JP2011012348A - スパッタ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配している。
【選択図】 図３

Description

本発明は、処理基板の成膜する側の面とターゲットとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置に関する。

近年、情報化社会への進展が著しく、ディスプレイ装置の使用も多様化し、種々のディスプレイ装置が開発、実用化されている。
特に、液晶表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔｕｂｅ、ブラウン管) に代わり、広く普及されるようになってきた。
液晶表示装置用のカラー表示用の液晶パネルは、簡単には、バックライトからの光が各色の着色層を通過して表示されるが、各色の着色層を通過する光は、画素毎に液晶をスイッチング素子としてオン−オフ制御されている。
そして、この画素毎に液晶をスイッチング素子としてオン−オフ制御するための制御用電極の材質としては、従来から、透明導電性のＩＴＯ膜（錫をドープしたインジウム酸化物）が用いられている。
ＩＴＯ膜の成膜方法としては、ＩＴＯ焼結体をターゲットとし、所定のスパッタリング条件の下で基板上にＩＴＯをスパッタリングすることにより、所望のＩＴＯ膜を形成する方法が、特開平６−２４８２６号公報（特許文献１）、特開平６−２４７７６５号公報（特許文献２）等にて知られている。

生産性向上の面、低コスト化の面等から、面付け生産が行われているが、これに用いられる透明なガラス基板の大型化の要求は強く、最近では、Ｇ６世代（１８００ｍｍ×１５００ｍｍサイズ）サイズの大サイズのガラス基板での量産化が現実のものとなってきている。
そして、生産性の面から、このような、大サイズのガラス基板を用いた処理基板へのＩＴＯ膜の成膜をインラインで行う、図６（ａ）にその概略構成配置図を示すような、インラインＩＴＯスパッタ成膜装置も提案されている。
ここに示すスパッタ装置においては、図６（ｂ）に示すように、大サイズのガラス基板をベース基板とする処理基板８６３を、キャリア８６０に搭載して鉛直方向８９２に立てた状態で、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、処理基板７６３の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜する。
簡単には、処理基板８６３は、ローディングチャンバー８１１に投入され、予備チャンバー８１２を経て、第１のスパッタチャンバー８８３に投入され、搬送されながらスパッタ処理され、回転処理部８２０に搬入され、ここで、回転部によりキャリアごと１８０度回転され、向きを変え、第２のスパッタチャンバー８３３に投入され、搬送されながらスパッタ処理される。
そして、スパッタ後、予備チャンバー８３２、アンローディングチャンバー８３１を経て搬出される。
ここでは、図６（ｂ）に示すように、キャリア（基板ホールダとも言う）８６０と呼ばれる、処理基板８６３を保持するための枠体８６１を有するサポート部材に、処理基板８６３を載せた状態で、キャリア８６０ごと立てた状態で搬送する。
キャリア８６０は、枠体８６１に、順に、処理基板８６３、裏板８６１を嵌め込み、処理基板８６３を保持する処理基板保持部１０１を備えたものであり、処理基板８６３は、鉛直方向８９２に沿うように立てた状態でキャリア８６０の処理基板保持部１０１にはめ込まれている。
そして、図６（ａ）に示すように、処理基板８６３は、処理基板保持部１０１ごとキャリア８６０に搭載されて、水平方向８９１に搬送され、鉛直方向８９２に沿うように立てた状態で、ターゲット８７１と平行にして対向させてスパッタが行われる。
尚、図６（ａ）中、点線矢印は、キャリア８６０の搬送方向を示している。
図示していないが、ここでのスパッタ方式は、ターゲット８７１の裏面側（処理基板８６３側とは反対の側）に、外側磁極と内側磁極の間で磁場が閉じるように設計し、発生したプラズマをターゲット８７１近傍のみに存在するようにしているマグネトロンスパッタ方式のものである。
大サイズの処理基板として、例えば、大サイズの透明なガラス基板の一面側に各色の着色層をカラーフィルタ（以下、ＣＦとも言う）として形成したカラーフィルタ形成基板を処理基板が挙げられ、この処理基板のＣＦ形成面側に、電極用のＩＴＯ膜を成膜する。

