JP2010535421A - アップコンバージョン発光媒体を有する光電子デバイス - Google Patents
アップコンバージョン発光媒体を有する光電子デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010535421A JP2010535421A JP2010519264A JP2010519264A JP2010535421A JP 2010535421 A JP2010535421 A JP 2010535421A JP 2010519264 A JP2010519264 A JP 2010519264A JP 2010519264 A JP2010519264 A JP 2010519264A JP 2010535421 A JP2010535421 A JP 2010535421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microelectronic device
- heat
- light
- light emitting
- conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract description 166
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 159
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 98
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000031070 response to heat Effects 0.000 claims description 4
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical group [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HICARRDFVOAELS-UHFFFAOYSA-N O(Cl)Cl.[Y] Chemical compound O(Cl)Cl.[Y] HICARRDFVOAELS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N [Y].FOF Chemical compound [Y].FOF CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HYLHLPMZEWLMGR-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite ytterbium Chemical compound O(Cl)Cl.[Yb] HYLHLPMZEWLMGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 claims description 3
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- GFKJCVBFQRKZCJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+);trisulfide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[S-2].[S-2].[S-2].[Y+3].[Y+3].[Y+3].[Y+3] GFKJCVBFQRKZCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002866 fluorescence resonance energy transfer Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- SKQWEERDYRHPFP-UHFFFAOYSA-N [Y].S=O Chemical compound [Y].S=O SKQWEERDYRHPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7767—Chalcogenides
- C09K11/7769—Oxides
- C09K11/7771—Oxysulfides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4935—Heat exchanger or boiler making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
Description
[0001] 本発明は、光電子デバイスと、改良された性能を達成すべくアップコンバージョン媒体を用いてそのようなデバイスの操作および/または熱管理を行うための方法および構成と、に関する。
[0002] 過剰加熱によりマイクロ電子部品および回路が損傷を受ける可能性がありさらにはデバイス性能が劣化する可能性があるので、熱発生は、電子デバイスでの厄介な問題である。集積回路およびマイクロ電子デバイスで熱を散逸させる現在の手法は、デバイスまたは回路の動作を所望の限度内に確実に保持すべく、ヒートシンク、ファン、冷却媒体、および他の伝熱手段に依拠する。
[0006] 本発明は、マイクロ電子デバイス、たとえば、発光ダイオード(LED)などの光電子デバイスと、改良された性能を達成すべくそのようなデバイスの操作および/または熱管理を行うための方法および構成と、に関する。
[0031] 本発明は、マイクロ電子デバイス、たとえば、発光ダイオード(LED)を含む光電子デバイスと、改良された性能を達成すべくそのようなデバイスの熱管理を行うための方法および構成と、に関する。
反ストークス蛍燐光体膜37は、発光ダイオードマウントポスト31の側表面に配置される。反射表面36は、発光ダイオード32からの一次発光の一部を反ストークス蛍燐光体膜37上に反射して冷却プロセスを可能にするように機能する反射突出部38などの特徴部をその上に含む。したがって、この構成は、発光ダイオードマウントポスト31の少なくとも一部分上にコーティングまたは装着されたアップコンバージョン発光材料を提供し、このポストは、マイクロ電子デバイス中のまたはそこからの熱を除去するように構成された伝熱素子を構成する。
米国特許法第120条の規定に基づいて2007年8月2日出願の米国特許出願第11/832,785号の優先権をここに主張する。
Claims (73)
