JP2010532548A - Sofcシステム用絶縁材 - Google Patents

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Abstract

発明は固体酸化物燃料電池に用いるための絶縁性組成材に向けられる。そのような組成材は、シール材損傷を防止し、電気的効率及びイオン効率を高めるために用いることができる。

Description

関連出願の説明
本出願は、2007年7月5日に出願された、米国仮特許出願第60/958409号への優先権を主張する。上記出願の明細書はその全体が本明細書に参照として含まれる。
本発明は固体酸化物燃料電池(SOFC)用絶縁材に関する。
SOFCシステムは一般に、単セル内で燃料を空気からの酸素と反応させることによってDC電力を発生する。複数のDCセルを直列または並列に電気的に接続することができ、通常は電圧を高めるために直列に接続する。燃料としてHを用い、酸化剤として空気からの酸素を用いるSOFCでは、400℃〜1000℃の温度において、それぞれのセルが約1.1〜1.2ボルトの開放電圧を発生することができ、セルあたり1.1〜0.5ワットの間の電力を発生できる。多数のセルを直列に接続すると、かなりの電圧を発生できる。
SOFC構造の1つでは1枚の電解質シート上に複数のセルが配置される。少なくとも1枚、通常は2枚の電解質シートがフレームにシールされ、燃料は電解質シートとフレームの内面の間を流れる。少なくとも1枚のシート(通常は複数のセルをもつ2枚の電解質シート)とフレームの組合せはパケットとして知られる。電解質上の異なる領域の間及び電解質シートと(接地されることもある)導電性パケットフレームの間にはかなりの電圧差が生じる。この電圧、例えば1枚の電解質シート上で直列に接続された16個のセルについては〜±18ボルトまでの開放電圧は、ガラスシール材の化学成分がSOFCシステムの動作温度において電場の下で移動する場合、ガラスシール材を電気化学的に劣化させ、破壊し得る。複セル電解質構造におけるシール材とフレームの間の電圧の符号、絶対値及び場所は、フレームが接地されているかまたは接地されていない(「フローティング」である)か、あるいはフレームの電位を定める(「ピンニング」する)ためにフレームが特定のセル及び特定の電極に接続されているか否かに依存する。
本発明において本明細書に見られるように、固体酸化物燃料電池金属コンポーネント上のプラズマスプレーアルミナ(PSA)コーティングはPSA層に機械的破壊がおこり得る。PSAコーティングのCTE不整合及び微細構造または微細構造における欠陥がコーティングの割れに重大な役割を果たし得る。[アルミン酸マグネシウムスピネル+マグネシア]コーティングはいくつかのガラスシール材と有害な態様で反応し得る。
本発明において本明細書で見られるように、シール材劣化及び電力損失/効率低下に加えて、SOFCシステムにおける迷走寄生電流またはイオン流は、特に単一電解質シート上複セル構造において、別の材料劣化反応をおこさせ得る。そのような複セルシステムにおいては、(バイアギャラリーと呼ばれる)セル間の、距離が1mmより短い、1つのセル上の燃料極と隣接する別のセルの接続されていない空気極の間の間隙にかけて約2.2〜2.4ボルトの電圧が存在し得る。迷走/寄生酸素イオン流または電流はこの1mmないしさらに短い間隙をわたって流れることができて、デバイスの電力出力を減じ、またこのイオン流または電流は様々な機構によって材料/構造劣化を引きおこし得る。
本発明において本明細書で見られるように、相互電気接続バイア近傍の「短絡」領域にともなう効率低下もある。いくつかのSOFC構造については、イオン伝導性電解質支持体(すなわち3YSZ)で囲まれた、空気極側から燃料極側に通る導電性素子−すなわち「バイア充填導電体」−の存在が、バイアに局在する小さな短絡、すなわち寄生電流を生じさせる。
本発明の課題はSOFC、特に複数のセルが直列接続されているSOFCに要求される、上記問題及びその他の欠点に対処する手段を提供することである。
上記要求及びその他の要求は本発明の絶縁材料技術によって満たされる。
一態様において、本発明はSOFCの特定の場所における絶縁材の使用に関する。別の態様において、本発明は特定の絶縁性組成材を利用する。本発明は、絶縁場所または絶縁性組成材の使用により、上述した問題の少なくとも一部または全てに対処する。導電性フレーム上の層、絶縁性フレーム、電解質内または電解質上の層及び絶縁領域のような、コンポーネント及びコンポーネントの部分領域に用いることができる。そのような絶縁性組成材は、SOFCシステムにおける、電気化学的シール材劣化、電力損失及び/または迷走/寄生電気反応及びイオン反応を防止するか、最小限に抑えるかまたは低減する。
第1の詳細な態様において、本発明は、空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、シール材、及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有し、絶縁性組成材が、バスバー及び/またはバイアパッドに近接し、及び/または電解質の部分領域に存在し、絶縁性組成材が空気極と電解質の間には実質的に配されていない、固体酸化物燃料電池を提供する。
第2の詳細な態様において、本発明は、空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、シール材、及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有し、絶縁性組成材が、バスバー及び/またはバイアパッドに近接し、及び/または電解質の部分領域に存在し、絶縁性組成材がジルコン酸ランタンまたはジルコン酸ストロンチウムではない、固体酸化物燃料電池を提供する。
別の詳細な態様において、本発明は、空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、シール材、及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有する固体酸化物燃料電池であって、絶縁性組成材が:
(i) パイロクロア(黄緑石)または歪パイロクロア、
(ii) ペロブスカイト、歪ペロブスカイト、ペロブスカイト超構造、または交互配置ペロブスカイト様構造、
(iii) ホタル石、歪ホタル石、類ホタル石、アニオン欠陥ホタル石、シーライト(灰重石)、フェルグソン石、またはホタル石関連ABO化合物、
(iv) スピネル、スピネル誘導体構造、または逆スピネル、
(v) 岩塩構造、
(vi) チタン鉄鉱、
(vii) 擬ブルッカイト(板チタン石)ABO
(viii)ReO様ブロックに基づく化学量論的構造、
(ix) ReO様ブロックに基づく青銅構造または正方晶青銅構造、
(x) ルチル、
(xi) ABのトリルチル結晶構造またはコルンブ石結晶構造、
(xii) 立方晶希土類(c-M)構造、または
(xiii)コランダム、
あるいはこれらの混合物またはこれらの固溶体、
の結晶構造タイプの、結晶構造族、超晶族、誘導体構造または超構造を有する1つ以上の絶縁性酸化物セラミックを含み、
絶縁性組成材がバスバー及び/またはバイアパッドに近接し、及び/または電解質の部分領域に存在する、
固体酸化物燃料電池を提供する。
別の詳細な態様において、本発明は、空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、フレーム、シール材、及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有する固体酸化物燃料電池であって、絶縁性組成材が:
(i) パイロクロアまたは歪パイロクロア、
(ii) ペロブスカイト、歪ペロブスカイト、ペロブスカイト超構造、または交互配置ペロブスカイト様構造、
(iii) ホタル石、歪ホタル石、類ホタル石、アニオン欠陥ホタル石、シーライト、フェルグソン石、またはホタル石関連ABO化合物、
(iv) チタン鉄鉱、
(v) 擬ブルッカイトABO
(vi) ReO様ブロックに基づく化学量論的構造、
(vii) ReO様ブロックに基づく青銅構造または正方晶青銅構造、
(viii)ルチル、
(ix) ABのトリルチル結晶構造またはコルンブ石結晶構造、または
(x) 立方晶希土類(c-M)構造、
あるいはこれらの混合物またはこれらの固溶体、
の結晶構造タイプの、結晶構造族、超晶族、誘導体構造または超構造を有する1つ以上の絶縁性酸化物セラミックを含み、
絶縁性組成材が固体酸化物燃料電池のフレームに近接する、
固体酸化物燃料電池を提供する。
別の詳細な態様において、本発明は本発明の固体酸化物燃料電池を少なくとも2つ有する燃料電池システムを提供する。
本発明のさらなる態様及び利点は、ある程度は、以下の詳細な説明、図面及び添付されるいずれかの特許請求項に述べられるであろうし、ある程度は、詳細な説明から導かれるであろうし、あるいは本発明の実施により習得され得る。以下に説明される利点は添付される特許請求の範囲で特に指摘される要素または組合せを用いて実現され、達成されるであろう。上述の全般的説明及び以下の詳細な説明が例示及び説明に過ぎず、開示されるままの本発明の限定ではないことは当然である。
