JP2011029659A - レーザはんだ付け方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)レーザ照射によりはんだ付けする場合、スルーホール15に対するリード12の挿入位置を検出し、リード12とランド14との距離が長い方向からはんだ材料を供給する。(2)レーザ光を遮蔽する遮蔽板に前記リードを通してから、スルーホールに挿入する。(3)オーバル型のランドからはみださない大きさのオーバル型のレーザ光を用いてはんだ付けする。(4)リード側面から反射する反射光がランド内に入射するように、回路基板からのリードの突出長さLを決定する。(5)レーザ光の波長を、回路基板による吸収率の低い波長とする。(6)蒸留精製したロジン又は合成樹脂を用いたフラックス入りのはんだを使用する。
【選択図】図1
Description
(参考例)
最初に、図1(a)〜(c)を参照して、参考例のアイデアを説明する。図1(a)(b)に示されているように、プリント基板を貫通して設けられたスルーホール15の周囲にたとえば銅めっきにより設けられた導電性のランド14と、リード12とをはんだ付けする場合、スルーホール15に電子部品のリード12を下部から挿入して、プリント基板の上部に設けられたレーザ源からのレーザ光11により糸はんだ13を溶融させてはんだ付けする。ここで、はんだ13は、はんだガイド28にガイドされ、ロボット(図示せず)により供給角度θ=45°でレーザ光の照射域に繰り出される。
図4(a)〜(c)は、スルーホール15とリード12とのずれ量rが、r≧(1/2)Rの場合に、はんだの供給角度θ(図1(a)参照)を変化させてはんだ付けを行った結果を示す。
(第2の実施形態)
一般的なレーザはんだ付けは、図5(a)に示すように、たとえばエポキシ系材料にモールドされた部品16から突き出しているリード12を、プリント基板31のスルーホール15に挿通し、次に、図5(b)に示すように、糸はんだ(図示せず)を供給しながら、レーザ光11をプリント基板上方から照射しリード12あるいは糸はんだを加熱するものである。
(第3の実施形態)
第1および第2の実施形態ともに、レーザ光は、ランド14にも直接照射される。現在、プリント配線板に搭載する部品の端子の狭ピッチ化にともないランドの面積も減少する傾向にある。ランド面積が減少するとその分はんだのフィレットも小さくなり信頼性も低下する。したがって、スルーホール部品では、円形のランドに代えて、図7に示すように、オーバル型のランドを採用するのが一般的になっている。すなわち、狭ピッチ方向ではランド幅を減少させて、他の方向ではランド幅を大きくとるようにしている。
オーバル型ランドに対して、これよりわずかに小さなオーバル型レーザ光を決定するには、実際のはんだ付けが始まる前に例えばビームプロファイラによりビーム形状を確認して決定する。このときには、形状のみならず傾きも調整することはいうまでもない。
(第4の実施形態)
第3の実施形態で説明したように、レーザ光がプリント基板のランドをはずれて、プリント基板自体を照射した場合には基板焼けが起こる。ところが、レーザ光が直接プリント基板のランド外の部分に当たっていなくても焼けが発生する場合がある。これは、リードの側面でレーザ光が反射してランド外の基板を照射する場合である。まっすぐなリードに対して真上からすなわちリードに平行にレーザ光が照射される場合は、レーザ光がリードに反射することはないが、現実にはこのようなことは少なく、リードの位置、傾きあるいは曲げによってリードの側面でレーザ光が反射し、場合によってはランド外の基板を照射することになる。レーザ光の反射光がランド外を照射するか否かは、端子の長さ、傾き、ランド寸法、レーザの照射角度等の条件により決る。
X=L・tanα ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
で与えられる。
X=(L・tan(α+β)−T・tanβ)/cosβ ・・・(2)
で与えられる。なお、Tは基板の厚さである。
X=(L・tan(α+γ)−L・tanγ)/cosγ ・・・(3)
(3)で与えられる。
(第5の実施形態)
第4の実施形態では、基板焼けを防止するためにレーザ光が基板に入射しないような条件を求めたが、そもそも基板焼けが発生するのは、基板がレーザ光を吸収するからである。そこで、どのような条件で基板がレーザ光を吸収しやすくなるか調査した。吸収のしやすさは、
吸収率≒100−(透過率+反射率) ・・・(4)
で表される吸収率により評価した。式(4)における透過率および反射率は、分光光度計により測定した。分光光度計によると、プリズムにより分光した種々の波長の光をサンプルに照射し、その時の各々の波長における吸収率と反射率を測定することができる。
(第6の実施形態)