- デバイスの動作時に熱を生成する熱発生構造体と、そのような熱への暴露時にそれに応答して熱を光に変換することにより、デバイスを冷却しかつそのような光により熱を散逸させるアップコンバージョン発光材料と、を含むマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が反ストークス蛍燐光体を含む、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、式L:M(式中、Lは、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、オキシフッ化イットリウム、オキシ塩化イットリウム、オキシ硫化イットリウム、またはオキシ塩化イッテルビウムであり、かつMは、イッテルビウム、エルビウム、およびツリウムのうちの1つ以上である)で示される材料を含む、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、Y2O2S:Yb,Tm、La2O2S:Er,Yb、Y2O2S:Er,Yb、YF3:Er,Yb、Y2O3−YOF:Er,Yb、YOCl:Er,Yb、およびYbOCl:Erからなる群から選択される材料を含む、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、伝導熱伝達により前記熱発生構造体から熱入力を受け取るように構成される、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、放射熱伝達により前記熱発生構造体から熱入力を受け取るように構成される、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体が発光ダイオードを含む、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードがIII−V族窒化物材料で形成される、請求項7に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードから一次放射線を受け取ってそれに応答して光出力を放出するように構成されたダウンコンバージョン発光材料をさらに含む、請求項8に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体が前記ダウンコンバージョン発光材料を含む、請求項9に記載のマイクロ電子デバイス。
- 光電子デバイスを含む、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体がLEDダイおよびダウンコンバージョン発光材料を含む、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、前記デバイスの少なくとも一部分上にコーティングされたそれを含む層の形態で存在する、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、前記熱発生構造体の少なくとも一部分上にコーティングされたそれを含む層の形態で存在する、請求項1に記載のマイクロ電子デバイス。
- デバイスの動作時に熱を発生するマイクロ電子デバイス、ならびにそのような熱へのアップコンバージョン材料の暴露時に、デバイスの熱エネルギーを低減するようにおよび/または可視スペクトル域の光を生成するように構成されたアップコンバージョン材料。
- 発光ダイオードまたはレーザーダイオードを含む、請求項15に記載のマイクロ電子デバイス。
- 熱エネルギーに応答してアップコンバートされた光を生成する第1のアップコンバージョン材料と、熱エネルギー、アップコンバートされた光、および/またはマイクロ電子デバイスの能動領域からのエネルギー、に応答してアップコンバージョン光を生成する第2のアップコンバージョン材料と、を含む複数のアップコンバージョン材料を含む、請求項15に記載のマイクロ電子デバイス。
- ダウンコンバージョン材料をさらに含み、前記第2のアップコンバージョン材料が、前記ダウンコンバージョン材料により生成されたエネルギーに応答する、請求項18に記載のマイクロ電子デバイス。
- デバイスとエネルギー相互作用するようにまたはデバイス内でエネルギー相互作用するようにそれぞれ構成されたアップコンバージョン材料とダウンコンバージョン材料とを含む、マイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン材料が、前記ダウンコンバージョン材料により生成されたエネルギーに応答してアップコンバートされた光を生成する、請求項19に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記アップコンバージョン材料が反ストークス蛍燐光体を含み、かつ前記ダウンコンバージョン材料がストークス蛍燐光体を含む、請求項19に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記デバイスの動作時に発生するダウンコンバージョンエネルギーが熱エネルギーを光エネルギーにアップコンバートする、請求項19に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記ダウンコンバージョン材料が前記マイクロ電子デバイスの能動領域から放出されたエネルギーに応答してダウンコンバートされた光を生成する、請求項19に記載のマイクロ電子デバイス。
- アップコンバートおよびダウンコンバートされた可視スペクトル域の光が前記マイクロ電子デバイスの動作時に発生する、請求項20に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記マイクロ電子デバイスの発光領域のいずれかにより放出されたエネルギーに応答して、前記マイクロ電子デバイスに対して所定の光出力スペクトルを生成する複数のアップコンバージョン素子および/またはダウンコンバージョン素子を含む、請求項15に記載のマイクロ電子デバイス。
- 反ストークス蛍燐光体とストークス蛍燐光体とを含む複合材料。
- 前記反ストークス蛍燐光体および前記ストークス蛍燐光体のそれぞれが微粒子状形態である、請求項26に記載の複合材料。
- 前記微粒子形態の反ストークス蛍燐光体およびストークス蛍燐光体が、コーティング組成物として膜形成性担体中に分散される、請求項27に記載の複合材料。
- 動作時に熱を発生するマイクロ電子デバイスを熱管理する方法であって、そのような熱への暴露時にそれに応答して熱を光出力に変換することによりデバイスを冷却しかつそのような光出力により熱を散逸させるアップコンバージョン発光材料を用いて熱を吸収することを含む、方法。
- 前記アップコンバージョン発光材料が反ストークス蛍燐光体を含む、請求項29に記載の方法。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、式L:M(式中、Lは、酸化イットリウム、フッ化イットリウム、オキシフッ化イットリウム、オキシ塩化イットリウム、オキシ硫化イットリウム、またはオキシ塩化イッテルビウムであり、かつMは、イッテルビウム、エルビウム、およびツリウムのうちの1つ以上である)で示される材料を含む、請求項29に記載の方法。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、Y2O2S:Yb,Tm、La2O2S:Er,Yb、Y2O2S:Er,Yb、YF3:Er,Yb、Y2O3−YOF:Er,Yb、YOCl:Er,Yb、およびYbOCl:Erからなる群から選択される材料を含む、請求項29に記載の方法。
- 前記アップコンバージョン発光材料が、伝導熱伝達または放射熱伝達により前記デバイスの熱発生構造体から熱入力を受け取るように構成される、請求項29に記載の方法。
