JP2011018713A

JP2011018713A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JP2011018713A
Application number: JP2009161309A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Takeshita; 達也竹下; Wataru Kobayashi; 亘小林; Fumiyoshi Kano; 文良狩野; Hiromi Ohashi; 弘美大橋
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2009-07-08
Filing date: 2009-07-08
Publication date: 2011-01-27

Abstract

【課題】安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ-ＩｎＰ基板１０と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層２と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層３と、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａと、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８と、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂと、半導体レーザエピタキシャル膜からなるｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９とを備え、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａにこのｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ中に回折格子のｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層６を形成し、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ及びｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をリッジに形成し、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８はｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ及びｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂよりも屈折率を高くした。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザに関する。

急激に増大する伝送容量に対応するため、メトロエリア及びローカルエリア系のネットワークでは２．５又は１０Ｇｂ／ｓの高速伝送サービスが行われている。さらに、このようなサービスは低コストのネットワークで構築されることが必要とされる。これに対応するものとして、低消費電力、低コスト及び小型化の特徴を持つ温度調整（温調）なしの光トランシーバモジュールが開発された。この光トランシーバモジュールは、雰囲気温度７０℃までの範囲において動作する高温特ＤＦＢレーザが開発されたためであり、広い温度範囲で高速動作する高温特ＤＦＢレーザの実現は低コストのネットワーク構築に大きく寄与した。

近年、ＸＦＰ（１０Ｇｂｐｓ（Ｘ）Ｆｏｒｍ‐ＦａｃｔｏｒＰｌｕｇｇａｂｌｅ）に代表されるように、モジュールの実装密度が高くなると、チップ温度は雰囲気温度より大きく上昇することになり、さらに高温動作のＤＦＢレーザが求められている。そこで、これに対応する高温特ＤＦＢレーザとして、ＩｎＧａＡｌＡｓを活性層とするＤＦＢレーザが注目されている。

ＩｎＧａＡｌＡｓを活性層とする半導体レーザはＩｎＧａＡｓＰを活性層とするレーザに比べ、高温で電子のオーバーフローが少ない特徴を持つ。このＩｎＧａＡｌＡｓ活性層ＤＦＢレーザは１３０℃までの最高発振温度特性を持ち、さらに、１００℃の雰囲気温度でも良好なｏｐｅｎ‐ｅｙｅ特性（１０Ｇｂｐｓ変調）を持つことが報告されている。

しかしながら、ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザではＡｌを含む活性層を持つため、活性層側壁をエッチングした場合、酸化による欠陥が生成される。したがって、現在のところ、信頼性の観点から活性層側壁をエッチングしないリッジ構造が採用されている。

図６は、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザの構造を示した模式図である。
図６に示すように、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザは、圧縮歪み量子井戸層と伸張歪みバリア層からなるＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１０１を備えている。なお、量子井戸層は、１．３１μｍ波長に対応したバンドギャップを持ち、井戸厚は６ｎｍ、井戸数６、圧縮歪み１．４％である。また、バリア層は、０．９５μｍ波長に対応したバンドギャップを持ち、バリア厚１０ｎｍ、引っ張り歪み０．６％である。

また、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザは、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ‐ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層１０２、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層１０３、ｎ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層１０４、ｐ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層１０５、ｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層１０６、ｐ-ＩｎＰクラッド層１０７、ｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層１０９、ｎ-ＩｎＰ基板１１０、ＳｉＮ_x絶縁膜１１１、ｐ電極１１２、ｎ電極１１３、反射防止膜１１４及び高反射膜１１５を備えている。

ｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１０６には回折格子が作製され、これにより動的単一モードの動作が実現される。リッジは幅１．５μｍのｐ-ＩｎＰクラッド層１０７、ｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層１０９から成っている。また、リッジ頂上を除く半導体表面にはＳｉＮ_x絶縁膜１１１があり、半導体とｐ電極１１２とを絶縁する構造になっている。そして、電流はリッジ頂上から注入される。

このように、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザは活性層の埋め込みがなく、製造が簡単であり、リーク電流も小さく、高効率で動作する利点がある。しかしながら、リッジ構造では埋込み構造に比べ、遠視野像（ＦＦＰ：ＦａｒＦｉｅｌｄＰａｔｔｅｒｎ）が扁平になり、ＦＦＰの半値全幅（ＦＷＨＭ：ＦｕｌｌＷｉｄｔｈａｔＨａｌｆＭａｘｉｍｕｍ）は水平２２度に対して垂直４８度のようにアンバランスになる。