図６（ｂ）に示すキャリア８６０には、図示していない駆動用モーター（キャリア側のものではない）からの駆動力を歯車（図示していない）との噛み合わせで伝える溝を切った溝形成部８６８がその下部に設けられており、更に、歯車による磨耗を極力抑えるために、キャリア８６０の溝形成部８６８の進行方向両側、下側に平坦部を有する搬送支持レール８６６、８６７が、キャリアの荷重を支えるために設けられており、本体側にある前記の歯車とは異なるボビンのような回転体８６９にキャリア側の搬送支持レール８６６、８６８の平坦部が乗っかるようになっている。
キャリア８６０は、その下側に設けられた搬送支持レール８６６、８６７に保持されながら、溝形成部８６８にて駆動用モーターからの駆動力を歯車の噛み合わせで受けて、搬送される。
Ｇ６世代では、スパッタ処理する処理基板８６３とキャリ８６０アを併せた重量は１００ｋｇ程度となるため、どうしても磨耗が発生するためこのように、できるだけ、前記溝形成部２００と歯車との嵌合を少なくしている。
尚、キャリア８６０の材質としては重量の面、剛性の面から、Ｔｉが好ましく用いられる。
スパッタリングは、Ａｒガス雰囲気中、１０^-5ｔｏｒｒ〜１０^-2ｔｏｒｒ圧下で、プレート状にされた、成膜する膜組成のＩＴＯをターゲットとして用いて行う。
この場合、ＣＦを形成する着色層の耐熱性（ＣＦからの脱ガス）の面から、低温で成膜を行うことが求められている。
尚、このような、マグネトロンスパッタ方式で、低温スパッタには、例えば、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、９０ｗ％＋ＳｎＯ₂ 、１０ｗ％組成の焼結したターゲット材を、厚さ８ｍｍ〜１５ｍｍとして用いる。
例えば、ターゲットとしては、Ｃｕプレートをバッキング材として、インジウム半田を接着層とし、数枚の焼結ターゲット材をつなぎ合わせている。

このような、スパッタ装置においては、ターゲットとスパッタ処理するガラス基板をベースとする処理基板とを、平行にした状態で対向させてスパッタを行っているが、特開平８−２６９６８６号公報（特許文献３）に記載のように、ＩＴＯ膜の低抵抗化を目的としてＩＴＯ膜の結晶性を上げるために、接地した導電性棒、あるいは網を処理基板とターゲット材との間に配置することが行われている。
これは、スパッタ時における水素のＩＴＯ膜成膜への影響（結晶化を阻害し、アモルファス性を上げる影響）を除去し、ＩＴＯ膜の結晶性を上げるものである。
ＩＴＯ膜の低抵抗化に関しては、結晶化したＩＴＯ膜とすることが効果的である。
また、処理基板の大サイズ化に対応して、アノードロッドのサイズも大きくなり、その両端を固定していた従来の場合においては、アノードロッドの自重による撓みが、放電の安定性の面から無視できなくなってきた。
ターゲット側に、放電安定性を考慮し、接地した大サイズの導電性棒（以下、これをアノードロッドと言う）が用いられるようになる。
そして、このアノードロッドは、従来、その両端部を固定され、配されている。

一方、先にも述べたように、図６に示すように、スパッタ装置においては、ターゲットとスパッタ処理するガラス基板をベースとする処理基板とを、平行に立てた状態で対向させてスパッタを行っているが、本来なら、処理基板の異物付着の面から、図５（ｂ）に示すように、ターゲット３０に対して処理基板１３０を上側にして、鉛直方向から傾けて配置したいのである。
しかし、この場合、特に、大サイズの処理基板をスパッタする場合、ターゲットに対して処理基板を上側にして鉛直方向から傾けて配すると、該処理基が反ってしまう為、図５（ａ）に示すように、ターゲット３０に対して処理基板１３０を下側にして鉛直方向から傾けて配することがある。
仮に、大サイズの処理基板を、ターゲットに対して上側にして、処理基板を反らないように、スパッタ処理面側に保持サポートバーを設置した場合には、該保持サポートバーにより、スパッタ処理において影となる部分が発生し、膜厚分布が不均一になるが、本願出願人は、このような場合に処理基板に反りを発生しないように、処理基板のスパッタ処理面側ではない裏面側を静電吸着する方法を、特願２００５−２８４５４５（特許文献４）にて提案している。
尚、ターゲットに対して大サイズの処理基板を上側にして、スパッタ処理面側に保持サポートバーを設置しない場合には、処理基板が反ってしまい、膜厚分布が悪くなる。