- 前記デバイスが、前記発光ダイオードから一次放射線を受け取ってそれに応答して光出力を放出するように構成されたダウンコンバージョン発光材料を含む、請求項29に記載の方法。
- 前記熱が前記ダウンコンバージョン発光材料中で発生する、請求項34に記載の方法。
- デバイスの動作時に熱を発生するマイクロ電子デバイスを熱管理する方法であって、アップコンバージョン材料との相互作用によりデバイスの熱エネルギーを低減することおよび/またはデバイスにより発生された熱へのアップコンバージョン材料の暴露時に可視スペクトル域の光を生成することを含む、方法。
- 前記マイクロ電子デバイスが発光ダイオードまたはレーザーダイオードを含む、請求項36に記載の方法。
- 熱エネルギーに応答してアップコンバートされた光を生成する第1のアップコンバージョン材料と、熱エネルギー、アップコンバートされた光、および/またはマイクロ電子デバイスの能動領域からのエネルギー、に応答してアップコンバージョン光を生成する第2のアップコンバージョン材料と、を含む複数のアップコンバージョン材料を組み込むことを含む、請求項36に記載の方法。
- ダウンコンバージョン材料を前記マイクロ電子デバイス中に組み込むことをさらに含み、前記第2のアップコンバージョン材料が、前記ダウンコンバージョン材料により生成されたエネルギーに応答する、請求項38に記載の方法。
- マイクロ電子デバイスを熱管理する方法であって、前記デバイス内でエネルギー相互作用するようにそれぞれ構成されたアップコンバージョン材料とダウンコンバージョン材料とを前記デバイス中に組み込むことを含む、方法。
- 前記アップコンバージョン材料が前記ダウンコンバージョン材料により生成されたエネルギーに応答してアップコンバートされた光を生成する、請求項40に記載の方法。
- 前記アップコンバージョン材料が反ストークス蛍燐光体を含みかつ前記ダウンコンバージョン材料がストークス蛍燐光体を含む、請求項40に記載の方法。
- アップコンバートおよびダウンコンバートされた可視スペクトル域の光が前記マイクロ電子デバイスの動作時に発生する、請求項40に記載の方法。
- マイクロ電子デバイスを作製する方法であって、前記マイクロ電子デバイスの発光領域のいずれかにより放出されたエネルギーに応答して、前記マイクロ電子デバイスに対して所定の光出力スペクトルを生成する複数のアップコンバージョン素子および/またはダウンコンバージョン素子を前記マイクロ電子デバイス中に組み込むことを含む、方法。
- 動作時に熱を発生するかまたは熱を発生する構成要素を含むマイクロ電子デバイスであって、前記熱を、前記熱線よりも短い波長を有する発光に、変換する熱変換媒体たとえば発光変換材料を含む、デバイス。
- 前記発光が前記マイクロ電子デバイスを冷却するのに有効である、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光が、前記熱変換媒体の欠如した対応するマイクロ電子デバイスと対比して、かなりの程度まで前記マイクロ電子デバイスを冷却するのに有効であり、前記熱が、前記マイクロ電子デバイスの放射冷却および伝導冷却により散逸される、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記マイクロ電子デバイスまたはその構成要素から前記熱変換媒体に伝導および放射の少なくとも1つにより熱が伝達される、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱変換媒体が、反ストークス蛍燐光体を含む複数の蛍燐光体材料を含む、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 可視光源をさらに含み、前記発光変換材料が、前記可視光源により放出された光に応答して、前記発光中に含まれる光を放出する、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 熱を発生する前記構成要素が、ダウンコンバージョン発光材料および発光ダイオードの少なくとも1つを含む、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱変換媒体が、前記熱に応答してアップコンバートされた光を生成する第1のアップコンバージョン材料と、前記熱、前記第1のアップコンバージョン材料から前記アップコンバートされた光、および/または前記マイクロ電子デバイスの能動領域からのエネルギー、に応答してアップコンバートされた光を生成する第2のアップコンバージョン材料と、を含む複数のアップコンバージョン材料を含む、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- デバイス内でエネルギー相互作用するようにそれぞれ構成されたアップコンバージョン材料とダウンコンバージョン材料とを含む、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光変換材料が蛍燐光体からのエネルギーをアップコンバートする、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 発光ダイオードまたは蛍燐光体からのエネルギーをダウンコンバートする発光媒体を含む、請求項45に記載のマイクロ電子デバイス。
- 動作時に熱を発生するかまたは熱を発生する構成要素を含むマイクロ電子デバイスであって、前記熱を、前記熱を散逸させるのに有効な発光に、変換する熱変換媒体を含む、デバイス。
- 動作時に熱を発生するかまたは熱を発生する構成要素を含むマイクロ電子デバイスであって、熱、外部光源、および/または前記マイクロ電子デバイスの能動領域からのエネルギー、に応答してアップコンバートされた光を生成するアップコンバージョン材料を含む、デバイス。
- 前記熱発生構造体が発光ダイオードを含み、かつ前記反ストークス蛍燐光体が前記発光ダイオードから除去される、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードがGaN発光ダイオードを含む、請求項58に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードおよび前記反ストークス蛍燐光体が、互いに並置関係にある、請求項58に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードおよび前記反ストークス蛍燐光体が互いに物理的に分離される、請求項58に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体が発光ダイオードを含み、かつ前記発光ダイオードおよび前記反ストークス蛍燐光体が基板上にあり、前記反ストークス蛍燐光体が前記基板上で層の形態をとり、かつ前記発光ダイオードが前記基板から外向きに前記反ストークス蛍燐光体の層を越えて延在する、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体が発光ダイオードを含み、かつ前記発光ダイオードおよび前記反ストークス蛍燐光体が基板上にあり、前記反ストークス蛍燐光体が前記基板上で層の形態をとり、かつ前記発光ダイオードが、前記反ストークス蛍燐光体の層から物理的に分離された構成要素LEDを含む、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体が複数の発光ダイオードを含む、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記複数の発光ダイオードのそれぞれが同一の色を放出する、請求項64に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記複数の発光ダイオードのそれぞれが白色光放出ダイオードを含む、請求項64に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記複数の発光ダイオードが異なる色を放出する発光ダイオードを含む、請求項64に記載のマイクロ電子デバイス。
