JP2010534280A - 銅粒子組成物の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】
【解決手段】本発明による銅粒子組成物の製造方法は、銅カルボキシル化合物またはカルボキシル基含有化合物と銅塩とを溶媒に溶解させて銅（ＩＩ）前駆体溶液を用意する段階と、前記銅（ＩＩ）前駆体溶液に標準還元電位が−０．２ないし−０．０５Ｖである弱還元剤を投入して、平均粒径が１ないし１００ｎｍであって粒径の標準偏差が０ないし１０％である複数のＣｕ2Ｏ超微粒子が相互凝集して形成され、その平均粒径が０．１ないし１０μｍであって粒径の標準偏差が０ないし４０％である球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を形成する段階と、前記球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を還元剤を用いて銅粒子に還元させる段階と、前段階の結果物から前記銅粒子を分離する段階と、を含む。本発明の製造方法によれば、空気雰囲気の常温でも比較的速く銅粒子を製造できるため経済的であり、製造された銅粒子は結晶性と耐酸化性が良好である。
【選択図】 図１１

Description

本発明は、銅配線の形成材料、銅接合材料などの電子材料に用いられる銅粒子組成物の製造方法に関し、より詳しくは、銅（ＩＩ）前駆体溶液から簡単に銅粒子組成物を製造する方法に関する。
銅粒子は電気伝導性が良く安価であるため、銅配線の形成材料、銅接合材料など電子材料に幅広く使用されている。具体的には、実装回路基板の配線及びビア埋立材料、実装回路基板の部品接合材料、フラットパネルディスプレイの電極材料、樹脂製品などの電子シールド材料などが挙げられる。
このような銅粒子は粒径が小さいため、スクリーン印刷法、ディスペンス法、インクジェット法、スプレー法などの多様な方法を用いて微細な配線を形成することができるという長所がある。
銅粒子を製造する方法としては、メカニカルグラインディング法、共沈法、噴霧法、ゾルーゲル法、電気分解法など多様な方法が提案されている。しかし、大半の銅粒子製造方法は製造工程が複雑であったり経済性が低いという問題点がある。
特許文献１は、ヒドラジン系還元剤を用いて銅（ＩＩ）前駆体を還元させることでＣｕ2Ｏ粒子を製造し、それを還元させて銅粒子組成物を製造する方法を開示している。しかし、このような強還元剤を用いてＣｕ2Ｏ粒子を製造する場合、急激な還元反応によって生成されたＣｕ2Ｏ粒子の大きさが急に大きくなり、Ｃｕ2Ｏ凝集体粒子の形状と大きさを制御し難いという短所がある。
一方、銅粒子は空気中でＣｕＯに酸化される傾向が強く、それにより電気伝導度が低下する。また、銅粒子の結晶性が不良な場合にも、電子の円滑な流れを妨害して伝導度が低下するという問題点がある。
韓国公開特許１０−２００５−８４０９９号公報
本発明は、空気雰囲気の常温でも比較的速く銅粒子を製造することができ、経済的な銅粒子組成物の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、結晶性と耐酸化性が良好な銅粒子組成物の製造方法を提供することを他の目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明の銅粒子組成物の製造方法は、
（ステップ１）下記化学式１で表される銅カルボキシル化合物または下記化学式２で表されるカルボキシル基含有化合物と銅塩とを溶媒に溶解させて銅（ＩＩ）前駆体溶液を用意する段階；
［化学式１］
（Ｒ1‐ＣＯＯ）2Ｃｕ
化学式１において、Ｒ1は炭素数が１ないし１８のアルキル基である。
［化学式２］
Ｒ1‐ＣＯＯＨ
化学式２において、Ｒ1は炭素数が１ないし１８のアルキル基である。
（ステップ２）前記銅（ＩＩ）前駆体溶液に標準還元電位が−０．２ないし−０．０５Ｖである弱還元剤を投入して、平均粒径が１ないし１００ｎｍであって粒径の標準偏差が０ないし１０％である複数のＣｕ2Ｏ超微粒子が相互凝集して形成され、その平均粒径が０．１ないし１０μｍであって粒径の標準偏差が０ないし４０％である球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を形成する段階；
（ステップ３）前記球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を還元剤を用いて銅粒子に還元させる段階；及び
