JP2011032154A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012128263A1 (fr) * 2011-03-22 2012-09-27 三菱化学株式会社 Procédé de fabrication d'un cristal de nitrure
JP5953943B2 (ja) * 2011-05-31 2016-07-20 三菱化学株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法、反応容器および部材
JP6074959B2 (ja) * 2011-09-08 2017-02-08 三菱化学株式会社 Iii族窒化物結晶及びその製造方法
EP3312310B1 (fr) 2011-10-28 2021-12-15 Mitsubishi Chemical Corporation Cristal de nitrure de gallium
JP2014062023A (ja) * 2011-10-28 2014-04-10 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物結晶の製造方法
JP6192956B2 (ja) * 2012-03-29 2017-09-06 国立大学法人東北大学 窒化物単結晶の製造方法
US9976229B2 (en) 2012-03-29 2018-05-22 Mitsubishi Chemical Corporation Method for producing nitride single crystal
JP6024335B2 (ja) * 2012-09-21 2016-11-16 三菱化学株式会社 周期表第13属金属窒化物半導体基板の製造方法
JP5929807B2 (ja) * 2013-03-26 2016-06-08 三菱化学株式会社 GaN多結晶およびそれを用いたGaN単結晶の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4229624B2 (ja) * 2002-03-19 2009-02-25 三菱化学株式会社 窒化物単結晶の製造方法
US7063741B2 (en) * 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
US8398767B2 (en) * 2004-06-11 2013-03-19 Ammono S.A. Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
JP2007169075A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Nippon Kasei Chem Co Ltd 窒化物含有成型体及び単結晶窒化物の製造方法
JP5066639B2 (ja) * 2006-10-16 2012-11-07 三菱化学株式会社 窒化物半導体の製造方法、窒化物単結晶、ウエハ及びデバイス
WO2008051589A2 (fr) * 2006-10-25 2008-05-02 The Regents Of The University Of California Procédé pour la croissance de cristaux de nitrure du groupe iii dans un mélange d'ammoniac supercritique et d'azote, et cristaux de nitrure du groupe iii ainsi obtenus

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