JP2011035533A - 点滅信号検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】大容量の記憶部を必要とすることなく、光信号の点滅パターンが既知であることを必要とすることなく、点滅信号を受光している画素部を特定することができる点滅信号検出装置を提供する。
【解決手段】点滅信号検出装置１は、受光部１０、行選択部２０、読出部３０、検出部４０および制御部５０を備える。行選択部２０により、第１期間に受光部１０における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第２期間に受光部１０における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積される。検出部４０により、読出部３０から出力された画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎのデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。
【選択図】図１

Description

本発明は、点滅信号検出装置に関するものである。

固体撮像装置は、フォトダイオードおよび電荷蓄積部を各々有するＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部と、受光部の各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対して或る期間にフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させるとともに行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎの当該蓄積電荷量に応じたデータを出力させる行選択部と、受光部の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータを入力して各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードにおける発生電荷量に応じたデータを出力する読出部とを備え、また、この読出部から出力されたデータをＡＤ変換してデジタル値を出力するＡＤ変換部を更に備える場合がある。

このような固体撮像装置は、受光部の各画素部Ｐ_ｍ,ｎに到達した光の強度を検出して撮像することができる。また、近年では、このような固体撮像装置を用いて撮像だけでなく光通信を行うことが試みられている。例えば、特許文献１に開示された発明では、固体撮像装置による撮像で得られた画像データに基づいて、受光部における全ての画素部それぞれの時間的強度変化が所定パターンであるか否かが検出され、時間的強度変化が所定パターンであると判断された画素部が光信号を受光していると特定される。そして、その特定された画素部からのデータが光信号データとされて、これにより光通信が行われる。

特開２００７−３２４７０５号公報

特許文献１に開示された発明では、受光部におけるＭ×Ｎ個の画素部のうち光信号を受光している画素部を特定するために、複数フレーム分の画像データを記憶するための大容量の記憶部が必要である。また、特許文献１に開示された発明では、光信号を受光している画素部を特定するために、光信号の点滅パターンが既知であることが必要である。

本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、大容量の記憶部を必要とすることなく、また、光信号の点滅パターンが既知であることを必要とすることなく、光信号のような点滅信号を受光している画素部を特定することができる点滅信号検出装置を提供することを目的とする。

本発明に係る点滅信号検出装置は、(1) 入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部と、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するためのスイッチと、を各々有するＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列された受光部と、(2) 共通の時間幅の第１期間および第２期間を相前後して設定し、第１期間に受光部における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、第２期間に受光部における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させて、第１期間および第２期間の後に受光部における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対してスイッチを閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる行選択部と、(3) 行選択部により選択された受光部における各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータを入力して、各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを出力する読出部と、(4) 読出部から出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力して、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する検出部と、を備えることを特徴とする。ただし、Ｍ，Ｎは２以上の整数であり、ｍは１以上Ｍ以下の整数であり、ｎは１以上Ｎ以下の整数であり、ｉは１以上(Ｍ／２)以下の整数である。

本発明に係る点滅信号検出装置では、行選択部により、共通の時間幅の第１期間および第２期間が相前後して設定され、第１期間に受光部における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第２期間に受光部における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積されて、第１期間および第２期間の後に受光部における各行が選択されて行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎのスイッチが閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータが出力される。読出部では、行選択部により選択された受光部における各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータが入力されて、各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎが出力される。そして、検出部では、読出部から出力された各データＤ_ｍ,ｎが入力されて、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

本発明に係る点滅信号検出装置は、行選択部が受光部における第(２ｉ−１)行および第２ｉ行を相前後して選択し、読出部がデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}およびデータＤ_２ｉ,ｎを相前後して出力してもよい。より好適には、本発明に係る点滅信号検出装置は、(a) 行選択部が、受光部における第(２ｉ−１)行および第２ｉ行を同時に選択して、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}の電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させ、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎの電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させ、(b) 読出部が、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}、および、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_２ｉ,ｎを、同時に出力し、(c) 検出部が、読出部から同時に出力されたデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉの差を演算する。なお、行選択部として第１行選択部および第２行選択部が設けられ、読出部として第１読出部および第２読出部が設けられて、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}のデータの読出の動作が第１行選択部および第１読出部により行われ、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎのデータの読出の動作が第２行選択部および第２読出部により行われ、第１行選択部および第１読出部によるデータ読出動作と第２行選択部および第２読出部によるデータ読出動作とが並列的に行われてもよい。

或いは、本発明に係る点滅信号検出装置は、(1) 入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部と、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するためのスイッチと、を各々有するＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列された受光部と、(2) 共通の時間幅の第１〜第４の期間を順に設定し、第１期間に受光部における第(４ｊ−３)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、第２期間に受光部における第(４ｊ−２)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、第３期間に受光部における第(４ｊ−１)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させ、第４期間に受光部における第４ｊ行の各画素部Ｐ_４ｊ,ｎに対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させて、第４期間の後に受光部における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対してスイッチを閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる行選択部と、(3) 行選択部により選択された受光部における各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータを入力して、各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを出力する読出部と、(4) 読出部から出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力して、データＤ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}の差とデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｄ_４ｊ,ｎの差との和に基づいて、画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する検出部と、を備えることを特徴とする。ただし、Ｍ，Ｎは２以上の整数であり、ｍは１以上Ｍ以下の整数であり、ｎは１以上Ｎ以下の整数であり、ｊは１以上(Ｍ／４)以下の整数である。

本発明に係る点滅信号検出装置では、行選択部により、共通の時間幅の第１〜第４の期間が順に設定され、第１期間に受光部における第(４ｊ−３)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第２期間に受光部における第(４ｊ−２)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第３期間に受光部における第(４ｊ−１)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積され、第４期間に受光部における第４ｊ行の各画素部Ｐ_４ｊ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷が電荷蓄積部に蓄積されて、第４期間の後に受光部における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎのスイッチが閉じることで電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータが出力される。読出部では、行選択部により選択された受光部における各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータが入力されて、各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎが出力される。そして、検出部では、読出部から出力された各データＤ_ｍ,ｎが入力されて、データＤ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}の差とデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｄ_４ｊ,ｎの差との和に基づいて、画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

本発明に係る点滅信号検出装置は、大容量の記憶部を必要とすることなく、また、光信号の点滅パターンが既知であることを必要とすることなく、光信号のような点滅信号を受光している画素部を特定することができる。

第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の概略構成を示す図である。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の読出部３０の構成を示す図である。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の画素部Ｐ_ｍ,ｎおよび保持部３１_ｎの回路構成を示す図である。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の差演算部３３の回路構成を示す図である。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の行選択部２０の構成の一部を示す図である。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の検出部４０の構成を示す図である。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の動作の一例を示すタイミングチャートである。 第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の動作を説明する図である。 第２実施形態に係る点滅信号検出装置２の概略構成を示す図である。 第２実施形態に係る点滅信号検出装置２の第１読出部３０_１および第２読出部３０_２それぞれの構成を示す図である。 第２実施形態に係る点滅信号検出装置２の画素部Ｐ_ｍ,ｎおよび第１読出部３０_１の保持部３１_ｎの回路構成を示す図である。 第３実施形態に係る点滅信号検出装置３の概略構成を示す図である。 第３実施形態に係る点滅信号検出装置３の検出部４０Ｂの構成を示す図である。 第３実施形態に係る点滅信号検出装置３の動作を説明する図である。

