JP2011039201A - パターンデータの作成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上に形成するパターンが角部分を有する複雑な2次元形状である場合でも、OPCを容易且つ正確に行う。
【解決手段】第1のターゲット図形を作成し、第1のターゲット図形について、実際に用いる露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で光強度シミュレーションを施して第2のターゲット図形を作成した後、この第2のターゲット図形を目標としてOPCを実行する。
【選択図】図5
【解決手段】第1のターゲット図形を作成し、第1のターゲット図形について、実際に用いる露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で光強度シミュレーションを施して第2のターゲット図形を作成した後、この第2のターゲット図形を目標としてOPCを実行する。
【選択図】図5
Description
本発明は、基板上にパターンを形成する際の光近接効果の影響を補正する、パターンデータの作成方法及び半導体装置の製造方法に関する。
近年では、半導体装置に対する小型化・高集積化の要請が高まっている。この要請に応えるには、半導体装置の各種パターンの更なる微細化が要求される。そのため、微細なパターンを形成する際に問題となる光近接効果の影響を事前に取得して設計通りの寸法を得るべく、設計データの回路パターンを補正する光近接効果補正(Optical Proximity Correction:以下、OPCと言う。)の技術が採用されている。例えば、OPCの精度を向上させる技術が特許文献1に開示されている。
しかしながら、半導体基板上に形成する回路パターンが角部分を有する複雑な2次元形状である場合、リソグラフィーにおける露光光で当該形状を十分に実現することは困難である。特に上記の角部分では、OPCが過剰な補正となって所期のパターンデータが得られないという問題がある。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、基板上に形成するパターンが例えば角部分を有する複雑な2次元形状である場合でも、OPCを容易且つ正確に行うことを可能とするパターンデータの作成方法及び当該作成方法を適用して信頼性の高い半導体装置を実現することを可能とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
パターンデータの作成方法の一態様は、基板上にパターンを形成するためのパターンデータの作成方法であって、入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程とを含む。
半導体装置の製造方法の一態様は、パターンデータを作成する工程と、前記パターンデータに基づいて、半導体基板上のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成する工程とを含み、前記パターンデータを作成する工程は、入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程とを含む。
上記のパターンデータの作成方法によれば、基板上に形成するパターンが例えば角部分を有する複雑な2次元形状である場合でも、OPCを容易且つ正確に行うことが可能となる。当該作成方法を半導体装置の製造方法に適用することにより、信頼性の高い半導体装置が実現する。
一般的に、半導体装置の製造時のリソグラフィーによる露光工程におけるマスクパターンの解像線幅dは、開口数NA、露光波長λ、比例定数kを用いて、以下の(1)式で表現できる。
d=k・λ/NA ・・・(1)
(1)式では、露光装置の投影光学系の解像能力は、露光波長λに比例し、開口数NAに反比例することが示されている。露光波長λは光源によって決定され、開口数NAは投影光学系によって決定される。このことが、以前より露光装置の短波長化及び高NA化が進められてきた理由である。液浸型の露光装置では、屈折率を大きくすることでNA値を大きくすることができる。使用する露光装置として、ある縮小投影露光装置を選択した場合に、その解像性能を向上するための唯一の手段は、比例定数kの値を小さくすることである。
このk値を小さくする超解像技術の1つとして、光近接効果の影響を事前に取得して設計通りの回路パターン寸法が得られるように、設計図形を補正するOPCの技術が近年一般的に採用されている。
d=k・λ/NA ・・・(1)
(1)式では、露光装置の投影光学系の解像能力は、露光波長λに比例し、開口数NAに反比例することが示されている。露光波長λは光源によって決定され、開口数NAは投影光学系によって決定される。このことが、以前より露光装置の短波長化及び高NA化が進められてきた理由である。液浸型の露光装置では、屈折率を大きくすることでNA値を大きくすることができる。使用する露光装置として、ある縮小投影露光装置を選択した場合に、その解像性能を向上するための唯一の手段は、比例定数kの値を小さくすることである。
このk値を小さくする超解像技術の1つとして、光近接効果の影響を事前に取得して設計通りの回路パターン寸法が得られるように、設計図形を補正するOPCの技術が近年一般的に採用されている。
OPCには、ルールベースOPCとモデルベースOPCとがある。ルールベースOPCは、設計データにおいて、回路パターンの幅、及び隣接する回路パターンまでの距離に応じた補正量を規定した補正テーブルを用いて補正する手法である。モデルベースOPCは、光強度シミュレーションを用いて補正を行う手法であり、ルールベースOPCでは補正が困難な、複雑な形状の回路パターンの補正に適している。k値が例えば0.4以下となる65nm以下の世代の微細加工には、モデルベースOPCを行うことが必須である。
本実施形態では、上記のモデルベースOPCを実行することを前提とする。
なお、「光強度シミュレーション」とは、マスクパターンデータの光強度分布からレジストパターン形状(閾値における等高線)を予測する手法である。「リソグラフィーシミュレーション」とは、レジストの厚み及び露光後のベーク中にレジスト中の酸が拡散する現象も考慮して修正された光強度分布からレジストパターンの形状を予測する手法である。
なお、「光強度シミュレーション」とは、マスクパターンデータの光強度分布からレジストパターン形状(閾値における等高線)を予測する手法である。「リソグラフィーシミュレーション」とは、レジストの厚み及び露光後のベーク中にレジスト中の酸が拡散する現象も考慮して修正された光強度分布からレジストパターンの形状を予測する手法である。
先ず、本実施形態について説明するに先立って、本実施形態の比較例について説明する。
(比較例1)
図1(a)に、いわゆる65nm世代のゲート電極及びコンタクトの設計図形101,102を示す。ゲート電極の先端部分はコンタクトとの重ね合わせ部分であるため、いわゆるハンマーヘッド形状に当該先端部分の幅を増加させて、設計ルールで定めた最小スペースを確保している。OPCでは、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形が等しくなるように、マスクパターンデータにフィードバックをかけている。そのため、OPCではエッチングプロセスで生じると見込まれるシフト量も含めて補正を行う。図1(b)に、エッチングの効果を考慮したOPCのターゲット図形103をゲート電極の設計図形101と重ねて示す。
図1(a)に、いわゆる65nm世代のゲート電極及びコンタクトの設計図形101,102を示す。ゲート電極の先端部分はコンタクトとの重ね合わせ部分であるため、いわゆるハンマーヘッド形状に当該先端部分の幅を増加させて、設計ルールで定めた最小スペースを確保している。OPCでは、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形が等しくなるように、マスクパターンデータにフィードバックをかけている。そのため、OPCではエッチングプロセスで生じると見込まれるシフト量も含めて補正を行う。図1(b)に、エッチングの効果を考慮したOPCのターゲット図形103をゲート電極の設計図形101と重ねて示す。
OPCにおけるマスクパターンデータへのフィードバック補正量の算出について説明する。
図1(c)に示すように、ターゲット図形103と、ターゲット図形103のリソグラフィーシミュレーション図形104との差分(一例を図中矢印で示す。)を計算し、補正量を算出する。
しかしながら、ターゲット図形103の角(コーナー)部分は、露光光により適宜実現することができない直角形状となっている。そのため、図1(d)に示すように、OPCを実行した後のリソグラフィーシミュレーション図形105では、この角部分で過剰な補正がされてしまう。