また、ターゲットに対して処理基板を下側にして鉛直方向から傾けて配する場合、先に述べたアノードロッドは、その両端が固定されているため、自重により、下側（処理基板側）に反りを発生させることとなり、スパッタの際に、放電安定性、プラズマ分布が悪くなり、これが膜厚分布のばらつきの原因となっていた。

特開平６−２４８２６号公報 特開平６−２４７７６５号公報 特開平８−２６９６８６号公報 特願２００５−２８４５４５

上記のように、近年、情報化社会への進展が著しく、ディスプレイ装置の使用も多様化し、特に、液晶表示装置が広く普及されるようになり、その生産性向上の面、低コスト化の面から、面付け生産が行われているが、これに用いられるガラス基板をベースとする処理の大型化の要求は強く、最近では、Ｇ６世代（１８００ｍｍ×１５００ｍｍサイズ）の大サイズの透明なガラス基板での量産化が現実のものとなってきている。
このような中、図６（ａ）に示すようなスパッタ装置において、ターゲット８７１と処理基板８６３とを平行に対向させて、搬送しながらスパッタ処理を行い、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配する場合、先に述べたアノードロッドは、その両端が固定されているため、自重により、その下側に反りを発生させることとなり、スパッタの際に、放電安定性、プラズマ分布が悪くなり、これが膜厚分布のばらつきの原因となっており、この対応が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供しようとするものである。

本発明のスパッタ装置は、処理基板の成膜する側の面とターゲットとを、平行に対向させ、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、接地した複数の導電性棒を、互いに平行になるように、処理基板とターゲットとの間に、前記ターゲットおよび前記処理基板に沿って、配置したスパッタ装置であって、接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、両端部を固定して、配していることを特徴とするものである。
そして、上記のスパッタ装置であって、前記処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側にスパッタ成膜するものであり、前記斜めにして配された複数の導電性棒は、各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲を併せた範囲が、該搬送方向に直交する方向のターゲットの位置範囲全体を含み、且つ、前記各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲が互いにオーバーラップしないように配置されていることを特徴とするものである。
尚、この場合は、ターゲットの長手方向が天地方向に配されることを前提としている。 そしてまた、上記いずれかのスパッタ装置であって、前記処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜するものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかのスパッタ装置であって、マグネトロンスパッタ方式のスパッタ装置であることを特徴とするものである。

（作用）
請求項１の発明の形態にすることにより、平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、アノードロッドの自重による、その下側への反りの発生を防止できる構造のスパッタ装置の提供を可能としている。
請求１の発明の形態の場合は、導電性棒の両端部を固定しているが、ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくしていることにより、導電性棒をターゲットに沿いその天側から地側方向に配設いている場合に比べ、自重による反りを小さく抑えることを可能としている。
尚、先にも述べたように、請求項１の発明の場合は、ターゲットの長手方向が天地方向に配されることを前提としている。
そして、この請求項１の発明の形態であって、処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側にスパッタ成膜するものであり、前記斜めにして配された複数の導電性棒は、各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲を併せた範囲が、該搬送方向に直交する方向のターゲットの位置範囲全体を含み、且つ、前記各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲が互いにオーバーラップしないように配置されている、請求項２の発明の形態とすることにより、均一な成膜を可能とするものである。
処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜するものである、請求項３の発明の形態が挙げられる。
そして、マグネトロンスパッタ方式のスパッタ装置である、請求項４の発明の形態とすることにより、膜厚分布の良い成膜を図る場合には、特に有効である。
導電性棒の、自重による反りをできるだけ抑えることにより、成膜する膜厚の分布を良いものとできる。
尚、通常、チャージアップ等による異常放電を防止し、プラズマ分布を均一に維持するために、導電性棒を接地しているアノード側に落としてある。

本発明は、上記のように、平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置の提供を可能とした。
そして、特に、ターゲットと処理基板とを対向させてて、搬送しながら、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配して、且つ、導電性棒を配してスパッタ処理を行う、インラインスパッタ装置で、特に、Ｇ６世代以上の大サイズの、ガラス基板をベース基板とし、該ガラス基板の一面側に各色の着色層をカラーフィルタとして形成したカラーフィルタ形成基板を処理基板として、スパッタ処理する場合において、成膜の膜厚の分布を良くすることができる、スパッタ装置の提供を可能とした。