- リフレクター素子、レンズ素子、フィルター素子、およびディフューザー素子からなる群から選択される少なくとも1つの素子をさらに含む、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードから放出される光を方向付けるためにリフレクターおよびレンズをさらに含む、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記発光ダイオードおよび前記反ストークス蛍燐光体が基板上にあり、前記反ストークス蛍燐光体が前記基板上で層の形態をとり、かつ前記発光ダイオードが前記基板から外向きに前記反ストークス蛍燐光体の層を越えて延在する、請求項69に記載のマイクロ電子デバイス。
- 複数の発光ダイオードを含む、請求項70に記載のマイクロ電子デバイス。
- 前記熱発生構造体が発光ダイオードを含み、かつ前記発光ダイオードおよび前記反ストークス蛍燐光体が誘電体層により互いに分離される、請求項2に記載のマイクロ電子デバイス。
- マイクロ電子デバイスを熱管理する方法であって、熱、外部光源、および/または前記マイクロ電子デバイスの能動領域からのエネルギー、に応答してアップコンバートされた光を生成するアップコンバージョン材料を内部に組み込むことを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/832,785 US8297061B2 (en) | 2007-08-02 | 2007-08-02 | Optoelectronic device with upconverting luminophoric medium |
US11/832,785 | 2007-08-02 | ||
PCT/US2008/072042 WO2009018558A2 (en) | 2007-08-02 | 2008-08-02 | Optoelectronic device with upconverting luminophoric medium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010535421A true JP2010535421A (ja) | 2010-11-18 |
JP5453262B2 JP5453262B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=40305299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010519264A Active JP5453262B2 (ja) | 2007-08-02 | 2008-08-02 | アップコンバージョン発光媒体を有する光電子デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8297061B2 (ja) |
EP (1) | EP2176893B1 (ja) |
JP (1) | JP5453262B2 (ja) |
KR (1) | KR101521312B1 (ja) |
CN (1) | CN101790800B (ja) |
WO (1) | WO2009018558A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11355676B2 (en) | 2004-05-07 | 2022-06-07 | Bruce H. Baretz | Light emitting diode |
US8089085B2 (en) * | 2009-02-26 | 2012-01-03 | Bridgelux, Inc. | Heat sink base for LEDS |
DE102009029776B3 (de) * | 2009-06-18 | 2010-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element |
US8426871B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-04-23 | Honeywell International Inc. | Phosphor converting IR LEDs |
DE102010047838A1 (de) | 2010-09-28 | 2011-12-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Aktiv kühlbares optisches Element sowie optisches System mit einem solchen optischen Element |
DE102010047839A1 (de) | 2010-09-28 | 2011-11-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Aktiv kühlbares optisches Element, optisches System mit einem solchen optischen Element und Verfahren zum Kühlen eines optischen Elements |
DE102010047832A1 (de) | 2010-09-28 | 2012-07-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Aktiv kühlbares optisches Element sowie optisches System mit einem solchen optischen Element |
CN102074608B (zh) * | 2010-10-21 | 2012-08-29 | 罗维鸿 | 用于太阳能电池及其增效转换层 |
CN102305387A (zh) * | 2011-06-01 | 2012-01-04 | 厦门昰能机电科技有限公司 | Led灯具的效能提升装置、方法及具有该装置的led灯具 |