（ステップ４）ステップ３の結果物から前記銅粒子を分離する段階を含む。
本発明の銅粒子組成物の製造方法において、前記弱還元剤としてはアスコルビン酸、ジオール化合物、クエン酸、フルクトース（ｆｒｕｃｔｏｓｅ）、アミン化合物、α‐ヒドロキシケトン（α‐ｈｙｄｒｏｘｙ ｋｅｔｏｎｅ）化合物、コハク酸、マルトース（ｍａｌｔｏｓｅ）などを使用することができる。
本発明の銅粒子組成物の製造方法において、ステップ１、ステップ２、またはこれら両方に界面活性剤がさらに添加でき、この界面活性剤は、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＨ及び−ＮＨからなる群より選択された少なくとも１つの官能基を持つ低分子、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン及びポリビニルアルコールからなる群より選択された高分子界面活性剤、並びにこれらの混合物が挙げられる。最も望ましい界面活性剤としてはポリアクリルアミドが挙げられる。
本発明の銅粒子組成物の製造方法において、ステップ２及びステップ３は５ないし４０℃で行うことができる。
本発明のＣｕ2Ｏ凝集体粒子の模式図である。 製造例１によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 製造例１によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子のＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。 製造例１によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子のＸＲＤ（Ｘ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析グラフである。 ＨＲＴＥＭ（Ｈｉｇｈ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて製造例１によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子の構造を分析した写真である。 製造例１によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子の端部のＴＥＭ写真である。 製造例１によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子をＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）で切断して撮影したＣｕ2Ｏ粒子の断面ＳＥＭ写真である。 製造例２によって製造されたＣｕ2Ｏ粒子のＳＥＭ写真である。 対照群によって製造された沈殿物の光学顕微鏡写真である。 対照群によって製造された沈殿物の一部を拡大した光学顕微鏡写真である。 製造例１で得たＣｕ2Ｏ凝集体粒子から実施例の銅粒子に変化する過程をそれぞれ撮影したＳＥＭ写真及びＸＲＤパターンである。 実施例の還元過程でＣｕ2Ｏ凝集体粒子と銅粒子とが混在された状態を撮影したＴＥＭ写真である。
以下、本発明について詳しく説明する。これに先立ち、本明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者自らは発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に即して本発明の技術的な思想に応ずる意味及び概念で解釈されねばならない。
本発明の球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子組成物は、次のような方法で製造することができる。
まず、下記化学式１で表される銅カルボキシル化合物または下記化学式２で表されるカルボキシル基含有化合物と銅塩とを溶媒に溶解させてＣｕ2Ｏ前駆体溶液を用意する（ステップ１）。
［化学式１］
（Ｒ1‐ＣＯＯ）2Ｃｕ
化学式１において、Ｒ1は炭素数が１ないし１８のアルキル基である。
［化学式２］
Ｒ1‐ＣＯＯＨ
化学式２において、Ｒ1は炭素数が１ないし１８のアルキル基である。