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

（第１実施形態）

図１は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の概略構成を示す図である。この図に示される点滅信号検出装置１は、受光部１０、行選択部２０、読出部３０、検出部４０および制御部５０を備える。

受光部１０はＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎを含む。Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎは、共通の構成を有していて、Ｍ行Ｎ列に２次元配列されている。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは第ｍ行第ｎ列に位置している。ここで、Ｍ，Ｎは２以上の整数であり、ｍは１以上Ｍ以下の各整数であり、ｎは１以上Ｎ以下の各整数である。

各画素部Ｐ_ｍ,ｎは、入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部とを有する。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは、行選択部２０から制御信号線を介して受け取った各種の制御信号に基づいて、フォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積し、その電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ_ｎへ出力する。

行選択部２０は、受光部１０の各画素部Ｐ_ｍ,ｎの動作を制御するための各種の制御信号を出力する。より具体的には、行選択部２０は、第１期間に受光部１０における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させる。また、行選択部２０は、第２期間に受光部１０における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させる。そして、行選択部２０は、第１期間および第２期間の後に受光部１０における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対して電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる。ここで、第１期間および第２期間は相前後する期間であって共通の時間幅を有し、ｉは１以上(Ｍ／２)以下の各整数である。

読出部３０は、Ｎ本の読出信号線Ｌ_１〜Ｌ_Ｎと接続され、行選択部２０により選択された受光部１０における第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されたデータを入力して、第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを検出部４０へ出力する。

検出部４０は、読出部３０から出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力して、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する。

制御部５０は、行選択部２０，読出部３０および検出部４０それぞれの動作を制御することで、点滅信号検出装置１全体の動作を制御する。より具体的には、制御部５０は、行選択部２０における受光部１０への各種の制御信号の送出、読出部３０における各画素部Ｐ_ｍ,ｎからのデータの入力、読出部３０における各データＤ_ｍ,ｎの出力、および、検出部４０における処理、それぞれの動作タイミングを制御する。

図２は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の読出部３０の構成を示す図である。この図では、受光部１０においてはＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎのうち第ｍ行第ｎ列の画素部Ｐ_ｍ,ｎが代表して示され、また、読出部３０においては該画素部Ｐ_ｍ,ｎに関連する構成要素が示されている。

読出部３０は、Ｎ個の保持部３１_１〜３１_Ｎ，列選択部３２および差演算部３３を含む。Ｎ個の保持部３１_１〜３１_Ｎは共通の構成を有している。各保持部３１_ｎは、受光部１０における第ｎ列のＭ個の画素部Ｐ_１,ｎ〜Ｐ_Ｍ,ｎと読出信号線Ｌ_ｎを介して接続されていて、行選択部２０により選択された第ｍ行の画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されたデータを入力して、そのデータを保持し、その保持したデータを出力することができる。各保持部３１_ｎは、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータを入力して保持するとともに、ノイズ成分のみのデータを入力して保持するのが好適である。

Ｎ個の保持部３１_１〜３１_Ｎは、列選択部３２から受け取った各種の制御信号に基づいて、同一タイミングでデータをサンプリングして保持し、その保持したデータを順次に出力することができる。差演算部３３は、Ｎ個の保持部３１_１〜３１_Ｎそれぞれから順次に出力されたデータを入力し、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータからノイズ成分のみのデータを差し引いて、信号成分に応じたデータＤ_ｍ,ｎを出力する。差演算部３３は、信号成分に応じたデータをアナログデータとして出力してもよいし、ＡＤ変換機能を有していてデジタルデータを出力してもよい、このようにして、読出部３０は、第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを出力することができる。

図３は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の画素部Ｐ_ｍ,ｎおよび保持部３１_ｎの回路構成を示す図である。この図でも、受光部１０においてはＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎのうち第ｍ行第ｎ列の画素部Ｐ_ｍ,ｎが代表して示され、また、読出部３０においては該画素部Ｐ_ｍ,ｎに関連する保持部３１_ｎが示されている。

各画素部Ｐ_ｍ,ｎは、ＡＰＳ（Active Pixel Sensor）方式のものであって、フォトダイオードＰＤおよび５個のＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５を含む。この図に示されるように、トランジスタＴ１，トランジスタＴ２およびフォトダイオードＰＤは順に直列的に接続されていて、トランジスタＴ１のドレイン端子に基準電圧が入力され、フォトダイオードＰＤのアノ−ド端子が接地されている。トランジスタＴ１とトランジスタＴ２との接続点は、トランジスタＴ５を介してトランジスタＴ３のゲート端子に接続されている。

トランジスタＴ３のドレイン端子に基準電圧が入力される。トランジスタＴ３のソース端子は、トランジスタＴ４のドレイン端子と接続されている。各画素部Ｐ_ｍ,ｎのトランジスタＴ４のソース端子は、読出信号線Ｌ_ｎに接続されている。読出信号線Ｌ_ｎには定電流源が接続されている。

各画素部Ｐ_ｍ,ｎのリセット用のトランジスタＴ１のゲート端子は、行選択部２０から出力されるReset(m)信号が入力される。各画素部Ｐ_ｍ,ｎの転送用のトランジスタＴ２のゲート端子は、行選択部２０から出力されるTrans(m)信号が入力される。各画素部Ｐ_ｍ,ｎのホールド用のトランジスタＴ５のゲート端子は、行選択部２０から出力されるHold(m)信号が入力される。各画素部Ｐ_ｍ,ｎの出力選択用のトランジスタＴ４のゲート端子は、行選択部２０から出力されるAddress(m)信号が入力される。これらの制御信号（Reset(m)信号，Trans(m)信号，Hold(m)信号，Address(m)信号）は、行選択部２０から第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎに対して共通に入力される。

Reset(m)信号，Trans(m)信号およびHold(m)信号がハイレベルであるとき、フォトダイオードＰＤの接合容量部が放電され、また、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）が放電される。Trans(m)信号がローレベルであるとき、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は接合容量部に蓄積されていく。Reset(m)信号がローレベルであって、Trans(m)信号およびHold(m)信号がハイレベルであると、フォトダイオードＰＤの接合容量部に蓄積されていた電荷は、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に転送され蓄積される。

Address(m)信号がハイレベルであるとき、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に蓄積されている電荷量に応じたデータ（ノイズ成分が重畳された信号成分のデータ）が、トランジスタＴ４を経て読出信号線Ｌ_ｎへ出力される。すなわち、トランジスタＴ４は、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ_ｎへ出力するためのスイッチとして作用する。なお、電荷蓄積部が放電状態にあるときには、ノイズ成分のみのデータがトランジスタＴ４を経て読出信号線Ｌ_ｎへ出力される。