これは近視野像が扁平であるためであり、シングルモードファイバとの結合効率を悪くする。このような構造のＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザ出力をシングルモードファイバに高い結合効率で結合させるには非球面レンズを用いなければならず、モジュールが高価になるという問題点があった。

さらに、近視野像（ＮＦＰ：ＮｅａｒＦｉｅｌｄＰａｔｔｅｒｎ）はリッジの深さに依存し、リッジ深さが変わるとＦＦＰの扁平さも変化していた。このような近視野像の変化はｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層１０６の光分布に影響を及ぼし、その結果、回折格子の結合係数κが変化し、レーザの特性も変動していた。

結合係数κの値を増加させるには光ガイド層を厚くすることにより対応することができる。一方、回折格子はウエットエッチングを使ったエッチングを使うため、膜厚方向に加工する時には、マスクの下の横方向エッチングも同時に進む。しかしながら、この横方向エッチングを制御することは困難であり、加工の観点からは、できるだけｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１０６は薄くすることが望まれる。

Ｗ．‐Ｙ．Ｃｈｏｉ、外２名、"ＭＢＥ‐ＧＲＯＷＮＩｎＧａＡｌＡｓ１．５μｍＭＱＷＲＩＤＧＥＷＡＶＥＧＵＩＤＥＬＡＳＥＲＤＩＯＤＥＳＷＩＴＨＡｌＡｓＥＴＣＨＳＴＯＰＬＡＹＥＲＳ"、ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＬＥＴＴＥＲＳ、Ｖｏｌ．２９、Ｎｏ．５、１９９３年３月４日、ｐ．４８３−４８５

このように従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザではリッジの深さに依存し、近視野像も変化していた。その結果、近視野像の扁平さに対応して非球面レンズを変更する必要があり、シングルモードファイバと結合して容易に高結合モジュールを実現することは困難であった。

また、近視野像の変化はｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１０６の光分布に影響を及ぼし、その結果、回折格子の結合係数κが変化し、レーザの特性も変動していた。さらに、回折格子の作製において、回折格子を構成する抜きの幅が変化し、その結果、結合係数κが変動するため、再現性の高い作製が望まれていた。

以上のことから、本発明は、安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供することを目的とする。

上記の課題を解決する第１の発明に係る半導体レーザは、
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された第１のＳＣＨ層と、
前記第１のＳＣＨ層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された第２のＳＣＨ層と、
前記第２のＳＣＨ層の上に形成された第１のクラッド層と、
前記第１のクラッド層の上に形成された高屈折率層と、
前記高屈折率層の上に形成された第２のクラッド層と、
前記第２のクラッド層の上に形成されたキャップ層と
を備え、
前記第１のクラッド層は該第１のクラッド層中に回折格子の光ガイド層が形成され、
前記第２のクラッド層及び前記キャップ層はリッジに形成され、
前記高屈折率層は前記第１のクラッド層及び前記第２のクラッド層よりも屈折率が高い
ことを特徴とする。

上記の課題を解決する第２の発明に係る半導体レーザは、第１の発明に係る半導体レーザにおいて、
前記高屈折率層の厚さを１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下とする
ことを特徴とする。

本発明によれば、安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供することができる。

本発明の実施例に係る半導体レーザの構成を示した模式図である。本発明の実施例に係る半導体レーザと従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザの電界分布の計算を示した図である。本発明の実施例に係る半導体レーザにおける高屈折率層の厚さによる垂直及び水平方向相対スポットサイズ比の計算結果を示した図である。本発明の実施例に係る半導体レーザにおける高屈折率層の厚さによる光ガイド層の光閉じ込め係数比の計算結果を示した図である。本発明の実施例に係る半導体レーザを用いたモジュールを示した模式図である。従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザの構造を示した模式図である。

以下、本発明に係る半導体レーザを実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。
はじめに、本発明に係る半導体レーザの概要について説明する。
本発明に係る半導体レーザは、リッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザにおいて、リッジ脇の底になる位置にクラッド層よりも高い高屈折率層を１０〜１００ｎｍの範囲で設け、光のフィールドをリッジ方向に引っ張ることを特徴とする。

本発明に係る半導体レーザは、リッジ脇の底になる位置にクラッド層よりも高い高屈折率層を１０ｎｍ以上設け、光のフィールドをリッジ方向に引っ張ることにより、出射端のＮＦＰをファイバ伝搬するガウス型の分布（等方的）に近づけるものである。このことはＦＦＰが真円に近くなることを意味し、シングルモードファイバとの光結合を改善する。