図1は様々なパイロクロア(ジルコン酸希土類)及び8モル%のイットリアを含有するジルコニア(YSZ)の熱膨張係数を示す。 図2は、1バールの酸素またな10−3バールの酸素の雰囲気内で測定された、スズ酸希土類またはジルコン酸希土類(パイロクロア構造)についての電気比抵抗を温度の関数として示す。 図3は、歪ホタル石構造のZrO-Y(RETH)Nb(Ta)O-Y(RETH)についての、600℃における電気比抵抗を+3価カチオン対+5価カチオン比の関数として示す。 図4はZrO-〜25モル%YTaO-〜0.5モル%Taの熱膨張係数を示す。 図5は1300〜1600℃におけるZrO-YNb(Ta)O-Y(RETH)O3/2系の富ZrOコーナー領域における近似的相図を示す。 図6は、少量のNiOを含む正方晶ジルコニア電解質上の正方晶結晶構造(歪ホタル石)ジルコニア-タンタル酸イットリウム層を同定する、実施例1のX線回折掃引図を示す。 図7Aは実施例1の、正方晶ジルコニア電解質上の正方晶結晶構造(歪ホタル石)ジルコニア-タンタル酸イットリウム層の研磨断面のSEM写真を示す。 図7Bは実施例1の、正方晶ジルコニア電解質上の正方晶結晶構造(歪ホタル石)ジルコニア-タンタル酸イットリウム層の破断面のSEM写真を示す。 図8Aは実施例2の、正方晶ジルコニア電解質上のパイロクロア構造NdZr層を同定するX線回折掃引図を示す。 図8Bは、NdZrパイロクロア層を有し、実施例2で生成されるような反応生成物の薄い緻密層を有する、正方晶ジルコニア電解質の破断面のSEM写真を示す。 図9Aは本発明の一態様の電解質支持複セル構造の簡略な上面図を示す。 図9Bは図9Aの多セル構造の線A-Aに沿う側面図を示す。 図9Cは本発明の一態様の金属充填バイア電流路の拡大断面図である。 図9Dは本発明の一態様のバイアホールを示す電解質シートの上面図である。 図10は、図9Aの切断線A-Aに沿う、本発明の一態様の複セル構造の略図を示す。 図11は、図9Aの切断線B-Bに沿う、本発明の一態様の複セル構造の簡略な斜視図を示す。 図12Aは本発明の一態様の単一電解質上の複セル構造のためのバスバー、バイアパッド及び電極を示す略図である。 図12Bは本発明の一態様の複セル構造をもつ電解質上または電解質内に本発明の絶縁性セラミックを用いることができる領域/範囲または体積を示す略図である。 図13は本発明の一態様の複セルデバイスのバスバー及びバイアギャラリーの下に絶縁性コーティングまたは絶縁性体積/領域をもつ電解質の略図を示す。 図14は本発明の一態様のパケットの簡略な3D表示である。 図15Aは本発明の一態様の、活性領域を囲み、シール材と接触するように延び広がる絶縁性体積/領域をもつ電解質の簡略な上面図である。 図15Bは図15Aの電解質の簡略な側面図である。 図16Aは、本発明の一態様の、活性領域を囲むがシール材とは接触していない、絶縁性体積/領域をもつ電解質の簡略な上面図である。 図16Bは図16Aの電解質の簡略な側面図である。 図17は、本発明の一態様のSOFCシステムにおける、フレームとシール材の間のコーティングとして用いられている本発明の絶縁性セラミックの略図である。
本明細書に組み入れられて、本明細書の一部をなす、添付図面は以下に説明されるいくつかの態様を示す。図面を通して、同様の参照数字は同じ要素を表す。
本発明は、以下の詳細な説明及び実施例並びに添付される特許請求の範囲を参照し、また先の説明及び以降の説明を参照することで、さらに容易に理解され得る。しかし、現在の組成、物品、デバイス及び方法の開示及び説明の前に、そのようなものは当然変わり得るから、別に特記されない限り、開示される特定の組成、物品、デバイス及び方法に本発明が限定されないことは当然である。また、本明細書に用いられる術語は特定の態様を説明することだけが目的とされ、限定する目的はないことも当然である。
本発明の以下の説明は現在知られている実施形態において本発明を可能にする教示として提供される。この目的に対し、当業者であれば、本明細書に説明される本発明の様々な態様に多くの変更がなされ得るがそれでも本発明の有益な結果を得られることを認め、理解するであろう。本発明の望ましい恩恵の内のいくつかが本発明の特徴の内のいくつかを選択することにより、他の特徴は用いずに、得られることも明らかであろう。したがって、当業者であれば、本発明に多くの改変及び翻案が可能であり、いくつかの状況においては望ましくさえあり得るし、本発明の一部であることを認めるであろう。したがって、以下の説明は、本発明の限定ではなく、本発明の原理の説明として提供される。
開示される方法及び組成材のために用いることができ、それらとともに用いることができ、それらの準備に用いられることができ、あるいはそれらの製品である、材料、化合物、組成及びコンポーネントが開示される。上記及びその他の材料が本明細書に開示され、そのような材料の組合せ、部分集合、相互作用、群等が開示される場合、それらの化合物の様々な個別的及び総括的な組合せ及び置換のそれぞれへの特定の言及は明示的になされていないかもしれない場合であっても、それぞれが特定的に本明細書で考えられ、説明されていると理解される。すなわち、置換要素A,B及びCからなる族が開示され、置換要素D,E及びFからなる族並びに組合せ実施形態A-Dの例もともに開示されていれば、それぞれは個別的及び総括的に考えられる。すなわち、この例においては、組合せA-E,A-F,B-D,B-E,B-F,C-D,C-E及びC-Fのそれぞれも特定的に考えられ、A,B及びCとD,E及びF並びに組合せ例A-Dの開示により開示されていると見なされるべきである。同様に、これらのいかなる部分集合または組合せも特定的に考えられ、開示されている。すなわち、例えば、A-E,B-F及びC-Eからなる部分群が特定的に考えられ、A,B及びCとD,E及びF並びに組合せ例A-Dの開示により開示されていると見なされるべきである。この概念は、開示される組成の作成及び使用の方法における組成のいかなる成分及び工程も含むがこれらには限定されない、本開示の全ての態様に適用される。すなわち、実施することができる様々な付加工程があれば、そのような付加工程のそれぞれが開示される方法の実施形態のいずれか特定の実施形態または組合せとともに実施することができ、そのような組合せのそれぞれが特定的に考えられ、開示されていると見なされるべきであると、理解される。
本明細書及び添付される特許請求の範囲においては、多くの用語/術語が用いられ、それらは以下の意味を有すると定義される。
本明細書に用いられるように、単数形の冠詞‘a’,‘an’及び‘the’は、そうではないことが文脈で別に明白に規定されていない限り、複数の指示対象を含む。すなわち、例えば、「化合物」への言及は、そうではないことを文脈が明白に示していない限り、そのような化合物を2つ以上有する態様を含む。
「必要(状況)に応じる」または「必要(状況)に応じて」は、引き続いて記述されるイベントまたは状況がおこり得るかまたはおこり得ないことを意味し、そのイベントまたは状況がおこる例及びおこらない例をその記述が含むことを意味する。例えば、語句「必要に応じて置換されるコンポーネント」は、そのコンポーネントが置換され得るかまたは置換され得ないことを意味し、そのコンポーネントが置換されていないかまたは置換されている本発明のいずれの態様もその記述が含むことを意味する。
本明細書において、範囲は[「約」1つの特定値]から、及び/または[「約」別の特定値]までのように表され得る。範囲がそのように表される場合、別の態様はその1つの特定値から及び/またはその別の特定値までを含む。同様に、先行詞「約」の使用により値が近似値として表されていればその特定の値が別の態様をなすことは理解されるであろう。さらに、範囲のそれぞれの端点が、他方の端点との関係でも、他方の端点とは独立にも、有意であることが理解されるであろう。
本明細書に用いられるように、ある成分の「重量%」または「重量パーセント」あるいは「重量による百分率」は、そうではないことが特に言明されない限り、その成分が含まれている組成の総重量に対するその成分重量の、百分率として表される、比率を指す。
本明細書に用いられるように、ある成分の「モルパーセント」または「モル%」は、そうではないことが特に言明されない限り、その成分が含まれている組成の総モル数に対するその成分のモル数の、百分率として表される、比率を指す。
Reはレニウムである。
RETHは、本明細書において、本明細書ではY及びScを含む(ランタニドとしても知られる)希土類元素であると定義される。
上で簡略に紹介したように、本発明は、特定の場所にまたは特定の組成の、絶縁材料を有するSODCデバイスを提供する。本発明はこれまで未知及び/または不認識であった薄膜アルミナにともなう問題を克服する。本発明の絶縁性組成材は低い電気伝導度及びイオン伝導度を有し、ジルコニア電解質またはフレームにほぼ整合する(または少なくともアルミナより良く整合する)熱膨張係数も有する。本発明の材料は電解質上に焼結させるかまたは電解質と反応させて電気的及びイオン的に絶縁性の層または領域を形成することもできる。
本発明の絶縁性組成材の空気極との接触は考えられていない。しかし、印刷プロセスによる不本意な重なりにより、いくらかの絶縁材が、空気極の上または下で、空気極と接触することはあり得る。本発明は、語句「空気極と電解質の間に実質的に配されていない」により、この空気極との不本意な重なりを含めることにしている。様々なそのような態様において、バスバー及び/またはバイアパッドに近接する絶縁性組成材の、少なくとも50重量%、少なくとも60重量%、少なくとも70重量%、少なくとも80重量%、少なくとも90重量%、少なくとも95重量%、少なくとも98重量%または少なくとも99重量%は、空気極と電解質の間に配されることはない。
一態様において、本発明の絶縁性組成材はジルコン酸ランタンまたはジルコン酸ストロンチウムではない。別の態様において、絶縁性組成材はジルコン酸希土類またはジルコン酸アルカリ土類ではない。また別の態様において、絶縁性組成材は1つ以上の絶縁性酸化物セラミックを含む。一態様において、絶縁性組成材の融点は少なくとも700℃である。
一態様において、絶縁性組成材は:
(i) パイロクロア(黄緑石)または歪パイロクロア、
(ii) ペロブスカイト、歪ペロブスカイト、ペロブスカイト超構造、または交互配置ペロブスカイト様構造、
(iii) ホタル石、歪ホタル石、類ホタル石、アニオン欠陥ホタル石、シーライト(灰重石)、フェルグソン石、またはホタル石関連ABO化合物、
(iv) スピネル、スピネル誘導体構造、または逆スピネル、
(v) 岩塩構造、