各保持部３１_ｎは、２つの容量素子Ｃ_１，Ｃ_２、および、４つのスイッチＳＷ_１１，ＳＷ_１２，ＳＷ_２１，ＳＷ_２２を含む。この保持部３１_ｎでは、スイッチＳＷ_１１およびスイッチＳＷ_１２は、直列的に接続されて読出信号線Ｌ_ｎと配線Ｈline_sとの間に設けられ、容量素子Ｃ_１の一端は、スイッチＳＷ_１１とスイッチＳＷ_１２との間の接続点に接続され、容量素子Ｃ_１の他端は接地されている。また、スイッチＳＷ_２１およびスイッチＳＷ_２２は、直列的に接続されて読出信号線Ｌ_ｎと配線Ｈline_nとの間に設けられ、容量素子Ｃ_２の一端は、スイッチＳＷ_２１とスイッチＳＷ_２２との間の接続点に接続され、容量素子Ｃ_２の他端は接地されている。

この保持部３１_ｎでは、スイッチＳＷ_１１は、列選択部３２から供給されるset_s信号のレベルに応じて開閉する。スイッチＳＷ_２１は、列選択部３２から供給されるset_n信号のレベルに応じて開閉する。set_s信号およびset_n信号は、Ｎ個の保持部３１_１〜３１_Ｎに対して共通に入力される。スイッチＳＷ_１２，ＳＷ_２２は、列選択部３２から供給されるhshift(n)信号のレベルに応じて開閉する。

この保持部３１_ｎでは、set_n信号がハイレベルからローレベルに転じてスイッチＳＷ_２１が開くときに画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されていたノイズ成分が、それ以降、容量素子Ｃ_２により電圧値out_n(n)として保持される。set_s信号がハイレベルからローレベルに転じてスイッチＳＷ_１１が開くときに画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されていたノイズ成分が重畳された信号成分が、それ以降、容量素子Ｃ_１により電圧値out_s(n)として保持される。そして、hshift(n)信号がハイレベルになると、スイッチＳＷ_１２が閉じて、容量素子Ｃ_１により保持されていた電圧値out_s(n)が配線Ｈline_sへ出力され、また、スイッチＳＷ_２２が閉じて、容量素子Ｃ_２により保持されていた電圧値out_n(n)が配線Ｈline_nへ出力される。これら電圧値out_s(n)と電圧値out_n(n)との差が、画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードＰＤで発生した電荷の量に応じた電圧値を表す。

図４は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の差演算部３３の回路構成を示す図である。この図に示されるように、差演算部３３は、アンプＡ_１〜Ａ_３、スイッチＳＷ_１，ＳＷ_２、および、抵抗器Ｒ_１〜Ｒ_４を含む。アンプＡ_３の反転入力端子は、抵抗器Ｒ_１を介してバッファアンプＡ_１の出力端子と接続され、抵抗器Ｒ_３を介して自己の出力端子と接続されている。アンプＡ_３の非反転入力端子は、抵抗器Ｒ_２を介してバッファアンプＡ_２の出力端子と接続され、抵抗器Ｒ_４を介して接地電位と接続されている。バッファアンプＡ_１の入力端子は、配線Ｈline_sを介してＮ個の保持部３１_１〜３１_Ｎと接続され、スイッチＳＷ_１を介して接地電位と接続されている。バッファアンプＡ_２の入力端子は、配線Ｈline_nを介してＮ個の保持部３１_１〜３１_Ｎと接続され、スイッチＳＷ_２を介して接地電位と接続されている。

差演算部３３のスイッチＳＷ_１，ＳＷ_２は、列選択部３２から供給されるhreset信号により制御されて開閉動作する。スイッチＳＷ_１が閉じることで、バッファアンプＡ_１の入力端子に入力される電圧値がリセットされる。スイッチＳＷ_２が閉じることで、バッファアンプＡ_２の入力端子に入力される電圧値がリセットされる。スイッチＳＷ_１，ＳＷ_２が開いているときに、Ｎ個の保持部３１_１〜３１_Ｎのうちの何れかの保持部３１_ｎから配線Ｈline_s，Ｈline_nへ出力された電圧値out_s(n)，out_n(n)が、バッファアンプＡ_１，Ａ_２の入力端子に入力される。バッファアンプＡ_１，Ａ_２それぞれの増幅率を１とし、４個の抵抗器Ｒ_１〜Ｒ_４それぞれの抵抗値が互いに等しいとすると、差演算部３３の出力端子から出力される電圧値は、配線Ｈline_sおよび配線Ｈline_nそれぞれを経て入力される電圧値の差を表し、ノイズ成分が除去されたものとなる。

図５は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の行選択部２０の構成の一部を示す図である。行選択部２０は、Ｍ段のシフトレジスタを有する他、同図（ａ）に示される回路を各々の奇数行（第(２ｉ−１)行）に対して有し、同図（ｂ）に示される回路を各々の偶数行（第２ｉ行）に対して有する。Ｍ段のシフトレジスタは、そのうちの第ｍ段からAddress(m)信号を出力して第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎに与える。

同図（ａ）に示されるように、Trans(2i-1)信号は、Address(2i-1)信号とS_odd信号との論理和と、Ｔ信号との論理積として、作成される。Reset(2i-1)信号は、Address(2i-1)信号とS_odd信号との論理和と、Ｒ信号との論理積として、作成される。Hold(2i-1)信号は、Address(2i-1)信号とS_odd信号との論理和と、Ｈ信号との論理積として、作成される。これらTrans(2i-1)信号，Reset(2i-1)信号およびHold(2i-1)信号は、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に与えられる。

同図（ｂ）に示されるように、Trans(2i)信号は、Address(2i)信号とS_even信号との論理和と、Ｔ信号との論理積として、作成される。Reset(2i)信号は、Address(2i)信号とS_even信号との論理和と、Ｒ信号との論理積として、作成される。Hold(2i)信号は、Address(2i)信号とS_even信号との論理和と、Ｈ信号との論理積として、作成される。これらTrans(2i)信号，Reset(2i)信号およびHold(2i)信号は、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに与えられる。

S_odd信号，S_even信号，Ｒ信号，Ｔ信号およびＨ信号は、制御部５０から行選択部２０へ与えられる、このように構成される行選択部２０は、S_odd信号により指示される第１期間に、受光部１０における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させることができる。また、行選択部２０は、S_even信号により指示される第２期間に、受光部１０における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させることができる。そして、行選択部２０は、第１期間および第２期間の後に、Address(m)信号により受光部１０における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対して電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ_ｎへ出力させることができる。