一方、高屈折率層が１００ｎｍ以上となると、ＩｎＰ層とｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層を除く層厚が０．３μｍ以上となり、垂直方向のＦＦＰがマルチモードになる可能性が高くなることから、高屈折率層の最大膜厚は１００ｎｍ以下に限定される。

また、本発明に係る半導体レーザは、ＩｎＰクラッド層のみがウエットエッチングされ、高い屈折率のＩｎＧａＡｓＰ層の表面でウエットエッチングが停止する。リッジ脇の底は均一に作製されるため、リッジの深さによる近視野像のばらつきは減少する。なお、ＩｎＧａＡｓＰ層をエッチングストップ層として使用する場合、光フィールドに影響しないように１０ｎｍ以下とする点において従来のエッチングストップ層(例えば、上記非特許文献１参照)とは異なる。

本発明に係る半導体レーザは、さらに、光ガイド層への光分布を増加させ、回折格子の結合係数κを増加させる。これは回折格子の厚さを薄くして、所定の結合係数κが得られることを意味する。回折格子を作製するには、オーバーウエットエッチングが必要であるが、厚さが減少することにより、横方向へのエッチングも減少し、結合係数κの制御性を向上させることができる。

以下、本発明に係る半導体レーザの実施例について説明する。
図１は、本発明の実施例に係る半導体レーザの構成を示した模式図である。
図１に示すように、本実施例に係る半導体レーザは、圧縮歪み量子井戸層と伸張歪みバリア層からなるＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１を備えている。なお、量子井戸層は１．３１μｍ波長に対応したバンドギャップを持ち、井戸厚は６ｎｍ、井戸数６、圧縮歪み１．４％である。また、バリア層は０．９５μｍ波長に対応したバンドギャップを持ち、バリア厚１０ｎｍ、引っ張り歪み０．６％である。

また、本実施例に係る半導体レーザは、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層２、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層３、ｎ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層４、ｐ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層５、ｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層６、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ、ｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９、ｎ-ＩｎＰ基板１０、ＳｉＮ_x絶縁膜１１、ｐ電極１２、ｎ電極１３、反射防止膜１４及び高反射膜１５を備えている。

リッジ脇の底はドライエッチングと塩酸系のウエットエッチングを用い、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８でウエットエッチングを選択的にストップさせ、リッジ深さに変動のない良好なリッジを作製した。リッジは幅１．５μｍのｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂとｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９とから成っている。また、リッジ頂上を除く半導体表面にはＳｉＮ_x絶縁膜１１があり、半導体とｐ電極１２とを絶縁する構造になっている。そして、電流はリッジ頂上から注入される。

なお、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂの屈折率とｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８の屈折率の関係は、「（ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８の屈折率）＞（ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂの屈折率）」であれば良い。また、垂直方向のＦＦＰをシングルモードにするためには、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ、ｎ‐ＩｎＰ基板１０及びｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９を除く層厚が約０．３μｍ以下とすることが必要であり、この観点からｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８の層厚は１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下とすることが必要となる。

図２は、本発明の実施例に係る半導体レーザと従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザの電界分布の計算を示した図である。なお、図２（ａ）はエピタキシャル膜に垂直方向の電界分布を示した図、図２（ｂ）はエピタキシャル膜に水平方向の電界分布を示した図である。また、図２中において、ｄは本発明に係る半導体レーザにおけるｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８の膜厚である。ｄ＝０は従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザにおける電界フィールドを示す。
図２より、ｄの厚さが増加するに従い、垂直及び水平方向に電界フィールドの幅が減少していることが分かる。

ここで、電界フィールドの１／ｅ＝０．３６８となる幅をスポットサイズと仮定し、ｄ＝０のスポットサイズを１として、スポットサイズ比のｄ依存性を計算した結果を示す。
図３は、本発明の実施例に係る半導体レーザにおける高屈折率層の厚さによる垂直及び水平方向相対スポットサイズ比の計算結果を示した図である。

図３より、スポットサイズ比は垂直方向に比べ、水平方向でその減少は大きくなっていることが分かる。これはＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１の上にｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８を配置したことにより、電界フィールドが上に引っ張り上げられたため、水平方向の電界フィールドはリッジ脇の空気の影響を大きく受け、電界フィールドが大きく減少したためと説明することができる。

従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザ（図１中、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８なし）における垂直方向と水平方向のＦＦＰのＦＷＨＭ値の比は２．１８であった。従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザに対し、図１に示すようにｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８（ｄ＝５０ｎｍ）を挿入することにより、垂直方向と水平方向のＦＦＰのＦＷＨＭ値の比は１．５に改善した。