化学式１の銅カルボキシル化合物としては（ＣＨ3ＣＯＯ）2Ｃｕが挙げられ、化学式２のカルボキシル基含有化合物としてはＣＨ3ＣＯＯＨが挙げられる。また、銅塩としては硝酸銅、ハロゲン化銅、水酸化銅、硫酸銅などが挙げられ、これらをそれぞれ単独でまたはこれらのうち２種以上を混合して使用することができる。
また、溶媒としては、前述した銅カルボキシル化合物またはカルボキシル基含有化合物と銅塩とを溶解できる溶媒であって、弱還元剤を添加するとき、本発明によってＣｕ2Ｏ凝集体粒子を形成できる溶媒であれば全て使用可能であるが、例えば水、Ｃ1‐Ｃ6の低級アルコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、アセトニトリルなどをそれぞれ単独でまたはこれらを２種以上混合して使用することができる。望ましくは、水を含む溶媒を使用することができる。
次いで、用意したＣｕ2Ｏ前駆体溶液に標準還元電位が−０．２ないし−０．０５Ｖである弱還元剤を投入して、平均粒径が１ないし１００ｎｍであって粒径の標準偏差が０ないし１０％である複数のＣｕ2Ｏ超微粒子が相互凝集して形成され、その平均粒径が０．１ないし１０μｍであって粒径の標準偏差が０ないし４０％である球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を形成する（ステップ２）。
弱還元剤はステップ１で銅（ＩＩ）前駆体を溶媒に溶解させる前に先に投入することもでき、別の溶媒に弱還元剤を溶解させた後Ｃｕ2Ｏ前駆体溶液に投入することもできる。弱還元剤としては標準還元電位が−０．２ないし−０．０５Ｖである弱還元剤を使用する。標準還元電位が−０．２Ｖ未満であれば、還元速度が速過ぎて得られるＣｕ2Ｏ超微粒子の大きさがばらつくため、凝集体粒子を得ることができない。一方、標準還元電位が−０．０５Ｖを超過すれば、Ｃｕ2Ｏ超微粒子が形成されないか、あるいは、非常に形成が遅く、経済性が低下する。このような弱還元剤としては、アスコルビン酸、ジオール化合物、クエン酸、フルクトース（ｆｒｕｃｔｏｓｅ）、アミン化合物、α‐ヒドロキシケトン（α‐ｈｙｄｒｏｘｙ ｋｅｔｏｎｅ）化合物、コハク酸、マルトース（ｍａｌｔｏｓｅ）などをそれぞれ単独でまたはこれらのうち２種以上を混合して使用することができる。凝集体粒子及びＣｕ2Ｏ超微粒子の大きさは、溶媒の種類、界面活性剤の添加などの反応条件を変化させて調節することができる。
図１は、ステップ２により得られたＣｕ2Ｏ凝集体粒子の模式図である。図１を参照すれば、Ｃｕ2Ｏ凝集体粒子１０は複数のＣｕ2Ｏ超微粒子１が相互凝集して形成される。
Ｃｕ2Ｏ超微粒子１は平均粒径が１ないし１００ｎｍである。Ｃｕ2Ｏ超微粒子１の平均粒径が１ｎｍ未満であれば、粒子を形成すること自体が困難であり、１００ｎｍを超過すれば超微粒子特有の物性を発現させ難くなる。望ましい超微粒子１の平均粒径は１ないし１０ｎｍである。また、Ｃｕ2Ｏ超微粒子１の粒径の標準偏差は０ないし１０％であって、標準偏差が１０％を超過すれば均一な大きさと形状のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を形成し難い。
一方、Ｃｕ2Ｏ凝集体粒子１０は球形であって、その平均粒径は０．１ないし１０μｍ、望ましくは０．３ないし２μｍである。また、Ｃｕ2Ｏ凝集体粒子１０の粒径の標準偏差は０ないし４０％、望ましくは０ないし２０％である。このような範囲内で銅粒子への還元容易性を確保すると共に適切な大きさの銅粒子を持つ組成物を製造することができる。
本明細書において、球形とは各断面の縦横比が１である真の球体の外に、各断面の縦横比が２以下の楕円形球体も含む意味で定義される。
前述したステップ１及びステップ２を通じて凝集体粒子であるＣｕ2Ｏ球体が形成される過程を説明すれば、次のようである。
銅（ＩＩ）前駆体溶液内で、前記化学式１の銅カルボキシル化合物または前記化学式２で表されるカルボキシル基含有化合物と銅塩とは、銅イオンとＲ1‐ＣＯＯ-イオンを形成する。弱還元剤の添加により、銅イオンは所定速度で還元してＣｕ2Ｏ超微粒子に成長し、形成したＣｕ2Ｏ超微粒子の表面にはＲ1‐ＣＯＯ-イオンが配位結合する。このとき、Ｃｕ2Ｏ超微粒子の表面にはＣＯＯ-が位置し、疎水性部分であるＲ1は超微粒子の外部に配向される。これによってＣｕ2Ｏ超微粒子の外郭部は疎水性を呈し、親水性環境でこれらが相互凝集して球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子が形成される。
