JP2011031140A - 塗布装置、及び有機層の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液体120が貯留された液体貯留部108と、液体を吐出するノズルヘッド106と、液体貯留部108からノズルヘッド106にまで配管された供給管107と、を備え、供給管107の内壁面には親液化処理が施されている塗布装置100Aである。
【選択図】図1
Description
EL材料液はタンクに貯留されており、タンクからノズルにかけて供給管が配管されており、ポンプ等によってタンク内のEL材料液がノズルに供給される(例えば、特許文献1参照)。
好ましくは、前記供給管の内壁面の前記親液化処理は、前記液体貯留部に貯留する前記液体を交換する毎に施されていることとした。
好ましくは、前記供給管の内壁面の前記親液化処理は、前記液体貯留部に貯留する前記液体を交換する毎に前記バルブを介して前記大気圧プラズマ発生装置が接続され、前記大気圧プラズマ発生装置より前記反応ガスが前記供給管内に供給されることによってなされることとした。
好ましくは、前記液体貯留部には、前記液体貯留部に貯留する前記液体を交換する際に、前記液体貯留部に残留している前記液体を外部に排出するための液体排出部が設けられていることとした。
図1は、塗布装置を概略的に示す立面図である。この塗布装置100Aは、発光パネルである有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの有機層(例えば、正孔注入層、発光層、電子注入層)、有機トランジスタの有機層、液晶ディスプレイのカラーフィルタの有機発色層(例えば、有機材料を含むRGBの発色層、有機材料を含むブラックマトリックス)、各種電子デバイスの有機導電層(例えば、有機材料からなる導電性配線)その他の機能層を形成するために用いられるものである。上記機能層は無機材料で構成される微粒子等(例えば銀や酸化チタン等)を溶媒に溶解あるいは分散させた液体を塗布することによって形成してもよい。
また、キャリッジ105には、モータ等の駆動源が内蔵されており、キャリッジ105はその駆動源によってレール103に沿って移動する。キャリッジ105は、制御部119によって制御される。制御部119が移動装置102の間欠的な停止に合わせてキャリッジ105を駆動し、キャリッジ105が移動装置102の停止中に主走査方向に移動する。
また、制御部119は、マスフローコントローラ109による流量を設定する(以下、設定された流量を設定流量という。)。マスフローコントローラ109が、供給管107を流れる液体120の流量をその設定流量に維持するよう定流量制御をする。
大気圧プラズマ発生装置160は、反応管161と、反応管161の外側に設けられた外側電極162と、反応管161の内側に設けられた内側電極163と、を備える。反応管161の下部にはノズル164が設けられている。
塗布装置100Bにおいては、供給管107の中途部にバルブ110が設けられ、バルブ110に大気圧プラズマ発生装置160のノズル164が接続されている。
また、液体タンク108には、液体タンク108の液体120が収容される内部空間まで通じるドレイン管111が設けられ、ドレイン管111にベントバルブ112が設けられている。
供給管107の内壁面が清浄化されたら、大気圧プラズマ発生装置160を停止し、バルブ110を閉じ、液体タンク108から新たな液体120を供給管107内に供給する。
以下、塗布装置100A又は塗布装置100Bの動作及びこの塗布装置100A又は塗布装置100Bを用いた塗布方法等について説明する。
まず、液体タンク108内に液体120を充填する。液体タンク108が取り替え式の場合には、液体120が充填された液体タンク108を供給管107に組み付け、液体タンク108に供給器116を組み付ける。なお、この時点では、供給管107は空の状態であり、液体120が供給管107内に充填されていない。
その後、後述する塗布工程に移行する。なお、塗布工程に移行するまで一時的に供給器116を停止してもよい。
以上のようにセッティングされた塗布装置100A又は塗布装置100Bの塗布動作及びその塗布動作に基づく発光機能層のパターニング方法について説明する。
まず、基板121をワークテーブル101の上に載置する。
次に、制御部119がキャリッジ105を動作させ、キャリッジ105が移動範囲の端に移動する。
次に、制御部119が、マスフローコントローラ109の設定流量を設定する。
次に、制御部119が、供給器116及びキャリッジ105を作動させる。なお、上記セッティング工程において、供給器116が停止されていなければ、供給器116が引き続き作動することになる。
次に、制御部119が移動装置102を制御して、ワークテーブル101及び基板121が移動装置102によって副走査方向に所定距離だけ移動される。この際も、ノズルヘッド106のノズル孔168から液体120が連続的に吐出される。そのため、副走査方向に沿った線状の発光機能層パターンが基板121上に形成される。その後、移動装置102が停止する。
