JP2011009539A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の表面に少なくとも複数のトレンチが設けられ、トレンチの各内側の側壁全て、及びトレンチ間の前記半導体基板の表面の一部にゲート酸化膜3が設けられている。前記半導体基板の表面の一部に設けられたゲート酸化膜3上にプレーナーゲート12aが設けられ、トレンチの内側のゲート酸化膜3上にトレンチゲート12bが設けられ、プレーナーゲート12aとトレンチゲート12bとからなるゲート構造が配置されている。n-ドリフト層1の表面にはpベース層5が備えられている。前記プレーナーゲートが備わっているメサ部分の前記プレーナーゲートの間には、n+エミッタ層6とp+コンタクト層7がプレーナーゲートの長手方向と平行に配置されている。
【選択図】 図1−1
Description
3 ゲート酸化膜
5 pベース層
6 n+エミッタ層
7 p+コンタクト層
8 層間絶縁膜
11 エミッタ電極
12 ゲート電極
13 パッシベーション膜
14 コレクタ電極
Claims (6)
- 第1導電型半導体基板の内部に第1導電型ドリフト層が設けられ、
該ドリフト層に達するトレンチが前記半導体基板の第一の主面から複数設けられ、
前記トレンチ内に絶縁膜を介してトレンチゲートが設けられ、
前記トレンチ間に第2導電型ベース層が前記トレンチより浅く設けられ、
前記ベース層上に絶縁膜を介して前記トレンチに直交し、前記トレンチゲートに接するプレーナーゲートが少なくとも1つ設けられ、
前記プレーナーゲートの長手方向に沿って第1導電型エミッタ層が形成されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2導電型ベース層が前記トレンチの長手方向に分散して島状に複数設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の第一の主面で、前記第2導電型ベース層が露出するトレンチ間と、前記第1導電型ドリフト層が露出するトレンチ間を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数のトレンチ間の全てに第2導電型ベース層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2導電型ベース層が、前記エミッタ層を有するベース層と、前記エミッタ層を備えないベース層が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の第二の主面に第2導電型のコレクタ層を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
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