図1(c)に示すように、ターゲット図形103と、ターゲット図形103のリソグラフィーシミュレーション図形104との差分(一例を図中矢印で示す。)を計算し、補正量を算出する。
しかしながら、ターゲット図形103の角(コーナー)部分は、露光光により適宜実現することができない直角形状となっている。そのため、図1(d)に示すように、OPCを実行した後のリソグラフィーシミュレーション図形105では、この角部分で過剰な補正がされてしまう。
(比較例2)
上記した比較例1の問題に対処した比較例2について説明する。
ここでは、ターゲット図形103の角部分における過剰な補正を抑制すべく、いわゆるスプライン補間を用いて、角部分を除去したターゲット図形を再作成する。スプライン補間では、図2に示すように、ターゲット図形103上で制御点を発生させ、制御点の位置を複数のパラメータから決定し、この制御点を連結するように補間を行う。この場合、必ずターゲット図形103の全ての辺を通らなければならないという制約がある。スプライン補間のパラメータには、ターゲット図形103の角部分からスプライン補間図形111の先端までの距離、スプライン補間図形111の先端のオフセット量、中間点のオフセット量がある。これら3つのパラメータの最適化をランダムロジックパターンの様々なケースにおいて行うことは、極めて困難な作業である。
上記した比較例1の問題に対処した比較例2について説明する。
ここでは、ターゲット図形103の角部分における過剰な補正を抑制すべく、いわゆるスプライン補間を用いて、角部分を除去したターゲット図形を再作成する。スプライン補間では、図2に示すように、ターゲット図形103上で制御点を発生させ、制御点の位置を複数のパラメータから決定し、この制御点を連結するように補間を行う。この場合、必ずターゲット図形103の全ての辺を通らなければならないという制約がある。スプライン補間のパラメータには、ターゲット図形103の角部分からスプライン補間図形111の先端までの距離、スプライン補間図形111の先端のオフセット量、中間点のオフセット量がある。これら3つのパラメータの最適化をランダムロジックパターンの様々なケースにおいて行うことは、極めて困難な作業である。
図3(a)に、スプライン補間を用いてターゲット図形を再作成した一例を示す。ここでは、再作成されたターゲット図形112と、ターゲット図形112のリソグラフィーシミュレーション図形113とを重ねて示す。ターゲット図形112では、直角形状部分を除去することはできたが、角部分においてリソグラフィーシミュレーション図形113との差分量が大きい。ターゲット図形112は未だ、露光光では実現できないような曲率の角部分を有するターゲットである。そのため、図3(b)に示すように、OPCを実行した後のリソグラフィーシミュレーション図形114では、やはりこの角部分で過剰な補正がされてしまう。
以下、上記した比較例1,2の問題点を踏まえ、本実施形態について説明する。本実施形態では、ターゲット図形を再作成する際に、光強度シミュレーションを用いる。この場合、角部分においてリソグラフィーシミュレーション図形とターゲット図形との差分量が大きく、この角部に対して適度な補正を行うと、回路パターンの断線及びショート発生の抑制につながる。
また、光強度シミュレーションを用いた手法であるため、比較例2で説明したスプライン補間のような難解なパラメータの最適化の作業が不要である。従って、本実施形態を用いれば、最適なターゲット図形を容易且つ正確に作成し、OPCの精度を大幅に向上させることができる。
また、光強度シミュレーションを用いた手法であるため、比較例2で説明したスプライン補間のような難解なパラメータの最適化の作業が不要である。従って、本実施形態を用いれば、最適なターゲット図形を容易且つ正確に作成し、OPCの精度を大幅に向上させることができる。
本実施形態では、OPCの精度を更に向上させるべく、光強度シミュレーションによりターゲット図形を再作成する際に、上記の(1)式におけるマスクパターンの解像線幅の比例定数kを、超解像技術であるOPCを不要とする程度の値、例えば0.7よりも大きく設定する。即ち、実際に回路パターン等を形成するための露光に用いる露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で光強度シミュレーションを行う。具体的には、実際に用いる露光条件、即ちパターンデータに基づく露光工程における露光条件よりも開口数NAが大きい高NA値の光学条件に設定したり、実際に用いる露光条件よりも露光波長λが小さい短波長の光学条件に設定する。勿論、実際に用いる露光条件よりもλ/NAが小さくなるように、露光波長λ及び開口数NAを適宜設定しても良い。
(第1の実施形態)
本実施形態では、マスクパターンデータの作成方法を開示する。マスクパターンデータとして、MOSトランジスタ等のゲート電極を形成するためのデータを例示する。
本実施形態では、マスクパターンデータの作成方法を開示する。マスクパターンデータとして、MOSトランジスタ等のゲート電極を形成するためのデータを例示する。
[マスクパターンデータの作成装置]
図4は、第1の実施形態によるマスクパターンデータの作成装置を示す概略構成図である。
マスクパターンデータの作成装置は、ターゲット作成部1、ターゲット再作成部2、比較部3、補正量算出部4、OPC実行部5、及び記憶部6を備えて構成されている。
図4は、第1の実施形態によるマスクパターンデータの作成装置を示す概略構成図である。
マスクパターンデータの作成装置は、ターゲット作成部1、ターゲット再作成部2、比較部3、補正量算出部4、OPC実行部5、及び記憶部6を備えて構成されている。
ターゲット作成部1は、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形とを一致させるように、入力した設計図形を修正し、第1のターゲット図形を作成する。
ターゲット再作成部2は、第1のターゲット図形の光強度シミュレーションを行い、第1のターゲット図形に存する角部分を除去した第2のターゲット図形を作成する。ここで、光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で、具体的には、実際に用いる露光条件よりも開口数NAが大きい高NA値の光学条件に設定して実行される。
比較部3は、第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーションを行い、得られたリソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形とを比較するために両者を重ね合わせる。
補正量算出部4は、比較部3で重ね合わせられた、リソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形との差分値を計算し、マスクパターンデータへのフィードバック補正量を算出する。具体的には、例えば、第2のターゲット図形の接線に垂直な方向にリソグラフィーシミュレーション図形との差分値を計算するようにして、当該差分値を算出する。
補正量算出部4は、比較部3で重ね合わせられた、リソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形との差分値を計算し、マスクパターンデータへのフィードバック補正量を算出する。具体的には、例えば、第2のターゲット図形の接線に垂直な方向にリソグラフィーシミュレーション図形との差分値を計算するようにして、当該差分値を算出する。
OPC実行部5は、補正量算出部4で算出された上記のフィードバック補正量に基づいて、モデルベースOPCを実行する。このとき、モデルベースOPCにより補正された、例えばゲート電極に対応したマスクパターンデータが形成される。
記憶部6は、ターゲット作成部1で作成された第1のターゲット図形、ターゲット再作成部2で作成された第2のターゲット図形、比較部3で作成された第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーション図形、補正量算出部4で算出されたフィードバック補正量、OPC実行部5で補正されたマスクパターンデータ等を適宜格納する。
記憶部6は、ターゲット作成部1で作成された第1のターゲット図形、ターゲット再作成部2で作成された第2のターゲット図形、比較部3で作成された第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーション図形、補正量算出部4で算出されたフィードバック補正量、OPC実行部5で補正されたマスクパターンデータ等を適宜格納する。
[マスクパターンデータの作成方法]