(vi) チタン鉄鉱、
(vii) 擬ブルッカイト(板チタン石)ABO
(viii)ReO様ブロックに基づく化学量論的構造、例えば、ReO,TiNbまたはTiNb1029
(ix) ReO様ブロックに基づく青銅構造または正方晶青銅構造、
(x) ルチル、
(xi) ABのトリルチル結晶構造またはコルンブ石結晶構造、
(xii) 立方晶希土類(c-M)構造、または
(xiii)コランダム、
あるいはこれらの混合物またはこれらの固溶体、
の結晶構造タイプの、結晶構造族、超晶族、誘導体構造または超構造を有する1つ以上の絶縁性酸化物セラミックを含む。
上記の別の態様において、絶縁性酸化物セラミックは、
(i)
(1)価数がA3+ 4+ のA,ここで
3+は、Sc,Y,La,Nd,Eu,Gd,または
その他の+3価ランタニド,及び
4+は、Zr,Ti,Hf,またはSn,
あるいは
(2)価数がA2+ 5+ のA,ここで
2+は、Ca,Sr,Zn,またはBa,
5+は、Nb,Ta,またはV,
の化学式にしたがうパイロクロア結晶構造または歪パイロクロア結晶構造;
(ii) 化学式ABOにしたがい:
(1)価数がA2+4+,ここで
2+は、Mg,Ca,Sr,またはBa,及び
4+は、Ti,Zr,Hf,またはSn,
例えば、CaTiO
(2)価数がA3+3+,ここで
3+は、Sc,Y,La,またはその他の+3価ランタニド,及び
3+は、Al,Ga,Cr,Sc,V,またはY,
例えば、菱面体晶ペロブスカイトLaAlO
あるいは
(3)価数がA2+(B3+ 0.55+ 0.5)O,ここで
2+は、Ca,Sr,またはBa,
3+は、Al,Cr,Ga,Sc,Y,La,Ce,または
その他の+3価ランタニド,
5+は、V,Nb,Ta,またはSb,
例えば、Ca(La0.5Ta0.5)O
(4)価数がA2+(B2+ 0.335+ 0.67)O,ここで
2+は、Ca,Sr,またはBa,
2+は、Mg,Ca,Cd,Ni,またはZn,
5+は、Nb,Ta,またはSb,
例えば、Ba(Ca0.33Nb0.67)O,または
Ba(Sr0.33Ta0.67)O
(5)価数がA2+(B2+ 0.56+ 0.5)O,ここで
2+は、Ca,Sr,またはBa,
2+は、Mg,Ca,Sr,Ba,Cd,Ni,またはZn,
6+は、Mo,W,またはRe,
例えば、Ba(Sr0.50.5)O
(6)価数がA3+ 0.335+,ここで
3+は、Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,
またはEr,
5+は、NbまたはTa,
例えば、La0.33TaO
あるいは
(7)価数がA3+(B2+ 0.54+ 0.5)O,ここで
3+は、La,またはランタニド,
2+は、Mg,及び
4+は、Ti,
例えば、La(Mg0.5Ti0.5)OまたはNd(Mg0.5Ti0.5)O
交互配置Bi
例えば、BiNbTiO,BiTi12
またはBaBiTi15
あるいは
ペロブスカイト様構造、
のペロブスカイト、歪ペロブスカイト結晶構造、ペロブスカイト超構造;
(iii)
(1)A1−x−yのホタル石または歪ホタル石,ここで
Aは、Zr,HfまたはCe,
Bは、Mg,Ca,Y,Scまたは希土類,
Cは、V,NbまたはTa,であり
x<1,y<1,x+y<1,であって、
zはB及びCの価数に依存し、
Bが+2価であれば、z=2+0.5y−x,及び
Bが+3価であれば、z=2+0.5y−0.5x,
(2)A1−x−yの類ホタル石化合物,ここで
Aは、Zr,HfまたはCe,
Bは、MgまたはCa,及び
Cは、WまたはMo,であり
x<1,y<1,x+y<1,z=2+y−x,
(3)ABOのシーライト型構造,ここで
AはMgまたはCa,
BはWまたはMo,
(4)MIIINbO,MIIITaOまたはMIIIVO,ここで
IIIは、+3価の金属,
または、化学式がABO,ここで
Aは、Yまたは希土類,及び
Bは、Nb,TaまたはV,
のフェルグソン石型構造,
(5)アニオン欠陥ホタル石,
あるいは
(6)価数がA2+6+またはA3+5+のホタル石関連ABO化合物,ここで
2+は、CaまたはBa,
6+は、Cr,
3+は、Cr,及び
5+は、Nb;
(iv)
(1)ABのスピネル構造またはスピネル誘導体構造,ここで
Aは、Ma,Ni,Zn,Co,FeまたはMn,及び
Bは、Al,Ga,CrまたはFe,
(2)A3251,ここで
Aは、Ca,BaまたはSr,及び
Bは、Al,
(3)ABOの逆スピネル,ここで
Aは、MgまたはZn,及び
Bは、TiまたはSn;
(v) 岩塩構造AO,ここで
Aは、Mg,Ca,Sr,BaまたはNi;
(vi) 化学式がABOのチタン鉄鉱,ここで
Aは、Ni,Co,MnまたはFe,及び
Bは、Ti,
例えば、FeTiO
あるいは、ゲーキーライト,ここで
Aは、Mg,及び
Bは、Ti,
例えば、MgTiO
(vii) 化学式がABOの擬ブルッカイト結晶構造,ここで
Aは、AlまたはFe,及び
Bは、Ti,
例えば、AlTiO
(viii)ReO様ブロックに基づく正方晶青銅構造,
例えば、化学量論的青銅ReO,TiNbまたは
TiNb1029
あるいは、Nb-WO混晶,
例えば、WNbまたはNb12WO63
(ix) 価数がA2+5+ の正方晶青銅構造,ここで
2+は、SrまたはBa,及び
5+は、NbまたはTa,
例えば、BaNb及びSrNb
あるいは、超構造A2+ 5+ 1030,A2+ 4+ 5+ 30
例えば、BaTiNb30,CaSrTiNb30または
BaTiTa30
または、A2+ 3+4+ 5+ 30,ここで
2+は、Ca,SrまたはBa,
3+は、Laまたはランタニド,
4+は、Ti,及び
5+は、NbまたはTa,
例えば、SrLaTiNb30
(x) AOのルチル構造,ここで
Aは、Ti,SnまたはMn;
(xi) ABのトリルチル結晶構造,ここで
Aは、Mg,CrまたはV,及び
Bは、Ta,WまたはSb,
例えば、MgTa,CrW,MgSb
または、例えばCaTaのような、トリルチルの化学量論性をもつ
その他の連鎖構造;
(xii) 立方晶希土類(c-M)構造のA,ここで
Aは、Yまたは希土類;
あるいは
(xiii)A,ここで
Aは、Al,GaまたはCr,
または、ABO,ここで
Aは、Ni,
Bは、Cra,
のコランダム構造;
あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体;
の内の1つ以上を含む。
上記のまた別の態様において、絶縁性酸化物セラミックは:
(i) LaZr,YZr,NdZr,GdZr
ErZr,LaHf,YHf,NdHf
GdHf,ErHf,LaSn,YSn
NdSn,GdSnまたはErSn,の
パイロクロア結晶構造または歪パイロクロア結晶構造;
(ii) SrZrO,BaZrO,SrHfO,BaHfO
SrSnO,BaSnOまたはSrTiO,の
ペロブスカイト及び歪ペロブスカイト結晶構造、ペロブスカイト超構造
または交互配置ペロブスカイト様構造;
(iii) A1−x−yのホタル石、歪ホタル石,ここで
Aは、Zr,HfまたはCe,
Bは、Mg,Ca,Y,Scまたは希土類,及び
Cは、V,NbまたはTa,であり
x<1,y<1,x+y<1,y/x>0.5,であって、
zはB及びCの価数に依存し、
Bが+2価であれば、z=2+0.5y−x,及び
Bが+3価であれば、z=2+0.5y−0.5x;
1−x−yの類ホタル石化合物,ここで
Aは、Zr,HfまたはCe,
Bは、MgまたはCa,及び
Cは、WまたはMo,であり
x<1,y<1,x+y<1,y/x>0.5,z=2+y−x;
ABOのシーライト型構造,ここで
Aは、MgまたはCa,及び
Bは、WまたはMo;
IIINbO,MIIITaOまたはMIIIVO,あるいは
化学式がABO,ここで
Aは、Yまたは希土類,及び
Bは、Nb,TaまたはV,
のフェルグソン石構造;
(iv) MgAl,ZnAl,MnAl,CoAl,の
スピネルまたはスピネル誘導体構造;
(v) MgO,CaO,SrOまたはNaO,の
岩塩構造;
(vi) AOのルチル構造,ここで
Aは、TiまたはSn;
あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体;
の内の1つ以上を含む。
一般に、フレームに近接する絶縁性化合物は、スピネル、スピネル誘導体構造、逆スピネル、岩塩構造またはコランダムを除く、上に挙げた組成材のいずれかである。
一態様において、絶縁性酸化物セラミックはイットリア安定化ジルコニアまたはジルコン酸ランタンではない。別の態様において、絶縁性セラミックはパイロクロアまたは歪パイロクロアではない。
別の態様において、パイロクロア族には、NdZr,GdZr,EuZr,YZr,YSn,Nd(RETH)及びこれらの組成材の固溶体が含まれる。NdZr及び、少なくとも、Gd及びEuのようなRETHは、注目する範囲の熱膨張を有し(図1参照)、その他のジルコン酸RETH希土類カチオン及びスズ酸RETH希土類カチオン並びに(La,Y及びScを含む)これらの固溶体も有用な熱膨張係数を有する。図1において、‘○’はYSZを表し、‘□’はジルコン酸ネオジムを表し、‘☆’はジルコン酸ガドリニウムを表し、‘+’はジルコン酸ランタンを表し、‘▽’はジルコン酸ユーロピウムを表す。図2は、これらの化合物に見ることができる、高い電気伝導度及びイオン伝導度を示す。図2において、‘●’は10−3バールの酸素に対応し、‘○’は1バールの酸素に対応する。
別の態様において、パイロクロアはMTiであり、ここで、MはSc,Y,La及び、Pmを除く、全てのランタニドである。