このように、光強度分布を高屈折率層８によってリッジ方向に引っ張り上げ、横方向に空気、半導体、空気と屈折率差が大きいリッジによって、真円に近いＦＦＰへと整形されたことが確認された。

また、本発明に係る半導体レーザにおけるｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８をウエットエッチングストップ層としたことにより、良好なリッジ形状を作製できた。その結果、垂直と水平方向のＦＦＰのＦＷＨＭ値の比のばらつきは、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザに比べ大幅に低下した。

図４は、本発明の実施例に係る半導体レーザにおけるｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８の厚さによるＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層６の光閉じ込め係数比の計算結果を示した図である。
図４より、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８（ｄ＝５０ｎｍ）を挿入すると光閉じ込め係数は従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザにおけるｄ＝０ｎｍの場合に比べ２５％増加し、効果が大きいことが分かる。

また、本実施例に係る半導体レーザはＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層６を従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザの３０ｎｍから２５ｎｍに薄膜化した。本実施例に係る半導体レーザの閾値電流は７．０±０．５ｍＡとなり、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザと比べ、ばらつきは約１／２に減少した。これは近視野像の変動が低減され、さらに、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層６の薄膜化による結合係数κの変動が低減されたことによるものである。

図５は、本発明の実施例に係る半導体レーザを用いたモジュールを示した模式図である。
図５に示すように、本実施例に係る半導体レーザを用いたモジュールは、本実施例に係る半導体レーザ１６、受光素子１７、プリアンプ１８、ＷＤＭ（ＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）フィルタ１９、ボールレンズ２０及びシングルモード光ファイバ２１を備えている。

本実施例に係る半導体レーザを用いたモジュールによれば、本実施例に係る半導体レーザ１６を用いることにより、真円に近いＦＦＰへと整形され、シングルモード光ファイバ２１との結合効率については、従来のリッジ型ＩｎＧａＡｌＡｓ系ＤＦＢレーザを用いたモジュールと比べ、２０％から４０％の結合効率を容易に得ることができた。

以上説明したように、本発明に係る半導体レーザによれば、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８をウエットエッチングストップ層とすることにより、リッジの深さを制御することができる。さらに、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａとｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂとの間にｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ及びｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂよりも屈折率の高いｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８を設けることにより、光フィールドがリッジ方向へ引っ張られ、真円に近い近視野像（すなわち、真円に近いＦＦＰ）を実現することができた。

そして、ＦＦＰの水平、垂直方向の扁平比が小さいため、シングルモード光ファイバとの結合は安価なボールレンズを用いて高効率に行うことができる。同時に、近視野像の変動が小さくなり、さらに、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層６の薄膜化による結合係数κの変動も小さくなるため、閾値電流のばらつきも減少させることができた。

本発明は、例えば、光通信などに用いられる半導体レーザに利用することが可能である。

１ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層
２ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層
３ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層
４ｎ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層
５ｐ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層
６ｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層
７ａｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層
７ｂｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層
８ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層
９ｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
１０ｎ-ＩｎＰ基板
１１ＳｉＮ_x絶縁膜
１２ｐ電極
１３ｎ電極
１４反射防止膜
１５高反射膜
１６半導体レーザ
１７受光素子
１８プリアンプ
１９ＷＤＭフィルタ
２０ボールレンズ
２１光ファイバ
１０１ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層
１０２ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層
１０３ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層
１０４ｎ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層
１０５ｐ-ＩｎＡｌＡｓキャリアストップ層
１０６ｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層
１０７ｐ-ＩｎＰクラッド層
１０９ｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層
１１０ｎ-ＩｎＰ基板
１１１ＳｉＮ_x絶縁膜
１１２ｐ電極
１１３ｎ電極
１１４反射防止膜
１１５高反射膜

Claims

半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された第１のＳＣＨ層と、
前記第１のＳＣＨ層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成された第２のＳＣＨ層と、
前記第２のＳＣＨ層の上に形成された第１のクラッド層と、
前記第１のクラッド層の上に形成された高屈折率層と、
前記高屈折率層の上に形成された第２のクラッド層と、
前記第２のクラッド層の上に形成されたキャップ層と
を備え、
前記第１のクラッド層は該第１のクラッド層中に回折格子の光ガイド層が形成され、
前記第２のクラッド層及び前記キャップ層はリッジに形成され、
前記高屈折率層は前記第１のクラッド層及び前記第２のクラッド層よりも屈折率が高い
ことを特徴とする半導体レーザ。
前記高屈折率層の厚さを１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下とする
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。