図5は、第1の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を工程順に示すフロー図である。
先ず、設計図面、ここではゲート電極に対応した設計図面を入力する(ステップS1)。
続いて、ターゲット作成部1は、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形とを一致させるように、入力した設計図形を修正し、第1のターゲット図形を作成する(ステップS2)。第1のターゲット図形のデータは記憶部6に格納される。
図5は、第1の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を工程順に示すフロー図である。
先ず、設計図面、ここではゲート電極に対応した設計図面を入力する(ステップS1)。
続いて、ターゲット作成部1は、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形とを一致させるように、入力した設計図形を修正し、第1のターゲット図形を作成する(ステップS2)。第1のターゲット図形のデータは記憶部6に格納される。
続いて、ターゲット再作成部2は、記憶部6から第1のターゲット図形のデータを読み出し、第1のターゲット図形の光強度シミュレーションを行い、第1のターゲット図形に存する角部分を除去した第2のターゲット図形を作成する(ステップS3)。第2のターゲット図形のデータは記憶部6に格納される。
この光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件、即ちマスクパターンデータに基づく露光工程における露光条件よりもλ/NAが小さい光学条件で、具体的には、実際に用いる露光条件よりも開口数NAが大きい高NA値の光学条件に設定して実行される。詳細には、本実施形態で実際の回路パターン(例えばゲート電極)を形成する際に用いる露光装置を、光源の露光波長が193nm、投影光学系の開口数が1.35である例えば液浸型の縮小投影露光装置(ステッパー)とする。この場合、開口数NAを例えば1.8に設定して光強度シミュレーションを行う。この光強度シミュレーションの光学条件を以下に示す。
照明形状 :円形照明
光源の露光波長:193nm
開口数 :1.8(高屈折率液浸リソグラフィー)
液浸液の屈折率:2.0
デフォーカス :0
この光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件、即ちマスクパターンデータに基づく露光工程における露光条件よりもλ/NAが小さい光学条件で、具体的には、実際に用いる露光条件よりも開口数NAが大きい高NA値の光学条件に設定して実行される。詳細には、本実施形態で実際の回路パターン(例えばゲート電極)を形成する際に用いる露光装置を、光源の露光波長が193nm、投影光学系の開口数が1.35である例えば液浸型の縮小投影露光装置(ステッパー)とする。この場合、開口数NAを例えば1.8に設定して光強度シミュレーションを行う。この光強度シミュレーションの光学条件を以下に示す。
照明形状 :円形照明
光源の露光波長:193nm
開口数 :1.8(高屈折率液浸リソグラフィー)
液浸液の屈折率:2.0
デフォーカス :0
続いて、比較部3は、先ず第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーションを行ってリソグラフィーシミュレーション図形を作成する。リソグラフィーシミュレーション図形のデータは記憶部6に格納される。その後、比較部3は、記憶部6から第2のターゲット図形のデータを読み出し、得られたリソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形とを比較するために両者を重ね合わせる(ステップS4)。
このときの様子を図6(a)に示す。図示の例では、ゲート電極に対応する第2のターゲット図形を「光強度シミュレーションで作成したターゲット図形11」、第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーション図形を「OPC前のリソグラフィーシミュレーション図形12」として、両者を重ね合わせて示している。
このときの様子を図6(a)に示す。図示の例では、ゲート電極に対応する第2のターゲット図形を「光強度シミュレーションで作成したターゲット図形11」、第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーション図形を「OPC前のリソグラフィーシミュレーション図形12」として、両者を重ね合わせて示している。
続いて、補正量算出部4は、比較部3で重ね合わせられた、リソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形との差分値を計算し、マスクパターンデータへのフィードバック補正量を算出する(ステップS5)。算出されたフィードバック補正量は記憶部6に格納される。
続いて、OPC実行部5は、補正量算出部4で算出された上記のフィードバック補正量に基づいて、モデルベースOPCを実行する(ステップS6)。このとき、モデルベースOPCにより補正された、例えばゲート電極に対応するマスクパターンデータが形成される(ステップS7)。OPC実行部5で補正されたマスクパターンデータは記憶部6に格納される。
OPC実行部5で補正された、ゲート電極に対応するマスクパターンデータの様子を図6(b)に示す。図示の例では、ゲート電極に対応する第1のターゲット図形を「ターゲット図形103」、補正されたマスクパターンデータのリソグラフィーシミュレーション図形を「OPC後のリソグラフィーシミュレーション図形13」として、両者を重ね合わせて示している。本実施形態により、マスクパターンデータでは角部分における過剰な補正が十分に抑制されていることが判る。図6(c)に示すように、本実施形態の結果のマスクパターンデータ14を例えば比較例1の結果のマスクパターンデータ106と比較すると、角部分(例えば図中の円内に示す部分)における補正量に大きな差異があることが判る。
図7に、本実施形態により作成されたマスクパターンデータを用いてリソグラフィー及びエッチングした場合のレジストパターン及び回路パターンを示す。
図7(a)には、本実施形態により作成された、ゲート電極に対応するレチクルのマスクパターン15を示す。マスクパターン15のレチクルを用いてリソグラフィープロセスで形成されたレジストパターンは、例えば図7(b)のレジストパターン16のようになる。エッチングプロセスで形成された回路パターンであるゲート電極は、例えば図7(c)のゲート電極17のようになる。レジストパターン16とゲート電極17とを重ね合わせた様子を図7(d)に示す。このように、エッチングプロセス後のゲート電極17は、角部分を含めて設計図形に可及的に一致するように形成されることが判る。
図7(a)には、本実施形態により作成された、ゲート電極に対応するレチクルのマスクパターン15を示す。マスクパターン15のレチクルを用いてリソグラフィープロセスで形成されたレジストパターンは、例えば図7(b)のレジストパターン16のようになる。エッチングプロセスで形成された回路パターンであるゲート電極は、例えば図7(c)のゲート電極17のようになる。レジストパターン16とゲート電極17とを重ね合わせた様子を図7(d)に示す。このように、エッチングプロセス後のゲート電極17は、角部分を含めて設計図形に可及的に一致するように形成されることが判る。
以上説明したように、本実施形態によれば、半導体基板上に形成する回路パターンが角部分を有する複雑な2次元形状である場合でも、当該回路パターンに対応するマスクパターンデータのOPCを容易且つ正確に行うことが可能となる。
(第2の実施形態)
本実施形態では、第1の実施形態と同様に、マスクパターンデータの作成方法を開示するが、ターゲット図形を再作成する際の光強度シミュレーションの光学条件が第1の実施形態と相違する。
本実施形態では、第1の実施形態と同様に、マスクパターンデータの作成方法を開示するが、ターゲット図形を再作成する際の光強度シミュレーションの光学条件が第1の実施形態と相違する。
[マスクパターンデータの作成装置]
本実施形態では、マスクパターンデータの作成装置は第1の実施形態と同様である。ここで、ターゲット再作成部2で行う光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件よりも露光波長λが小さい短波長の光学条件に設定して実行される。
本実施形態では、マスクパターンデータの作成装置は第1の実施形態と同様である。ここで、ターゲット再作成部2で行う光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件よりも露光波長λが小さい短波長の光学条件に設定して実行される。
