JP2011040531A - 積層型電子部品の製造方法 - Google Patents

積層型電子部品の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】切断歩留まりを向上させると共に、製造効率を向上させることができる積層型電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】切断基準位置、切断間隔、切断角度の三つのパラメータのみを演算することで、切断予定ラインＣＬの全てを決定することができる。従って、各切断予定ラインＣＬを一つ一つ演算する場合に比して、演算の負荷を大幅に低減することができる。また、切断歩留まりを推定し、その推定結果に基づいて切断予定ラインＣＬの最適化を行うことによって、切断歩留まりを向上させることができる。また、切断歩留まりを推定する際は、所定の個数のサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の位置に基づいて推定を行うことによって、一枚あたりの積層体１００から取得できる積層型電子部品の数が多くなった場合であっても、推定に必要とされる演算の負荷を低減することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層型電子部品の製造方法に関するものである。
従来の積層型電子部品の製造方法として、複数の内部電極が配列された積層体に可視光を照射してＸ線カメラで透過することによって、内部電極の画像を取得し、当該画像に基づいて切断位置データを作成し、切断位置データに沿って切断装置で積層体を切断することによって、複数の積層体電子部品を作成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この製造方法では、内部電極の画像に基づいて一列分の切断位置データを作成し、更に、隣接する列の切断位置データを作成し、このように全ての列についての切断位置データを一つずつ作成する。
特開２００２−２９９１５３号公報
上述の積層型電子部品の製造方法においては、Ｘ線カメラによる映像から全ての内部電極の位置を把握する必要があると共に、切断位置データを全ての列について一本一本作成する必要がある。従って、全ての内部電極の位置を把握するための演算が必要となると共に、全ての切断位置データ一本一本についての演算が必要となるため、計算の負荷が非常に大きくなっていた。特に、一枚あたりの積層体から取得できる積層型電子部品の数が多くなった場合は、計算の負荷が更に増加する。一方、単に計算量を減らして切断位置データを演算した場合は、切断位置の精度が低下して、切断歩留まりが低下する可能性があった。従って、切断歩留まりを向上させると共に、製造効率を向上させることが求められていた。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、切断歩留まりを向上させると共に、製造効率を向上させることができる積層型電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る積層型電子部品の製造方法は、誘電体層と、平面方向に複数の内部電極が配列された内部電極層とを積層することによって板状に形成された積層体を切断することによって、複数の積層型電子部品を製造する製造方法であって、複数の内部電極が第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に配列された積層体を準備する積層体準備工程と、積層体の内部を透過した画像を撮像することによって、複数の内部電極うち、所定個数のサンプリング内部電極の平面方向におけるそれぞれの位置を取得する内部電極位置取得工程と、第一の方向に複数本配列された切断予定ラインのパラメータとして、基準となる基準切断予定ラインの位置を示す切断基準位置、切断予定ライン同士の間隔を示す切断間隔、及び切断予定ラインの平面方向における角度を示す切断角度を設定する切断予定ライン設定工程と、内部電極位置取得工程で取得されたサンプリング内部電極の位置、及び切断予定ライン設定工程で設定された切断予定ラインに基づいて、切断歩留まりを推定する切断歩留まり推定工程と、切断歩留まり推定工程で推定された推定結果に基づいて、切断予定ライン設定工程で設定された切断基準位置、切断間隔、あるいは切断角度の最適値を得ることによって、切断予定ラインの最適化を行う切断予定ライン最適化工程と、切断予定ライン最適化工程で最適化された切断予定ラインに基づいて、積層体を切断する積層体切断工程と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る積層型電子部品の製造方法では、切断予定ライン設定工程において、切断基準位置、切断間隔、及び切断角度の三つのパラメータを設定することで複数の切断予定ラインを設定する一方で、内部電極位置取得工程でサンプリング内部電極の平面方向におけるそれぞれの位置を取得することができる。また、切断歩留まり推定工程では、設定した切断予定ラインとサンプリング内部電極の位置に基づいて切断歩留まりを推定しつつ、切断予定ライン最適化において、推定結果に基づいて各パラメータの最適値を得ることによって切断予定ラインの最適化を行うことができる。そして、積層体切断工程において、最適化された切断予定ラインに基づいて、積層体を切断することができる。切断基準位置、切断間隔、切断角度の三つのパラメータのみを演算することで、積層体を切断するのに必要とされる切断予定ラインの全てを決定することができる。従って、各切断予定ラインを一つ一つ演算する場合に比して、演算の負荷を低減することができる。特に、内部電極の数が多くなった場合は、大幅に演算の負荷を低減することができる。また、一度設定した切断予定ラインについて切断歩留まりを推定し、その推定結果に基づいて切断予定ラインの最適化を行うことによって、切断歩留まりを向上させることができる。また、切断歩留まりを推定する際は、全ての内部電極の位置に基づいて推定を行うのではなく、所定の個数のサンプリング内部電極の位置に基づいて推定を行うことによって、一枚あたりの積層体から取得できる積層型電子部品の数が多くなった場合であっても、推定に必要とされる演算の負荷を低減することができる。以上によって、切断歩留まりを向上させると共に、演算の負荷を低減することによって、積層型電子部品の製造効率を向上させることができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法において、切断予定ライン設定工程、切断歩留まり推定工程、及び切断予定ライン最適化工程は複数回行われ、切断予定ライン最適化工程において、切断基準位置、切断間隔、及び切断角度の中の一のパラメータの最適値が得られた後は、最適値を一のパラメータに代入することによって新たな切断予定ラインを設定する切断予定ライン設定工程が行われ、新たな切断予定ラインにおいて、一のパラメータと異なる他のパラメータの値を変化させて、各値における歩留まりを推定する歩留まり推定工程が行われ、歩留まりの推定結果に基づいて他のパラメータの最適値を演算する切断予定ライン最適化工程が行われることが好ましい。一のパラメータの最適値が得られた後、当該最適値が反映された新たな切断予定ラインについて切断歩留まりの推定を行い、他のパラメータの最適値を演算することによって、切断予定ラインの精度を高めることができる。これによって、切断歩留まりを一層向上させることができる。
ここで、本発明の発明者らは、切断基準位置の最適化がなされておらず、例えば、基準切断予定ライン自体が内部電極に重なっているような場合は、切断角度や切断間隔の最適化を行ったとしても、切断歩留まりを向上することはできないため、切断基準位置をまず最適化することが好適であることを見出した。更に、本発明の発明者らは、例えば、切断予定ラインの切断角度が内部電極に対して大きく傾いているような場合は、切断間隔の最適化を行ったとしても、切断歩留まりを向上することはできないため、切断間隔よりも先に切断角度の最適化をすることが好適であることを見出した。
そこで、本発明に係る積層型電子部品の製造方法では、切断予定ライン最適化工程において、一回目の最適化である場合は、切断基準位置の最適化が行われ、前回の最適化において切断基準位置の最適化が行われた場合は、切断角度の最適化が行われ、前回の最適化において切断角度の最適化が行われた場合は、切断間隔の最適化が行われ、前回の最適化において切断間隔の最適化が行われた場合は、切断基準位置の最適化が行われることが好ましい。これによって、切断予定ラインの三つのパラメータに対して、切断基準位置、切断角度、切断間隔の順番で最適値を演算することができる。このように、好適な順番でパラメータの最適化を行うことにより、切断予定ラインの精度を上げることができると共に、演算の負荷を低減することができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法では、切断予定ライン設定工程よりも前段階において、矩形平板状の積層体の平面方向の四隅に形成された位置決めマークを検出し、位置決めマークに基づいて積層体の平面方向における位置決めを行う積層体位置決め工程を更に有することが好ましい。積層体が切断装置やカメラに対してずれて配置されていた場合は、切断予定ライン設定工程で設定される切断予定ラインも、内部電極に対してずれたものが設定されてしまい、最適化の際の演算が多くなってしまう。しかし、切断予定ライン設定工程の前段階で、積層体の四隅の位置決めマークに基づいて位置決めを行っておくことによって、切断予定ライン設定工程で適切な切断予定ラインを設定することが可能となる。