すなわち、球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子は、所定の標準還元電位を持つ弱還元剤を用いて銅（ＩＩ）前駆体溶液内の銅イオンを適切な速度で還元させて形成されたＣｕ2Ｏ超微粒子がＲ1‐ＣＯＯ-イオンによって凝集して形成される。
反面、特許文献１に開示されたように強還元剤であるヒドラジン系還元剤を用いてＣｕ2Ｏ前駆体を還元させる場合、還元反応が急速に起きて大きいＣｕ2Ｏ粒子が形成されるため、相互凝集が起きる前に沈殿されるなど凝集体ではない単なるＣｕ2Ｏ粒子で得られ、その形状と大きさもばらつくようになる。
また、特開２００６−９６６５５号公報に開示されたように、硫酸銅を弱還元剤で還元させてＣｕ2Ｏ粒子を製造する場合にも、形成されたＣｕ2Ｏ超微粒子を相互凝集させるＲ1‐ＣＯＯ-イオンがないので、単なるＣｕ2Ｏ粒子として得られる。
ステップ２において、溶液内の銅（ＩＩ）前駆体及び弱還元剤それぞれの濃度は１ｍＭないし５００ｍＭであることが望ましい。
その後、ステップ２で得られた球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を還元剤を用いて銅粒子に還元させる（ステップ３）。
すなわち、球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を前述したステップ１の溶媒に投入した後、そこに還元剤を添加して還元反応を行う。
還元剤としては、前述したＣｕ2Ｏ凝集体粒子を銅粒子に還元できるものであれば全て使用することができる。例えば、ＮａＢＨ4、ヒドラジン、アスコルビン酸、グルコース、エチレングリコールなどをそれぞれ単独でまたはこれらを２種以上混合して使用することができる。
一方、ステップ２で形成されるＣｕ2Ｏ凝集体粒子の大きさの均一性を向上させるため、または、ステップ３でＣｕ2Ｏ凝集体粒子を銅粒子に還元させることを補助するため、ステップ１またはステップ３を行うとき、それぞれ界面活性剤をさらに添加することができる。界面活性剤の種類及び使用量などによって凝集体粒子の大きさが調節でき、添加された界面活性剤は球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子の表面に被覆される形態で存在する。
界面活性剤としては、１つの分子内に親水性基と親油性基を共に持つ両親媒性物質であって、Ｃｕ2Ｏ粒子の製造に使用される通常の界面活性剤を使用することができる。例えば、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨなどの官能基を１つ以上持つ低分子界面活性剤、または、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールのような高分子界面活性剤を使用でき、これらをそれぞれ単独でまたはこれらのうち２種以上を混合して使用することができる。特に、界面活性剤としてポリアクリルアミドを使用すれば、得られるＣｕ2Ｏ凝集体粒子の形状と大きさが一層均一になり、粒径の標準偏差が０ないし２０％である球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を得ることができる。界面活性剤の濃度は、１０ｍＭないし１Ｍであることが望ましい。
前述したステップ２及びステップ３は、５ないし４０℃の穏やかな反応条件でも可能であり、空気中の常圧で比較的短時間で完了することができる。
ステップ３が終われば、遠心分離などの方法で溶液から銅粒子を分離し、銅粒子組成物を得る（ステップ４）。
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて詳しく説明する。しかし、本発明による実施例は多くの他の形態で変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施例は当業界で平均的な知識を持つ者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
［Ｃｕ2Ｏ凝集体粒子の製造］
［製造例１］