[マスクパターンデータの作成方法]
図8は、第2の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を工程順に示すフロー図である。
先ず、設計図面、ここではゲート電極に対応した設計図面を入力する(ステップS11)。
続いて、ターゲット作成部1は、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形とを一致させるように、入力した設計図形を修正し、第1のターゲット図形を作成する(ステップS12)。第1のターゲット図形のデータは記憶部6に格納される。
図8は、第2の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を工程順に示すフロー図である。
先ず、設計図面、ここではゲート電極に対応した設計図面を入力する(ステップS11)。
続いて、ターゲット作成部1は、エッチングプロセス後における半導体基板上の回路パターンと設計図形とを一致させるように、入力した設計図形を修正し、第1のターゲット図形を作成する(ステップS12)。第1のターゲット図形のデータは記憶部6に格納される。
続いて、ターゲット再作成部2は、記憶部6から第1のターゲット図形のデータを読み出し、第1のターゲット図形の光強度シミュレーションを行い、第1のターゲット図形に存する角部分を除去した第2のターゲット図形を作成する(ステップS13)。第2のターゲット図形のデータは記憶部6に格納される。
この光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件よりもλ/NAが小さい光学条件で、具体的には、実際に用いる露光条件、即ちマスクパターンデータに基づく露光工程における露光条件よりも露光波長λが小さい短波長の光学条件に設定して実行される。詳細には、本実施形態で実際の回路パターン(例えばゲート電極)を形成する際に用いる露光装置を、光源の露光波長が193nm、投影光学系の開口数が1.35である例えば液浸型の縮小投影露光装置(ステッパー)とする。この場合、露光波長λを例えば145nmに設定して光強度シミュレーションを行う。この光強度シミュレーションの光学条件を以下に示す。
照明形状 :円形照明
光源の露光波長:145nm
開口数 :1.35(液浸リソグラフィー)
液浸液の屈折率:1.44
デフォーカス :0
この光強度シミュレーションは、実際に用いる露光条件よりもλ/NAが小さい光学条件で、具体的には、実際に用いる露光条件、即ちマスクパターンデータに基づく露光工程における露光条件よりも露光波長λが小さい短波長の光学条件に設定して実行される。詳細には、本実施形態で実際の回路パターン(例えばゲート電極)を形成する際に用いる露光装置を、光源の露光波長が193nm、投影光学系の開口数が1.35である例えば液浸型の縮小投影露光装置(ステッパー)とする。この場合、露光波長λを例えば145nmに設定して光強度シミュレーションを行う。この光強度シミュレーションの光学条件を以下に示す。
照明形状 :円形照明
光源の露光波長:145nm
開口数 :1.35(液浸リソグラフィー)
液浸液の屈折率:1.44
デフォーカス :0
続いて、比較部3は、先ず第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーションを行ってリソグラフィーシミュレーション図形を作成する。リソグラフィーシミュレーション図形のデータは記憶部6に格納される。その後、比較部3は、記憶部6から第2のターゲット図形のデータを読み出し、得られたリソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形とを比較するために両者を重ね合わせる(ステップS14)。
このときの様子を図9(a)に示す。図示の例では、ゲート電極に対応する第2のターゲット図形を「光強度シミュレーションで作成したターゲット図形21」、第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーション図形を「OPC前のリソグラフィーシミュレーション図形12」として、両者を重ね合わせて示している。
このときの様子を図9(a)に示す。図示の例では、ゲート電極に対応する第2のターゲット図形を「光強度シミュレーションで作成したターゲット図形21」、第1のターゲット図形のリソグラフィーシミュレーション図形を「OPC前のリソグラフィーシミュレーション図形12」として、両者を重ね合わせて示している。
続いて、補正量算出部4は、比較部3で重ね合わせられた、リソグラフィーシミュレーション図形と第2のターゲット図形との差分値を計算し、マスクパターンデータへのフィードバック補正量を算出する(ステップS15)。算出されたフィードバック補正量は記憶部6に格納される。
続いて、OPC実行部5は、補正量算出部4で算出された上記のフィードバック補正量に基づいて、モデルベースOPCを実行する(ステップS16)。このとき、モデルベースOPCにより補正された、例えばゲート電極に対応するマスクパターンデータが形成される(ステップS17)。OPC実行部5で補正されたマスクパターンデータは記憶部6に格納される。
OPC実行部5で補正された、ゲート電極に対応するマスクパターンデータの様子を図9(b)に示す。図示の例では、ゲート電極に対応する第1のターゲット図形を「ターゲット図形103」、補正されたマスクパターンデータのリソグラフィーシミュレーション図形を「OPC後のリソグラフィーシミュレーション図形22」として、両者を重ね合わせて示している。本実施形態により、マスクパターンデータでは角部分における過剰な補正が十分に抑制されていることが判る。図9(c)に示すように、本実施形態の結果のマスクパターンデータ23を例えば比較例1の結果のマスクパターンデータ106と比較すると、角部分(例えば図中の円内に示す部分)における補正量に大きな差異があることが判る。
以上説明したように、本実施形態によれば、半導体基板上に形成する回路パターンが角部分を有する複雑な2次元形状である場合でも、当該回路パターンに対応するマスクパターンデータのOPCを容易且つ正確に行うことが可能となる。
(第3の実施形態)
本実施形態では、第1又は第2の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を適用した、半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、半導体装置として、機能素子としてMOSトランジスタを含む半導体装置を例示する。なお、本実施形態の対象となる半導体装置は、MOSトランジスタを含む半導体装置に限定されるものではなく、情報記憶用のキャパシタ又は他の各種トランジスタ等を含む半導体装置に適用することができる。
本実施形態では、第1又は第2の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を適用した、半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、半導体装置として、機能素子としてMOSトランジスタを含む半導体装置を例示する。なお、本実施形態の対象となる半導体装置は、MOSトランジスタを含む半導体装置に限定されるものではなく、情報記憶用のキャパシタ又は他の各種トランジスタ等を含む半導体装置に適用することができる。
先ず、MOSトランジスタの各層に対応した各レチクル(フォトマスク)を形成する。
レチクルを作製する際には、先ず、例えば石英ガラス基板の一方の主面上を覆ってクロム(Cr)層を堆積する。
続いて、当該クロム層上にレジストを塗布し、当該レジスト層に、対応する層のマスクパターンのマスクパターンデータに従って、マスクパターンの潜像を、例えば電子線露光装置を用いて描画する。
レチクルを作製する際には、先ず、例えば石英ガラス基板の一方の主面上を覆ってクロム(Cr)層を堆積する。
続いて、当該クロム層上にレジストを塗布し、当該レジスト層に、対応する層のマスクパターンのマスクパターンデータに従って、マスクパターンの潜像を、例えば電子線露光装置を用いて描画する。
本実施形態では、MOSトランジスタの素子分離構造、ゲート電極、及び各種の配線等を形成する際に用いるレジストパターンに対応したマスクパターンを備えたレチクルを作製する場合に、第1又は第2の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を適用する。即ち、図5又は図8のマスクパターンデータの作成方法を用いて補正されたマスクパターンデータを作成し、このマスクパターンデータに従って、マスクパターンの潜像を描画する。