これによって、切断予定ライン最適化工程における演算の負荷を低減することができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法では、内部電極位置取得工程では、サンプリング内部電極として、少なくとも、第二の方向において異なる列に存在する二つの内部電極が取得され、一方のサンプリング内部電極は、他方のサンプリング内部電極に対し、第一の方向において隣接する列に存在していることが好ましい。これによって、切断予定ラインの切断間隔が内部電極に対して無視できるほどに大きい場合、切断基準位置を第一の方向に隣合うサンプリング内部電極の位置まで変化させるだけで、切断基準位置の最適値を求めることができ、演算の負荷を低減することができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法において、内部電極位置取得工程では、サンプリング内部電極として、第一の方向における各列について、少なくとも一つの内部電極の位置がそれぞれ取得されることが好ましい。これによって、切断予定ラインの切断間隔が内部電極に対して無視できるほどに大きい場合、基準切断予定ラインが第一の方向におけるどこに存在していても、第一の方向の各列に存在するサンプリング内部電極に重なっていれば、ＮＧ品と判定することができるため、切断歩留まりを正確に推定することができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法において、切断歩留まり推定工程では、互いに隣接する一組の切断予定ラインの位置と、サンプリング内部電極の位置とを照合することによって切断歩留まりの推定を行い、照合を複数の切断予定ラインの全ての組について行うことが好ましい。これによって、端部側における切断予定ライン同士の間にサンプリング内部電極が存在していなくても、他の組の切断予定ライン同士の間に存在していればＯＫ品であると判定することが可能となるため、切断基準位置がずれた場合であっても、切断歩留まりを推定できるため、その結果として、製造効率を向上させることができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法において、内部電極位置取得工程では、積層方向における内部電極の重なり割合に応じた濃淡の差が生じるように透過光線を照射することによって、（例えば図１９に示すような）画像を撮像することが好ましい。濃淡の差が生じることによって、各サンプリング内部電極の重なり部分の座標位置の取得を行うことができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法において、内部電極位置取得工程では、積層体の内部を透過した（例えば図１９に示すような）画像を複数回撮像し、撮像した内部電極が濃く映し出された部分と薄く映し出された部分の各座標を複数の画像について取得すると共に、その平均値を算出し、算出した平均値に基づいてサンプリング内部電極の位置を取得することが好ましい。これによって、サンプリング内部電極の位置取得の精度を向上させることができる。
本発明によれば、切断歩留まりを向上させると共に、製造効率を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法を実行するための製造装置の概略構成図である。 切断の対象となる積層体を示す平面図であって、Ｘ線で撮像した時の撮像画像を示す図である。 本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法を示すフロー図である。 図３に示す切断予定ライン決定工程の工程内容を示すフロー図である。 サンプリング内部電極において取得される座標を示す図である。 サンプリング内部電極付近を拡大すると共に、切断基準位置の値を変化させた切断予定ラインを描いた図である。 切断歩留まり推定工程におけるＮＧパターンの例を示す図である。 切断歩留まりと切断基準位置との関係を示すグラフである。 サンプリング内部電極付近を拡大すると共に、切断角度の値を変化させた切断予定ラインを描いた図である。 切断歩留まりと切断角度との関係を示すグラフである。 サンプリング内部電極付近を拡大すると共に、切断間隔の値を変化させた切断予定ラインを描いた図である。 切断歩留まりと切断間隔との関係を示すグラフである。 図３に示す切断予定ライン最適化反復工程の工程内容を示すフロー図である。 サンプリング内部電極付近を拡大すると共に、切断間隔が狭い場合と広い場合における切断予定ラインを描いた図である。 Ｘ軸線方向における同じ列に三つずつサンプリング内部電極が選択された場合における積層体の図、及び切断歩留まりと切断基準位置との関係を示すグラフを示す図である。 変形例に係る製造方法における切断歩留まり推定工程に従って、サンプリング内部電極が選択された場合における積層体の図、及び切断歩留まりと切断基準位置との関係を示すグラフを示す図である。 Ｘ軸線方向における同じ列に三つずつサンプリング内部電極が選択された場合における積層体の図、及び変形例に係る製造方法における切断歩留まり推定工程に従って、サンプリング内部電極が選択された場合における積層体の図である。 サンプリング内部電極付近を拡大すると共に、切断基準位置がずれていない場合とずれている場合における切断予定ラインを描いた図である。 積層体をＸ線カメラで撮像した場合の、Ｘ線の撮像画像の例である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
図１は、本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法を実行するための製造装置の概略構成図である。図２は、切断の対象となる積層体を示す平面図であって、Ｘ線で撮像した時の撮像画像を示す図である。
図１に示すように積層型電子部品の製造装置１は、装置全体の制御を行う制御装置２と、積層体１００を載置する台３と、積層体１００の透過画像を撮像するカメラ４と、積層体１００を切断する切断装置６とを備えて構成されている。制御装置２は、積層体１００を切断する際の各種演算を行う機能を有すると共に、台３、カメラ４、及び切断装置６に制御信号を出力して制御する機能を有している。台３は、制御装置２からの制御信号に従って移動する機能を有している。カメラ４は、積層体１００に赤外線、Ｘ線、超音波光線などの透過光線を照射して、積層体１００内部の画像を撮像する機能を有している。カメラ４は、取得した画像を制御装置２へ出力する機能を有している。切断装置６は、回転刃で積層体１００を切断するダイシングソーや、押切り刃で切断するカッターナイフを適用することができる。
積層体１００を切断する際は、作動している切断装置６に対して、台３をＸＹＺ軸線方向に移動させると共にＺ軸線周りに回転させることによって積層体１００の切断を行うことができる。あるいは、台３を固定し、切断装置をＸＹＺ軸線方向に移動させると共にＺ軸線周りに回転させることによって積層体１００の切断を行ってもよい。また、台３及び切断装置６の両方をそれぞれ移動させることによって積層体１００の切断を行ってもよい。
切断される対象物となる積層体１００は、複数のセラミックグリーンシートからなる誘電体層１０１と、セラミックグリーンシート上にペーストされた導体パターンによって構成される複数の内部電極層１０２とを積層することによって矩形板状に形成されている。内部電極層１０２は、平面方向に複数の内部電極１０３が並べられており、全ての内部電極層１０２における内部電極１０３は、一層ずつＹ軸線方向に交互にずれるように配置されることによって、積層方向に互いに重なり合う部分を有するように形成されている。積層方向に互いに重なり合っている一セットの内部電極１０３が、一つの積層型電子部品（図において仮想線ＣＰで示す）の内部電極を構成する。なお、積層体１００は、焼成前のものであり、請求項における誘電体層や内部電極層や内部電極は、焼成前のものを示している。
積層体１００の内部電極１０３は、図２に示すように、Ｘ軸線方向に複数個配列されると共に、Ｙ軸線方向に複数個配列される。積層体１００は、Ｘ軸線方向に隣合う内部電極１０３同士の間を通過して、Ｘ軸線方向に複数本配列された切断予定ラインに沿って切断され、Ｙ軸線方向に隣合う内部電極１０３同士の間を通過して、Ｙ軸線方向に複数本配列された切断予定ラインに沿って切断されることによって、複数の積層型電子部品とされる。積層体１００のＸ軸線方向の大きさは５０〜５００ｍｍ、Ｙ軸線方向の大きさは５０〜５００ｍｍ、厚さは０．１〜１０ｍｍ、内部電極１０３のＸ軸線方向の大きさは０．１〜５．０ｍｍ、Ｙ軸線方向の大きさは０．２〜６．０ｍｍ、厚さは１〜３μｍ、Ｘ軸線方向における内部電極１０３同士の間は０．０５〜１ｍｍ、Ｙ軸線方向における内部電極１０３同士の間は０．０５〜１ｍｍである。積層体１００は、平面方向の四隅に位置決めマーク１０４を有している。この位置決めマーク１０４は、切断装置６で積層体１００を切断する前に、積層体１００の平面方向における位置決めを行う際に、基準の目印として用いるものである。位置決めマーク１０４は、積層体１００の上面に形成されていてもよく、あるいはカメラ４で透過して検出できるように積層体１００の内部に設けられていてもよい。
続いて、図３〜図１３を参照して本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法について説明する。図３は、本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法を示すフロー図である。