図６は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の検出部４０の構成を示す図である。検出部４０は、読出部３０から行順に出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力する。検出部４０は、記憶部４１および演算部４２を含む。記憶部４１は、第(２ｉ−１)行のＮ個のデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}および第２ｉ行のＮ個のＤ_２ｉ,ｎのうち先に入力した第(２ｉ−１)行のＮ個のデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}を記憶する。演算部４２は、後に入力した第２ｉ行のＮ個のＤ_２ｉ,ｎを入力するとともに、記憶部４１により記憶されている第(２ｉ−１)行のＮ個のデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}をも入力して、これらのデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差（Ｄ_{２ｉ−１,ｎ}−Ｄ_２ｉ,ｎ）を演算する。そして、検出部４０は、この差（Ｄ_{２ｉ−１,ｎ}−Ｄ_２ｉ,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する。ここで、記憶部４１に保持されるデータはデジタルデータに限らず、アナログ電圧の形で保持しておいて、差分をとってもよい。

図７は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の動作の一例を示すタイミングチャートである。この図には、上から順に、点滅信号検出装置１の受光部１０への光信号入射の有無、制御部５０から行選択部２０へ与えられるS_odd信号，S_even信号，Ｒ信号，Ｔ信号およびＨ信号、読出部３０において列選択部３２から各保持部３１_ｎへ与えられるset_s信号およびset_n信号、行選択部２０から第１行の各画素部Ｐ_１,ｎへ与えられるAddress(1)信号、行選択部２０から第２行の各画素部Ｐ_２,ｎへ与えられるAddress(2)信号、ならびに、読出部３０において列選択部３２から各保持部３１_ｎへ与えられるhshift(1)信号〜hshift(N)信号、が示されている。

受光部１０へ光信号が入射している第１期間に、S_odd信号がハイレベルとなり、S_even信号がローレベルとなる。この第１期間において、或る一定期間に亘って、Ｒ信号，Ｔ信号およびＨ信号がハイレベルとなって、Reset(2i-1)信号，Trans(2i-1)信号およびHold(2i-1)信号がハイレベルとなり、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}において、フォトダイオードＰＤの接合容量部が放電され、また、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）が放電される。第１期間において続く或る一定期間に亘って、Ｒ信号，Ｔ信号およびＨ信号がローレベルとなって、Reset(2i-1)信号，Trans(2i-1)信号およびHold(2i-1)信号がローレベルとなり、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}において、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は接合容量部に蓄積されていく。そして、第１期間において更に続く或る一定期間に亘って、Ｒ信号がローレベルでＴ信号およびＨ信号がハイレベルとなって、Reset(2i-1)信号がローレベルとなり、Trans(2i-1)信号およびHold(2i-1)信号がハイレベルとなって、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}において、フォトダイオードＰＤの接合容量部に蓄積されていた電荷は、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に転送され蓄積される。これらの動作は、受光部１０における全ての奇数行目の各画素部において並列的に行われる。

受光部１０へ光信号が入射していない第２期間に、S_odd信号がローレベルとなり、S_even信号がハイレベルとなる。この第２期間において、或る一定期間に亘って、Ｒ信号，Ｔ信号およびＨ信号がハイレベルとなって、Reset(2i)信号，Trans(2i)信号およびHold(2i)信号がハイレベルとなり、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎにおいて、フォトダイオードＰＤの接合容量部が放電され、また、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）が放電される。第２期間において続く或る一定期間に亘って、Ｒ信号，Ｔ信号およびＨ信号がローレベルとなって、Reset(2i)信号，Trans(2i)信号およびHold(2i)信号がローレベルとなり、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎにおいて、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は接合容量部に蓄積されていく。そして、第２期間において更に続く或る一定期間に亘って、Ｒ信号がローレベルでＴ信号およびＨ信号がハイレベルとなって、Reset(2i)信号がローレベルとなり、Trans(2i)信号およびHold(2i)信号がハイレベルとなって、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎにおいて、フォトダイオードＰＤの接合容量部に蓄積されていた電荷は、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に転送され蓄積される。これらの動作は、受光部１０における全ての偶数行目の各画素部において並列的に行われる。

第１期間および第２期間の後に、行選択部２０から第１行の各画素部Ｐ_１,ｎへ与えられるAddress(1)信号がハイレベルとなる。Address(1)信号がハイレベルとなる期間において、各保持部３１_ｎへ与えられるset_s信号が一定期間だけハイレベルとなり、続いてＲ信号およびＴ信号が一定期間だけハイレベルとなって第１行の各画素部Ｐ_１,ｎの電荷蓄積部が放電され、更に続いて各保持部３１_ｎへ与えられるset_n信号が一定期間だけハイレベルとなる。これにより、各画素部Ｐ_１,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されていたノイズ成分が重畳された信号成分が、保持部３１_ｎの容量素子Ｃ_１により電圧値out_s(n)として保持される。また、各画素部Ｐ_１,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されていたノイズ成分が、保持部３１_ｎの容量素子Ｃ_２により電圧値out_n(n)として保持される。その後、hshift(1)信号〜hshift(N)信号が順次にハイレベルとなって、保持部３１_１〜３１_Ｎそれぞれに保持されていた電圧値が順次に出力され、差演算部３３により、ノイズ成分が重畳された信号成分のデータからノイズ成分のみのデータが差し引かれて、第１行の各画素部Ｐ_１,ｎの信号成分に応じたデータＤ_１,１〜Ｄ_１,Ｎが出力される。以降も同様にして、各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎのデータＤ_ｍ,ｎが行順に出力される。

そして、検出部４０では、先ず、第１行の各画素部Ｐ_１,ｎのデータＤ_１,ｎが入力されて記憶部４１により記憶される。次に、第２行の各画素部Ｐ_２,ｎのデータＤ_２,ｎが入力されるときに、そのデータＤ_２,ｎが演算部４２に入力されるとともに、記憶部４１により記憶されているデータＤ_１,ｎが演算部４２に入力されて、演算部４２において、これらのデータＤ_１,ｎ，Ｄ_２,ｎの差（Ｄ_１,ｎ−Ｄ_２,ｎ）が演算される。そして、検出部４０では、この差（Ｄ_１,ｎ−Ｄ_２,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_１,ｎ，Ｐ_２,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

続いて、検出部４０では、第３行の各画素部Ｐ_３,ｎのデータＤ_３,ｎが入力されて記憶部４１により記憶される。次に、第４行の各画素部Ｐ_４,ｎのデータＤ_４,ｎが入力されるときに、そのデータＤ_４,ｎが演算部４２に入力されるとともに、記憶部４１により記憶されているデータＤ_３,ｎが演算部４２に入力されて、演算部４２において、これらのデータＤ_３,ｎ，Ｄ_４,ｎの差（Ｄ_３,ｎ−Ｄ_４,ｎ）が演算される。そして、検出部４０では、この差（Ｄ_３,ｎ−Ｄ_４,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_３,ｎ，Ｐ_４,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

以降も同様にして、検出部４０では、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差（Ｄ_{２ｉ−１,ｎ}−Ｄ_２ｉ,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