次に、制御部119が、キャリッジ105を作動させる。これにより、キャリッジ105が逆方向に移動する。この際も、ノズルヘッド106のノズル孔168から液体120が連続的に吐出される。そのため、主走査方向に沿った線状の有機層パターンが基板121上に形成される。
キャリッジ105が移動範囲の反対の端まで移動したら、制御部119がキャリッジ105を停止する。
次に、制御部119が移動装置102を制御して、ワークテーブル101及び基板121が移動装置102によって副走査方向に所定距離だけ移動される。この際も、ノズルヘッド106のノズル孔168から液体120が連続的に吐出される。そのため、主走査方向に沿った線状の有機層パターンが基板121上に形成される。
図1〜図3に示された塗布装置100A又は塗布装置100Bを用いて製造されるELパネル1について、図7〜図11を用いて説明する。
このELパネル1には、複数の走査線2及び複数の信号線3が設けられている。これら走査線2は、行方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。これら信号線3が、列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。走査線2と信号線3が、平面視して走査線2と略直交している。また、ELパネル1には、複数の電圧供給線4が設けラテいる。電圧供給線4は、平面視して、走査線2に対して平行に設けられている。電圧供給線4は、隣り合う走査線2の間において走査線2に沿って設けられている。画素Pは、一組の走査線2及び電圧供給線4並びに隣り合う二本の信号線3によって囲われる範囲に相当する。画素Pがマトリクス状に配列されている。ここでは、R(赤)を発光する複数の画素Pが信号線3に沿って配列されている。G(緑)を発光する複数の画素Pも信号線3に沿って配列されている。B(青)を発光する複数の画素Pも信号線3に沿って配列されている。走査線2に沿う方向の複数の画素Pの列は、R(赤)を発光する画素P、G(緑)を発光する画素P、B(青)を発光する画素Pの順の配列となっている。
また、スイッチトランジスタ5は、以下に詳述する駆動トランジスタ6と同様の薄膜トランジスタであって、ゲート電極5a、半導体膜、チャネル保護膜、不純物半導体膜、ドレイン電極5h、ソース電極5i等を有するものであるので、その詳細については省略する。
図10、図11に示すように、ゲート絶縁膜となる層間絶縁膜11が基板10上の一面に成膜されている。その層間絶縁膜11の上には、層間絶縁膜12が成膜されている。信号線3は、層間絶縁膜11と基板10との間に形成されている。走査線2及び電圧供給線4は、層間絶縁膜11と層間絶縁膜12との間に形成されている。
層間絶縁膜11は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。この層間絶縁膜11上であってゲート電極6aに対応する位置には、真性な半導体膜6bが形成されている。半導体膜6bは、層間絶縁膜11を挟んでゲート電極6aと相対している。
半導体膜6bは、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンからなる。この半導体膜6bにチャネルが形成される。また、半導体膜6bの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜6dが形成されている。このチャネル保護膜6dは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜6bの一端部の上には、不純物半導体膜6fが一部チャネル保護膜6dに重なるようにして形成されている。半導体膜6bの他端部の上には、不純物半導体膜6gが一部チャネル保護膜6dに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜6f,6gは、それぞれ半導体膜6bの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜6f,6gはn型半導体であるが、これに限らず、p型半導体であってもよい。
不純物半導体膜6fの上には、ドレイン電極6hが形成されている。不純物半導体膜6gの上には、ソース電極6iが形成されている。ドレイン電極6h,ソース電極6iは、例えば、Cr膜、Al膜、Cr/Al積層膜、AlTi合金膜又はAlTiNd合金膜からなる。
チャネル保護膜6d、ドレイン電極6h及びソース電極6iの上には、保護膜となる絶縁性の層間絶縁膜12が成膜されている。チャネル保護膜6d、ドレイン電極6h及びソース電極6iが、層間絶縁膜12によって被覆されている。そして、駆動トランジスタ6は、層間絶縁膜12によって覆われるようになっている。層間絶縁膜12は、例えば、厚さが100nm〜200nm窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
また、走査線2、電圧供給線4、キャパシタ7の電極7b、スイッチトランジスタ5のドレイン電極5h,ソース電極5i及び駆動トランジスタ6のドレイン電極6h,ソース電極6iは、層間絶縁膜11に一面に成膜された導電膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