通常のレーザはんだ付けが終了後、はんだ部分に黒い焦げが残ることがあった。この黒い焦げは、ハンダ材料とともに使用されるフラックスによるものであることが分かった。本実施形態では、フレックスの材料を選択して、上述の焦げの発生を防ぐものである。
12 リード
13 はんだ
14 ランド
15 スルーホール
16 電子部品
18 遮蔽板
21 レーザ源
23 CCDカメラ
25 制御部
26 ハーフミラー
27 はんだ供給部
28 はんだガイド
31 回路基板
Claims (14)
- 電子部品のリードと回路基板のスルーホール周囲に設けられたランドとをレーザ照射によりはんだ付けするレーザはんだ付け方法において、
前記リードを前記スルーホールに挿入して突出させるステップと、
前記リードの突出側からレーザ光を照射するステップと
はんだ材料を前記回路基板との角度が60°以上となる方向から供給するステップと、
を備えるレーザはんだ付け方法。 - 電子部品のリードと回路基板のスルーホール周囲に設けられたランドとをレーザ照射によりはんだ付けするレーザはんだ付け方法において、
レーザ光を遮蔽する遮蔽板に前記リードを組み付けるステップと、
前記遮蔽板に組み付けたリードを前記スルーホールに挿入して突出させるステップと、
前記リードの突出側上方からレーザ光を照射するステップと
を有するレーザはんだ付け方法。 - 前記リードに折曲部を設けるステップを有し、
前記遮蔽板に前記リードを組み付けるステップでは、前記リードの折曲部に遮蔽板を配置する請求項2に記載のレーザはんだ付け方法。 - 電子部品のリードを回路基板のスルーホールに挿入して前記回路基板から突出させ、前記突出したリードと前記スルーホール周囲に設けられたランドとをレーザ照射によりはんだ付けするレーザはんだ付け方法において、
前記リード側面から反射する反射光が前記ランド内に入射するように、少なくともリード側面への入射角度αに基づいて、前記リードの前記回路基板からの突出長さL又はランド寸法を決定するステップを有するレーザはんだ付け方法。 - 前記リードに傾き及び曲げがない場合、前記リードの前記回路基板からの突出長さL又はランド寸法を決定するステップは、
ランド寸法>L・tanα
を満足するように、突出長さL又はランド寸法を決定するステップである請求項4に記載のレーザはんだ付け方法。 - 前記リードに傾き角βの傾きのみがある場合、前記リードの前記回路基板からの突出長さL又はランド寸法を決定するステップは、Tを前記回路基板の厚さとして、
ランド寸法>(L・tan(α+β)−T・tanβ)/cosβ
を満足するように、突出長さL又はランド寸法を決定するステップである請求項4に記載のレーザはんだ付け方法。 - 前記リードに曲げ角αの曲げのみがある場合、前記リードの前記回路基板からの突出長さL又はランド寸法を決定するステップは、Tを前記回路基板の厚さとして、
ランド寸法>(L・tan(α+γ)−L・tanγ)/cosγ
を満足するように、突出長さL又はランド寸法を決定するステップである請求項4に記載のレーザはんだ付け方法。 - 電子部品のリードと回路基板のスルーホール周囲に設けられたランドとをレーザ照射によりはんだ付けするレーザはんだ付け方法において、
前記リードを前記スルーホールに挿入して突出させるステップと、
前記リードの突出側からレーザ光を照射するステップとを有し、
前記レーザ光の波長は、850nm以上で1100nm以下の波長の範囲から選択されるレーザはんだ付け方法。 - 前記レーザ光の波長は、940nmとする請求項8記載のレーザはんだ付け方法。
- 前記回路基板は、ガラスエポキシ基板にシルクスクリーン印刷で回路を形成し、アクリレート系樹脂が主成分のソルダレジストを行った回路基板である請求項8又は9に記載のレーザはんだ付け方法。
- 電子部品のリードを回路基板のスルーホールに挿入して突出させ、前記リードと前記スルーホール周囲に設けられたオーバル型のランドとをレーザ照射によりはんだ付けするレーザはんだ付け方法であって、
オーバル型のランドからはみださない大きさのオーバル型のレーザ光を用いてはんだ付けするレーザはんだ付け方法。 - 前記オーバル型のレーザ光は、2本の円形のレーザ光を重ねて照射することにより形成する請求項11に記載のレーザはんだ付け方法。
- 電子部品のリードと回路基板のスルーホール周囲に設けられたランドとをレーザ照射によりはんだ付けするレーザはんだ付け方法において、
前記リードを前記スルーホールに挿入して突出させるステップと、
蒸留精製したロジン又は合成樹脂を用いたフラックス入りのはんだ材料を供給するステップと、
前記リードの突出側からレーザ光を照射するステップと
を備えるレーザはんだ付け方法。 - 前記フラックスのTGは、400℃で、TG<15%である請求項13に記載のレーザはんだ付け方法。
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