続いて、当該レジストの現像処理等を行って、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして、クロム層を選択エッチングし、石英ガラス基板上にマスクパターンを形成する。
以上により、石英ガラス基板の一方の主面に、マスク層として、マスクパターンを含むクロム層が選択的に配されたレチクルが形成される。
以上により、石英ガラス基板の一方の主面に、マスク層として、マスクパターンを含むクロム層が選択的に配されたレチクルが形成される。
上記のように作製したレチクルを用いて、半導体基板上に、機能素子としてMOSトランジスタを含む半導体装置を形成する。
第3の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示すフローを図10に示す。本実施形態では、レチクルA1〜D1を用いてリソグラフィープロセスを行う。
第3の実施形態による半導体装置の製造方法を工程順に示すフローを図10に示す。本実施形態では、レチクルA1〜D1を用いてリソグラフィープロセスを行う。
先ず、シリコン(Si)半導体基板の一方の主面に、STI素子分離構造を形成し、活性領域を画定する(ステップS21)。そのため、STI素子分離構造の溝に対応したマスクパターンを有するレチクルA1を用いる。レチクルA1には、第1又は第2の実施形態により作成されたマスクパターンデータに基づいて、STI素子分離構造の素子分離用溝に対応したマスクパターンが形成されている。
レチクルA1を用いたリソグラフィープロセスにより、半導体基板にSTI素子分離構造の形成部位を規定するレジストパターンA2を形成する。
次に、レジストパターンA2をマスクとして用い、半導体基板をドライエッチングしてSTI素子分離用溝を形成する。
しかる後、レジストパターンA2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
次に、レジストパターンA2をマスクとして用い、半導体基板をドライエッチングしてSTI素子分離用溝を形成する。
しかる後、レジストパターンA2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
次に、化学気相成長(CVD)法等により、素子分離用溝を埋め込む絶縁膜(例えばシリコン酸化膜等)を堆積し、化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)法等により平坦化して、素子分離用溝内が絶縁物により充填されたSTI素子分離構造を形成する。
続いて、ゲート絶縁層及びその上にゲート電極を形成する(ステップS22)。
先ず、熱酸化法等により、活性領域の表面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層を形成した後、当該絶縁層上にCVD法等により多結晶シリコン層を堆積する。
絶縁層は、MOSトランジスタのゲート絶縁層を、また多結晶シリコン層は、MOSトランジスタのゲート電極を形成するものである。
先ず、熱酸化法等により、活性領域の表面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層を形成した後、当該絶縁層上にCVD法等により多結晶シリコン層を堆積する。
絶縁層は、MOSトランジスタのゲート絶縁層を、また多結晶シリコン層は、MOSトランジスタのゲート電極を形成するものである。
次に、ゲート電極の形成パターンに対応したレチクルB1を用いて、前記多結晶シリコン層及び絶縁層を一括してパターニングする。レチクルB1には、第1又は第2の実施形態により作成されたマスクパターンデータに基づいて、ゲート電極に対応したマスクパターンが形成されている。
当該レチクルB1を用いたリソグラフィー処理により、多結晶シリコン層上にゲート電極用のレジストパターンB2を形成する。
次に、レジストパターンB2をマスクとして用い、多結晶シリコン層及び絶縁層をドライエッチングする。これにより、半導体基板上にゲート絶縁層を介したゲート電極が形成される。
しかる後、レジストパターンB2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
当該レチクルB1を用いたリソグラフィー処理により、多結晶シリコン層上にゲート電極用のレジストパターンB2を形成する。
次に、レジストパターンB2をマスクとして用い、多結晶シリコン層及び絶縁層をドライエッチングする。これにより、半導体基板上にゲート絶縁層を介したゲート電極が形成される。
しかる後、レジストパターンB2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、ゲート電極をマスクとして、所定の活性領域のゲート電極の両側部位に不純物を導入し、エクステンション領域を形成する(ステップS23)。そのため、所定の活性領域を露出させる開口を有するレジストパターンに対応したマスクパターンを有するレチクルを用いる。
上記のレチクルを用いたリソグラフィー処理により、半導体基板に、活性領域を露出させる開口を有するレジストパターンを形成する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして用い、半導体基板に不純物を導入する。形成するMOSトランジスタがN型であれば、リン(P+)又は砒素(As+)等のN型不純物をイオン注入する。形成するMOSトランジスタがP型であれば、ホウ素(B+)等のP型不純物をイオン注入する。これにより、所定の活性領域のゲート電極の両側部位にエクステンション領域が形成される。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして用い、半導体基板に不純物を導入する。形成するMOSトランジスタがN型であれば、リン(P+)又は砒素(As+)等のN型不純物をイオン注入する。形成するMOSトランジスタがP型であれば、ホウ素(B+)等のP型不純物をイオン注入する。これにより、所定の活性領域のゲート電極の両側部位にエクステンション領域が形成される。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、ゲート電極及びゲート絶縁層の両側面にサイドウォール絶縁膜を形成する(ステップS24)。
先ず、CVD法等により、ゲート電極を含む半導体基板の全面に絶縁皮膜(例えばシリコン酸化膜)を堆積する。
次に、当該絶縁皮膜に対して全面に異方性ドライエッチング(エッチバック)処理を施す。これにより、ゲート電極及びゲート絶縁層の両側面にのみ絶縁皮膜が残り、サイドウォール絶縁膜が形成される。
先ず、CVD法等により、ゲート電極を含む半導体基板の全面に絶縁皮膜(例えばシリコン酸化膜)を堆積する。
次に、当該絶縁皮膜に対して全面に異方性ドライエッチング(エッチバック)処理を施す。これにより、ゲート電極及びゲート絶縁層の両側面にのみ絶縁皮膜が残り、サイドウォール絶縁膜が形成される。
続いて、ゲート電極及びサイドウォール絶縁膜をマスクとして、所定の活性領域のゲート電極の両側部位に不純物を導入し、ソース/ドレイン領域を形成する(ステップS25)。そのため、所定の活性領域を露出させる開口を有するレジストパターンに対応したマスクパターンを有するレチクルを用いる。
上記のレチクルを用いたリソグラフィー処理により、半導体基板に、所定の活性領域を露出させる開口を有するレジストパターンを形成する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして用い、半導体基板に不純物を導入する。形成するMOSトランジスタがN型であれば、リン(P+)又は砒素(As+)等のN型不純物をイオン注入する。形成するMOSトランジスタがP型であれば、ホウ素(B+)等のP型不純物をイオン注入する。これにより、所定の活性領域のゲート電極の両側部位に、エクステンション領域と一部重畳するようにソース/ドレイン領域が形成される。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして用い、半導体基板に不純物を導入する。形成するMOSトランジスタがN型であれば、リン(P+)又は砒素(As+)等のN型不純物をイオン注入する。形成するMOSトランジスタがP型であれば、ホウ素(B+)等のP型不純物をイオン注入する。これにより、所定の活性領域のゲート電極の両側部位に、エクステンション領域と一部重畳するようにソース/ドレイン領域が形成される。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、CVD法等により、半導体基板上の全面に、ゲート電極を埋め込む膜厚を有する絶縁膜を堆積して、第1層間絶縁膜を形成する(ステップS26)。