駆動トランジスタ6のゲート電極6aが、キャパシタ7の電極7aに一体に連なっている。駆動トランジスタ6のドレイン電極6hが、電圧供給線4に一体に連なっている。駆動トランジスタ6のソース電極6iが、キャパシタ7の電極7bに一体に連なっている。
そして、図10、図11に示すように、層間絶縁膜12が、走査線2、信号線3、電圧供給線4、スイッチトランジスタ5、駆動トランジスタ6、画素電極8aの周縁部、キャパシタ7の電極7b及び層間絶縁膜11を覆うように形成されている。
層間絶縁膜12には、各画素電極8aの中央部が露出するように開口部12aが形成されている。この層間絶縁膜12は、平面視して格子状に形成されている。
そして、バンク13は、後述する正孔注入層8bや発光層8cを湿式法により形成するに際して、正孔注入層8bや発光層8cとなる材料が溶媒に溶解または分散された液状体が隣接する画素Pに滲み出ないようにする隔壁として機能する。
発光層8cは、画素P毎にR(赤),G(緑),B(青)のいずれかを発光する材料を含む。発光層8cは、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料からなるキャリア輸送層である。発光層8cは、対向電極8dから供給される電子と、正孔注入層8bから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。このため、R(赤)を発光する画素P、G(緑)を発光する画素P、B(青)を発光する画素Pは互いに発光層8cの発光材料が異なる。画素PのR(赤),G(緑),B(青)のパターンは、縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンである。
この対向電極8dは、全ての画素Pに共通した電極であり、発光層8cなどの化合物膜とともにバンク13を被覆している。
そして、層間絶縁膜12の開口部12a内におけるバンク13の側壁13a間において、キャリア輸送層としての正孔注入層8b及び発光層8cが、画素電極8a上に積層されている(図11参照)。つまり、画素電極8aと対向電極8dの間に電圧が印加されたら、正孔注入層8b及び発光層8cは画素電極8aに重なる部分においてキャリア輸送層として機能し、その部分において発光層8cにおいて発光する。
具体的には、層間絶縁膜12の上に設けられたバンク13の側壁13aは、層間絶縁膜12の開口部12aより内側に形成されている。
そして、開口部12aに囲まれて側壁13aで挟まれた画素電極8a上に、正孔注入層8bとなる材料が含有される液状体を塗布し、基板10ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第1のキャリア輸送層である正孔注入層8bとなる。
さらに、開口部12aに囲まれて側壁13aで挟まれた正孔注入層8b上に、発光層8cとなる材料が含有される液状体を塗布し、基板10ごと加熱してその液状体を乾燥させ成膜させた化合物膜が、第2のキャリア輸送層である発光層8cとなる。
なお、この発光層8cとバンク13を被覆するように対向電極8dが設けられている(図11参照)。
なお、基板10側ではなく、反対側が表示面となってもよい。この場合、対向電極8dを透明電極とし、画素電極8aを反射電極として、発光層8cから発した光が対向電極8dを透過して出射するようにする。
全ての電圧供給線4に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線2に順次電圧が印加されることで、これら走査線2が順次選択される。
各走査線2が選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線3に印加される。そうすると、その選択されている走査線2に対応するスイッチトランジスタ5がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ6のゲート電極6aに印加される。
この駆動トランジスタ6のゲート電極6aに印加された電圧に応じて、駆動トランジスタ6のゲート電極6aとソース電極6iとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ6におけるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、EL素子8がそのドレイン−ソース電流に応じた明るさで発光する。
その後、その走査線2の選択が解除されると、スイッチトランジスタ5がオフとなる。そのため、駆動トランジスタ6のゲート電極6aに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ7に蓄えられ、駆動トランジスタ6のゲート電極6aとソース電極6i間の電位差は保持される。このため、駆動トランジスタ6は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、EL素子8の輝度を維持するようになっている。