図１（ａ）は本発明に関わるスパッタ装置の参考実施例１の導電性棒の配置の仕方を示した図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から見た導電性棒の配置状態を示した図である。 図２（ａ）はターゲットと処理基板との状態および該処理基板を搬送するキャリアと搬送用の回転ロールを示した概略断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のキャリアをターゲット側から見た図である。 図３は本発明のスパッタ装置の実施の形態の第１の例の導電性棒の配置を説明するための図である。 導電性棒の両端部を固定した場合の反りを説明するための図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）はそれぞれ、ターゲットと処理基板との位置関係を示した断面図である。 図６（ａ）はインライン型のＩＴＯスパッタ成膜装置の概略構成配置図で、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すＩＴＯスパッタ成膜装置に用られるキャリアを示した図である。

本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明のスパッタ装置に関わる参考実施例１の導電性棒の配置の仕方を示した図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から見た導電性棒の配置状態を示した図で、図２（ａ）はターゲットと処理基板との状態および該処理基板を搬送するキャリアと搬送用の回転ロールを示した概略断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のキャリアをターゲット側から見た図で、図３は本発明のスパッタ装置の実施の形態の第１の例の導電性棒の配置を説明するための図で、図４は導電性棒の両端部を固定した場合の反りを説明するための図で、図５（ａ）、図５（ｂ）はそれぞれ、ターゲットと処理基板との位置関係を示した断面図である。
尚、図２においては、キャリアの他にも回転ロールや歯車を示している。
図１〜図５中、１０は導電性棒（アノードロッドとも言う）、１１〜１５は導電性棒（アノードロッドとも言う）、３０はターゲット、３５は保持部、５０は固定部、５１は支持部、５２は回転支持部、５３は支持部、５４はネジ部、６０は導電性棒案内支持部、６１は貫通孔、７０は反り部、１００はキャリア、１０１は処理基板保持部、１１０は枠体、１２０は裏板、１３０は処理基板、１５０は支持部、１６１、１６２は位置決め回転ロール、１６１ａ、１６２ａは軸、１７１、１７２は搬送支持レール（単に支持部とも言う）、１９０は回転ロール（回転体とも言う）、１９０ａは軸、２００は溝形成部、２１０は歯車である。

はじめに、本発明のスパッタ装置に関わる参考実施例１を、図に基づいて説明する。 本例のスパッタ装置は、ディスプレイパネル用のＧ６世代サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍサイズ）以上の大サイズの透明なガラス基板をベース基板とする処理基板１３０を、キャリアに搭載した状態で、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、処理基板の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜する、マグネトロンスパッタ方式のスパッタ装置で、図６に示す各部の構成配列と同じ構成配列のスパッタ装置である。
参考実施例１は、スパッタ処理の際には、図２（ａ）に示すように、処理基板１３０をキャリア１００に搭載し、処理基板１３０の成膜する側の面とターゲット１０とを、平行に対向させ、搬送しながら、スパッタ処理を行うものである。
特に、参考実施例１においては、図１（ａ）に示すように、ターゲット３０に対して処理基板１３０を下側にして鉛直方向から傾けて配しており、接地した複数の導電性棒（アノードロッドとも言う）１０を、互いに平行になるように、処理基板１３０とターゲット３０との間に、ターゲット３０に沿って天側から地側方向に、配置している。
図１（ｂ）に示すように、前記複数の導電性棒１０を、前記ターゲットの天側から地側方向に、互いに平行になるように、配置しいている。
導電性棒１０は、各々、その天側の端部を、支点として位置固定され、その地側の端部を、固定しないで、所定位置の該導電性棒１０より大きめの貫通穴部６１に通し、該貫通穴６１内にその位置を制御されるものである。
参考実施例１では、導電性棒１０の地側部を、導電性棒１０より大きめの貫通穴部６１に通して、固定しないで、天側の端部の支点から垂らしている。
また、参考実施例１においては、キャリア１００は、図２に示すように、枠体１１０に、順に、処理基板１３０、裏板１２０を嵌め込み、処理基板１３０を保持する処理基板保持部１０１を備えている。
ここでは、処理基板１３０として、Ｇ６世代サイズの透明なガラス基板の一面側に各色の着色層をカラーフィルタとして形成したカラーフィルタ形成基板を用い、そのカラーフィルタ形成面側にＩＴＯ膜をスパッタ成膜するものである。