ペロブスカイト及び歪ペロブスカイト結晶構造並びにペロブスカイト超構造という術語は、エイ・エフ・ウエルズ(A. F. Wells)著,「無機化学構造論(Structural Inorganic Chemistry)」,(オクスフォード(Oxford)),第4版,クラードン・プレス(Clardon Press),1975年,p.486による。本発明に用いるための、ペロブスカイト及び歪ペロブスカイト結晶構造並びにペロブスカイト組成超構造、及びそのような組成材とその他の組成材の合成は、上に挙げたウエルズの「無機化学構造論」及び、フランシス・エス・ガラッソ(Francis S. Galasso)著,「ペロブスカイト型化合物の構造、特性及び作成(Structure, Properties, and Preparation of Perovskite Type Compounds)」,パーガモン・プレス(Pergamon Press),1969年に見ることができる。上記2つの参考文献はそれぞれの全体が本参照により、またそのような組成材のそれぞれの教示について、本明細書に参照として含まれる。
いくつかのペロブスカイトは高膨張を有するが、ほとんどは室温近傍における電子回路のコンデンサでの使用のためにそれぞれの誘電特性について調べられている。一態様において、それらは、Ba(Sr)Zr(Hf)OまたはBa(Sr){Mg1/3Ta(Nb)2/3}Oである。Ba,Sr,Mg,Zr,Hf及びTaの酸化物は容易には還元されず、したがって穏和な還元性環境においても、高温で高い電気比抵抗が達成される。
別の態様において、BaTiO,SrTiO,BiTi12またはAlTiOに基づくペロブスカイト組成族が含まれる。BiTi12は、蒸着膜について、10〜1012Ω-cmより高い室温比抵抗を有することができる。酸化チタン含有組成材については、また酸化ビスマス含有組成材については特に、材料は酸化チタン/酸化ビスマスの還元を避けるため、燃料電池の空気極側で用いられることが好ましくなり得る。チタン酸アルミニウム(AlTiO)は極めて非等方性の熱膨張係数を有し、粒径が大きいと激しいマイクロクラックが生じ得る。熱膨張係数が非等方性のペロブスカイト、歪ペロブスカイト及び歪パイロクロアでは、粒径を小さく保つ、蒸着法及び焼結法が好ましい。強い非等方性熱膨張係数をもつ材料では、粒径は5μm未満であることが好ましく、1μm未満であることがさらに好ましい。
一態様において、ホタル石結晶構造及び歪ホタル石結晶構造(正方晶構造)が特に注目される。ホタル石/歪ホタル石結晶構造をもつジルコニアベース及びハフニアベースの材料は、酸素空孔濃度を非常に低くして作成することができる。低空孔濃度により、電気伝導は高くせずに、酸素イオン伝導が非常に大きく低められる。これを達成するための方法の1つは、ジルコニア(またはハフニア)及びY(RETH)TaO及び/またはY(RETH)NbOを用いて、正方晶相及び正方晶プライム相(若干歪んだホタル石結晶構造)をもつセラミック固溶体及び合金を形成することである。これらの相は非常に低い酸素イオン伝導度及び低い電気伝導度を有し、同時に、ジルコニア(ハフニア)ベース材料の比較的高い熱膨張係数を維持する。
図3は総伝導度を[M5+カチオン+2×M6+カチオン]/[M3+カチオン+2×M2+カチオン]のモル比の関数として示す。またこれらの材料の熱膨張係数は、データが800℃〜1000℃に外挿されている、図4に示されるように9×10−6/℃〜15×10−6/℃の範囲内にある。これらのホタル石系では、CaWO,MgMoOとの合金化、並びにその他の、Ca,Mg,W,Mo,V,Sc,Y及びReのような+2価,+6価及び+3価,+5価のカチオン、及びTiO,SnO及びCeOのような+4価のカチオンの組合せ及び置換が有用であり得る。目標は、酸素空孔を最小限に抑え、なおも単斜晶相への転移を、正方晶層から単斜相への転移は通常、層またはコーティングの絶縁能力を弱めるであろうクラックの発生を含むから、回避することである。この相転移は体積膨張により実効熱膨張係数も低める。コーティングまたは層が極めて還元性の雰囲気(すなわち生燃料)にさらされる状況においては、上に挙げられたような価数可変のいずれのカチオンにかかる還元効果も測定して、合金/化合物が還元によりイオン伝導体または電子伝導体にはなっていないことを保証するべきである。
図5はZrO(HfO)-Y(RETH)Nb(Ta)O-Y(RETH)系(ここでRETHは、Y及びScを含む、カチオン形態の希土類元素である)の、X線回折、(小数の組成材については)電子線回折、目視、光学顕微鏡、SEM及びTEMによる観察をともなう、室温靱性測定に基づく1400〜1500℃における近似的相図を示す。電気絶縁及びイオン絶縁の目的のためのこの系での好ましい組成は、0.5より大きく、好ましくは0.8より大きく、さらに好ましくは0.9より大きく、最も好ましくは1.0ないしさらに大きい、[+5価カチオン]対[+3価カチオン]の原子比を有する、ZrO-YTa(Nb)O結合軸に沿うかまたはその近くの組成である。この組成範囲では、いずれも歪ホタル石構造の、正方晶プライム相及び正方晶相が主要な結晶構造である。合金が+6価及び+2価のカチオンを同様に含有している場合、この比は[2×(+6価カチオン原子%)+(+5価カチオン原子%)]/[2×(+2価カチオン原子%)+(+3価カチオン原子%)]である。マイクロクラッキングを生じさせずに最大の靱性を達成することが望ましい。図5において、‘●’はマイクロクラック発生系に対応し、‘○’は無マイクロクラック系に対応する。文字‘A’〜‘L’はそれぞれ2〜17の破壊靱性に対応し、破壊靱性(K1C)の数値は与えられた組成に対して最も近い整数に丸められ、単位はMPa・m1/2である。図5の様々な陰影領域は1300〜1600℃における焼結後の室温における系(ZrO-YNbO-YO3/2)の相を示す。記号Iは材料が焼結後は正方晶であり、室温までの冷却において単斜晶に転換することを示し、記号IIは材料が室温において正方晶であることを示し、記号IIIは材料が室温において正方晶と立方晶の混晶であることを示し、記号IVは材料が室温において基本的に立方晶であることを示す。
本発明は、様々な態様において熱膨張係数が8×10−6〜16×10−6/℃,9.0×10−6〜15×10−6/℃または9.5×10−6〜14.5×10−6/℃の、絶縁性ホタル石(歪ホタル石)結晶構造含有化合物を含む。別の態様において、比抵抗が100Ω-cmより高い絶縁性ホタル石(歪ホタル石)含有組成材が、比抵抗が1000Ω-cmより高く、さらには比抵抗が10000Ω-cmよりも高い絶縁性ホタル石(歪ホタル石)含有組成材とともに用いられる。別の態様において、ホタル石の主相は正方晶または正方晶プライム(転移不能正方晶)である。
別の特定の実施形態において、本発明の組成材の例は、Nd(RETH)Zr,Nd(RETH)Sn,Ba(Sr)Zr(Hf)O,Ba(Sr){Mg1/3Ta(Nb)2/3}O,BaTiO,BiTi12,チタン酸アルミニウム及びZr(Hf)O-Y(RETH)Ta(Nb)O組成族である。
別の態様において、絶縁性酸化物セラミックには、RETHZr,RETHSn,Ba(Sr)Zr(Hf)O,Ba(Sr){Mg1/3Ta(Nb)2/3}O,Ba(Sr)TiO,BiTi12,AlTiO,またはRETH(MgまたはCa)Ta(Nb)Oを含むZrO-HfOが含まれる。別の態様において、絶縁性酸化物セラミックには、Nd(RETH)Zr,Nd(RETH)Sn,Ba(Sr)Zr(Hf)O,Ba(Sr){Mg1/3Ta(Nb)2/3}O,BaTiO,SrTiO,BiTi12,AlTiO,Zr(Hf)O-Y(RETH)Ta(Nb)O,LaZr,NdZr,GdZr,EuZr,YZr,またはYSnが含まれる。ここで、RETHはY及びScを含む希土類カチオンである。
別の態様において、絶縁性組成材にはNd(RETH)Zr及びZr(Hf)O-Y(RETH)Ta(Nb)O組成族を含めることができる。ここで、RETHはY及びScを含む希土類カチオンを表す。
別の態様において、絶縁性組成材には、RETHZr,RETHSn,またはこれらの混合物を含めることができる。別の態様において、絶縁性組成材にはRETH(MgまたはCa)Ta(Nb)Oを含むZrO-HfOを含めることができる。別の態様において、絶縁性組成材にはBa(Sr)Zr(Hf)OまたはBa(Sr){Mg1/3Ta(Nb)2/3}Oを含めることができる。
別の態様において、規則的アニオン欠陥ホタル石はZrSc13とすることができる。
本発明の絶縁性組成材は、アルミナ及びアルミン酸マグネシウムスピネルのような、周知の高温絶縁体と、本発明の絶縁性組成材の体積分率を、例えば約25体積%〜約95体積%、または約45体積%〜約95体積%として、組み合わせて、熱膨張係数(CTE)を高めてフレームのCTEとさらによく整合させ、しかも複合材料の絶縁特性は維持することができる。
アルミナのような第2の相は、結晶粒成長抑制剤または靱性増強剤として、主要相がホタル石結晶構造であるセラミックに用いられることが多い。主要相がパイロクロア及びペロブスカイトであるいくつかの組成材に対し、アルミナ及びその他の酸化物を結晶粒成長抑制剤または靱性増強剤として用いることができる。一実施形態において、5体積%までの第2の相の酸化物絶縁性相が用いられる。
一実施形態において、本発明の絶縁性組成材は室温〜1000℃の温度範囲で8.0〜16.0×10−6/℃、別の態様では9×10−6〜15.0×10−6/℃、また別の態様では9.5×10−6〜14.5×10−6/℃、の熱膨張係数を有することができる。絶縁性組成材は電子伝導及びイオン伝導のいずれをも制限することができる。本発明の絶縁材系は、少なくとも空気中で、別の実施形態では空気中及び還元性環境のいずれにおいても、約500〜1000℃の温度において、低電子伝導及び低イオン伝導を有することができる。
様々な態様において、本発明の絶縁性組成材は、少なくとも10Ω-cm、少なくとも100Ω-cm、少なくとも1000Ω-cm、または少なくとも10000Ω-cmの比抵抗を有する。様々な態様において、絶縁性組成材は、少なくとも10Ω-cm、少なくとも100Ω-cm、少なくとも1000Ω-cm、または少なくとも10000Ω-cmの面積比抵抗を有する。そのような比抵抗は、酸素活性が高い環境及びやや還元性の環境のいずれにおいても見ることができる。