WO2013144927A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Koninklijke Philips N.V. | Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material |
CN111048972A (zh) | 2012-07-30 | 2020-04-21 | 工业研究与发展基金会有限公司 | 太阳能系统、使用太阳能的方法、用于发电的方法和设备 |
KR102283422B1 (ko) | 2014-11-11 | 2021-07-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 조명 장치 |
DE102015106635A1 (de) * | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung |
FI3665525T3 (fi) * | 2017-06-20 | 2023-01-13 | Photonica Inc | Päällepuettava täydennetyn todellisuuden visualisointi |
EP3514440B1 (en) * | 2018-01-18 | 2021-12-29 | BGT Materials Limited | Method of manufacturing a led light bulb having thermal radiation filaments |
KR20190077254A (ko) * | 2019-06-13 | 2019-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로미터 단위 크기의 반도체 발광 소자를 이용하는 발광 장치 및 그 제조 방법 |
US10950773B1 (en) | 2019-12-02 | 2021-03-16 | Bruce H Baretz | Light emitting diode devices |
US20230106866A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-04-06 | Bruce H. Baretz | Illumination Devices with Nested Enclosures |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999030220A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Gateway 2000, Inc. | Heat actuated display back light |
WO2007084640A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
Family Cites Families (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3529200A (en) * | 1968-03-28 | 1970-09-15 | Gen Electric | Light-emitting phosphor-diode combination |
US3593055A (en) * | 1969-04-16 | 1971-07-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electro-luminescent device |
JPS5026433B1 (ja) * | 1970-12-21 | 1975-09-01 | ||
US3932881A (en) * | 1972-09-05 | 1976-01-13 | Nippon Electric Co., Inc. | Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components |
US5208462A (en) * | 1991-12-19 | 1993-05-04 | Allied-Signal Inc. | Wide bandwidth solid state optical source |
US6159686A (en) * | 1992-09-14 | 2000-12-12 | Sri International | Up-converting reporters for biological and other assays |
US5447032A (en) * | 1994-04-19 | 1995-09-05 | The Regents Of The University Of California | Fluorescent refrigeration |
US5544268A (en) * | 1994-09-09 | 1996-08-06 | Deacon Research | Display panel with electrically-controlled waveguide-routing |
US6600175B1 (en) * | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
US6359745B1 (en) * | 1997-09-26 | 2002-03-19 | Iomega Corporation | Latent illuminance discrimination marker system for data storage cartridges |
US6041610A (en) * | 1998-04-10 | 2000-03-28 | The Regents Of The University Of California | Optical refrigerator using reflectivity tuned dielectric mirrors |
KR100686784B1 (ko) * | 1999-02-05 | 2007-02-23 | 알리엔 테크놀로지 코포레이션 | 어셈블리를 형성하는 방법 및 장치 |
US6208791B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-03-27 | Gemfire Corporation | Optically integrating pixel microstructure |
US7202506B1 (en) * | 1999-11-19 | 2007-04-10 | Cree, Inc. | Multi element, multi color solid state LED/laser |
US7320593B2 (en) * | 2000-03-08 | 2008-01-22 | Tir Systems Ltd. | Light emitting diode light source for curing dental composites |
US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