図８は、第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の動作を説明する図である。この図には、上から順に、光信号入射タイミング、受光部１０における第(２ｉ−１)行の画素部での電荷蓄積タイミングＡ、および、受光部１０における第２ｉ行の画素部での電荷蓄積タイミングＢ、が示されている。前の図７では、受光部１０における第(２ｉ−１)行の画素部での電荷蓄積タイミングＡは光信号入射タイミングと一致したが、この図８では、電荷蓄積タイミングＡ，Ｂの何れも一部が光信号入射タイミングと重なっている。電荷蓄積タイミングＡ，Ｂの各位相は２分の１周期だけ異なっている。

図中においてハッチで示した範囲は、電荷蓄積タイミングＡ，Ｂそれぞれと光信号入射タイミングとが重なっている範囲を表していて、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの大きさに相当する。点滅信号が画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達していて、電荷蓄積タイミングＡ，Ｂの間でハッチ範囲の大きさが異なっていれば、すなわち、差（Ｄ_{２ｉ−１,ｎ}−Ｄ_２ｉ,ｎ）が零でなければ、点滅信号が到達していることが検出部４０により検出され得る。一方、一定強度の光が画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達していれば、電荷蓄積タイミングＡ，Ｂの間でハッチ範囲の大きさが等しいので、点滅信号が到達していないことが検出部４０により検出され得る。

このように、本実施形態に係る点滅信号検出装置１は、１行分のデータを記憶する記憶部４１を備えるだけでよく、大容量の記憶部を必要としない。また、本実施形態に係る点滅信号検出装置１は、光信号の点滅パターンが既知であることを必要とすることなく、光信号のような点滅信号を受光している画素部を特定することができる。

なお、以上に説明したような点滅する光信号を検出するには、その光信号が少なくとも或る２個の画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達することが必要となる。その為には、受光部１０の前面に設けられる光学系による受光面１０への結像を意図的にぼかして、受光部１０の広い範囲に光信号が到達するようにしてもよい。また、受光部１０に到達する光の強度分布が隣接する行の間で異なると、光信号が到達したと誤って検出される場合があるが、光学系による受光面１０への結像を意図的にぼかすことで、このような誤検出を防止することができる。

（第２実施形態）

図９は、第２実施形態に係る点滅信号検出装置２の概略構成を示す図である。この図に示される点滅信号検出装置２は、受光部１０、第１行選択部２０_１、第２行選択部２０_２、第１読出部３０_１、第２読出部３０_２、検出部４０Ａおよび制御部５０Ａを備える。

図１に示された第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の構成と比較すると、この図９に示された第２実施形態に係る点滅信号検出装置２は、受光部１０の各画素部Ｐ_ｍ,ｎの構成が相違し、行選択部２０に替えて第１行選択部２０_１および第２行選択部２０_２を備える点で相違し、読出部３０に替えて第１読出部３０_１および第２読出部３０_２を備える点で相違し、検出部４０に替えて検出部４０Ａを備える点で相違し、また、制御部５０に替えて制御部５０Ａを備える点で相違する。

第１行選択部２０_１および第１読出部３０_１は、受光部１０における奇数行（第(２ｉ−１)行）の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対して放電，電荷蓄積およびデータ読出を行う。第２行選択部２０_２および第２読出部３０_２は、受光部１０における偶数行（第２ｉ行）の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対して放電，電荷蓄積およびデータ読出を行う。第１行選択部２０_１および第１読出部３０_１と、第２行選択部２０_２および第２読出部３０_２とは、互いに並列的にデータ読出の動作をする。

制御部５０Ａは、上記の並列動作をするよう、第１行選択部２０_１，第２行選択部２０_２，第１読出部３０_１および第２読出部３０_２それぞれの動作を制御する。また、上記の並列動作をすることから、第２実施形態における検出部４０Ａは、第１実施形態における検出部４０と異なる構成を有している。また、上記の並列動作をする為に、第２実施形態における各画素部Ｐ_ｍ,ｎは、第１実施形態における各画素部と異なる構成を有している。

図１０は、第２実施形態に係る点滅信号検出装置２の第１読出部３０_１および第２読出部３０_２それぞれの構成を示す図である。この図では、受光部１０においてはＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎのうち第ｍ行第ｎ列の画素部Ｐ_ｍ,ｎが代表して示され、また、第１読出部３０_１および第２読出部３０_２それぞれにおいては該画素部Ｐ_ｍ,ｎに関連する構成要素が示されている。

第１読出部３０_１および第２読出部３０_２それぞれは、第１実施形態における読出部３０と同様の構成を有している。ただし、第１読出部３０_１の各保持部３１_ｎは、受光部１０における第ｎ列のＭ個の画素部Ｐ_１,ｎ〜Ｐ_Ｍ,ｎと読出信号線Ｌ１_ｎを介して接続されていて、第１行選択部２０_１により選択された第ｍ行の画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ１_ｎへ出力されたデータを入力して、そのデータを保持し、その保持したデータを出力することができる。また、第２読出部３０_２の各保持部３１_ｎは、受光部１０における第ｎ列のＭ個の画素部Ｐ_１,ｎ〜Ｐ_Ｍ,ｎと読出信号線Ｌ２_ｎを介して接続されていて、第２行選択部２０_２により選択された第ｍ行の画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ２_ｎへ出力されたデータを入力して、そのデータを保持し、その保持したデータを出力することができる。

図１１は、第２実施形態に係る点滅信号検出装置２の画素部Ｐ_ｍ,ｎおよび第１読出部３０_１の保持部３１_ｎの回路構成を示す図である。この図でも、受光部１０においてはＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎのうち第ｍ行第ｎ列の画素部Ｐ_ｍ,ｎが代表して示され、また、第１読出部３０_１においては該画素部Ｐ_ｍ,ｎに関連する保持部３１_ｎが示されている。

各画素部Ｐ_ｍ,ｎは、ＡＰＳ（Active Pixel Sensor）方式のものであって、フォトダイオードＰＤおよび６個のＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４_１，Ｔ４_２，Ｔ５を含む。この図に示されるように、トランジスタＴ１，トランジスタＴ２およびフォトダイオードＰＤは順に直列的に接続されていて、トランジスタＴ１のドレイン端子に基準電圧が入力され、フォトダイオードＰＤのアノ−ド端子が接地されている。トランジスタＴ１とトランジスタＴ２との接続点は、トランジスタＴ５を介してトランジスタＴ３のゲート端子に接続されている。

トランジスタＴ３のドレイン端子に基準電圧が入力される。トランジスタＴ３のソース端子は、トランジスタＴ４_１，Ｔ４_２それぞれのドレイン端子と接続されている。各画素部Ｐ_ｍ,ｎのトランジスタＴ４_１のソース端子は、読出信号線Ｌ１_ｎに接続されている。各画素部Ｐ_ｍ,ｎのトランジスタＴ４_２のソース端子は、読出信号線Ｌ２_ｎに接続されている。読出信号線Ｌ１_ｎおよび読出信号線Ｌ２_ｎそれぞれには定電流源が接続されている。