本発明の組成材は市販されており、あるいは容易に合成される。合成全般については、例えば、エイ・エフ・ウエルズ著,「無機化学構造論」,(オクスフォード),第4版,クラードン・プレス,1975年及びフランシス・エス・ガラッソ著,「ペロブスカイト型化合物の構造、特性及び作成」,パーガモン・プレス,1969年、を参照されたい。
絶縁性酸化物の使用及び材料がいかに用いられるかの形状寸法によって解決されるべき問題に依存して、層または領域の線抵抗または面積抵抗が設計において考慮されるべき要件になり得る。例えば、導電性フレーム上の薄層はシール材劣化を防止するために10000Ω-cmより高い面積比抵抗を有する必要があり得るが、電力損失を防止するために用いられる、コーティングとしてまたは電解質内絶縁領域としての絶縁体には約10Ω-cmの比抵抗または10Ω-cmの面積比抵抗しか必要とされないであろう。電解質シート上のセルを電気的及びイオン的に分離する電解質シート領域は、電力損失防止用には低抵抗を有し得るが、電流を防止し、いくつかの市販SOFCシステムの推定動作時間長である、数千時間からおそらくは数万時間の、長時間にかけてのシール材劣化を防止するためには高抵抗が必要になり得る。
[絶縁材料の寸法]×[材料の比抵抗]から長さまたは面積あたりの抵抗が得られる。シール材劣化の防止のためには、いくつかの態様において、10000Ω-cmの抵抗が望ましいであろう。下表Iは、比抵抗と厚さをどのように組み合わせれば10Ω-cmより大きい面積抵抗(*)及び10000Ω-cmより大きい面積抵抗(**)が得られるかを示す。表の‘*’は本発明のいくつかの態様への使用に依存する許容範囲を示す。許容範囲はそれぞれの使用に対して異なり、金属へのコーティングで最も厳格になる。電力損失の低減には、100μmのオーダーの比較的薄いコーティング及び動作温度における比抵抗が1000Ω-cmの材料を用いることができる(‘*’が付された組合せを見よ)。さらに厳格なシール材劣化低減目標には、さらに厚いコーティング及び/またはさらに抵抗の高い材料を用いる必要がある(‘**’が付された組合せを見よ)。これらの態様に対する例については図17を参照されたい。
電力損失またはシール材に対する材料劣化を防止するために、電解質の厚さにかけて絶縁性酸化物を用いる場合には、電解質の若干の厚さにより、広範な材料比抵抗を用いることができる。この例については図15A及びB並びに図16A及びBを参照されたい。下表IIはセル/バイアパッドとセルの間で適切な長さスケールにおいて予期される線抵抗を示す。下表IIIはセルとシール材の間の電解質領域のストリート幅に対して適切な、より大きな長さスケールにおいて予期される線抵抗を示す。表II及び表IIIにおける計算の目的のため、電解質(及び絶縁性領域)の厚さは20μmとした。表II及びIIIについて、‘*’は10Ω-cmないしさらに高い比抵抗を表し、‘**’は10000Ω-cmないしさらに高い比抵抗を表す。
複セルデバイスにおける電極間の電力損失を防止するには、約10Ω-cmほどの抵抗で十分であり得る。この態様については、例えば、図13を参照されたい。表IIIはこの抵抗を達成するための、比抵抗、厚さ及び離隔距離の組合せを示す。電力損失またはシール材劣化を防止するために本発明の材料が厚さにかけて用いられる場合には、比抵抗が低い材料を用いることができる。厚さが1〜25μmでしかない電解質上のコーティングに対して、特に下表IVに示されるような10000Ω-cm規準に対しては、高比抵抗材料が望ましい。下表IVは、比抵抗と厚さをどのように組み合わせれば10Ω-cm以上の面積比抵抗(*)、さらには10000Ω-cm以上の面積抵抗(**)が得られるかを示す。バイア領域短絡にともなう電力損失/効率低下の低減には、約10Ω-cm以上の抵抗層で問題が本質的に排除されるであろう。そのような層はそれぞれのバイアパッドの下に容易に組み込むことができる。そのような印刷パターンの一例が図12Bに示される。
バイアパッドまたはバスバーの下あるいはバイアギャラリー内に対し、厚さは、一態様においては0.1μm〜100μm、別の態様においては1〜10μmである。フレームコーティングに対し、厚さは、一態様においては1〜1000μm、別の態様においては10〜100μmである。電解質の厚さにかけての絶縁性酸化物による電力損失防止に対し、拡散領域の幅(経路長)は、一態様においては0.05〜5cm、別の態様においては0.2〜1cmである。
Figure 2010532548
Figure 2010532548
Figure 2010532548
Figure 2010532548
一態様において、本発明の絶縁性組成材はバスバー及び/またはバイアパッドに近接している。別の態様において、絶縁組性成材はバスバー及び/またはバイアパッドに接している。別の態様において、絶縁性組成材は電解質に接している。別の態様において、絶縁性組成材はバスバー及び電解質に接している。別の態様において、絶縁性組成材はバイアパッド及び電解質に接している。別の態様において、絶縁性組成材は2つ以上のバイアパッド及び電解質と接している。別の態様において、絶縁性組成材は2つ以上のバイアパッド及び電解質と接している連続層である。
別の態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域に存在する。すなわち、絶縁性組成材は電解質シートの部分領域を形成する。この態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域において厚さの一部にかけて存在することができ、あるいは絶縁性組成材は電解質の部分領域において全厚にかけて存在することができる。別の態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域に存在し、少なくとも1つの個領域に存在する。別の態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域に存在し、シール材に近接している。別の態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域に存在し、シール材に接している。別の態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域に存在し、シール材には接していない。別の態様において、絶縁性組成材は電解質の部分領域に存在し、電極とシール材の間にある。
別の態様において、絶縁性組成材は、バイアパッドの下に、バイアギャラリーにおいて電解質の上に、バイアにおいて電解質の厚さにかけて、バスバーの下に、またはバスバーの下で電解質の厚さにかけて、存在する。この態様において、一実施形態では、絶縁性組成材が多セル構造の電解質上で上記の構造をこえて5mmまで延び出すことができる。
別の態様において、絶縁性組成材はフレームと隣り合い、フレームに接している。この態様において、絶縁性組成材はフレームとシール材の間に配することができ、シール材は絶縁性組成材と電解質の間に配される。
また別の態様において、絶縁性組成材は空気極及び/または燃料極とは接していない。
本発明の絶縁性組成材、絶縁性組成材層及び絶縁性組成材コーティングは技術上いかなる燃料電池デバイスにも使用することができる。燃料電池の構造は当業者に周知である。本発明の絶縁材を容易に適用できる燃料電池デバイスの代表例は、バディング(Badding)等の米国特許第6623881号、バディング等の米国特許第6630267号及びバディング等の米国特許第6852436号の明細書に見ることができ、これらの特許明細書は全てそれぞれの全体、特に燃料電池デバイスの構成の教示について、が本明細書に参照として含まれる。
本明細書におけるSOFCの一般的構成では、電解質が燃料極と空気極の間に配され、1つの単燃料電池セルの燃料極が別の単燃料電池セルの空気極に、燃料極のバイアパッド及び空気極のバイアパッドによって、電気的に接続され、バイアパッドが電解質を貫通するバイア充填材によって電気的に相互接続され、バスバーが電解質のそれぞれの端で電極に電気的に接続され、シール材が電解質と、シール材に接する、フレームの間に配される。一般に、シール材は電解質(または電解質の絶縁材領域)に接している。一態様においてシール材はフレームに接し、別の態様においてシール材はフレームに接していない。フレームに接していない場合、シール材は代わりに、例えば、図17におけるように、フレーム上の絶縁材層と接することができる。一態様において、電解質は無支持の、自立シートである。電解質厚は一般に、4μm〜30μmのように、≦30μmである。設計動作温度において1Ω-cm未満の値、さらには0.6Ω-cm未満の値に燃料電池セルの総内部抵抗を維持することが重要であり、そのような値を達成するためには、電解質シートの電気抵抗を0.5Ω-cm未満、好ましくは0.3Ω-cm未満にすべきである。通常の酸素イオン伝導性電解質に対し、このことは、セル動作温度に依存してシートまたはプレートの厚さが一般に1mm未満になるであろうことを意味し、電解質が電極/電解質構造にいくらかの構造剛性を与えるべきである場合は、100〜500μmの範囲のシート厚が好ましい。
電解質、燃料極及び空気極の材料は、技術上一般に用いられる材料とすることができる。様々な非限定的例において、そのような材料がバディング等の米国特許第6623881号、バディング等の米国特許第6630267号及びバディング等の米国特許第6852436号の明細書に開示されており、これらの特許明細書はそれぞれの教示の全て、特に電解質及び電極の材料の教示について、が本明細書に参照として含まれる。例えば、一実施形態において、電極は3YSZであり、空気極触媒はLSM/YSZであり、空気極電流コレクタはAg-Pd/セラミックであり、燃料極触媒はNi/YSZであって、燃料極電流コレクタはAg-Pd/セラミックである。本発明は上記に限定されず、ドープトセリアベース及びドープトガリア(酸化ガリウム)ベースの電解質、ガドリニウムドープセリア及びガリウム酸ランタンのような、化合物、及び当業者に既知のこれらの電解質に対して有用であることが見いだされている電極組成材料に本発明を適用することができる。