仮に、図４に示すように、導電性棒１０の両端部を、それぞれ、固定部５０で固定し、鉛直方向から斜めに傾けた場合、その自重により反り（反り部７０）が発生するが、第１の例では、上記のように、導電性棒１０は、各々、その天側の端部を、支点として位置固定し、その地側の端部を、固定しないで、所定位置の該導電性棒より大きめの貫通穴６１に通し、該貫通穴６１内にその位置を制御するものであることにより、導電性棒６１の両端部を固定した場合に比べ、地側の端部を固定しないで、所定位置の該導電性棒より大きめの貫通穴に通すだけにしているため、反り変形を地側の端部により逃がすことができ、結果、その自重による反りを抑制できるものとしている。
そして、このように、導電性棒１０の自重による反りを抑えることにより、成膜する膜厚の分布を良いものとできる。

尚、ターゲット１０としては、ここでは、例えば、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、９０ｗ％＋ＳｎＯ₂ 、１０ｗ％組成の焼結したターゲット材を、厚さ８ｍｍ〜１５ｍｍとしたものを用いるが、サイズを大とするために、Ｃｕプレートをバッキング材として、インジウム半田を接着層とし、複数枚の焼結ターゲット材をつなぎ合わせて四角状にしている。
そして、スパッタリングは、Ａｒガス雰囲気中、１０^-5ｔｏｒｒ〜１０^-2ｔｏｒｒ圧下で、プレート状にされた、成膜する膜組成のＩＴＯをターゲットとして用いて行う。
この場合、ＣＦを形成する着色層の耐熱性（ＣＦからの脱ガス）の面から、低温で成膜を行う。

本例のスパッタ装置は、図６に示されるスパッタ装置と同じように、搬送されながらスパッタ処理を行うもので、各チャンバーの配置や処理基板の搬入から搬出までの流れは、基本的に、図６（ａ）に示されるスパッタ装置と同じである。
本例におけるキャリア１００は、図６（ｂ）に示すキャリア８６０と同じである。
キャリア１００の搬送も、基本的には図６に示されるスパッタ装置と同じで、図４に示すように、駆動用モーターからの駆動力を歯車２１０との噛み合わせで伝える溝を切った溝形成部２００が、キャリア１００下部に設けられており、更に、歯車２１０による磨耗を極力抑えるために、キャリア１００の溝形成部２００の進行方向両側、下側に、平坦部を有する搬送支持レール１７１、１７２が、キャリアの荷重を支えるために設けられており、本体側にある前記の歯車２１０とは異なるボビンのような回転体１９０にキャリア側の搬送支持レール１７１、１７２の平坦部が乗っかるようになっている。
本例においては、このような回転体１９０、歯車２１０を、搬送路に沿い複数配置して搬送を行う。

本例のスパッタ装置においては、簡単には、処理基板１３０（図６の８６３に相当）は、ローディングチャンバー（図６の８１１に相当）に投入され、予備チャンバー（図６の８１２に相当）を経て、第１のスパッタチャンバー（図６の８１３に相当）に投入され、搬送されながらスパッタ処理され、回転処理部（図６の８２０に相当）に搬入され、ここで、回転部によりキャリアごと１８０度回転され、向きを変え、第２のスパッタチャンバー（図６の８３３に相当）に投入され、搬送されながらスパッタ処理される。
そして、スパッタ後、予備チャンバー（図６の８３２に相当）、アンローディングチャンバー（図６の８３１に相当）を経て搬出される。
尚、各チャンバーの境には、機械的な仕切りがあり、各仕切りの開放は、両側のチャンバーの真空度を同じ程度にして行う。
また、処理基板保持部１０１の枠体１１０他各部の材質については、剛性が大きく、強固で、軽いものが好ましく、Ｔｉやステンレスが挙げられる。