図３に示すように、積層型電子部品の製造方法では、積層体１００を準備する積層体準備工程Ｓ１から工程が開始される。積層体準備工程Ｓ１では、誘電体層１０１となるセラミックグリーンシートを形成した後、当該セラミックグリーンシート上に内部電極１０３のパターンを導電性ペーストで印刷し、乾燥することによって、図２に示す内部電極１０３の電極パターンを形成する。このように電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚重ね合わせ、積層体１００を形成する。積層体１００が、台３の上面に載置されることによって積層体準備工程Ｓ１が終了する。
積層体準備工程Ｓ１の後、積層体位置決め工程Ｓ２が行われる。積層体位置決め工程Ｓ２では、カメラ４が、積層体１００を撮像する。次に、制御装置２が、カメラ４から出力された画像に基づいて、積層体１００の平面方向の四隅に形成された位置決めマーク１０４を検出する。制御装置２は、台３に制御信号を出力することによって、台３をＸＹ軸線方向へ移動させて位置調整を行うと共に、Ｚ軸線回りに台３を回転させて位置調整を行う。これによって、制御装置２は、積層体１００の平面方向における位置決めを行い、積層体位置決め工程Ｓ２が終了する。
積層体位置決め工程Ｓ２の後、内部電極位置取得工程Ｓ３が行われる。内部電極位置取得工程Ｓ３では、カメラ４が積層体１００を撮像することによって、積層体１００の内部を透過した画像を取得する。制御装置２は、カメラ４の撮像した画像に基づき、複数の内部電極１０３のうち、所定個数のサンプリング内部電極の位置を取得する。具体的には、図２に示すように、制御装置２は、Ｙ軸線方向の一端側の列の内部電極１０３のうち、Ｘ軸線方向の一端側の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ１として特定し、Ｘ軸線方向の中央位置の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ２として特定し、Ｘ軸線方向の他端側の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ３として特定する。また、制御装置２は、Ｙ軸線方向の中央位置の列の内部電極１０３のうち、Ｘ軸線方向の一端側の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ４として特定し、Ｘ軸線方向の中央位置の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ５として特定し、Ｘ軸線方向の他端側の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ６として特定する。更に、制御装置２は、Ｙ軸線方向の他端側の列の内部電極１０３のうち、Ｘ軸線方向の一端側の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ７として特定し、Ｘ軸線方向の中央位置の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ８として特定し、Ｘ軸線方向の他端側の列の内部電極１０３をサンプリング内部電極ＳＰ９として特定する。
内部電極位置取得工程Ｓ３において、制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９を特定した後、各サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の座標をそれぞれ取得する。具体的には、図５に示すように、制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ４，ＳＰ５，ＳＰ６の両側の長辺の中点における座標（ｘ１，ｙ１）及び座標（ｘ２，ｙ２）を取得すると共に、両側の短辺の中点における座標（ｘ３，ｙ３）及び座標（ｘ４，ｙ４）を取得する。制御装置２は、図示されないサンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ７，ＳＰ８，ＳＰ９についても座標（ｘ１，ｙ１）、（ｘ２，ｙ２）、（ｘ３，ｙ３）、（ｘ４，ｙ４）を取得する。これによって、制御装置２は、各サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の平面方向におけるそれぞれの位置を取得することができる。
内部電極位置取得工程Ｓ３の後、切断予定ライン決定工程Ｓ４が行われる。切断予定ライン決定工程Ｓ４において、制御装置２は、切断装置６で切断する予定位置を示す切断予定ラインＣＬ（図２参照）を決定する。切断予定ラインＣＬは、Ｘ軸線方向に複数本配列されており、それぞれの内部電極１０３同士の間を通過するように配置される。図２に示す切断予定ラインＣＬを設定する場合、切断予定ラインＣＬの配列方向であるＸ軸線方向が請求項における「第一の方向」に該当し、切断予定ラインの配列方向と直交する平面方向であるＹ軸線方向が請求項における「第二の方向」に該当する。制御装置２は、Ｘ軸線方向に配列される切断予定ラインを決定した後、Ｙ軸線方向に配列される切断予定ラインも決定する。なお、Ｙ軸線方向に配列される切断予定ラインＣＬを設定する場合、切断予定ラインＣＬの配列方向であるＹ軸線方向が請求項における「第一の方向」に該当し、切断予定ラインの配列方向と直交する平面方向であるＸ軸線方向が請求項における「第二の方向」に該当する。
切断予定ラインＣＬは、切断基準位置、切断間隔、及び切断角度の三つのパラメータから構成されている。切断基準位置とは、複数の切断予定ラインＣＬのうち、基準となる一本の基準切断予定ラインＣＬＢの位置座標である。切断基準位置を示す基準切断予定ラインＣＬＢの位置が移動すると、それに伴って複数の切断予定ラインＣＬ全体が移動する。本実施形態では、中央位置における切断予定ラインＣＬを基準切断予定ラインＣＬＢとして設定する。切断間隔とは、切断予定ラインＣＬ同士の間隔を示している。切断角度とは、切断予定ラインＣＬの平面方向における角度を示している。本実施形態では、切断予定ラインＣＬのＹ軸線に対する傾斜角度を切断角度とする。
ここで、切断予定ライン決定工程Ｓ４の具体的な内容について図４を参照して説明する。図４は、図３に示す切断予定ライン決定工程の工程内容を示すフロー図である。図４に示す各工程は、制御装置２の内部で演算処理を行うことによって実行される工程である。図４に示すように、切断予定ライン決定工程Ｓ４においては、まず切断予定ライン設定工程Ｓ１０が行われる。切断予定ライン設定工程Ｓ１０では、制御装置２は、切断予定ラインＣＬの各パラメータに対して、暫定的な設定値を設定する。具体的には、制御装置２は、切断基準位置の設定値Ｘの初期値として０（Ｘ軸線方向における中心位置）を設定し、切断間隔の設定値Ｙの初期値として所定の設計値（対象となる積層体１００の内部電極１０３同士の間隔から、任意に設定することができる）を設定し、切断角度の設定値Ｚの初期値として０（Ｘ軸線方向と平行をなす）を設定する。
切断予定ライン設定工程Ｓ１０の後、切断歩留まり推定工程Ｓ１２が行われる。切断歩留まり推定工程Ｓ１２において、制御装置２は、切断予定ラインＣＬの各パラメータのうち、切断間隔の値を設定値Ｙで固定し、切断角度の値を設定値Ｚで固定した状態で、切断基準位置の値を変化させて、切断基準位置の各値における切断歩留まりを演算することによって、切断歩留まりを推定する。具体的には、制御装置２は、切断基準位置の値を設定値Ｘを基準に目盛幅ａずつ変化させて、切断基準位置の値＝Ｘ，Ｘ±ａ，Ｘ±２ａ，Ｘ±３ａ，…，Ｘ±ｎａ，…，Ｘ±Ｎａと変化させ、各値における切断歩留まりを推定する。
切断歩留まり推定工程Ｓ１２において、制御装置２は、切断予定ラインＣＬで切断した場合に、各サンプリング内部電極と切断予定ラインＣＬとが重なるかどうかを演算し、重ならないサンプリング内部電極をＯＫ品と判定し、重なるサンプリング内部電極をＮＧ品と判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極のうち、ＯＫ品とＮＧ品の割合を演算することによって、切断歩留まりを推定する。
切断歩留まりの推定について、更に具体的に説明する。図６は、サンプリング内部電極ＳＰ４，ＳＰ５，ＳＰ６付近を拡大すると共に、切断基準位置の値を変化させた切断予定ラインを描いた図である。図６には、切断基準位置の値を設定値Ｘとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢと、その他の切断予定ラインＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５が示されている。更に、図６には、切断基準位置の値をＸ−ｎａとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５が一点鎖線で示され、切断基準位置の値をＸ＋ｎａとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５が点線で示されている。なお、切断基準位置の値をＸ±ａ，Ｘ±２ａ，Ｘ±３ａ，…，Ｘ±（ｎ−１）ａ，Ｘ±（ｎ＋１）ａ，…，Ｘ±Ｎａとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５は省略されている。