本発明の一実施形態である、図9Aを参照すれば、燃料電池シートすなわちデバイス10が示されている。シートすなわちデバイスは10個の単燃料電池セルを収める。燃料電池デバイス10は電解質20及び電極セル30を有する。電極セル30は電解質シート20のそれぞれの面上に収められる。バスバーが参照数字40で示され。金属充填バイア電流路が参照数字50で示される。金属充填バイア電流路の拡大図が図9Cに示される。バイアを含むバイア孔を示す電解質シートが図9Dに示される。
図9Bは本発明の代表的な燃料電池デバイスの全体図である。電解質20が空気極または空気極触媒層60と燃料極または燃料極触媒層80の間に配されて、空気極60は空気極電流コレクタ70に接し、燃料極80は燃料極電流コレクタ90に接する。一般に空気からの酸素は空気極電流コレクタ70に入り、燃料内の水素と反応して水を形成した後に、燃料極電流コレクタ90から出る。
図10は図9Aの切断線A-Aの側面図である。空気極触媒層60,空気極電流コレクタ70,燃料極触媒層80及び燃料極電流コレクタ90と電気的に通じている電解質20が示される。さらに、空気極電流コレクタ70と電気的に通じているバスバー100が燃料電池の一端に示される。1つのセルの燃料極電流コレクタ90から次のセルの空気極電流コレクタ70に電流が流れることができるように、金属充填バイア110がバイアパッド50及び51のそれぞれを接続する。本発明の一実施形態の絶縁材層が参照数字120,121で示され、絶縁材層120及び/または121はバイアパッド50及び/または51と電解質20の間に配される。別の実施形態においては、絶縁材層130がバスバーと電解質20の間に配される。
図11は図9Aの切断線B-Bに沿ってとられた断面の斜視図である。空気極60,空気極電流コレクタ70,燃料極80,燃料極電流コレクタ90及び電解質20は全て図10と同様の表し方で示される。金属充填バイア110が電解質20を貫通して1つのバイアパッド50から別のバイアパッド51に接続される。一実施形態における絶縁材層120及び121が、バイアパッド50と電解質20の間及びバイアパッド51と電解質20の間に示される。
図12A及び12Bは本発明の一態様について絶縁性組成材に対する場所を近似的に示す。詳しくは、図12Aにおいて、燃料電池は、電解質シート20,バイアパッド50,51,バスバー100,101,及び電極140を有する、一単位システム10として示される。図12Bは、それぞれ若干延び広がっている、バイアパッド122及びバスバー123の下の絶縁材層のための領域に対する場所を近似的に示す。同様であるが相互に反転されたパターンを電解質20のそれぞれの面上に配することができる。
図13は、絶縁材領域または絶縁材層が電解質20上でバスバー125の下の一様層としてバイアギャラリー124に示されている、本発明の別の実施形態を示す。同様のパターンを電解質20の反対面に反転して配することができる。
図14は、本発明の一実施形態のパケット200を形成するため、フレームアセンブリ230を2つの燃料電池デバイス210,220とともに有する、本発明の別の態様を示す。フレームは技術上用いられるような様々な材料、例えばステンレス鋼のような金属組成材でつくることができる。燃料電池デバイス210,220は、例えばガラスまたはガラスセラミックのシール材のような、技術上一般に用いられるようないずれかのシール材でフレーム230に固定される。
図15は本発明の別の実施形態を示す。この実施形態においては、電解質20の部分領域が絶縁材料でつくられる。図15Bに、フレーム300,シール材310及び電解質20が示される。電解質20の絶縁材料で形成された部分領域は参照数字320で示される。電解質20内の絶縁材料は、図15Bに示されるように電解質の全厚にわたることができ、あるいは電解質20の厚さの一部だけにかかることができる(図示せず)。図15Aは、電解質20及び、フレーム300を電解質20に隣接させるレーストラック型形状をなす、シール材領域310を示す、図15Bの構成の上面図である。電解質内の絶縁材領域320が示される。図15Bにおいて、電極(図示せず)は絶縁材領域320の右方にあり、したがって絶縁領域320は電極とシール材310の間に配される。
図16は本発明の別の実施形態であり、絶縁材領域321がシール材領域310から離されてシール材310に接していないことを除いては図15Bと同様の構成を示す。図16Bにおいて、電極(図示せず)は絶縁材領域321の右方にあり、したがって絶縁材領域321は電極とシール材310の間に配される。
図17は本発明のまた別の実施形態を示す。ここではフレーム400がシール材310で電解質20に結合される。絶縁性コーティング410がシール材310とフレーム400の間に配される。絶縁性コーティングはシール材310の幅にかけて(図示せず)、あるいは、図17に示されるように、さらにシール材310の外側に、フレーム400を囲むまで、延び広がることができる。
単燃料電池セルはシートまたはデバイスの一部となることができ、シートまたはデバイスは続いて別のシートまたはデバイスと組み合わされてパケットを形成することができ、パケットは続いて別のパケットと組み合わされてスタックを形成することができる。そのようなスタックはより大きな燃料電池システムの一部となることができる。一態様において、電解質上には少なくとも2つの単セルがある。
絶縁性組成材は一般にスクリーン印刷によってバスバー及びバイアパッドの下にまたは隣に施すことができるが、その他の方法も適用可能である。インクジェット、フォトリソグラフィ、電子ビーム蒸着、スパッタリング、CVD、ゾル−ゲル、PVD、等のような、他のコーティング形成方法によって、さらに厚い層が可能であり、さらに薄い層が可能である。本発明の絶縁材料は、プラズマスプレー、電子ビーム蒸着、電気泳動、ゾル−ゲルコーティング、スラリーコーティング、等を含む様々な手段によって施される、導電性フレーム上のコーティングとしてSOFCシステムに用いることができる。絶縁性組成材が電解質の部分領域として存在し、必要に応じて、絶縁性組成材が電解質の部分領域において厚さの一部または全厚にわたって存在する固体酸化物燃料電池については、予備焼成電解質にコーティングを施すことができ、絶縁領域内の絶縁材料は、コーティング成分の電解質内への拡散によるかまたはコーティング成分と電解質の間の相互拡散によって形成することができる。あるいは、未焼成電解質に絶縁材料を施し、拡散させて、絶縁領域を形成することができる。
一態様において、ジルコニア電解質上に、例えばジルコン酸希土類のような、有用なパターン付絶縁層を作成するため、希土類の酸化物または酸化物前駆体のパターンを電解質の表面上に形成し、酸化物を高温で反応させて、絶縁性パイロクロア相を形成する。
本発明の組成材はSOFCシステムにおいて、電力損失及びシール材の電気化学的劣化を防止するための導電性フレーム上のコーティングとして用いることができ、あるいは単電解質シート上に単セルデバイスまたは複セルデバイスを有するシステムにおけるセル間の電力損失を防止するために電解質上にまたは電解質の厚さにかけて用いることができ、また材料を劣化させ得る迷走電気化学反応を防止するためにも用いることができる。これらの組成材は(電極を含む)活性領域からフレームへの電力損失も、材料、特にシール材を劣化させる電気化学反応も防止するため、電解質上にまたは電解質の厚さにかけて用いることができる。
本発明の絶縁材料はSOFCシステムにおいて導電性フレーム上のコーティングとして用いることができる。そのようなコーティングは、一枚の電解質シート上に複数のセルがある燃料電池構造の場合、そのような構造によりシール材においてかなりの電圧が発生し得るから、特に有用である。目的が電気絶縁コーティングであっても、コーティングが金属フレーム表面の全てまたは大半を覆っていれば、金属がCrを含有している場合、コーティングは、燃料電池の空気極へのCrマイグレーション及び燃料電池電極性能の低下を防止するためにはたらくこともできる。コーティングの熱膨張係数がフレームとほぼ整合していれば、コーティングを、例えば、250μm、500μm、さらには1mmまでのように、極めて厚くすることができる。
本発明の組成材族は電解質シート上に絶縁層として用いることもできる。これらの絶縁性組成材層を用いることができる電解質シートの領域は、図12A,12B及び13に示されるように、イオン伝導性電解質シートとシール材料の間のシート周縁並びにバスバーの下及びバイアパッドの下、あるいは複セルデバイス構造のバイアギャラリー内である。
本発明の絶縁性組成材は、改善された機械的強度、低減された機械的欠陥及び/またはパケットのフレームへの改善されたCTE整合を有する。本発明の組成材はアルミナより優れたフレーム材料への熱膨張整合を有し得るから、本発明は導電性フレーム上のコーティング材として様々な厚さで用いることができる。本発明の絶縁構造は、従来技術の[アルミン酸マグネシウムスピネル+マグネシア]コーティングにおけるマグネシアほど容易にはガラスシール材及びガラスセラミックシール材と反応しないであろう。
本発明の絶縁性酸化物材料は電解質上のコーティングとして用いることができる。熱膨張係数及び焼結特性が十分良く整合すれば、本発明の材料は電解質の部分領域として、電解質のいくつかの部分領域では全厚にかけてさえ、用いることもできる。本発明の組成材は、[アルミン酸マグネシウムスピネル+マグネシア]のような他の絶縁コーティングとガラスシール材の間の、シール材との反応を防止するための反応障壁層として用いることもできる。[アルミン酸マグネシウムスピネル+マグネシア]は非常に安価な材料であるから、[アルミン酸マグネシウムスピネル+マグネシア]上の本発明の絶縁性非反応性酸化物の反応障壁層は魅力的な複合絶縁コーティング/材料になり得る。