本発明のスパッタ装置の実施の形態の第１の例を、図３に基づいて説明する。
第１の例は、上記参考実施例１において、導電性棒の配置と固定方法とを変えたもので、それ以外は参考実施例１と同じである。
第１の例は、図３に示すように、接地した複数の導電性棒１１〜１５を、互いに平行になるように、処理基板１３０とターゲット３０との間に、ターゲット３０に沿って、配置したスパッタ装置で、接地した複数の導電性棒１１〜１５を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配している。
固定は参考実施例１と同じ固定部を用いる。
第１の例の場合は、導電性棒１１〜１５の長さを短かくすることにより、反りを抑制するものである。
第１の例は、参考実施例１と同様、処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側にスパッタ成膜するものであるが、斜めにして配された複数の導電性棒１１〜１５は、各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲を併せた範囲が、該搬送方向に直交する方向のターゲットの位置範囲全体を含み、且つ、前記各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲が互いにオーバーラップしないように配置して、成膜の膜厚の分布を良いものとしている。
尚、図３に示すように、導電性棒１１〜１５の、前記搬送方向（ｘ方向）に直交する方向（ｙ方向）のターゲット上の位置範囲は、それぞれ、ｙ０〜ｙ１、ｙ１〜ｙ２、ｙ２〜ｙ３、ｙ３〜ｙ４、ｙ４〜ｙ５である。

上記第１の例は、１例で、本発明は、これに限定されるものではない。
参考実施例１の導電性棒の固定方法で、第１の例のように、接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、配した形態も挙げられる。 勿論、図６に示す各部の構成配置を直線的に設けた形態としても良い。

１０ 導電性棒（アノードロッドとも言う）
１１〜１５ 導電性棒（アノードロッドとも言う）
３０ ターゲット
３５ 保持部
５０ 固定部
５１ 支持部
５２ 回転支持部
５３ 支持部
５４ ネジ部
６０ 導電性棒案内支持部
６１ 貫通孔
７０ 反り部
１００ キャリア
１０１ 処理基板保持部
１１０ 枠体
１２０ 裏板
１３０ 処理基板
１５０ 支持部
１６１、１６２ 位置決め回転ロール
１６１ａ、１６２ａ 軸
１７１、１７２ 搬送支持レール（単に支持部とも言う）
１９０ 回転ロール（回転体とも言う）
１９０ａ 軸
２００ 溝形成部
２１０ 歯車
８１１ ローディングチャンバー
８１２ 予備チャンバー
８１３ スパッタチャンバー
８２０ 回転処理部
８２１ 回転部
８３１ アンローディングチャンバー
８３２ 予備チャンバー
８３３ スパッタチャンバー
８４１〜８４３ チャンバー仕切り
８４１ａ〜８４３ａ チャンバー仕切り
８６０、８６０ａ キャリア
８６０Ａ 基板保持部
８６１ 枠体
８６２ 裏板（押さえ板とも言う）
８６３ 処理基板
８６４ 支持部
８６５ 位置決回転ローラ
８６５ａ、８６５ｂ 軸
８６６、８６７ 支持部（搬送用支持部）
８６８ 溝形成部
８６９ 回転ローラ（回転部とも言う）
８６９ａ 軸
８７１ ターゲット
８９１ 水平方向
８９２ 鉛直方向

Claims (4)

1. 処理基板の成膜する側の面とターゲットとを、平行に対向させ、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、接地した複数の導電性棒を、互いに平行になるように、処理基板とターゲットとの間に、前記ターゲットおよび前記処理基板に沿って、配置したスパッタ装置であって、接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配していることを特徴とするスパッタ装置。
2. 請求項１に記載のスパッタ装置であって、前記処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側にスパッタ成膜するものであり、前記斜めにして配された複数の導電性棒は、各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲を併せた範囲が、該搬送方向に直交する方向のターゲットの位置範囲全体を含み、且つ、前記各導電性棒の搬送方向に直交する方向のターゲット上の位置範囲が互いにオーバーラップしないように配置されていることを特徴とするスパッタ装置。
3. 請求項１ないし２のいずれか１項に記載のスパッタ装置であって、前記処理基板を、キャリアに搭載して、インラインで、搬送しながらスパッタ処理を行い、該処理基板の一面側に電極用のＩＴＯ膜をスパッタ成膜するものであることを特徴とするスパッタ装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項に記載のスパッタ装置であって、マグネトロンスパッタ方式のスパッタ装置であることを特徴とするスパッタ装置。

Images