図６に示す例においては、切断基準位置の値をＸとした場合（切断予定ラインは実線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が、重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ１と切断予定ラインＣＬ２との間にサンプリング内部電極ＳＰ４が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４と切断予定ラインＣＬ５との間にサンプリング内部電極ＳＰ６が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＯＫ品と判定される。切断基準位置の値をＸ−ｎａとした場合（切断予定ラインは一点鎖線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が、重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ２とサンプリング内部電極ＳＰ４が重なるため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＮＧ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４と切断予定ラインＣＬ５との間にサンプリング内部電極ＳＰ６が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＯＫ品と判定される。切断基準位置の値をＸ＋ｎａとした場合（切断予定ラインは点線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢがサンプリング内部電極ＳＰ５に重なるため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＮＧ品と判定される。切断予定ラインＣＬ１と切断予定ラインＣＬ２との間にサンプリング内部電極ＳＰ４が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４とサンプリング内部電極ＳＰ６が重なるため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＮＧ品と判定される。サンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ７，ＳＰ８，ＳＰ９についても、切断予定ラインと重なるかどうかによってＯＫ品とＮＧ品の判定がなされる。
サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９についてのＯＫ品とＮＧ品の判定を行った後、制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９のＯＫ品とＮＧ品の判定結果に基づいて、積層体１００を複数のブロックに分割したＮＧパターンが得られる。得られたＮＧパターンに基づいて、切断歩留まりを演算することができる。制御装置２は、図７に示すように、積層体１００をブロックＢＬ１〜ＢＬ９の九ブロックに分割し、各ブロックがＮＧ品の存在する領域であるかを判定する。具体的には、制御装置２は、対応するブロック内に存在するサンプリング内部電極がＮＧ品であるか否かによって、当該ブロックがＮＧ領域であるか否かの判定を行う。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ１がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ１がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ２がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ２がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ３がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ３がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ４がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ４がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ５がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ５がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ６がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ６がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ７がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ７がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ８がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ８がＮＧ領域であると判定する。制御装置２は、サンプリング内部電極ＳＰ９がＮＧ品であれば、ブロックＢＬ９がＮＧ領域であると判定する。図７（ａ）に示す例では、全てのサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９がＯＫ品であり、制御装置２は、ブロックＢＬ１〜ＢＬ９の全てがＯＫ領域であるＮＧパターンを作成し、このときの切断歩留まりを１００％であると演算する。図７（ｂ）に示す例では、サンプリング内部電極ＳＰ９のみがＮＧ品であり、制御装置２は、ブロックＢＬ９のみがＮＧ領域であるＮＧパターンを作成し、このときの切断歩留まりを８８．９％であると演算する。図７（ｃ）に示す例では、サンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ９のみがＮＧ品であり、制御装置２は、ブロックＢＬ１，ＢＬ９のみがＮＧ領域であるＮＧパターンを作成し、このときの切断歩留まりを７７．８％であると演算する。
制御装置２は、切断基準位置の値＝Ｘ，Ｘ±ａ，Ｘ±２ａ，Ｘ±３ａ，…，Ｘ±ｎａ，…，Ｘ±Ｎａと変化させ、全ての値についてのサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の判定、ＮＧパターンの作成、及び切断歩留まりの演算を行う。これによって、制御装置２は、図８に示す切断歩留まりを示すグラフを取得する。図８に示すグラフは、横軸に切断基準位置の値が示され、縦軸に切断歩留まりが示されており、切断基準位置の各値に対応する切断歩留まりがプロットされている。制御装置２が、このようなグラフを取得して、切断歩留まり推定工程Ｓ１２が終了する。
図４へ戻り、切断歩留まり推定工程Ｓ１２の後、切断予定ライン最適化工程Ｓ１４が行われる。切断予定ライン最適化工程Ｓ１４では、切断歩留まり推定工程Ｓ１２で推定された推定結果に基づき、切断基準位置の値の最適化を行うことによって、切断予定ラインＣＬの最適化を行う。具体的には、切断歩留まり推定工程Ｓ１２で得られたグラフに基づいて、切断基準位置の最適値を演算する。図８に示す例においては、制御装置２は、切断歩留まりを１００％とすることのできる切断基準位置の値の最大値Ｘｍａｘと最小値Ｘｍｉｎを取得するとともに、最大値Ｘｍａｘと最小値Ｘｍｉｎとの間の中間の値（Ｘｍａｘ＋Ｘｍｉｎ）／２を切断基準位置の最適値Ｘｍとして取得する。最適値Ｘｍを取得して、切断予定ライン最適化工程Ｓ１４は終了する。
図４へ戻り、切断予定ライン最適化工程Ｓ１４の後、切断予定ライン設定工程Ｓ１６が行われる。切断予定ライン設定工程Ｓ１６において、制御装置２は、切断予定ライン最適化工程Ｓ１４で取得された最適値Ｘｍを切断基準位置の設定値に代入することによって、新たな切断ラインを設定する。なお、切断角度の設定値Ｚは０であり、切断間隔の設定値Ｙは設計値である。
切断予定ライン設定工程Ｓ１６の後、切断歩留まり推定工程Ｓ１８が行われる。切断歩留まり推定工程Ｓ１８において、制御装置２は、切断予定ラインＣＬの各パラメータのうち、切断間隔の値を設定値Ｙで固定し、切断基準位置の値を設定値Ｘ（Ｓ１６で設定した最適値Ｘｍ）で固定した状態で、切断角度の値を変化させて、切断角度の各値における切断歩留まりを演算することによって、切断歩留まりを推定する。具体的には、制御装置２は、切断角度の値を設定値Ｚを基準に目盛幅ｂずつ変化させて、切断角度の値＝Ｚ，Ｚ±ｂ，Ｚ±２ｂ，Ｚ±３ｂ，…，Ｚ±ｎｂ，…，Ｚ±Ｎｂと変化させ、各値における切断歩留まりを推定する。
切断角度を変化させた場合の切断歩留まりの推定について、更に具体的に説明する。図９は、サンプリング内部電極ＳＰ４，ＳＰ５，ＳＰ６付近を拡大すると共に、切断角度の値を変化させた切断予定ラインを描いた図である。図９には、切断角度の値を設定値Ｚとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ、その他の切断予定ラインＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５が示されている。更に、図９には、切断角度の値をＺ−ｎｂとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５が一点鎖線で示され、切断角度の値をＺ＋ｎｂとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５が点線で示されている。なお、切断角度の値をＺ±ｂ，Ｚ±２ｂ，Ｚ±３ｂ，…，Ｚ±（ｎ−１）ｂ，Ｚ±（ｎ＋１）ｂ，…，Ｚ±Ｎｂとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５は省略されている。