次に、ELパネル1の製造方法について説明する。
まず、基板10上にゲートメタル層をスパッタリングで堆積させる。そして、そのゲートメタル層をフォトリソグラフィー及びエッチング等によりパターニングする。これによって、そのゲートメタル層から信号線3、キャパシタ7の電極7a、スイッチトランジスタ5のゲート電極5a及び駆動トランジスタ6のゲート電極6aを形成する。
次いで、プラズマCVDによって窒化シリコン等のゲート絶縁膜となる層間絶縁膜11を堆積する。ELパネル1の一辺に位置する走査ドライバに接続するための各走査線2の外部接続端子(例えば、走査線2の端部)上において開口するコンタクトホール(図示せず)を層間絶縁膜11に形成する。
次いで、半導体膜6b(5b)となるアモルファスシリコン等の半導体層、チャネル保護膜6d(5d)となる窒化シリコン等の絶縁層を連続して堆積する。その後、その絶縁層をフォトリソグラフィー及びエッチング等によってパターニングする。これにより、その絶縁膜からチャネル保護膜6d(5d)を形成する。
その後、不純物半導体膜6f,6g(5f,5g)となる不純物層を堆積した後、フォトリソグラフィー及びエッチング等によって不純物層及び半導体層を連続してパターニングする。これにより、その不純物層から不純物半導体膜6f,6g(5f,5g)を形成するとともに、その半導体層から半導体膜6b(5b)を形成する。
そして、フォトリソグラフィー及びエッチングによってコンタクトホール11a〜11cを形成する。次いで、コンタクトホール11a〜11c内にコンタクトプラグ20a〜20cを形成する。この工程は省略されてもよい。
スイッチトランジスタ5のドレイン電極5h,ソース電極5i及び駆動トランジスタ6のドレイン電極6h,ソース電極6iとなるソース・ドレインメタル層を堆積し、そのソース・ドレインメタル層をパターニングする。これにより、そのソース・ドレインメタル層から走査線2、電圧供給線4、キャパシタ7の電極7b、スイッチトランジスタ5のドレイン電極5h,ソース電極5i及び駆動トランジスタ6のドレイン電極6h,ソース電極6iを形成する。こうしてスイッチトランジスタ5及び駆動トランジスタ6が形成される。その後、ITO膜を堆積した後、そのITO膜をパターニングすることによって、そのITO膜から画素電極8aを形成する。
塗布装置100A又は塗布装置100Bを4台分セッティングする。この際、1台目の塗布装置100A又は塗布装置100Bの液体タンク108内の液体120には、正孔注入層8bの材料を用いる。2台目の塗布装置100A又は塗布装置100Bの液体タンク108内の液体120には、赤の発光層8cの材料を用いる。3台目の塗布装置100A又は塗布装置100Bの液体タンク108内の液体120には、緑の発光層8cの材料を用いる。4台目の塗布装置100A又は塗布装置100Bの液体タンク108内の液体120には、青の発光層8cの材料を用いる。
次に、制御部119がキャリッジ105を作動させる。これにより、キャリッジ105が逆方向に移動するとともに、ノズルヘッド106のノズル孔168から液体120が連続的に吐出される。これにより、帯状の正孔注入層8bが形成される。
そして、キャリッジ105が移動範囲の反対の端まで移動したら、キャリッジ105が制御部119によって停止される。
なお、発光領域R1と、副走査方向に隣接する他の発光領域R1との間の非発光領域R2の上部にレール103があるときには、キャリッジ105は待機位置に配置される。
続いて、対向電極8dを成膜し、対向電極8dによって発光層8c及びバンク13を被覆する。
以上により、ELパネル1が完成する。
発光パネルの塗布装置100A又は塗布装置100Bによって、以上のように形成されて製造されたELパネル1は、各種電子機器の表示パネルとして用いられる。
例えば、図13に示す携帯電話機200の表示パネル1aにELパネル1を適用することができる。また、図14、図15に示すデジタルカメラ300の表示パネル1bにELパネル1を適用することができる。また、図16に示すパーソナルコンピュータ400の表示パネル1cにELパネル1を適用することができる。
106 ノズルヘッド(吐出部)
107 供給管
108 液体タンク(液体貯留部)
111 ドレイン
112 ベントバルブ
116 供給器
119 制御部
120 液体
121 基板
160 大気圧プラズマ発生装置
Claims (9)
- 液体が貯留された液体貯留部と、
前記液体を吐出するノズルを有する吐出部と、
前記液体貯留部から前記吐出部にまで配管された供給管と、
を備え、
前記供給管の内壁面には親液化処理が施されていることを特徴とする塗布装置。 - 前記供給管の内壁面にプラズマによって励起された反応ガスを供給するプラズマ処理により前記供給管の内壁面の前記親液化処理が施されると同時に、前記供給管の内壁面の清浄化処理が行われていることを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
- 前記供給管の内壁面の前記親液化処理は、前記液体貯留部に貯留する前記液体を交換する毎に施されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の塗布装置。