各画素部Ｐ_ｍ,ｎの転送用のトランジスタＴ２のゲート端子は、制御信号線ＬＴ_ｍと接続され、第１行選択部２０_１または第２行選択部２０_２から出力されるTrans(m)信号が入力される。各画素部Ｐ_ｍ,ｎのリセット用のトランジスタＴ１のゲート端子は、制御信号線ＬＲ_ｍと接続され、第１行選択部２０_１または第２行選択部２０_２から出力されるReset(m)信号が入力される。各画素部Ｐ_ｍ,ｎのホールド用のトランジスタＴ５のゲート端子は、制御信号線ＬＨ_ｍと接続され、第１行選択部２０_１または第２行選択部２０_２から出力されるHold(m)信号が入力される。

各画素部Ｐ_ｍ,ｎの出力選択用のトランジスタＴ４_１のゲート端子は、制御信号線ＬＡ１_ｍと接続され、第１行選択部２０_１から出力されるAddress1(m)信号が入力される。各画素部Ｐ_ｍ,ｎの出力選択用のトランジスタＴ４_２のゲート端子は、制御信号線ＬＡ２_ｍと接続され、第２行選択部２０_２から出力されるAddress2(m)信号が入力される。これらの制御信号（Reset(m)信号，Trans(m)信号，Hold(m)信号，Address1(m)信号，Address2(m)信号）は、第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎに対して共通に入力される。

制御信号線ＬＴ_ｍ，制御信号線ＬＲ_ｍおよび制御信号線ＬＨ_ｍは、行毎に設けられていて、第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎにおけるフォトダイオードＰＤの接合容量部および電荷蓄積部それぞれの放電ならびに電荷蓄積部による電荷蓄積を指示する制御信号（Reset(m)信号，Trans(m)信号，Hold(m)信号）を送る。これら制御信号線の第１端はスイッチを介して第１行選択部２０_１に接続され、また、これら制御信号線の第２端はスイッチを介して第２行選択部２０_２に接続されている。これら制御信号線それぞれの両端に設けられた２つのスイッチは、同時に閉じることはなく、常に少なくとも一方が開いている。なお、これらのスイッチに替えてトライステートバッファが用いられてもよく、この場合、これら制御信号線それぞれの両端に設けられた２つのトライステートバッファは、同時に導通状態になることはなく、常に少なくとも一方がハイインピーダンス状態にある。

制御信号線ＬＡ１_ｍおよび制御信号線ＬＡ２_ｍは、行毎に設けられていて、第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎにおける読出信号線Ｌ１_ｎまたは読出信号線Ｌ２_ｎへのデータ出力を指示する制御信号（Address1(m)信号，Address2(m)信号）を送る。各制御信号線ＬＡ１_ｍは第１行選択部２０_１に接続されている。各制御信号線ＬＡ２_ｍは第２行選択部２０_２に接続されている。Address1(m)信号とAddress2(m)信号とは同時にハイレベルとなることはなく、トランジスタＴ４_１とトランジスタＴ４_２とは同時にオン状態となることはない。

Reset(m)信号，Trans(m)信号およびHold(m)信号がハイレベルであるとき、フォトダイオードＰＤの接合容量部が放電され、また、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）が放電される。Trans(m)信号がローレベルであるとき、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は接合容量部に蓄積されていく。Reset(m)信号がローレベルであって、Trans(m)信号およびHold(m)信号がハイレベルであると、フォトダイオードＰＤの接合容量部に蓄積されていた電荷は、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に転送され蓄積される。

Address1(m)信号がハイレベルであるとき、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に蓄積されている電荷量に応じたデータ（ノイズ成分が重畳された信号成分のデータ）が、トランジスタＴ４_１を経て読出信号線Ｌ１_ｎへ出力され、第１読出部３０_１の保持部３１_ｎへ入力される。すなわち、トランジスタＴ４_１は、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ１_ｎへ出力するための第１スイッチとして作用する。なお、電荷蓄積部が放電状態にあるときには、ノイズ成分のみのデータがトランジスタＴ４_１を経て読出信号線Ｌ１_ｎへ出力される。

Address2(m)信号がハイレベルであるとき、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に蓄積されている電荷量に応じたデータ（ノイズ成分が重畳された信号成分のデータ）が、トランジスタＴ４_２を経て読出信号線Ｌ２_ｎへ出力され、第２読出部３０_２の保持部３１_ｎへ入力される。すなわち、トランジスタＴ４_２は、電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ２_ｎへ出力するための第２スイッチとして作用する。なお、電荷蓄積部が放電状態にあるときには、ノイズ成分のみのデータがトランジスタＴ４_２を経て読出信号線Ｌ２_ｎへ出力される。

第１行選択部２０_１および第２行選択部２０_２それぞれは、Ｍ段のシフトレジスタを有する。第１行選択部２０_１のＭ段のシフトレジスタは、そのうちの第ｍ段からAddress1(m)信号を制御信号線ＬＡ１_ｍへ出力して第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎに与える。第２行選択部２０_２のＭ段のシフトレジスタは、そのうちの第ｍ段からAddress2(m)信号を制御信号線ＬＡ２_ｍへ出力して第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎに与える。また、第１行選択部２０_１は、図５（ａ）に示される回路を各々の奇数行（第(２ｉ−１)行）に対して有し、第２行選択部２０_２は、図５（ｂ）に示される回路を各々の偶数行（第２ｉ行）に対して有する。

第１行選択部２０_１は、S_odd信号により指示される第１期間に、受光部１０における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させることができる。また、第２行選択部２０_２は、S_even信号により指示される第２期間に、受光部１０における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対してフォトダイオードで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させることができる。各画素部Ｐ_２ｉ,ｎにおける放電および電荷蓄積のタイミングは、第１実施形態の場合と同様である。

第１行選択部２０_１は、第１期間および第２期間の後に、Address1(2i-1)信号により受光部１０における奇数行（第(２ｉ−１)行）を選択して行毎に各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対して電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ１_ｎへ出力させることができる。第２行選択部２０_２は、第１期間および第２期間の後に、Address2(2i)信号により受光部１０における偶数行（第２ｉ行）を選択して行毎に各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対して電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを読出信号線Ｌ２_ｎへ出力させることができる。第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}から読出信号線Ｌ１_ｎおよび第１読出部３０_１を経て検出部４０Ａへのデータ読出と、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎから読出信号線Ｌ２_ｎおよび第２読出部３０_２を経て検出部４０Ａへのデータ読出とは、互いに並列的に行われる。

すなわち、第１行選択部２０_１および第２行選択部２０_２は、受光部１０における第(２ｉ−１)行および第２ｉ行を同時に選択して、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}の電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させ、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎの電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる。第１読出部３０_１および第２読出部３０_２は、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}、および、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_２ｉ,ｎを、同時に検出部４０Ａへ出力する。

検出部４０Ａは、読出部３０_１，３０_２から同時に出力されたデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉの差を演算し、この差に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する。