US6378321B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-04-30 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor-based optical refrigerator |
US7008559B2 (en) * | 2001-06-06 | 2006-03-07 | Nomadics, Inc. | Manganese doped upconversion luminescence nanoparticles |
US6863219B1 (en) * | 2001-08-17 | 2005-03-08 | Alien Technology Corporation | Apparatuses and methods for forming electronic assemblies |
US7218527B1 (en) * | 2001-08-17 | 2007-05-15 | Alien Technology Corporation | Apparatuses and methods for forming smart labels |
WO2003021268A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Hrl Laboratories, Llc | Addressable concentrators |
US6593055B2 (en) * | 2001-09-05 | 2003-07-15 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Multi-layer thermally imageable element |
DE10153829A1 (de) * | 2001-11-05 | 2003-05-28 | Bayer Ag | Assay basierend auf dotierten Nanoteilchen |
US6771916B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-08-03 | Nexpress Solutions Llc | Air quality management apparatus for an electrostatographic printer |
EP1490453B1 (en) * | 2002-03-25 | 2012-08-15 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Tri-color white light led lamp |
CA2489237A1 (en) * | 2002-06-13 | 2003-12-24 | Cree, Inc. | Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor |
US7088040B1 (en) * | 2002-06-27 | 2006-08-08 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Light source using emitting particles to provide visible light |
US6998777B2 (en) * | 2002-12-24 | 2006-02-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode and light emitting diode array |
US8118032B2 (en) * | 2003-02-14 | 2012-02-21 | American Environmental Systems, Inc. | Rapid cryo-heating devices and their applications |
FR2853200B1 (fr) * | 2003-03-27 | 2005-10-07 | Valeo Vision | Procede de fixation d'une diode electroluminescente de puissance sur un radiateur, et dispositif de signalisation comportant une telle diode. |
FI20030460A0 (fi) * | 2003-03-28 | 2003-03-28 | Tero Soukka | Homogeeninen määritysmenetelmä, joka perustuu luminesenssienergiasiirtoon |
US8118732B2 (en) * | 2003-04-01 | 2012-02-21 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Force feedback control system for video endoscope |
US7274043B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-09-25 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting diode systems |
US7005679B2 (en) * | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US20060237636A1 (en) * | 2003-06-23 | 2006-10-26 | Advanced Optical Technologies, Llc | Integrating chamber LED lighting with pulse amplitude modulation to set color and/or intensity of output |
US7075225B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-07-11 | Tajul Arosh Baroky | White light emitting device |
US7088038B2 (en) * | 2003-07-02 | 2006-08-08 | Gelcore Llc | Green phosphor for general illumination applications |
US6864571B2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-03-08 | Gelcore Llc | Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking |
US7252787B2 (en) * | 2003-10-29 | 2007-08-07 | General Electric Company | Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics |
US7261730B2 (en) * | 2003-11-14 | 2007-08-28 | Lumerx, Inc. | Phototherapy device and system |
US7374807B2 (en) * | 2004-01-15 | 2008-05-20 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
WO2005086846A2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Ledeep, Llc | Phototherapy systems and methods |
US7075047B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature control apparatus |
US6990903B2 (en) * | 2004-04-21 | 2006-01-31 | Print-Lock Corporation | Kit for labeling valuables for their identification and method therefor |
US7252385B2 (en) * | 2004-05-11 | 2007-08-07 | Infocus Corporation | Projection LED cooling |
US7919325B2 (en) * | 2004-05-24 | 2011-04-05 | Authentix, Inc. | Method and apparatus for monitoring liquid for the presence of an additive |
US7553683B2 (en) * | 2004-06-09 | 2009-06-30 | Philips Lumiled Lighting Co., Llc | Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices |
US7037073B2 (en) * | 2004-07-16 | 2006-05-02 | Cooler Master Co., Ltd. | Cooling fan with a light-emitting device |
US7265488B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-09-04 | Avago Technologies General Ip Pte. Ltd | Light source with wavelength converting material |
US7180065B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-02-20 | Battelle Memorial Institute | Infra-red detector and method of making and using same |
KR101080355B1 (ko) * | 2004-10-18 | 2011-11-04 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드와 그 렌즈 |
DE102004062989A1 (de) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Beleuchtungseinrichtung mit mindestens einer Leuchtdiode und Fahrzeugscheinwerfer |
US7564180B2 (en) * | 2005-01-10 | 2009-07-21 | Cree, Inc. | Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors |
US7710531B2 (en) * | 2005-02-15 | 2010-05-04 | Denso Corporation | Liquid crystal display apparatus |
CN100590377C (zh) * | 2005-02-18 | 2010-02-17 | 阳傑科技股份有限公司 | 热管冷却系统及其热传递连接器 |
US7113663B1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-09-26 | Eastman Kodak Company | Visual display with electro-optical individual pixel addressing architecture |
US7272275B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-09-18 | Eastman Kodak Company | Polarized light emitting source with an electro-optical addressing architecture |
US7262439B2 (en) * | 2005-11-22 | 2007-08-28 | Lumination Llc | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications |
US7547123B2 (en) * | 2005-09-26 | 2009-06-16 | Advanced Illumination, Inc. | High efficiency, compact, modular forced air cooling system for high intensity LED light source |
WO2007053408A2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-10 | Cabot Corporation | Luminescent compositions, methods for making luminescent compositions and inks incorporating the same |
TWI417604B (zh) * | 2005-12-28 | 2013-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置 |
US7586125B2 (en) * | 2006-02-20 | 2009-09-08 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode package structure and fabricating method thereof |
US7829162B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-11-09 | international imagining materials, inc | Thermal transfer ribbon |
-
2007
