第1キャビティより浅く形成されたことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードパッケージ。
  12. 上記第1キャビティと上記第2キャビティは、互いが接するように備えられたことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードパッケージ。
  13. 上記第1キャビティと上記第2キャビティは、相互離隔されるように備えられたことを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードパッケージ。
JP2010182560A 2009-08-18 2010-08-17 発光ダイオードパッケージ Pending JP2011040762A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090076407A KR20110018777A (ko) 2009-08-18 2009-08-18 발광 다이오드 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011040762A true JP2011040762A (ja) 2011-02-24

Family

ID=43334501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010182560A Pending JP2011040762A (ja) 2009-08-18 2010-08-17 発光ダイオードパッケージ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8129741B2 (ja)
EP (1) EP2287931A3 (ja)
JP (1) JP2011040762A (ja)
KR (1) KR20110018777A (ja)
CN (1) CN101997076B (ja)
TW (1) TWI476963B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014057060A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
JP2016518725A (ja) * 2013-05-17 2016-06-23 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525213B2 (en) * 2010-03-30 2013-09-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
US9698563B2 (en) 2010-11-03 2017-07-04 3M Innovative Properties Company Flexible LED device and method of making
KR101852388B1 (ko) * 2011-04-28 2018-04-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101977831B1 (ko) * 2012-09-13 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
KR102170218B1 (ko) * 2014-08-05 2020-10-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102016106134A1 (de) * 2016-04-04 2017-10-05 Vishay Semiconductor Gmbh Elektronische Einheit
US20220077353A1 (en) * 2020-09-08 2022-03-10 Tek Beng Low Light emitting diode package having a small light emitting surface

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2914097B2 (ja) * 1993-06-25 1999-06-28 松下電工株式会社 射出成形プリント基板
US6583444B2 (en) * 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
JPH11121488A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置
US6670207B1 (en) * 1999-03-15 2003-12-30 Gentex Corporation Radiation emitter device having an integral micro-groove lens
CA2350747C (en) * 2001-06-15 2005-08-16 Ibm Canada Limited-Ibm Canada Limitee Improved transfer molding of integrated circuit packages
US20050073846A1 (en) * 2001-09-27 2005-04-07 Kenji Takine Lightemitting device and method of manufacturing the same
JP4143340B2 (ja) * 2002-06-17 2008-09-03 日立マクセル株式会社 非接触通信式情報担体
KR100567559B1 (ko) * 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
JP2006019598A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
KR20070052636A (ko) * 2005-11-17 2007-05-22 설상진 방열 성능이 향상된 발광 다이오드 패키지 및 이를포함하는 발광 다이오드 어셈블리
KR100828891B1 (ko) * 2006-02-23 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
JP2008147203A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR100811723B1 (ko) * 2007-03-30 2008-03-11 서울반도체 주식회사 Led 패키지
US7985980B2 (en) * 2007-10-31 2011-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
JP5052326B2 (ja) * 2007-10-31 2012-10-17 シャープ株式会社 チップ部品型led及びその製造方法
US7923272B2 (en) * 2007-12-28 2011-04-12 Hwang-Pao Lee Method of forming a resin cover lens of LED assembly
TW200937667A (en) * 2008-02-20 2009-09-01 Advanced Optoelectronic Tech Package structure of chemical compound semiconductor device and fabricating method thereof
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014057060A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えた照明システム
JP2016518725A (ja) * 2013-05-17 2016-06-23 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
US9991428B2 (en) 2013-05-17 2018-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for the production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN101997076B (zh) 2013-10-30
KR20110018777A (ko) 2011-02-24
TW201117434A (en) 2011-05-16
EP2287931A3 (en) 2014-01-08
US8129741B2 (en) 2012-03-06
EP2287931A2 (en) 2011-02-23
US20110042690A1 (en) 2011-02-24
CN101997076A (zh) 2011-03-30
TWI476963B (zh) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011040762A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP5379634B2 (ja) Ledパッケージモジュール
JP5810758B2 (ja) 発光装置
CN112136219B (zh) 照明模块
EP1816688B1 (en) Light emitting diode package
US8132934B2 (en) Light emitting device and light unit having the same
EP2346104A2 (en) Light emitting diode package and light unit having the same
US20110316420A1 (en) Led light source module
WO2016010094A1 (ja) 発光装置
KR100667504B1 (ko) 발광 소자의 패키지 및 그의 제조 방법
KR20120094279A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2009027129A (ja) 超薄型サイドビュー発光ダイオード(led)パッケージおよびその製造方法
US20150349216A1 (en) Light emitting diode package structure
US8476662B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
KR101775428B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120085085A (ko) 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법
JP3771144B2 (ja) Ledランプ
EP2813758B1 (en) Light emitting module
KR102153082B1 (ko) 발광 장치
JP5810793B2 (ja) 発光装置
TW201426966A (zh) 發光二極體燈條
KR102142718B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
US20230102780A1 (en) Optoelectronic device and method
KR20080024031A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2020116454A1 (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120813

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20130321