第２実施形態に係る点滅信号検出装置２は、以下のように動作する。受光部１０へ光信号が入射している第１期間に、第１行選択部２０_１により、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}において、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に転送され蓄積される。これらの動作は、受光部１０における全ての奇数行目の各画素部において並列的に行われる。

また、受光部１０へ光信号が入射していない第２期間に、第２行選択部２０_２により、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎにおいて、フォトダイオードＰＤで発生した電荷は、トランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域（電荷蓄積部）に転送され蓄積される。これらの動作は、受光部１０における全ての偶数行目の各画素部において並列的に行われる。

これらの各画素部Ｐ_ｍ,ｎにおける電荷蓄積のタイミングは、第１実施形態の場合と同様である。第２実施形態におけるデータ読出動作のタイミングは、第１実施形態の場合と異なる。

第２実施形態では、第１期間および第２期間の後に、第１行選択部２０_１から第１行の各画素部Ｐ_１,ｎへ与えられるAddress1(1)信号と、第２行選択部２０_２から第２行の各画素部Ｐ_２,ｎへ与えられるAddress2(2)信号と、が同じ期間にハイレベルとなる。そして、第１読出部３０_１からの第１行の各画素部Ｐ_１,ｎのデータＤ_１,ｎの出力と、第２読出部３０_２からの第２行の各画素部Ｐ_２,ｎのデータＤ_２,ｎの出力と、が同時に行われる。検出部４０Ａでは、第１行の各画素部Ｐ_１,ｎのデータＤ_１,ｎと第２行の各画素部Ｐ_２,ｎのデータＤ_２,ｎとが同時に入力されて、これらのデータＤ_１,ｎ，Ｄ_２,ｎの差（Ｄ_１,ｎ−Ｄ_２,ｎ）が演算される。そして、検出部４０Ａでは、この差（Ｄ_１,ｎ−Ｄ_２,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_１,ｎ，Ｐ_２,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

続いて、第１行選択部２０_１から第３行の各画素部Ｐ_３,ｎへ与えられるAddress1(3)信号と、第２行選択部２０_２から第４行の各画素部Ｐ_４,ｎへ与えられるAddress2(4)信号と、が同じ期間にハイレベルとなる。そして、第１読出部３０_１からの第３行の各画素部Ｐ_３,ｎのデータＤ_３,ｎの出力と、第２読出部３０_２からの第４行の各画素部Ｐ_４,ｎのデータＤ_４,ｎの出力と、が同時に行われる。検出部４０Ａでは、第３行の各画素部Ｐ_３,ｎのデータＤ_３,ｎと第４行の各画素部Ｐ_４,ｎのデータＤ_４,ｎとが同時に入力されて、これらのデータＤ_３,ｎ，Ｄ_４,ｎの差（Ｄ_３,ｎ−Ｄ_４,ｎ）が演算される。そして、検出部４０Ａでは、この差（Ｄ_３,ｎ−Ｄ_４,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_３,ｎ，Ｐ_４,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

以降も同様にして、検出部４０Ａでは、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差（Ｄ_{２ｉ−１,ｎ}−Ｄ_２ｉ,ｎ）に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かが検出される。

第１実施形態に係る点滅信号検出装置１は、１行分のデータを記憶する記憶部４１を備える必要があったが、第２実施形態に係る点滅信号検出装置２は、そのような記憶部を備える必要がない。また、第２実施形態に係る点滅信号検出装置２は、第１実施形態の場合と同様に、光信号の点滅パターンが既知であることを必要とすることなく、光信号のような点滅信号を受光している画素部を特定することができる。

（第３実施形態）

図１２は、第３実施形態に係る点滅信号検出装置３の概略構成を示す図である。この図に示される点滅信号検出装置３は、受光部１０、行選択部２０Ｂ、読出部３０、検出部４０Ｂおよび制御部５０Ｂを備える。

図１に示された第１実施形態に係る点滅信号検出装置１の構成と比較すると、この図１２に示された第３実施形態に係る点滅信号検出装置３は、行選択部２０に替えて行選択部２０Ｂを備える点で相違し、検出部４０に替えて検出部４０Ｂを備える点で相違し、また、制御部５０に替えて制御部５０Ｂを備える点で相違する。

行選択部２０Ｂは、受光部１０の各画素部Ｐ_ｍ,ｎの動作を制御するための各種の制御信号を出力する。より具体的には、行選択部２０Ｂは、第１期間に受光部１０における第(４ｊ−３)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}に対してフォトダイオードＰＤで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させる。行選択部２０Ｂは、第２期間に受光部１０における第(４ｊ−２)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}に対してフォトダイオードＰＤで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させる。

行選択部２０Ｂは、第３期間に受光部１０における第(４ｊ−１)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}に対してフォトダイオードＰＤで発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させる。また、行選択部２０Ｂは、第４期間に受光部１０における第４ｊ行の各画素部Ｐ_４ｊ,ｎに対してフォトダイオードでＰＤ発生した電荷を電荷蓄積部に蓄積させる。そして、行選択部２０Ｂは、第４期間の後に受光部１０における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対して電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる。ここで、第１〜第４の期間は、この順に設定され、共通の時間幅を有する。また、ｊは１以上(Ｍ／４)以下の各整数である。

読出部３０は、Ｎ本の読出信号線Ｌ_１〜Ｌ_Ｎと接続され、行選択部２０により選択された受光部１０における第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから読出信号線Ｌ_ｎへ出力されたデータを入力して、第ｍ行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを検出部４０Ｂへ出力する。

検出部４０Ｂは、読出部３０から出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力して、データＤ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}の差とデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｄ_４ｊ,ｎの差との和に基づいて、画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する。

制御部５０Ｂは、行選択部２０Ｂ，読出部３０および検出部４０Ｂそれぞれの動作を制御することで、点滅信号検出装置１全体の動作を制御する。より具体的には、制御部５０Ｂは、行選択部２０Ｂにおける受光部１０への各種の制御信号の送出、読出部３０における各画素部Ｐ_ｍ,ｎからのデータの入力、読出部３０における各データＤ_ｍ,ｎの出力、および、検出部４０Ｂにおける処理、それぞれの動作タイミングを制御する。

図１３は、第３実施形態に係る点滅信号検出装置３の検出部４０Ｂの構成を示す図である。検出部４０Ｂは、読出部３０から行順に出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力する。検出部４０Ｂは、記憶部４１_１〜４１_３および演算部４３を含む。記憶部４１_１は、第(４ｊ−３)行のＮ個のデータＤ_{４ｊ−３,ｎ}を記憶する。記憶部４１_２は、第(４ｊ−２)行のＮ個のデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}を記憶する。記憶部４１_３は、第(４ｊ−１)行のＮ個のデータＤ_{４ｊ−１,ｎ}を記憶する。

