JP2011035121A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタが、半導体基板の上に配置されている。第1の層間絶縁膜が、第1のキャパシタを覆う。複数の上層キャパシタが、第1の層間絶縁膜の上に配置されている。上層キャパシタは、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含み、平面視において、下層キャパシタに重なる。半導体基板の上に、上層キャパシタに対応して複数のトランジスタ配置されている。トランジスタは、上層キャパシタとともにメモリセルを構成する。
【選択図】 図1
Description
半導体基板の上に配置され、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタと、
前記第1のキャパシタを覆う第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に配置され、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含み、平面視において、前記下層キャパシタに重なる複数の上層キャパシタと、
前記半導体基板の上に、前記上層キャパシタに対応して配置され、前記上層キャパシタとともにメモリセルを構成する複数のトランジスタと
を有する半導体装置が提供される。
11 素子分離絶縁膜
13 MOSトランジスタ
14 金属シリサイド膜
20 層間絶縁膜
21 ビアホール
22 導電プラグ
25 酸化防止膜
30 結晶性改善膜
30P パターニングされた結晶性改善膜
31 下部電極膜
31P 下部電極
32 強誘電体膜
32P パターニングされた強誘電体膜
33 上部電極膜
33P 上部電極
35 下層キャパシタ
37 保護膜
38 層間絶縁膜
39、40 ビアホール
41 導電プラグ
43 酸化防止膜
45 結晶性改善膜
46 下部電極膜
46P 下部電極
47 強誘電体膜
47P パターニングされた強誘電体膜
48 上部電極膜
48A 部分上部電極膜
48P 上部電極
50 上層キャパシタ
52 保護膜
54 層間絶縁膜
55 保護膜
56 層間絶縁膜
59、60 ビアホール
62 導電プラグ
63 配線
100 アンテナ
101 ダイオードブリッジ回路
110 下部電極パターン
111 上部電極パターン
112 下部電極パターン
113 上部電極パターン
114 ゲートパターン
Claims (5)
- 半導体基板の上に配置され、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタと、
前記第1のキャパシタを覆う第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に配置され、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含み、平面視において、前記下層キャパシタに重なる複数の上層キャパシタと、
前記半導体基板の上に、前記上層キャパシタに対応して配置され、前記上層キャパシタとともにメモリセルを構成する複数のトランジスタと
を有する半導体装置。 - 前記複数の上層キャパシタは、下部電極として、1つの下部電極パターンを共用しており、
前記複数の上層キャパシタの上部電極は、前記下部電極パターン内に、前記半導体基板の面内方向に関して相互に間隔を隔てて配置されている請求項1に記載の半導体装置。 - さらに、
前記上層キャパシタを覆う第2の層間絶縁膜と、
前記上層キャパシタの上部電極と、該上層キャパシタに対応する前記トランジスタとを接続し、前記第2の層間絶縁膜の上に配置された配線と、
前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記下部電極膜に接続される導電部材と、
を有し、
前記上層キャパシタの誘電体膜が、強誘電体材料を含む請求項2に記載の半導体装置。 - 前記上層キャパシタの誘電体膜が、前記下層キャパシタの誘電体膜よりも薄い請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- さらに、前記半導体基板の上に配置され、電源電圧が印加される電源配線と、接地電位が印加されるグランド配線とを含み、
前記下層キャパシタの下部電極と上部電極との一方が前記電源配線に接続され、他方が前記グランド配線に接続されている請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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