- 2007-08-02 US US11/832,785 patent/US8297061B2/en active Active
-
2008
- 2008-08-02 EP EP08797079.4A patent/EP2176893B1/en active Active
- 2008-08-02 KR KR1020107002409A patent/KR101521312B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-08-02 CN CN200880101599.0A patent/CN101790800B/zh active Active
- 2008-08-02 JP JP2010519264A patent/JP5453262B2/ja active Active
- 2008-08-02 WO PCT/US2008/072042 patent/WO2009018558A2/en active Application Filing
-
2012
- 2012-10-17 US US13/654,281 patent/US20130049011A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999030220A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Gateway 2000, Inc. | Heat actuated display back light |
WO2007084640A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009018558A9 (en) | 2009-03-26 |
US8297061B2 (en) | 2012-10-30 |
CN101790800A (zh) | 2010-07-28 |
EP2176893A4 (en) | 2010-12-22 |
WO2009018558A3 (en) | 2009-05-07 |
KR101521312B1 (ko) | 2015-05-18 |
KR20100039387A (ko) | 2010-04-15 |
US20130049011A1 (en) | 2013-02-28 |
WO2009018558A2 (en) | 2009-02-05 |
EP2176893B1 (en) | 2016-01-27 |
EP2176893A2 (en) | 2010-04-21 |
JP5453262B2 (ja) | 2014-03-26 |
CN101790800B (zh) | 2014-01-22 |
US20090034201A1 (en) | 2009-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5453262B2 (ja) | アップコンバージョン発光媒体を有する光電子デバイス | |
EP1647766B1 (en) | Light emitting device package and back light unit for liquid crystal display using the same | |
US8159131B2 (en) | Light emitting device having a transparent thermally conductive layer | |
US8076833B2 (en) | Methods and apparatuses for enhancing heat dissipation from a light emitting device | |
Yue et al. | β‐SiAlON: Eu2+ phosphor‐in‐glass film: an efficient laser‐driven color converter for high‐brightness wide‐color‐gamut projection displays | |
EP2929573B1 (en) | A lighting unit and a luminaire | |
TWI603033B (zh) | 包含熱導體之發光模組、燈及燈具 | |
JP5556256B2 (ja) | 照明装置および投写型画像表示装置 | |
JP5675248B2 (ja) | 光源装置および照明装置 | |
KR100646198B1 (ko) | 엘이디 패키지의 열 방출 구조 및 그 구조를 구비한엘이디 패키지 | |
JP2006319103A (ja) | 発光ダイオードの冷却装置 | |
JP2012503335A (ja) | 照明モジュール用光学カップ | |
US11543577B2 (en) | Luminescent concentrator with CPC, light guide and additional phosphor | |
WO2020078790A1 (en) | Hld module with improved thermal performance | |
Yang et al. | YAG: Ce PiGF@ Alumina‐substrate in a reflection mode for high‐brightness laser‐driven projection display | |
JP6323253B2 (ja) | 蛍光光源装置 | |
Li et al. | Review of high power phosphor-converted light-emitting diodes | |
JPH10302540A (ja) | ランプの冷却機構を備えた装置及びランプの冷却方法 | |
JP2005302988A (ja) | 発光装置 | |
JP2006156160A (ja) | 有機elパネル | |
Huang et al. | A side-pumping package design for hybrid-quantum-dot light emitting diodes | |
WO2019107100A1 (ja) | 蛍光体部材及び光源装置 | |
CN218582924U (zh) | 一种荧光片 | |
CN213630088U (zh) | 一种光转换器散热结构 | |
JP2019015869A (ja) | 蛍光体部材及び光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100819 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100824 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130318 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130618 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5453262 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |