JP2013080826A - 光半導体素子、光送信モジュール、光伝送システム及び光半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体素子10は、活性層24を有するメサ部20と、メサ部20を埋め込む埋め込み層30と、を備え、埋め込み層30は、活性層24の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層24の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域33を有し、屈折率調整領域33は、埋め込み層30の高さ方向において、活性層24と少なくとも一部が重なる位置に配置される。
【選択図】図1
Description
活性層を有するメサ部と、
前記メサ部を埋め込む埋め込み層と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置される光半導体素子。
前記屈折率調整領域は、前記メサ部とは接していない付記1に記載の光半導体素子。
前記屈折率調整領域と前記メサ部との間に半絶縁体層が配置される付記2に記載の光半導体素子。
前記屈折率調整領域と前記メサ部との間に電気絶縁体層が配置される付記2に記載の光半導体素子。
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と一致する位置に配置される付記1〜4の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記活性層がIII−V族化合物を有し、
前記屈折率調整領域が、インジウム・アンチモン又はガリウム・アンチモン又はアルミニウム・アンチモン又はこれらの混晶を有する付記1〜5の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記メサ部が、回折格子層を有する付記1〜6の何れか一項に記載の光半導体素子。
活性層を有するメサ部と、
前記メサ部を埋め込む埋め込み層と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域有し、
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置される光半導体素子と、
前記活性層に電流を供給する駆動部と、
を備え、
前記光半導体素子が、光ファイバに向けて光を送出する光送信モジュール。
活性層を有するメサ部と、
前記メサ部を埋め込む埋め込み層と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置される光半導体素子と、
前記光半導体素子に電流を供給する駆動部と、
を有する光送信モジュールと、
前記光送信モジュールから送出された光を伝搬する光ファイバと、
前記光ファイバから光を受信する光受信モジュールと、
を備えた光伝送システム。
基板上に活性層を有するメサ部を形成する工程と、
前記メサ部を埋め込むように埋め込み層を形成する工程であって、前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、前記屈折率調整領域が前記埋め込み層の高さ方向において前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置されるように埋め込み層を形成する工程と、
を備えた光半導体素子の製造方法。
10a 前方分布反射領域
10b 活性領域
10c 後方分布反射領域
11 基板
12 パッシベーション層
13 第1電極
14 第2電極
15a、15b 無反射層
20 メサ部
21 回折格子層
21a 位相シフト
22 ガイド層
23 エッチングストッパ層
24 活性層
25 第1クラッド層
26 第2クラッド層
27 コンタクト層
28 コア層
29 第3クラッド層
30 埋め込み層
31 電流ブロック層
32 下側埋め込み領域
33 屈折率調整領域
34 上側埋め込み領域
35 埋め込み領域
40 光伝送システム
41 光ファイバ
50 光送信モジュール
51 半導体レーザ
52 駆動部
53 レンズ
54 アイソレータ
55 モニタ部
60 光受信モジュール
61 光受信部
62 駆動部
63 レンズ
70 マスク
71 マスク
72 マスク
73 マスク
74 マスク
Claims (8)
- 活性層を有するメサ部と、
前記メサ部を埋め込む埋め込み層と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置される光半導体素子。 - 前記屈折率調整領域は、前記メサ部とは接していない請求項1に記載の光半導体素子。
- 前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と一致する位置に配置される請求項1又は2に記載の光半導体素子。
- 前記活性層がIII−V族化合物を有し、
前記屈折率調整領域が、インジウム・アンチモン又はガリウム・アンチモン又はアルミニウム・アンチモン又はこれらの混晶を有する請求項1〜3の何れか一項に記載の光半導体素子。 - 前記メサ部が、回折格子層を有する請求項1〜4の何れか一項に記載の光半導体素子。
- 活性層を有するメサ部と、
前記メサ部を埋め込む埋め込み層と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置される光半導体素子と、
前記活性層に電流を供給する駆動部と、
を備え、
前記光半導体素子が、光ファイバに向けて光を送出する光送信モジュール。 - 活性層を有するメサ部と、
前記メサ部を埋め込む埋め込み層と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、
前記屈折率調整領域は、前記埋め込み層の高さ方向において、前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置される光半導体素子と、
前記光半導体素子に電流を供給する駆動部と、
を有する光送信モジュールと、
前記光送信モジュールから送出された光を伝搬する光ファイバと、
前記光ファイバから光を受信する光受信モジュールと、
を備えた光伝送システム。 - 基板上に活性層を有するメサ部を形成する工程と、
前記メサ部を埋め込むように埋め込み層を形成する工程であって、前記埋め込み層は、前記活性層の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し且つ前記活性層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域を有し、前記屈折率調整領域が前記埋め込み層の高さ方向において前記活性層と少なくとも一部が重なる位置に配置されるように埋め込み層を形成する工程と、
を備えた光半導体素子の製造方法。
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---|---|---|---|---|
WO2019155668A1 (ja) * | 2018-02-07 | 2019-08-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512907A (en) * | 1978-07-13 | 1980-01-29 | Nec Corp | Light waveguide |
JPH0555684A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
JPH07283480A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JP2000216500A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体光素子、半導体光素子アレイ、および、これらを用いた光通信システム |
JP2000223787A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Canon Inc | 半導体レーザー |
JP2003133643A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Yokogawa Electric Corp | 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2003209316A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Photonixnet Corp | 波長多重化装置およびその調整方法 |
JP2009016883A (ja) * | 2003-03-31 | 2009-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5512907A (en) * | 1978-07-13 | 1980-01-29 | Nec Corp | Light waveguide |
JPH0555684A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
JPH07283480A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
JP2000216500A (ja) * | 1999-01-21 | 2000-08-04 | Hitachi Ltd | 半導体光素子、半導体光素子アレイ、および、これらを用いた光通信システム |
JP2000223787A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Canon Inc | 半導体レーザー |
JP2003133643A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Yokogawa Electric Corp | 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 |
JP2003209316A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Photonixnet Corp | 波長多重化装置およびその調整方法 |
JP2009016883A (ja) * | 2003-03-31 | 2009-01-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子および光半導体集積回路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019155668A1 (ja) * | 2018-02-07 | 2019-08-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JPWO2019155668A1 (ja) * | 2018-02-07 | 2020-02-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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