演算部４３は、第４ｊ行のＮ個のＤ_４ｊ,ｎを入力するとともに、記憶部４１_１〜４１_３により記憶されている第(４ｊ−３)行のＮ個のデータＤ_{４ｊ−３,ｎ}，第(４ｊ−２)行のＮ個のデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}および第(４ｊ−１)行のＮ個のデータＤ_{４ｊ−１,ｎ}をも入力する。そして、演算部４３は、データＤ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}の差とデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｄ_４ｊ,ｎの差との和Ｓ（＝｜Ｄ_{４ｊ−３,ｎ}−Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}｜＋｜Ｄ_{４ｊ−２,ｎ}−Ｄ_４ｊ,ｎ｜を求めて、この演算結果Ｓに基づいて、画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する。

図１４は、第３実施形態に係る点滅信号検出装置３の動作を説明する図である。この図には、上から順に、光信号入射タイミング、受光部１０における第(４ｊ−３)行の画素部での電荷蓄積タイミングＡ、受光部１０における第(４ｊ−２)行の画素部での電荷蓄積タイミングＢ、受光部１０における第(４ｊ−１)行の画素部での電荷蓄積タイミングＣ、および、受光部１０における第４ｊ行の画素部での電荷蓄積タイミングＤ、が示されている。この図では、電荷蓄積タイミングＡ〜Ｄおよび光信号入射タイミングは同一周期であって、電荷蓄積タイミングＡ〜Ｄの何れも一部が光信号入射タイミングと重なっている。電荷蓄積タイミングＡ〜Ｄの各位相は４分の１周期ずつ異なっている。

図中においてハッチで示した範囲は、電荷蓄積タイミングＡ〜Ｄそれぞれと光信号入射タイミングとが重なっている範囲を表していて、データＤ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｄ_４ｊ,ｎの大きさに相当する。点滅信号が画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達していれば、演算部４３による演算結果Ｓが零ではないので、点滅信号が到達していることが検出部４０Ｂにより検出され得る。一方、一定強度の光が画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達していれば、演算部４３による演算結果Ｓが零であるので、点滅信号が到達していないことが検出部４０Ｂにより検出され得る。

特に、本実施形態では、演算部４３による演算結果Ｓは、光信号入射タイミングと電荷蓄積タイミングＡ〜Ｄとの間の位相差に依らない。したがって、本実施形態では、この位相差に拘わらず高感度の点滅信号検出をすることができる。

このように、本実施形態に係る点滅信号検出装置３は、３行分のデータを記憶する記憶部４１_１〜４１_３を備えるだけでよく、大容量の記憶部を必要としない。また、本実施形態に係る点滅信号検出装置３は、光信号の点滅パターンが既知であることを必要とすることなく、光信号のような点滅信号を受光している画素部を特定することができる。

また、本発明は、第１〜第３の各実施形態に限られるわけではない。例えば、上記実施形態では電荷蓄積部としてトランジスタＴ３のゲート端子に接続される拡散領域があげられているが、フォトダイオードが電荷蓄積部をかねてもよい。

１〜３…点滅信号検出装置、１０…受光部、２０，２０_１，２０_２，２０Ｂ…行選択部、３０，３０_１，３０_２…読出部、３１_１〜３１_Ｎ…保持部、３２…列選択部、３３…差演算部、４０，４０Ａ，４０Ｂ…検出部、４１，４１_１〜４１_３…記憶部、４２，４３…演算部、５０，５０Ａ，５０Ｂ…制御部、Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎ…画素部、Ｌ_１〜Ｌ_Ｎ，Ｌ１_１〜Ｌ１_Ｎ，Ｌ２_１〜Ｌ２_Ｎ…読出信号線、ＬＴ_１〜ＬＴ_Ｍ，ＬＲ_１〜ＬＲ_Ｍ，ＬＨ_１〜ＬＨ_Ｍ，ＬＡ１_１〜ＬＡ１_Ｍ，ＬＡ２_１〜ＬＡ２_Ｍ…制御信号線。

Claims (3)

1. 入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するためのスイッチと、を各々有するＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列された受光部と、
   共通の時間幅の第１期間および第２期間を相前後して設定し、前記第１期間に前記受光部における第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}に対して前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させ、前記第２期間に前記受光部における第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎに対して前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させて、前記第１期間および前記第２期間の後に前記受光部における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対して前記スイッチを閉じることで前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる行選択部と、
   前記行選択部により選択された前記受光部における各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータを入力して、各画素部Ｐ_ｍ,ｎの前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを出力する読出部と、
   前記読出部から出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力して、データＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉ,ｎの差に基づいて、画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｐ_２ｉ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する検出部と、
   を備えることを特徴とする点滅信号検出装置（ただし、Ｍ，Ｎは２以上の整数、ｍは１以上Ｍ以下の整数、ｎは１以上Ｎ以下の整数、ｉは１以上(Ｍ／２)以下の整数）。
2. 前記行選択部が、前記受光部における第(２ｉ−１)行および第２ｉ行を同時に選択して、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}の前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させ、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎの前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させ、
   前記読出部が、第(２ｉ−１)行の各画素部Ｐ_{２ｉ−１,ｎ}の前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}、および、第２ｉ行の各画素部Ｐ_２ｉ,ｎの前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_２ｉ,ｎを、同時に出力し、
   前記検出部が、前記読出部から同時に出力されたデータＤ_{２ｉ−１,ｎ}，Ｄ_２ｉの差を演算する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の点滅信号検出装置。
3. 入射光量に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、該電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力するためのスイッチと、を各々有するＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列された受光部と、
   共通の時間幅の第１〜第４の期間を順に設定し、前記第１期間に前記受光部における第(４ｊ−３)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}に対して前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させ、前記第２期間に前記受光部における第(４ｊ−２)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}に対して前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させ、前記第３期間に前記受光部における第(４ｊ−１)行の各画素部Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}に対して前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させ、前記第４期間に前記受光部における第４ｊ行の各画素部Ｐ_４ｊ,ｎに対して前記フォトダイオードで発生した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積させて、前記第４期間の後に前記受光部における各行を選択して行毎に各画素部Ｐ_ｍ,ｎに対して前記スイッチを閉じることで前記電荷蓄積部における蓄積電荷量に応じたデータを出力させる行選択部と、
   前記行選択部により選択された前記受光部における各行の各画素部Ｐ_ｍ,ｎから出力されたデータを入力して、各画素部Ｐ_ｍ,ｎの前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じたデータＤ_ｍ,ｎを出力する読出部と、
   前記読出部から出力された各データＤ_ｍ,ｎを入力して、データＤ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｄ_{４ｊ−１,ｎ}の差とデータＤ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｄ_４ｊ,ｎの差との和に基づいて、画素部Ｐ_{４ｊ−３,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−２,ｎ}，Ｐ_{４ｊ−１,ｎ}，Ｐ_４ｊ,ｎに到達した光が点滅信号であるか否かを検出する検出部と、
   を備えることを特徴とする点滅信号検出装置（ただし、Ｍ，Ｎは２以上の整数、ｍは１以上Ｍ以下の整数、ｎは１以上Ｎ以下の整数、ｊは１以上(Ｍ／４)以下の整数）。
   

Images