本発明の組成材は従来の絶縁性組成材に優るCTEの利点も有する。これはある程度、アルミナの熱膨張係数(約88×10−7/℃)はフレーム及び電解質の熱膨張係数(約105〜125×10−7/℃)と極めて異なり、熱サイクリング時にプラズマスプレーアルミナ(PSA)層内に応力を誘起するが、本発明の組成材はフレーム及び電解質のCTEに十分整合されていることによる。
本発明のいくつかの態様を詳細な説明において説明したが、本発明は開示された態様に限定されず、添付される特許請求の範囲に述べられ、定められるような本発明の精神を逸脱しない数多くの再構成、改変及び置換が可能であることは当然である。
本発明の原理をさらに深く説明するため、以下の実施例は、本明細書で特許請求される組成、物品、デバイス及び方法がどのようにつくられ、評価されるかの完全な開示及び説明を当業者に提供するように以下の実施例が提示される。実施例は純粋に本発明を例示することが目的とされ、発明者等が発明者等の発明であると考える範囲を限定することは目的とされていない。数値(例えば、量、温度等)に関して正確さを保証するように努力はしたが、いくらかの誤差及び偏差は考慮されるべきである。別途に示されない限り、温度は℃または室温であり、圧力は大気圧またはその近傍である。製品の品質及び性能を最適化するために用いられ得る、プロセス条件の数多くのバリエーション及び組合せがある。そのようなプロセス条件の最適化には、妥当で日常的な実験しか必要ではないであろう。
実施例1
約16モル%のYTaOと約0.5モル%のTaを含む組成のZrOを作成し、ジルコニア-3モル%イットリア電解質に施した。タンタル酸イットリウムドープジルコニア組成材は、主要相として歪ホタル石構造,T’(正方晶プライム))を有する。ジルコニア-8モル%イットリア粉末(Tosho TZ-8Y)を適切な量のTaとともに、液媒としてエタノールを用い、錬磨媒(Tosho TZ3Y)を用いて、数日間振動錬磨した。粉末を乾燥させ、空気中において数時間約1200℃でか焼した。粉末を再び24時間振動錬磨した。乾燥後、<5重量%レベルのNiOを焼結補助剤として加え、粉末を、3ロールミルを用いてインクにした。この組成材をジルコニア-3モル%イットリア電解質上にスクリーン印刷し、試料を乾燥させ、次いで空気中数時間約1400℃で焼成した。試料内の相を下にある正方晶ジルコニア電解質を含めてX線回折により同定し、タンタル酸ジルコニアイットリウム相を極めて少量のNiOとともに見いだした(図6)。図6において、破線は89-9068−(Yドープ)ジルコニア(合成(Zr0.940.06)O1.88)に対応し、点線は43-0308−酸化タンタルイットリウムジルコニウム(Zr0.660.17Ta0.17)に対応し、実線は89-7390−ブンゼナイト(合成NiO)に対応する。17-0458及び43-0308という番号は結晶相識別子であって、例えばPDF4回折データベースから利用できる、回折ファイル番号である。PDF4データベースは国際回折データセンター(International Center for Diffraction Data (ICDD))によって提供されている。d-間隔値はオングストローム(Å)で与えられる。破断面及び研磨面のSEM観察は電解質表面上の、約1〜3μm厚の若干多孔性の明瞭な層を示した(図7A及び7B)。X線回折またはSEMにおいてマイクロクラック発生または単斜晶ジルコニアの徴候は全く見られなかった。プロセス修正により、コーティングのかなりの大きさのいずれの領域においても層を貫通して延びる細孔を最小限に抑えるか、細孔を閉じさせるかまたは緻密にすることができる。電子ビーム蒸着、スパッタリング、CVD、ゾル-ゲル、PVD、等のようなその他のコーティング方法により、さらに厚い層が可能であり、さらに薄い層が可能である。
実施例2
NdZr層について、NdCOをか焼してNdにした。Ndをアンドープジルコニア粉末(Tosho TZ-8Y)とともに、ジルコニア錬磨媒(Tosho TZ3Y)を含むエタノール液媒内で、振動錬磨を用いて錬磨した。乾燥後、錬磨した粉末を空気中において数時間約1200℃で反応させた。この粉末を再び24時間振動錬磨した。乾燥後、粉末を、3ロールミルを用いてインクにした。この組成材をジルコニア-3モル%イットリア電解質上にスクリーン印刷し、試料を乾燥させ、次いで空気中で数時間〜1400℃で焼成した。試料内の相を下にある正方晶ジルコニア電解質とともにX線回折により同定し、パイロクロア−ジルコン酸ネオジム相であることを見いだした(図8A)。d-間隔値はオングストローム(Å)で与えられる。17-0458及び89-9068という番号は結晶相識別子であり、例えばPDF4回折データベースから利用できる、回折ファイル番号である。図8Aにおいて、実線は17-0458−酸化ネオジムジルコン(NdZr)に対応し、破線は89-9068−(Yドープ)ジルコニア(合成(Ze0.940.06)O1.88)に対応する。7.18Å及び、おそらく、2.48Åのピークは粘土の試料支持体によるピークである。破断面及び研磨面のSEM観察は約10μm厚の多孔性の明瞭な層を示した(図8B)。ジルコン酸ネオジムと下のジルコニア-3モル%イットリア電解質の間に1μm厚の薄く十分に緻密な層が見られた。この薄い緻密層はジルコン酸ネオジムであるか、または混合された酸化イットリウム(酸化ネオジム安定化剤)を含む立方晶ジルコニアであり得よう。X線回折またはSEMにおいてマイクロクラック発生または単斜晶ジルコニアの徴候は全く見られなかった。プロセス修正により、ジルコン酸ネオジム層を、コーティングのかなりの大きさのいずれの領域においても層を貫通して延びる細孔を最小限に抑えるか、細孔を閉じさせるかまたは緻密にすることができる。さらに厚い層が可能であり、さらに薄い層が可能である。電子ビーム蒸着、スパッタリング、CVD、等のようなその他のコーティング方法を用いることができる。
本明細書に説明される組成、物品、デバイス及び方法には様々な改変及び変形がなされ得る。本明細書に説明される組成、物品、デバイス及び方法の別の態様が、本明細書の考察及び本明細書に開示される組成、物品、デバイス及び方法の実施から明らかになるであろう。本明細書及び実施例は例示と見なされるべきであるとされる。
20 電解質
50,51 バイアパッド
60 空気極触媒層
70 空気極電流コレクタ
80 燃料極触媒層
90 燃料極電流コレクタ
100 バスバー
110 金属充填バイア
120,121,130 絶縁層

Claims (15)

  1. 空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、シール材及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有する固体酸化物燃料電池において、前記絶縁性組成材が、前記バスバー及び/または前記バイアパッドに近接し、及び/または前記電解質の部分領域に存在し、前記絶縁性組成材が前記空気極と前記電解質の間には実質的に配されていないことを特徴とする固体酸化物燃料電池。
  2. 空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、シール材及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有する固体酸化物燃料電池において、前記絶縁性組成材が、前記バスバー及び/または前記バイアパッドに近接し、及び/または前記電解質の部分領域に存在し、前記絶縁性組成材が、ジルコン酸ランタン、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸希土類、またはジルコン酸アルカリ土類ではないことを特徴とする固体酸化物燃料電池。
  3. 空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、シール材及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有する固体酸化物燃料電池において、前記絶縁性組成材が、
    (i) パイロクロア(黄緑石)または歪パイロクロア、
    (ii) ペロブスカイト、歪ペロブスカイト、ペロブスカイト超構造または交互配置ペロブスカイト様構造、
    (iii) ホタル石、歪ホタル石、類ホタル石、アニオン欠陥ホタル石、シーライト(灰重石)、フェルグソン石またはホタル石関連ABO化合物、
    (iv) スピネル、スピネル誘導体構造または逆スピネル、
    (v) 岩塩構造、
    (vi) チタン鉄鉱、
    (vii) 擬ブルッカイト(板チタン石) ABO
    (viii)ReO様ブロックに基づく化学量論的構造、
    (ix) ReO様ブロックに基づく青銅構造または正方晶青銅構造、
    (x) ルチル、
    (xi) ABのトリルチル結晶構造またはコルンブ石結晶構造、
    (xii) 立方晶希土類(c-M)構造、または
    (xiii)コランダム、
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体、
    の結晶構造タイプの、結晶構造族、超晶族、誘導体構造または超構造を有する、1つ以上の絶縁性酸化物セラミックを含み、
    前記絶縁性組成材が、前記バスバー及び/または前記バイアパッドに近接し、及び/または前記電解質の部分領域に存在する、
    ことを特徴とする固体酸化物燃料電池。
  4. 前記絶縁性組成材が、