（ＣＨ3ＣＯＯ）2Ｃｕ・Ｈ2Ｏ ５０ｍｇとポリアクリルアミド２００ｍｇを蒸留水４．５ｍｌに溶解して第１溶液を用意し、アスコルビン酸２２ｍｇを蒸留水０．５ｍｌに溶解して第２溶液を用意した。室温、常圧、及び空気中で、用意した２つの溶液を混合して１０分間静置をした。次いで、２０００ｒｐｍで３分間遠心分離した後、上層の上澄み液を捨てて残った沈殿物を水２０ｍｌに再分散した後、遠心分離過程をさらに一回行ってＣｕ2Ｏ粒子を得た。
前記Ｃｕ2Ｏ粒子に対するＳＥＭ写真（図２）、ＴＥＭ写真（図３）、ＸＲＤ分析グラフ（図４）、ＨＲＴＥＭを用いてＣｕ2Ｏ粒子の構造を分析した写真（図５）、Ｃｕ2Ｏ粒子の端部のＴＥＭ写真（図６）、及びＦＩＢで切断して撮影したＣｕ2Ｏ粒子の断面ＳＥＭ写真（図７）を図面に示した。
図４のＸＲＤパターンに対するＳｃｈｅｒｒｅｒ ｅｑｕａｔｉｏｎ計算法によって得た結晶の大きさは４．４ｎｍであり、これは図６でＴＥＭを通じて確認できる〜５ｎｍの粒子大きさとも一致する。
形成された凝集体の大きさは、ＳＥＭイメージ（図２）を基にグラフィックソフトウェア（ＭＡＣ−Ｖｉｅｗ）を使用して２００個以上の粒子に対して測定し、得られた統計分布から平均大きさは５０４．７ｎｍ、標準偏差は９１．８（１８％）と計算された。
［製造例２］
ポリアクリルアミドを添加しないことを除き、製造例１と同様の方法でＣｕ2Ｏ粒子を製造した。図８のＳＥＭ写真を参照すれば、大きい凝集体が一部形成されているものの、比較的均一な大きさのＣｕ2Ｏ凝集体粒子である球体から形成されていることが分かる。平均大きさは７７７．２ｎｍ、標準偏差は３００．６（３９％）と計算された。
［対照群］
特許文献１の実施例１に記載された方法と同様に、下記のようにしてＣｕ2Ｏ粒子を製造した。
無水酢酸銅（ｃｏｐｐｅｒ ａｃｅｔｉｃ ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）８ｇに蒸留水７０ｍｌを添加した。２５℃で撹拌しながらヒドラジンと酢酸銅とのモル比が１：２になるように６４重量％のヒドラジン水化物２．６ｍｌを添加して反応させることでＣｕ2Ｏ粒子沈殿物を得た。
得られたＣｕ2Ｏ粒子沈殿物を光学顕微鏡で観察した結果、不規則な形状と大きさの混合物が観察された（図９及び図１０参照）。
［銅粒子組成物の製造］
［実施例］
製造例１で得られたＣｕ2Ｏ凝集体粒子３５ｍｇとポリアクリルアミド７５ｍｇを水４．５ｍｌに投入して第１溶液を用意し、アスコルビン酸３０ｍｇを蒸留水０．５ｍｌに溶解して第２溶液を用意した。室温、常圧、及び空気中で、用意した２つの溶液を混合して２時間静置した。次いで、２０００ｒｐｍで３分間遠心分離した後、上層の上澄み液を捨てて残った沈殿物を水２０ｍｌに再分散した後、遠心分離過程をさらに一回行ってＣｕ粒子を得た。
図１１は製造例１で得たＣｕ2Ｏ凝集体粒子から実施例の銅粒子に変化する過程をそれぞれ撮影したＳＥＭ写真及びＸ線回折パターンであり、図１２は還元過程でＣｕ2Ｏ凝集体粒子と銅粒子とが混在された状態（図１１の（ｂ）状態）を撮影したＴＥＭ写真である。図１１を参照すれば、本発明の製造方法によってＣｕ2Ｏ凝集体粒子（ａ）を還元させることでＣｕ2Ｏ凝集体粒子から銅粒子が徐々に形成され（ｂ）、還元反応が終われば銅粒子のみからなる組成物（ｃ）が製造されることが分かる。形成された銅粒子組成物に対するＸ線回折パターン（ｃ）を見ると、ピークがシャープであり、このことから形成された銅粒子の結晶性が良好であることが分かる。
一方、実施例で製造した銅粒子組成物を常温で２５日間空気中に放置した後、Ｘ線回折分析を行った結果、銅の回折ピークが変化していないことが確認された。このことから、本発明の製造方法によって形成された銅粒子の耐酸化性が良好であることが分かる。
本発明の製造方法によれば、均一性の優れた球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を使用するため、比較的速く銅粒子を製造することができて経済的であり、このような製造工程は空気雰囲気及び常温でも可能である。
また、製造された銅粒子は結晶性と耐酸化性が良好であり、電子材料として非常に有用である。

Claims (12)

  1. （ステップ１）下記化学式１で表される銅カルボキシル化合物または下記化学式２で表されるカルボキシル基含有化合物と銅塩とを溶媒に溶解させて銅（ＩＩ）前駆体溶液を用意する段階；
    ［化学式１］
    （Ｒ1‐ＣＯＯ）2Ｃｕ
    化学式１において、Ｒ1は炭素数が１ないし１８のアルキル基である。
    ［化学式２］
    Ｒ1‐ＣＯＯＨ
    化学式２において、Ｒ1は炭素数が１ないし１８のアルキル基である。