図９に示す例においては、切断角度の値をＺとした場合（切断予定ラインは実線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が、重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ１と切断予定ラインＣＬ２との間にサンプリング内部電極ＳＰ４が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４と切断予定ラインＣＬ５との間にサンプリング内部電極ＳＰ６が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＯＫ品と判定される。切断角度の値をＺ−ｎｂとした場合（切断予定ラインは一点鎖線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が、重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ２とサンプリング内部電極ＳＰ４とが重なっているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＮＧ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４とサンプリング内部電極ＳＰ６とが重なっているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＮＧ品と判定される。切断角度の値をＺ＋ｎｂとした場合（切断予定ラインは点線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ１と切断予定ラインＣＬ２との間にサンプリング内部電極ＳＰ４が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４と切断予定ラインＣＬ５との間にサンプリング内部電極ＳＰ６が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＯＫ品と判定される。サンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ７，ＳＰ８，ＳＰ９についても、切断予定ラインと重なるかどうかによってＯＫ品とＮＧ品の判定がなされる。
制御装置２は、切断角度の値＝Ｚ，Ｚ±ｂ，Ｚ±２ｂ，Ｚ±３ｂ，…，Ｚ±ｎｂ，…，Ｚ±Ｎｂと変化させ、全ての値についてのサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の判定、ＮＧパターンの作成、及び切断歩留まりの演算を行う。これによって、制御装置２は、図１０に示す切断歩留まりを示すグラフを取得する。図１０に示すグラフは、横軸に切断角度の値が示され、縦軸に切断歩留まりが示されており、切断角度の各値に対応する切断歩留まりがプロットされている。制御装置２が、このようなグラフを取得して、切断歩留まり推定工程Ｓ１８が終了する。
図４へ戻り、切断歩留まり推定工程Ｓ１８の後、切断予定ライン最適化工程Ｓ２０が行われる。切断予定ライン最適化工程Ｓ２０では、切断歩留まり推定工程Ｓ１８で推定された推定結果に基づき、切断角度の値の最適化を行うことによって、切断予定ラインＣＬの最適化を行う。具体的には、切断歩留まり推定工程Ｓ１８で得られたグラフに基づいて、切断角度の最適値を演算する。図１０に示す例においては、制御装置２は、切断歩留まりを１００％とすることのできる切断角度の値の最大値Ｚｍａｘと最小値Ｚｍｉｎを取得するとともに、最大値Ｚｍａｘと最小値Ｚｍｉｎとの間の中間の値（Ｚｍａｘ＋Ｚｍｉｎ）／２を切断角度の最適値Ｚｍとして取得する。最適値Ｚｍを取得して、切断予定ライン最適化工程Ｓ２０は終了する。
図４へ戻り、切断予定ライン最適化工程の後、切断予定ライン設定工程Ｓ２２が行われる。切断予定ライン設定工程Ｓ２２において、制御装置２は、切断予定ライン最適化工程Ｓ２０で取得された最適値Ｚｍを切断角度の設定値に代入することによって、新たな切断ラインを設定する。なお、切断基準位置の設定値ＸはＸｍであり、切断間隔の設定値Ｙは設計値である。
切断予定ライン設定工程Ｓ２２の後、切断歩留まり推定工程Ｓ２４が行われる。切断歩留まり推定工程Ｓ２４において、制御装置２は、切断予定ラインＣＬの各パラメータのうち、切断角度の値を設定値Ｚ（Ｓ２２で設定した最適値Ｚｍ）で固定し、切断基準位置の値を設定値Ｘ（Ｓ１６で設定した最適値Ｘｍ）で固定した状態で、切断間隔の値を変化させて、切断間隔の各値における切断歩留まりを演算することによって、切断歩留まりを推定する。具体的には、制御装置２は、切断間隔の値を設定値Ｙを基準に目盛幅ｃずつ変化させて、切断間隔の値＝Ｙ，Ｙ±ｃ，Ｙ±２ｃ，Ｙ±３ｃ，…，Ｙ±ｎｃ，…，Ｙ±Ｎｃと変化させ、各値における切断歩留まりを推定する。
切断間隔を変化させた場合の切断歩留まりの推定について、更に具体的に説明する。図１１は、サンプリング内部電極ＳＰ４，ＳＰ５，ＳＰ６付近を拡大すると共に、切断間隔の値を変化させた切断予定ラインを描いた図である。図１１には、切断間隔の値を設定値Ｙとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ、その他の切断予定ラインＣＬ１，ＣＬ２，ＣＬ３，ＣＬ４，ＣＬ５が示されている。更に、図１１には、切断間隔の値をＹ＋ｎｃとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５が点線で示されている。なお、切断間隔の値をＹ±ｃ，Ｙ±２ｃ，Ｙ±３ｃ，…，Ｙ±（ｎ−１）ｃ，Ｙ−ｎｃ，Ｙ±（ｎ＋１）ｃ，…，Ｙ±Ｎｃとした場合の基準切断予定ラインＣＬＢ及び切断予定ラインＣＬ１〜ＣＬ５は省略されている。
図１１に示す例においては、切断間隔の値をＹとした場合（切断予定ラインは実線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が、重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ１とサンプリング内部電極ＳＰ４とが重なっているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＮＧ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４と切断予定ラインＣＬ５との間にサンプリング内部電極ＳＰ６が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＯＫ品と判定される。切断間隔の値をＹ＋ｎｃとした場合（切断予定ラインは点線で示すものとなる）、基準切断予定ラインＣＬＢと切断予定ラインＣＬ３との間にサンプリング内部電極ＳＰ５が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ５はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ１と切断予定ラインＣＬ２との間にサンプリング内部電極ＳＰ４が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ４はＯＫ品と判定される。切断予定ラインＣＬ４と切断予定ラインＣＬ５との間にサンプリング内部電極ＳＰ６が重なることなく存在しているため、サンプリング内部電極ＳＰ６はＯＫ品と判定される。サンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ７，ＳＰ８，ＳＰ９についても、切断予定ラインと重なるかどうかによってＯＫ品とＮＧ品の判定がなされる。
制御装置２は、切断間隔の値＝Ｙ，Ｙ±ｃ，Ｙ±２ｃ，Ｙ±３ｃ，…，Ｙ±ｎｃ，…，Ｙ±Ｎｃと変化させ、全ての値についてのサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の判定、ＮＧパターンの作成、及び切断歩留まりの演算を行う。これによって、制御装置２は、図１２に示す切断歩留まりを示すグラフを取得する。図１２に示すグラフは、横軸に切断間隔の値が示され、縦軸に切断歩留まりが示されており、切断間隔の各値に対応する切断歩留まりがプロットされている。制御装置２が、このようなグラフを取得して、切断歩留まり推定工程Ｓ２４が終了する。
図４へ戻り、切断歩留まり推定工程Ｓ２４の後、切断予定ライン最適化工程Ｓ２６が行われる。切断予定ライン最適化工程Ｓ２６では、切断歩留まり推定工程Ｓ２４で推定された推定結果に基づき、切断間隔の値の最適化を行うことによって、切断予定ラインＣＬの最適化を行う。具体的には、切断歩留まり推定工程Ｓ２４で得られたグラフに基づいて、切断間隔の最適値を演算する。図１２に示す例においては、制御装置２は、切断歩留まりを１００％とすることのできる切断間隔の値の最大値Ｙｍａｘと最小値Ｙｍｉｎを取得するとともに、最大値Ｙｍａｘと最小値Ｙｍｉｎとの間の中間の値（Ｙｍａｘ＋Ｙｍｉｎ）／２を切断基準位置の最適値Ｙｍとして取得する。最適値Ｙｍを取得して、切断予定ライン最適化工程Ｓ２６は終了する。
図４へ戻り、切断予定ライン最適化工程の後、切断予定ライン設定工程Ｓ２８が行われる。切断予定ライン設定工程Ｓ２８において、制御装置２は、切断予定ライン最適化工程Ｓ２６で取得された最適値Ｙｍを切断間隔の設定値に代入することによって、新たな切断予定ラインを設定する。なお、切断基準位置の設定値ＸはＸｍであり、切断角度の設定値ＺはＺｍである。