当該第1層間絶縁膜を形成する絶縁物としては、酸化シリコンが適用される。
当該第1層間絶縁膜を形成する絶縁物としては、酸化シリコンが適用される。
続いて、第1層間絶縁膜に選択的に開孔処理を施して、いわゆる層間接続孔(コンタクト孔)を形成する(ステップS27)。
当該層間接続孔の形成パターンに対応したレチクルを適用して、第1層間絶縁膜をパターニングする。
先ず、上記のレチクルを用いたリソグラフィー処理により、第1層間絶縁膜に層間接続孔形成用のレジストパターンを形成する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして第1層間絶縁膜に層間接続孔を形成する。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
当該層間接続孔の形成パターンに対応したレチクルを適用して、第1層間絶縁膜をパターニングする。
先ず、上記のレチクルを用いたリソグラフィー処理により、第1層間絶縁膜に層間接続孔形成用のレジストパターンを形成する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして第1層間絶縁膜に層間接続孔を形成する。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、コンタクトプラグ構造を形成する(ステップS28)。
先ず、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン(W)からなる導電材料を、CVD法等により第1層間絶縁膜上に被着する。
次に、当該導電材料をCMP法等により平坦化する。これにより、層間接続孔内が導電材料により充填されたコンタクトプラグ構造が形成される。
先ず、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン(W)からなる導電材料を、CVD法等により第1層間絶縁膜上に被着する。
次に、当該導電材料をCMP法等により平坦化する。これにより、層間接続孔内が導電材料により充填されたコンタクトプラグ構造が形成される。
続いて、第1層間絶縁膜上に第1配線層を形成する(ステップS29)。
先ず、第1層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム(Al)合金からなる配線材料層を被着する。当該アルミニウム合金を被着する際には、スパッタ法等を適用することができる。
次に、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。当該電極配線層の形成パターンに対応したレチクルC1を用いて、配線材料層をパターニングする。レチクルC1には、第1又は第2の実施形態により作成されたマスクパターンデータに基づいて、第1配線層に対応したマスクパターンが形成されている。
次に、レチクルC1を用いたリソグラフィー処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のレジストパターンC2を形成する。
次に、レジストパターンC2をマスクとして配線材料層を選択エッチングする。これにより、第1層間絶縁膜上に第1配線層が形成される。
しかる後、レジストパターンC2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
先ず、第1層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム(Al)合金からなる配線材料層を被着する。当該アルミニウム合金を被着する際には、スパッタ法等を適用することができる。
次に、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。当該電極配線層の形成パターンに対応したレチクルC1を用いて、配線材料層をパターニングする。レチクルC1には、第1又は第2の実施形態により作成されたマスクパターンデータに基づいて、第1配線層に対応したマスクパターンが形成されている。
次に、レチクルC1を用いたリソグラフィー処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のレジストパターンC2を形成する。
次に、レジストパターンC2をマスクとして配線材料層を選択エッチングする。これにより、第1層間絶縁膜上に第1配線層が形成される。
しかる後、レジストパターンC2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、第1配線層及び第1層間絶縁膜の露出部を覆って、第2層間絶縁膜を形成する(ステップS30)。
当該第2層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてCVD法を適用することができる。
当該第2層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてCVD法を適用することができる。
続いて、第2層間絶縁膜に選択的に開孔処理を施して、層間接続孔(ビア孔)を形成する(ステップS31)。
層間接続孔の形成パターンに対応したレチクルを適用して、第1層間絶縁膜をパターニングする。
先ず、上記のレチクルを用いたリソグラフィー処理により、第1層間絶縁膜に層間接続孔形成用のレジストパターンを形成する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして第2層間絶縁膜をドライエッチングする。これにより、第2層間絶縁膜に層間接続孔が形成する。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
層間接続孔の形成パターンに対応したレチクルを適用して、第1層間絶縁膜をパターニングする。
先ず、上記のレチクルを用いたリソグラフィー処理により、第1層間絶縁膜に層間接続孔形成用のレジストパターンを形成する。
次に、上記のレジストパターンをマスクとして第2層間絶縁膜をドライエッチングする。これにより、第2層間絶縁膜に層間接続孔が形成する。
しかる後、上記のレジストパターンを、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、ビアプラグ構造を形成する(ステップS32)。
先ず、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン(W)からなる導電材料を、CVD法等により第1層間絶縁膜上に被着する。
次に、当該導電材料をCMP法等により平坦化する。これにより、ビア孔内が導電材料により充填されたビアプラグ構造が形成される。
先ず、所定のグルー膜等を介して層間接続孔内を埋め込むように、例えばタングステン(W)からなる導電材料を、CVD法等により第1層間絶縁膜上に被着する。
次に、当該導電材料をCMP法等により平坦化する。これにより、ビア孔内が導電材料により充填されたビアプラグ構造が形成される。
続いて、第2層間絶縁膜上に第2配線層を形成する(ステップS32)。
先ず、第2層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム(Al)合金、或いは銅(Cu)からなる配線材料層を被着する。
次に、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。
当該電極配線層の形成パターンに対応したレチクルD1を用いて、配線材料層をパターニングする。レチクルD1には、第1又は第2の実施形態により作成されたマスクパターンデータに基づいて、第2配線層に対応したマスクパターンが形成されている。
即ち、レチクルD1を用いたリソグラフィー処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のレジストパターンD2を形成する。
次に、レジストパターンD2をマスクとして配線材料層を選択エッチングする。これにより、第1層間絶縁膜上に第2配線層が形成される。
しかる後、レジストパターンD2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
先ず、第2層間絶縁膜上に、例えばアルミニウム(Al)合金、或いは銅(Cu)からなる配線材料層を被着する。
次に、当該配線材料層を選択的に除去して、電極配線層を形成する。
当該電極配線層の形成パターンに対応したレチクルD1を用いて、配線材料層をパターニングする。レチクルD1には、第1又は第2の実施形態により作成されたマスクパターンデータに基づいて、第2配線層に対応したマスクパターンが形成されている。
即ち、レチクルD1を用いたリソグラフィー処理により、配線材料層上に電極配線層形成用のレジストパターンD2を形成する。
次に、レジストパターンD2をマスクとして配線材料層を選択エッチングする。これにより、第1層間絶縁膜上に第2配線層が形成される。
しかる後、レジストパターンD2を、灰化処理又は所定の薬液を用いた処理等により除去する。
続いて、第2配線層及び第2層間絶縁膜の露出部を覆って、第3層間絶縁膜を形成する(ステップS34)。
当該第3層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてCVD法を適用することができる。
当該第3層間絶縁膜も、その材料として酸化シリコンを適用することができ、またその被着方法としてCVD法を適用することができる。
そして、必要に応じて、より上層の配線層を、層間絶縁膜を介して形成し、更に窒化シリコンからなる安定化層(パッシベーション層)、外部接続用端子などを形成して、半導体基板の一方の主面に、MOSトランジスタを含む半導体装置を形成する。
なお、前記配線層を構成する配線層材料として、アルミニウム合金等の代わりに、銅(Cu)を主体とする配線材料を適用することもできる。
当該銅配線は、所謂ダマシン法により形成することができる。
この場合、層間絶縁膜に形成された配線溝内に、窒化チタン(TiN)等の下地導電層を介して銅を主体とする配線材料を埋め込む。
当該銅を主体とする配線材料の被着方法としては、例えばメッキ法を適用することができる。
そして、層間絶縁膜上に在る導電材料及び下地導電層をCMP法により除去し、電極配線層が層間絶縁膜の配線溝内に配設された構造を得る。
当該銅配線は、所謂ダマシン法により形成することができる。
この場合、層間絶縁膜に形成された配線溝内に、窒化チタン(TiN)等の下地導電層を介して銅を主体とする配線材料を埋め込む。
当該銅を主体とする配線材料の被着方法としては、例えばメッキ法を適用することができる。
そして、層間絶縁膜上に在る導電材料及び下地導電層をCMP法により除去し、電極配線層が層間絶縁膜の配線溝内に配設された構造を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、第1又は第2の実施形態によるマスクパターンデータの作成方法を適用することにより、信頼性の高い半導体装置が実現する。
(その他の実施形態)
上述した第1及び第2の実施形態によるパターンデータの作成装置の各構成要素(図4のターゲット作成部1、ターゲット再作成部2、比較部3、補正量算出部4、OPC実行部5等)の機能は、例えばコンピュータのRAMやROM等に記憶されたプログラムであるソフトウェアが動作することによって実現できる。
同様に、第1及び第2のパターンデータの作成方法の各ステップ(図5のステップS1〜S7、図8のステップS11〜S17等)は、例えばコンピュータのRAMやROM等に記憶されたプログラムであるソフトウェアが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本実施形態に含まれる。
上述した第1及び第2の実施形態によるパターンデータの作成装置の各構成要素(図4のターゲット作成部1、ターゲット再作成部2、比較部3、補正量算出部4、OPC実行部5等)の機能は、例えばコンピュータのRAMやROM等に記憶されたプログラムであるソフトウェアが動作することによって実現できる。
同様に、第1及び第2のパターンデータの作成方法の各ステップ(図5のステップS1〜S7、図8のステップS11〜S17等)は、例えばコンピュータのRAMやROM等に記憶されたプログラムであるソフトウェアが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本実施形態に含まれる。
具体的に、前記プログラムは、例えばCD−ROMのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、CD−ROM以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、前記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワークシステムにおける通信媒体を用いることができる。ここで、コンピュータネットワークとは、LAN、インターネットの等のWAN、無線通信ネットワーク等であり、通信媒体とは、光ファイバ等の有線回線や無線回線等である。
また、本実施形態に含まれるプログラムとしては、供給されたプログラムをコンピュータが実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるようなもののみではない。例えば、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているOS(オペレーティングシステム)或いは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本実施形態に含まれる。また、供給されたプログラムの処理の全て或いは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合にも、かかるプログラムは本実施形態に含まれる。
例えば、図11は、コンピュータの内部構成を示す模式図である。この図11において、1200はCPU1201を備えたパーソナルコンピュータ(PC)である。PC1200は、ROM1202またはハードディスク(HD)1211に記憶された、又はフレキシブルディスクドライブ(FD)1212より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行する。このPC1200は、システムバス1204に接続される各デバイスを総括的に制御する。
PC1200のCPU1201、ROM1202またはハードディスク(HD)1211に記憶されたプログラムにより、本実施形態の図5におけるステップS1〜S7、及び図8におけるステップS11〜S17の手順等が実現される。
1203はRAMであり、CPU1201の主メモリ、ワークエリア等として機能する。1205はキーボードコントローラ(KBC)であり、キーボード(KB)1209や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
1206はCRTコントローラ(CRTC)であり、CRTディスプレイ(CRT)1210の表示を制御する。1207はディスクコントローラ(DKC)である。DKC1207は、ブートプログラム、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク(HD)1211、及びフレキシブルディスク(FD)1212とのアクセスを制御する。ここで、ブートプログラムとは、起動プログラム:パソコンのハードやソフトの実行(動作)を開始するプログラムである。
1208はネットワーク・インターフェースカード(NIC)で、LAN1220を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、或いは他のPCと双方向のデータのやり取りを行う。
以下、諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)基板上にパターンを形成するためのパターンデータの作成方法であって、
入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、
前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程と
を含むことを特徴とするパターンデータの作成方法。
入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、
前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程と
を含むことを特徴とするパターンデータの作成方法。
(付記2)前記光強度シミュレーションを、前記パターンデータに基づく露光工程における露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で行うことを特徴とする付記1に記載のパターンデータの作成方法。
(付記3)前記光強度シミュレーションを、前記パターンデータに基づく露光工程における露光条件よりもλ(λは露光装置の光波長)が小さい光学条件で行うことを特徴とする付記2に記載のパターンデータの作成方法。
(付記4)前記光強度シミュレーションを、前記パターンデータに基づく露光工程における露光条件よりもNA(NAは露光装置の開口数)が大きい光学条件で行うことを特徴とする付記2に記載のパターンデータの作成方法。