    （ステップ２）前記銅（ＩＩ）前駆体溶液に標準還元電位が−０．２ないし−０．０５Ｖである弱還元剤を投入して、平均粒径が１ないし１００ｎｍであって粒径の標準偏差が０ないし１０％である複数のＣｕ2Ｏ超微粒子が相互凝集して形成され、その平均粒径が０．１ないし１０μｍであって粒径の標準偏差が０ないし４０％である球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を形成する段階；
    （ステップ３）前記球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子を還元剤を用いて銅粒子に還元させる段階；
    （ステップ４）ステップ３の結果物から前記銅粒子を分離する段階を含む銅粒子組成物の製造方法。
  2. 前記銅カルボキシル化合物は（ＣＨ3ＣＯＯ）2Ｃｕであり、前記カルボキシル基含有化合物はＣＨ3ＣＯＯＨであることを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  3. 前記銅塩は、硝酸銅、ハロゲン化銅、水酸化銅、硫酸銅からなる群より選択されたいずれか１つまたはこれらのうち２種以上の混合物であることを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  4. 前記溶媒は、水、Ｃ1‐Ｃ6の低級アルコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン及びアセトニトリルからなる群より選択されたいずれか１つまたはこれらのうち２種以上の混合物であることを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  5. 前記溶媒は水を含むことを特徴とする請求項４に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  6. 前記弱還元剤は、アスコルビン酸、ジオール化合物、クエン酸、フルクトース、アミン化合物、α‐ヒドロキシケトン化合物、コハク酸、マルトースからなる群より選択されたいずれか１つまたはこれらのうち２種以上の混合物であることを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  7. 前記弱還元剤はアスコルビン酸であることを特徴とする請求項６に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  8. 前記ステップ１、ステップ２、またはこれら両方に界面活性剤をさらに添加することを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  9. 前記界面活性剤は、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＨ及び−ＮＨからなる群より選択された少なくとも１つの官能基を持つ低分子界面活性剤、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン及びポリビニルアルコールからなる群より選択されたいずれか１つの高分子界面活性剤、並びにこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする請求項８に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  10. 前記界面活性剤はポリアクリルアミドであり、前記球形のＣｕ2Ｏ凝集体粒子の粒径の標準偏差が０ないし２０％であることを特徴とする請求項９に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  11. 前記還元剤はＮａＢＨ4、ヒドラジン、アスコルビン酸、グルコース及びエチレングリコールからなる群より選択されたいずれか１つまたはこれらのうち２種以上の混合物であることを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
  12. 前記ステップ２及びステップ３は、５ないし４０℃で行われることを特徴とする請求項１に記載の銅粒子組成物の製造方法。
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