切断予定ライン設定工程Ｓ２８の後、更に各パラメータを最適化すべく切断予定ライン最適化反復工程Ｓ３０が実行される。切断予定ライン最適化反復工程Ｓ３０は、図１３に示すように、切断基準位置についての切断歩留まり推定工程Ｓ４０から開始される。切断歩留まり推定工程Ｓ４０では、制御装置２は、図４の切断歩留まり推定工程Ｓ１２と同様の処理を実行する。切断歩留まり推定工程Ｓ４０が終わると、切断基準位置についての切断予定ライン最適化工程Ｓ４２が行われる。切断予定ライン最適化工程Ｓ４２では、制御装置２は、図４の切断予定ライン最適化工程Ｓ１４と同様の処理を実行する。切断予定ライン最適化工程Ｓ４２が終了して切断基準位置についての最適値Ｘｍが得られると、制御装置２は、現在切断基準位置の設定値として設定されている値Ｘと、切断予定ライン最適化工程Ｓ４２で取得された切断基準位置の最適値Ｘｍとが同じ値であるか否かを判定する最適値判定工程Ｓ４４を行う。
最適値判定工程Ｓ４４において、制御装置２は、設定値Ｘと最適値Ｘｍとが同じ値であると判定すると、十分に最適な切断予定ラインを得られたと判断し、切断予定ライン決定工程Ｓ６２へ移行する。切断予定ライン決定工程Ｓ６２では、制御装置２は、切断予定ラインのパラメータのうち、切断基準位置の値を切断予定ライン最適化工程Ｓ４２で取得された最適値Ｘｍに決定し、切断間隔の値を既に設定されている設定値Ｙに決定し、切断角度の値を既に設定されている設定値Ｚに決定する。切断予定ライン決定工程Ｓ６２が終了すると、図１３に示す切断予定ライン最適化反復工程が終了し、図４の処理へ戻る。
一方、最適値判定工程Ｓ４４において、制御装置２は、設定値Ｘと最適値Ｘｍとが異なる値であると判定すると、十分に最適な切断予定ラインを得られていないと判断し、切断予定ライン設定工程Ｓ４６へ移行する。切断予定ライン設定工程Ｓ４６において、制御装置２は、切断予定ライン設定工程Ｓ１６と同様の処理を実行する。切断予定ライン設定工程Ｓ４６が終わると、切断角度についての切断歩留まり推定工程Ｓ４８が行われる。切断歩留まり推定工程Ｓ４８では、制御装置２は、図４の切断歩留まり推定工程Ｓ１８と同様の処理を実行する。切断歩留まり推定工程Ｓ４８が終わると、切断角度についての切断予定ライン最適化工程Ｓ５０が行われる。切断予定ライン最適化工程Ｓ５０では、制御装置２は、図４の切断予定ライン最適化工程Ｓ２０と同様の処理を実行する。切断予定ライン最適化工程Ｓ５０が終了して切断角度についての最適値Ｚｍが得られると、制御装置２は、現在切断角度の設定値として設定されている値Ｚと、切断予定ライン最適化工程Ｓ５０で取得された切断角度の最適値Ｚｍとが同じ値であるか否かを判定する最適値判定工程Ｓ５２を行う。
最適値判定工程Ｓ５２において、制御装置２は、設定値Ｚと最適値Ｚｍとが同じ値であると判定すると、十分に最適な切断予定ラインを得られたと判断し、切断予定ライン決定工程Ｓ６２へ移行する。切断予定ライン決定工程Ｓ６２では、制御装置２は、切断予定ラインのパラメータのうち、切断角度の値を切断予定ライン最適化工程Ｓ５０で取得された最適値Ｚｍに決定し、切断間隔の値を既に設定されている設定値Ｙに決定し、切断基準位置の値を既に設定されている設定値Ｘに決定する。切断予定ライン決定工程Ｓ６２が終了すると、図１３に示す切断予定ライン最適化反復工程が終了し、図４の処理へ戻る。
一方、最適値判定工程Ｓ５２において、制御装置２は、設定値Ｚと最適値Ｚｍとが異なる値であると判定すると、十分に最適な切断予定ラインを得られていないと判断し、切断予定ライン設定工程Ｓ５４へ移行する。切断予定ライン設定工程Ｓ５４において、制御装置２は、切断予定ライン設定工程Ｓ２２と同様の処理を実行する。切断予定ライン設定工程Ｓ５４が終わると、切断間隔についての切断歩留まり推定工程Ｓ５６が行われる。切断歩留まり推定工程Ｓ５６では、制御装置２は、図４の切断歩留まり推定工程Ｓ２４と同様の処理を実行する。切断歩留まり推定工程Ｓ５６が終わると、切断間隔についての切断予定ライン最適化工程Ｓ５８が行われる。切断予定ライン最適化工程Ｓ５８では、制御装置２は、図４の切断予定ライン最適化工程Ｓ２６と同様の処理を実行する。切断予定ライン最適化工程Ｓ５８が終了して切断間隔についての最適値Ｙｍが得られると、制御装置２は、現在切断間隔の設定値として設定されている値Ｙと、切断予定ライン最適化工程Ｓ５８で取得された切断間隔の最適値Ｙｍとが同じ値であるか否かを判定する最適値判定工程Ｓ６０を行う。
最適値判定工程Ｓ６０において、制御装置２は、設定値Ｙと最適値Ｙｍとが同じ値であると判定すると、十分に最適な切断予定ラインを得られたと判断し、切断予定ライン決定工程Ｓ６２へ移行する。切断予定ライン決定工程Ｓ６２では、制御装置２は、切断予定ラインのパラメータのうち、切断間隔の値を切断予定ライン最適化工程Ｓ５８で取得された最適値Ｙｍに決定し、切断基準位置の値を既に設定されている設定値Ｘに決定し、切断角度の値を既に設定されている設定値Ｚに決定する。切断予定ライン決定工程Ｓ６２が終了すると、図１３に示す切断予定ライン最適化反復工程が終了し、図４の処理へ戻る。
一方、最適値判定工程Ｓ６０において、制御装置２は、設定値Ｙと最適値Ｙｍとが異なる値であると判定すると、十分に最適な切断予定ラインを得られていないと判断し、切断予定ライン設定工程Ｓ６４へ移行する。切断予定ライン設定工程Ｓ６４において、制御装置２は、切断予定ライン設定工程Ｓ２８と同様の処理を実行する。更に、制御装置２は、切断予定ライン設定工程Ｓ６４の後、再び切断基準位置についての切断歩留まり推定工程Ｓ４０を実行し、それ以降、同様の処理を行う。
図４へ戻り、切断予定ライン最適化反復工程Ｓ３０が終了し、Ｘ軸線方向に配列される切断予定ラインの決定がなされると、Ｙ軸線方向に配列される切断予定ラインについても、図４及び図１３に示す工程が行われることによって決定される。Ｘ軸線方向に配列される切断予定ライン及びＹ軸線方向に配列される切断予定ラインの決定がなされると、図４に示す切断予定ライン決定工程が終了する。図４の工程が終了すると、図３へ戻り、積層体切断工程Ｓ５が行われる。積層体切断工程Ｓ５では、制御装置２は、切断予定ライン決定工程Ｓ４で決定された切断予定ラインに沿って積層体１００が切断されるように、台３及び切断装置６へ制御信号を出力することによって、積層体１００の切断を行って積層型電子部品を得る。積層体切断工程Ｓ５が終了すると、図３に示す製造方法が終了する。
次に、本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法の作用・効果について説明する。
本発明の実施形態に係る積層型電子部品の製造方法では、切断予定ライン設定工程において、切断基準位置、切断間隔、及び切断角度の三つのパラメータを設定することで複数の切断予定ラインＣＬを設定する一方で、内部電極位置取得工程でサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の平面方向におけるそれぞれの位置を取得することができる。また、切断歩留まり推定工程では、設定した切断予定ラインＣＬとサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の位置に基づいて切断歩留まりを推定しつつ、切断予定ライン最適化において、推定結果に基づいて各パラメータの最適値を得ることによって切断予定ラインＣＬの最適化を行うことができる。そして、積層体切断工程において、最適化された切断予定ラインＣＬに基づいて、積層体１００を切断することができる。切断基準位置、切断間隔、切断角度の三つのパラメータのみを演算することで、積層体１００を切断するのに必要とされる切断予定ラインＣＬの全てを決定することができる。従って、各切断予定ラインＣＬを一つ一つ演算する場合に比して、演算の負荷を低減することができる。特に、内部電極が多くなった場合は、演算の負荷を大幅に低減することができる。また、一度設定した切断予定ラインＣＬについて切断歩留まりを推定し、その推定結果に基づいて切断予定ラインＣＬの最適化を行うことによって、切断歩留まりを向上させることができる。また、切断歩留まりを推定する際は、全ての内部電極１０３の位置に基づいて推定を行うのではなく、所定の個数のサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９の位置に基づいて推定を行うことによって、一枚あたりの積層体１００から取得できる積層型電子部品の数が多くなった場合であっても、推定に必要とされる演算の負荷を低減することができる。以上によって、切断歩留まりを向上させると共に、演算の負荷を低減することによって、積層型電子部品の製造効率を向上させることができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法において、切断予定ライン設定工程、切断歩留まり推定工程、及び切断予定ライン最適化工程は複数回行われ、切断予定ライン最適化工程において、切断基準位置、切断間隔、及び切断角度の中の一のパラメータの最適値が得られた後は、最適値を一のパラメータに代入することによって新たな切断予定ラインＣＬを設定する切断予定ライン設定工程が行われ、新たな切断予定ラインにおいて、一のパラメータと異なる他のパラメータの値を変化させて、各値における歩留まりを推定する歩留まり推定工程が行われ、歩留まりの推定結果に基づいて他のパラメータの最適値を演算する切断予定ライン最適化工程が行われる。一のパラメータの最適値が得られた後、当該最適値が反映された新たな切断予定ラインＣＬについて切断歩留まりの推定を行い、他のパラメータの最適値を演算することによって、切断予定ラインＣＬの精度を高めることができる。これによって、切断歩留まりを一層向上させることができる。