(付記5)前記光強度シミュレーションを行う工程の前に、前記基板上に形成する回路パターンと前記設計図形とを一致させるように、入力した前記設計図形を修正する工程を更に含み、
修正された前記設計図形について前記光強度シミュレーションを行うことを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載のパターンデータの作成方法。
修正された前記設計図形について前記光強度シミュレーションを行うことを特徴とする付記1〜4のいずれか1項に記載のパターンデータの作成方法。
(付記6)パターンデータを作成する工程と、
前記パターンデータに基づいて、半導体基板上のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成する工程と
を含み、
前記パターンデータを作成する工程は、
入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、
前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記パターンデータに基づいて、半導体基板上のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成する工程と
を含み、
前記パターンデータを作成する工程は、
入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、
前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記7)前記光強度シミュレーションを、前記レジストを露光する工程において用いられる露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で行うことを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
(付記8)前記光強度シミュレーションを、前記レジストを露光する工程において用いられる露光条件よりもλ(λは露光装置の光波長)が小さい光学条件で行うことを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記9)前記光強度シミュレーションを、前記レジストを露光する工程において用いられる露光条件よりもNA(NAは露光装置の開口数)が大きい光学条件で行うことを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
(付記10)前記光強度シミュレーションを行う工程の前に、前記半導体基板上に形成する回路パターンと前記設計図形とを一致させるように、入力した前記設計図形を修正する工程を更に含み、
修正された前記設計図形について前記光強度シミュレーションを行うことを特徴とする付記6〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
修正された前記設計図形について前記光強度シミュレーションを行うことを特徴とする付記6〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
1 ターゲット作成部
2 ターゲット再作成部
3 比較部
4 補正量算出部
5 OPC実行部
6 記憶部
11,21,103,112 ターゲット図形
12,13,22,104,105,113,114 リソグラフィーシミュレーション図形
14,23,106 マスクパターンデータ
15 マスクパターン
16 レジストパターン
17 ゲート電極
101 設計図形
102 コンタクト
2 ターゲット再作成部
3 比較部
4 補正量算出部
5 OPC実行部
6 記憶部
11,21,103,112 ターゲット図形
12,13,22,104,105,113,114 リソグラフィーシミュレーション図形
14,23,106 マスクパターンデータ
15 マスクパターン
16 レジストパターン
17 ゲート電極
101 設計図形
102 コンタクト
Claims (6)
- 基板上にパターンを形成するためのパターンデータの作成方法であって、
入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、
前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程と
を含むことを特徴とするパターンデータの作成方法。 - 前記光強度シミュレーションを、前記パターンデータに基づく露光工程における露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で行うことを特徴とする請求項1に記載のパターンデータの作成方法。
- 前記光強度シミュレーションを行う工程の前に、前記基板上に形成する回路パターンと前記設計図形とを一致させるように、入力した前記設計図形を修正する工程を更に含み、
修正された前記設計図形について前記光強度シミュレーションを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターンデータの作成方法。 - パターンデータを作成する工程と、
前記パターンデータに基づいて、半導体基板上のレジストを露光及び現像してレジストパターンを形成する工程と
を含み、
前記パターンデータを作成する工程は、
入力した設計図形について光強度シミュレーションを行ってターゲット図形を作成する工程と、
前記ターゲット図形を目標として光近接効果補正を行う工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記光強度シミュレーションを、前記レジストを露光する工程において用いられる露光条件よりもλ/NA(λは露光装置の光波長、NAは露光装置の開口数)が小さい光学条件で行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記光強度シミュレーションを行う工程の前に、前記半導体基板上に形成する回路パターンと前記設計図形とを一致させるように、入力した前記設計図形を修正する工程を更に含み、
修正された前記設計図形について前記光強度シミュレーションを行うことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009185182A JP2011039201A (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | パターンデータの作成方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009185182A JP2011039201A (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | パターンデータの作成方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011039201A true JP2011039201A (ja) | 2011-02-24 |
Family
ID=43767047
Family Applications (1)
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JP2009185182A Pending JP2011039201A (ja) | 2009-08-07 | 2009-08-07 | パターンデータの作成方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011039201A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105068374A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光学临近修正中的二维图形快速识别方法 |
-
2009
- 2009-08-07 JP JP2009185182A patent/JP2011039201A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105068374A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光学临近修正中的二维图形快速识别方法 |
CN105068374B (zh) * | 2015-08-11 | 2019-07-23 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 光学临近修正中的二维图形快速识别方法 |
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