- 液体が貯留された液体貯留部と、
前記液体を吐出するノズルを有する吐出部と、
前記液体貯留部から前記吐出部にまで配管された供給管と、
を備え、
前記供給管には、プラズマによって励起された反応ガスを生成する大気圧プラズマ発生装置と、前記大気圧プラズマ発生装置との接続を断続するバルブと、が接続されていることを特徴とする塗布装置。 - 前記反応ガスは、前記供給管の内壁面を前記親液化処理するとともに、前記供給管の内壁面を清浄化処理するものであることを特徴とする請求項4に記載の塗布装置。
- 前記供給管の内壁面の前記親液化処理は、前記液体貯留部に貯留する前記液体を交換する毎に前記バルブを介して前記大気圧プラズマ発生装置が接続され、前記大気圧プラズマ発生装置より前記反応ガスが前記供給管内に供給されることによってなされることを特徴とする請求項4又は5に記載の塗布装置。
- 前記液体貯留部には、前記液体貯留部に貯留する前記液体を交換する際に、前記液体貯留部に残留している前記液体を外部に排出するための液体排出部が設けられていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 液体貯留部に貯留する液体を交換し、
前記液体貯留部から前記液体を吐出するノズルを有する吐出部にまで配管された供給管の内壁面に親液化処理を施し、
前記親液化処理を施した後に、前記液体貯留部から前記供給管及び前記吐出部に前記液体を充填し、
前記液体貯留部から前記液体を送り出し、前記ノズルから前記液体を吐出させながら、対象物に対して前記吐出部を相対的に移動させて、前記対象物に前記液体を塗布することを特徴とする有機層の製造方法。 - 液体貯留部に貯留する液体を交換し、
前記液体貯留部から前記液体を吐出するノズルを有する吐出部にまで配管された供給管に大気圧プラズマ発生装置を接続し、
前記大気圧プラズマ発生装置を稼働させてプラズマによって励起された反応ガスを生成して、該反応ガスを前記供給管内に供給し、
前記反応ガスの供給によって前記供給管の内壁面を親液化処理するとともに清浄化処理し、
前記供給管の内壁面の前記親液化処理と前記清浄化処理とを施した後、前記供給管と前記大気圧プラズマ発生装置との接続を解除し、
前記液体貯留部から前記供給管及び前記吐出部に前記液体を充填し、
前記液体貯留部から前記液体を送り出し、前記ノズルから前記液体を吐出させながら、対象物に対して前記吐出部を相対的に移動させて、前記対象物に前記液体を塗布することを特徴とする有機層の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0725970U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 石川島播磨重工業株式会社 | 塗料攪拌装置 |
JPH08156276A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | インクジェット記録装置用インクチューブおよびその内管面処理法 |
JPH11319684A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-24 | Bando Chem Ind Ltd | 塗工液の粘度維持装置 |
JP2003025560A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Seiko Epson Corp | 耐液処理方法、液体射出装置および液体射出機器 |
JP2005167040A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品搭載装置 |
-
2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0725970U (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-16 | 石川島播磨重工業株式会社 | 塗料攪拌装置 |
JPH08156276A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-18 | Fuji Electric Co Ltd | インクジェット記録装置用インクチューブおよびその内管面処理法 |
JPH11319684A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-24 | Bando Chem Ind Ltd | 塗工液の粘度維持装置 |
JP2003025560A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Seiko Epson Corp | 耐液処理方法、液体射出装置および液体射出機器 |
JP2005167040A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品搭載装置 |
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