ここで、本発明の発明者らは、切断基準位置の最適化がなされておらず、例えば、基準切断予定ラインＣＬＢ自体が内部電極に重なっているような場合は、切断角度や切断間隔の最適化を行ったとしても、切断歩留まりを向上することはできないため、切断基準位置をまず最適化することが好適であることを見出した。更に、本発明の発明者らは、例えば、切断予定ラインの切断角度が内部電極に対して大きく傾いているような場合は、切断間隔の最適化を行ったとしても、切断歩留まりを向上することはできないため、切断間隔よりも先に切断角度の最適化をすることが好適であることを見出した。
そこで、本発明に係る積層型電子部品の製造方法では、切断予定ライン最適化工程において、一回目の最適化である場合は、切断基準位置の最適化が行われ、前回の最適化において切断基準位置の最適化が行われた場合は、切断角度の最適化が行われ、前回の最適化において切断角度の最適化が行われた場合は、切断間隔の最適化が行われ、前回の最適化において切断間隔の最適化が行われた場合は、切断基準位置の最適化が行われる。これによって、切断予定ラインの三つのパラメータに対して、切断基準位置、切断角度、切断間隔の順番で最適値を演算することができる。このように、好適な順番でパラメータの最適化を行うことにより、切断予定ラインＣＬの精度を上げることができると共に、演算の負荷を低減することができる。
また、本発明に係る積層型電子部品の製造方法では、切断予定ライン設定工程よりも前段階において、矩形平板状の積層体１００の平面方向の四隅に形成された位置決めマーク１０４を検出し、位置決めマーク１０４に基づいて積層体１００の平面方向における位置決めを行う積層体位置決め工程Ｓ２を更に有する。積層体１００が切断装置６やカメラ４に対してずれて配置されていた場合は、切断予定ライン設定工程で設定される切断予定ラインＣＬも、内部電極１０３に対してずれたものが設定されてしまい、最適化の際の演算が多くなってしまう。しかし、切断予定ライン設定工程の前段階で、積層体１００の四隅の位置決めマーク１０４に基づいて位置決めを行っておくことによって、切断予定ライン設定工程で適切な切断予定ラインＣＬを設定することが可能となる。これによって、切断予定ライン最適化工程における演算の負荷を低減することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
例えば、上述の実施形態においてはサンプリング内部電極は、積層体１００における各端部側の列及び中央位置の列における内部電極１０３を選択していたが、選択するサンプリング内部電極を代えることによって、更なる効果を得ることができる。
例えば、図１６（ａ）に示すように、サンプリング内部電極として、少なくとも、Ｙ軸線方向において異なる列に存在する二つの内部電極がサンプリングされ、一方のサンプリング内部電極は、他方のサンプリング内部電極に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在していてもよい。具体的には、Ｙ軸線方向において異なる列に存在するサンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ４，ＳＰ７がサンプリングされ、サンプリング内部電極ＳＰ４は、サンプリング内部電極ＳＰ１に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在しており、サンプリング内部電極ＳＰ７は、サンプリング内部電極ＳＰ４に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在している。また、Ｙ軸線方向において異なる列に存在するサンプリング内部電極ＳＰ２，ＳＰ５，ＳＰ８がサンプリングされ、サンプリング内部電極ＳＰ５は、サンプリング内部電極ＳＰ２に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在しており、サンプリング内部電極ＳＰ８は、サンプリング内部電極ＳＰ５に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在している。また、Ｙ軸線方向において異なる列に存在するサンプリング内部電極ＳＰ３，ＳＰ６，ＳＰ９がサンプリングされ、サンプリング内部電極ＳＰ６は、サンプリング内部電極ＳＰ３に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在しており、サンプリング内部電極ＳＰ９は、サンプリング内部電極ＳＰ６に対し、Ｘ軸線方向において隣接する列に存在している。図１６（ａ）に示す例では、Ｘ軸線方向が請求項における「第一の方向」に該当し、Ｙ軸線方向が請求項における「第二の方向」に該当する。
まず、切断間隔を設定する際は、例えば、図１４（ａ）に示すように、切断間隔が内部電極１０３の幅に対して狭すぎる場合は、切断基準位置をどれほど変えたとしても必ず内部電極に重なってしまうため、一向に切断歩留まりを１００％とすることができない。従って、切断間隔は、内部電極幅と内部電極間の距離とを足し合わせた大きさよりも大きく設定されることが好適である。しかし、図１４（ｂ）に示すように、切断間隔が内部電極幅に比して大幅に大きくなった場合、切断間隔が無視できるため、切断角度を固定すれば、切断歩留まりは、切断基準位置のみによって決められる。
切断間隔が大幅に大きくなっている際に、サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９が図１５（ａ）に示すように選択されている場合について考える。このような場合は、基準切断予定ラインをαの位置からＸ軸線方向の負の方向へ変化させると、基準切断予定ラインがサンプリング内部電極ＳＰ２，ＳＰ５，ＳＰ８と重なっているところで切断歩留まりが低下する。また、サンプリング内部電極ＳＰ２，ＳＰ５，ＳＰ８を超えたところで再び切断歩留まりが１００％となり、そのまま切断歩留まり１００％の状態が続き（内部電極に重なるものの、サンプリング内部電極とは重なっていないため、切断歩留まり推定工程ではいずれのサンプリング内部電極もＮＧ品ではないと判定されるため）サンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ４，ＳＰ７と重なったところで切断歩留まりが低下し、βに示す位置で再び切断歩留まりが１００％となる。このような切断基準位置と切断歩留まりとの関係を図１５（ｂ）に示す。図１５（ｂ）に示すように、切断歩留まりのピークが非常に広くなってしまう。このように、切断基準位置の最適値を求めるために、βに示す位置まで切断基準位置を変化させる必要が生じる。
一方、サンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９が図１６（ａ）に示すように選択されている場合は、基準切断予定ラインをαの位置からＸ軸線方向の負の方向へ変化させると、基準切断予定ラインがサンプリング内部電極ＳＰ５と重なっているところで切断歩留まりが低下する。また、サンプリング内部電極ＳＰ５を超えたところで再び切断歩留まりが１００％となり、サンプリング内部電極ＳＰ５とサンプリング内部電極ＳＰ２との間で切断歩留まり１００％の状態が続く。そして、サンプリング内部電極ＳＰ２と重なったところで切断歩留まりが低下し、βに示す位置で再び切断歩留まりが１００％となる。このような切断基準位置と切断歩留まりとの関係を図１６（ｂ）に示す。図１６（ｂ）に示すように、切断歩留まりのピークを狭くすることができる。このように、切断基準位置をＸ軸線方向に隣合うサンプリング内部電極の位置まで変化させるだけで、切断基準位置の最適値を求めることができ、演算の負荷を低減することができる。
なお、図１６（ａ）では、Ｘ軸線方向に一つずつずらしているが、Ｙ軸線方向に一つずつずらしてもよく、この場合は、Ｙ軸線方向に配列される切断予定ラインを決定する際に、前述の効果を得ることができる。このとき、Ｘ軸線方向が請求項における「第二の方向」に該当し、Ｙ軸線方向が請求項における「第一の方向」に該当する。
更に、サンプリング内部電極として、Ｘ軸線方向における各列について、少なくとも一つの内部電極がそれぞれサンプリングされてもよい。具体的には、図１７（ｂ）に示すように、Ｘ軸線方向の同じ列に三つずつ選択されるサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９に加え、サンプリング内部電極ＳＰ１とサンプリング内部電極ＳＰ８との間でＹ軸線方向及びＸ軸線方向に一つずつずれたそれぞれの内部電極をサンプリング内部電極として選択し、サンプリング内部電極ＳＰ２とサンプリング内部電極ＳＰ７との間でＹ軸線方向及びＸ軸線方向に一つずつずれたそれぞれの内部電極をサンプリング内部電極として選択し、サンプリング内部電極ＳＰ２とサンプリング内部電極ＳＰ９との間でＹ軸線方向及びＸ軸線方向に一つずつずれたそれぞれの内部電極をサンプリング内部電極として選択し、サンプリング内部電極ＳＰ３とサンプリング内部電極ＳＰ８との間でＹ軸線方向及びＸ軸線方向に一つずつずれたそれぞれの内部電極をサンプリング内部電極として選択する。
例えば、図１７（ａ）に示すように、Ｘ軸線方向の同じ列に三つずつサンプリング内部電極ＳＰ１〜ＳＰ９を選択した場合は、基準切断予定ラインがサンプリング内部電極ＳＰ１，ＳＰ４，ＳＰ７とサンプリング内部電極ＳＰ２，ＳＰ５，ＳＰ８との間に存在していると、サンプリング内部電極以外の内部電極と重なっていたとしても、サンプリング内部電極と重なっていないために、高い切断歩留まりが推定されてしまう。
一方、図１７（ｂ）に示すようにサンプリング内部電極が選択されていた場合、基準切断予定ラインがＸ軸線方向におけるどこに存在していても、Ｘ軸線方向の各列に存在するサンプリング内部電極に重なっていれば、ＮＧ品と判定することができるため、切断歩留まりを正確に推定することができる。
また、上述の実施形態では、Ｘ軸線方向における端部側に存在する一対の切断予定ライン同士の間に、Ｘ軸線方向における端部側のサンプリング内部電極が存在する状態についてのみ説明していたが、端部側に存在する一対の切断予定ライン同士の間にサンプリング内部電極が存在しない場合についても対応可能としてもよい。具体的には、切断歩留まり推定工程では、互いに隣接する一組の切断予定ラインの位置と、サンプリング内部電極の位置とを照合することによって切断歩留まりの推定を行い、その照合を複数の切断予定ラインの全ての組について行うことができる。
例えば、切断歩留まり推定工程において、互いに隣接する一組の切断予定ラインの位置と、サンプリング内部電極の位置とを照合することによって切断歩留まりの推定を行い、切断予定ライン同士の間にサンプリング内部電極が存在している場合にＯＫ品であると判定する場合において、Ｘ軸線方向における端部側の組の切断予定ラインのみについてしか判定を行わない場合について考える。この場合、図１８（ａ）に示す状態においては、端部側の切断予定ラインＡと切断予定ラインＢの組の間に、サンプリング内部電極ＳＰ１の両端部の座標ａ，ｂが存在しているため、ＯＫ品と判定することができる。しかし、図１８（ｂ）に示す状態においては、端部側の切断予定ラインＡと切断予定ラインＢの組の間に、サンプリング内部電極ＳＰ１の両端部の座標ａ，ｂが存在していないため、切断予定ラインＢと切断予定ラインＣとの間に存在していた場合であっても、ＮＧ品と判定されてしまう。
一方、照合を複数の切断予定ラインの全ての組について行う場合、図１８（ａ）に示す状態においてＯＫ品と判断することができると同時に、図１８（ｂ）に示す状態においても、切断予定ラインＡ，Ｂの組、切断予定ラインＢ，Ｃの組、切断予定ラインＣ，Ｄの組、それ以降の組の全てについて照合を行うため、ＯＫ品と判定することができる。これによって、切断基準位置がずれた場合であっても、切断歩留まりを推定できるため、その結果として、製造効率を向上させることができる。
なお、上述の説明における図面では、説明のために、積層体１００のＸ線の撮像画像における内部電極１０３の一枚一枚がはっきりと区別できるような図を用いて説明した。しかし、図１に示すように、積層体１００の内部電極１０３は、一層ずつＹ軸方向に交互にずれているため、Ｘ線の撮像画像は、図１９に示すように、最上層におけるＹ軸方向に隣あう内部電極１０３同士の間の隙間に下層側の内部電極１０３が薄く映し出されるような画像となる。
内部電極位置取得工程では、積層方向における内部電極の重なり割合に応じた濃淡の差が生じるように透過光線を照射することによって、図１９に示すような画像を撮像することできる。濃淡の差が生じることによって、各サンプリング内部電極の重なり部分の座標位置の取得を行うことができる。
また、内部電極位置取得工程では、積層体の内部を透過した図１９のような画像を複数回撮像し、撮像した内部電極が濃く映し出された部分と薄く映し出された部分の各座標を複数の画像について取得すると共に、その平均値を算出し、算出した平均値に基づいてサンプリング内部電極の位置を取得することができる。これによって、サンプリング内部電極の位置取得の精度を向上させることができる。
１００…積層体、１０１…誘電体層、１０２…内部電極層、１０３…内部電極、１０４…位置決めマーク、ＳＰ１〜ＳＰ９…サンプリング内部電極、ＣＬ…切断予定ライン、ＣＬＢ…基準切断予定ライン。

Claims (9)

  1. 誘電体層と、平面方向に複数の内部電極が配列された内部電極層とを積層することによって板状に形成された積層体を切断することによって、複数の積層型電子部品を製造する製造方法であって、
    前記複数の内部電極が第一の方向、及び前記第一の方向に直交する第二の方向に配列された前記積層体を準備する積層体準備工程と、
    前記積層体の内部を透過した画像を撮像することによって、前記複数の内部電極うち、所定個数のサンプリング内部電極の前記平面方向におけるそれぞれの位置を取得する内部電極位置取得工程と、
    前記第一の方向に複数本配列された切断予定ラインのパラメータとして、基準となる基準切断予定ラインの位置を示す切断基準位置、前記切断予定ライン同士の間隔を示す切断間隔、及び前記切断予定ラインの平面方向における角度を示す切断角度を設定する切断予定ライン設定工程と、
    前記内部電極位置取得工程で取得された前記サンプリング内部電極の位置、及び前記切断予定ライン設定工程で設定された前記切断予定ラインに基づいて、切断歩留まりを推定する切断歩留まり推定工程と、
    前記切断歩留まり推定工程で推定された推定結果に基づいて、前記切断予定ライン設定工程で設定された切断基準位置、切断間隔、あるいは切断角度の最適値を得ることによって、前記切断予定ラインの最適化を行う切断予定ライン最適化工程と、
    前記切断予定ライン最適化工程で最適化された前記切断予定ラインに基づいて、前記積層体を切断する積層体切断工程と、を備えることを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
  2. 前記切断予定ライン設定工程、前記切断歩留まり推定工程、及び前記切断予定ライン最適化工程は複数回行われ、
    前記切断予定ライン最適化工程において、切断基準位置、切断間隔、及び切断角度の中の一のパラメータの最適値が得られた後は、
    前記最適値を前記一のパラメータに代入することによって新たな切断予定ラインを設定する前記切断予定ライン設定工程が行われ、
    前記新たな切断予定ラインにおいて、前記一のパラメータと異なる他のパラメータの値を変化させて、各値における歩留まりを推定する前記歩留まり推定工程が行われ、
    歩留まりの推定結果に基づいて前記他のパラメータの最適値を演算する前記切断予定ライン最適化工程が行われることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品の製造方法。
  3. 前記切断予定ライン最適化工程において、
    一回目の最適化である場合は、切断基準位置の最適化が行われ、
    前回の最適化において切断基準位置の最適化が行われた場合は、切断角度の最適化が行われ、
    前回の最適化において切断角度の最適化が行われた場合は、切断間隔の最適化が行われ、
    前回の最適化において切断間隔の最適化が行われた場合は、切断基準位置の最適化が行われることを特徴とする請求項２記載の積層型電子部品の製造方法。
  4. 切断予定ライン設定工程よりも前段階において、矩形平板状の前記積層体の平面方向の四隅に形成された位置決めマークを検出し、前記位置決めマークに基づいて前記積層体の前記平面方向における位置決めを行う積層体位置決め工程を更に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の積層型電子部品の製造方法。
  5. 前記内部電極位置取得工程では、前記サンプリング内部電極として、少なくとも、前記第二の方向において異なる列に存在する二つの内部電極の位置が取得され、
    一方の前記サンプリング内部電極は、他方の前記サンプリング内部電極に対し、前記第一の方向において隣接する列に存在していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の積層型電子部品の製造方法。
  6. 前記内部電極位置取得工程では、前記サンプリング内部電極として、前記第一の方向における各列について、少なくとも一つの内部電極の位置がそれぞれ取得されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の積層型電子部品の製造方法。
  7. 前記切断歩留まり推定工程では、互いに隣接する一組の前記切断予定ラインの位置と、前記サンプリング内部電極の位置とを照合することによって切断歩留まりの推定を行い、
    前記照合を複数の前記切断予定ラインの全ての組について行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の積層型電子部品の製造方法。
  8. 前記内部電極位置取得工程では、積層方向における前記内部電極の重なり割合に応じた濃淡の差が生じるように透過光線を照射することによって、前記画像を撮像することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の積層型電子部品の製造方法。
  9. 前記内部電極位置取得工程では、前記積層体の内部を透過した前記画像を複数回撮像し、撮像した前記内部電極が濃く映し出された部分と薄く映し出された部分の各座標を複数の前記画像について取得すると共に、その平均値を算出し、算出した前記平均値に基づいて前記サンプリング内部電極の位置を取得することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の積層型電子部品の製造方法。
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