    (i) 前記バスバー及び前記バイアパッドに近接している、あるいは前記バスバー及び/または前記バイアパッドに接している、及び/または
    (ii) 前記電解質に接している、及び/または
    (iii) 前記バスバー及び前記電解質に接している、及び/または
    (iv) 前記バイアパッド及び前記電解質に接している、及び/または
    (v) 2つ以上の前記バイアパッド及び前記電解質に接している、及び/または
    (vi) 2つ以上の前記バイアパッド及び前記電解質に接している連続層である、及び/または
    (vii) 前記電解質の部分領域に存在する、及び/または
    (viii)前記電解質の部分領域において厚さの一部にかけて存在する、及び/または
    (ix) 前記電解質の部分領域において全厚にわたり存在する、及び/または
    (x) 前記電解質の部分領域に存在し、少なくとも1つの個領域に存在する、
    ことを特徴とする請求項3に記載の固体酸化物燃料電池。
  5. 前記絶縁性組成材が、
    (I) 前記電解質の部分領域に存在し、(i)前記シール材に近接しているかまたは(ii)前記シール材に接している、または
    (II) 前記電解質の部分領域に存在し、(i)前記シール材に接していない、及び/または(ii)前記電極と前記シール材の間にある、
    ことを特徴とする請求項3に記載の固体酸化物燃料電池。
  6. 前記絶縁性酸化物セラミックが、
    (i)
    (1)価数がA3+ 4+ のA,ここで
    3+は、Sc,Y,La,Nd,Eu,Gd,または
    その他の+3価ランタニド,
    4+は、Zr,Ti,Hf,またはSn,
    あるいは
    (2)価数がA2+ 5+ のA,ここで
    2+は、Ca,Sr,Zn,またはBa,
    5+は、Nb,Ta,またはV,
    の化学式にしたがうパイロクロア結晶構造または歪パイロクロア結晶構造;
    (ii) 化学式ABOにしたがい:
    (1)価数がA2+4+,ここで
    2+は、Mg,Ca,Sr,またはBa,及び
    4+は、Ti,Zr,Hf,またはSn,
    (2)価数がA3+3+,ここで
    3+は、Sc,Y,La,または+3価ランタニド,及び
    3+は、Al,Ga,Cr,Sc,V,またはY,
    (3)価数がA2+(B3+ 0.55+ 0.5)O,ここで
    2+は、Ca,Sr,またはBa,
    3+は、Al,Cr,Ga,Sc,Y,La,Ce,または
    その他の+3価ランタニド,
    5+は、V,Nb,Ta,またはSb,
    (4)価数がA2+(B2+ 0.335+ 0.67)O,ここで
    2+は、Ca,Sr,またはBa,
    2+は、Mg,Ca,Cd,Ni,またはZn,
    5+は、Nb,Ta,またはSb,
    (5)価数がA2+(B2+ 0.56+ 0.5)O,ここで
    2+は、Ca,Sr,またはBa,
    2+は、Mg,Ca,Sr,Ba,Cd,Ni,またはZn,
    6+は、Mo,W,またはRe,
    (6)価数がA3+ 0.335+,ここで
    3+は、Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,
    またはEr,
    5+は、NbまたはTa,
    あるいは
    (7)価数がA3+(B2+ 0.54+ 0.5)O,ここで
    3+は、La,またはランタニド,
    2+は、Mg,及び
    4+は、Ti,
    交互配置Bi,または
    ペロブスカイト様構造、
    のペロブスカイト、歪ペロブスカイト結晶構造、ペロブスカイト超構造;
    (iii)
    (1)A1−x−yのホタル石または歪ホタル石,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、Mg,Ca,Y,Scまたは希土類,
    Cは、V,NbまたはTa,であり
    x<1,y<1,x+y<1,であって、
    zはB及びCの価数に依存し、
    Bが2+であれば、z=2+0.5y−x,
    Bが3+であれば、z=2+0.5y−0.5x,
    (2)A1−x−yの類ホタル石化合物,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、MgまたはCa,及び
    Cは、WまたはMo,であり
    x<1,y<1,x+y<1,z=2+y−x,
    (3)ABOのシーライト型構造,ここで
    AはMgまたはCa,及び
    BはWまたはMo,
    (4)MIIINbO,MIIITaOまたはMIIIVO,ここで
    IIIは、+3価の金属,
    または、化学式がABO,ここで
    Aは、Yまたは希土類,及び
    Bは、Nb,TaまたはV,
    のフェルグソン石型構造,
    (5)アニオン欠陥ホタル石,または
    (6)価数がA2+6+またはA3+5+のホタル石関連ABO化合物,ここで
    2+は、CaまたはBa,
    6+は、Cr,
    3+は、Cr,及び
    5+は、Nb;
    (iv)
    (1)ABのスピネル構造またはスピネル誘導体構造,ここで
    Aは、Ma,Ni,Zn,Co,FeまたはMn,及び
    Bは、Al,Ga,CrまたはFe,
    (2)A3251,ここで
    Aは、Ca,BaまたはSr,及び
    Bは、Al,
    または
    (3)ABOの逆スピネル,ここで
    Aは、MgまたはZn,及び
    Bは、TiまたはSn;
    (v) 岩塩構造AO,ここで
    Aは、Mg,Ca,Sr,BaまたはNi;
    (vi) 化学式がABOのチタン鉄鉱,ここで
    Aは、Ni,Co,MnまたはFe,及び
    Bは、Ti,
    あるいは、ゲーキーライト,ここで
    Aは、Mg,及び
    Bは、Ti;
    (vii) 化学式がABOの擬ブルッカイト結晶構造,ここで
    Aは、AlまたはFe,
    Bは、Ti;
    (viii)ReO様ブロックに基づく正方晶青銅構造,
    または、Nb-WO混晶;
    (ix) 価数がA2+5+ の正方晶青銅構造,ここで
    2+は、SrまたはBa,及び
    5+は、NbまたはTa,
    あるいは、
    超構造A2+ 5+ 1030,A2+ 4+ 5+ 30
    または、A2+ 3+4+ 5+ 30,ここで
    2+は、Ca,SrまたはBa,
    3+は、Laまたはランタニド,
    4+は、Ti,及び
    5+は、NbまたはTa;
    (x) AOのルチル構造,ここで
    Aは、Ti,SnまたはMn;
    (xi) ABのトリルチル結晶構造,ここで
    Aは、Mg,CrまたはV,
    Bは、Ta,WまたはSb,
    または、CaTa
    (xii) 立方晶希土類(c-M)構造のA,ここで
    Aは、Yまたは希土類;
    (xiii)コランダム構造のA,ここで
    Aは、Al,GaまたはCr,
    または、ABO,ここで
    Aは、Ni,及び
    Bは、Cr;
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体;
    の内の1つ以上を含むことを特徴とする請求項3に記載の固体酸化物燃料電池。
  7. 前記絶縁性酸化物セラミックが、
    (i) LaZr,YZr,NdZr,GdZr
    ErZr,LaHf,YHf,NdHf
    GdHf,ErHf,LaSn,YSn
    NdSn,GdSnまたはErSn,の
    パイロクロア結晶構造または歪パイロクロア結晶構造;
    (ii) SrZrO,BaZrO,SrHfO,BaHfO
    SrSnO,BaSnO,BaTiOまたはSrTiO,の
    ペロブスカイト、歪ペロブスカイト結晶構造、ペロブスカイト超構造
    または交互配置ペロブスカイト様構造;
    (iii) A1−x−yのホタル石、歪ホタル石,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、Mg,Ca,Y,Sc,または希土類,及び
    Cは、V,Nb,またはTa,であり
    x<1,y<1,x+y<1,y/x>0.5,であって、
    zはB及びCの価数に依存し、
    Bが2+であれば、z=2+0.5y−x,
    Bが3+であれば、z=2+0.5y−0.5x,
    1−x−yの類ホタル石化合物,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、MgまたはCa,及び
    Cは、WまたはMo,であり
    x<1,y<1,x+y<1,y/x>0.5,z=2+y−x、
    ABOのシーライト型構造,ここで
    Aは、MgまたはCa,
    Bは、WまたはMo,
    IIINbO,MIIITaOまたはMIIIVO,あるいは
    化学式がABO,ここで
    Aは、Yまたは希土類,及び
    Bは、Nb,TaまたはV,の
    フェルグソン石型構造;
    (iv) MgAl,ZnAl,MnAl,CoAl,の
    スピネルまたはスピネル誘導体構造;
    (v) MgO,CaO,SrOまたはNaO,の
    岩塩構造;
    (vi) AOのルチル構造,ここで
    Aは、TiまたはSn;
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体;
    の内の1つ以上を含むことを特徴とする請求項3に記載の固体酸化物燃料電池。
  8. 前記電解質が前記燃料極と前記空気極の間に配され、1つの単燃料電池セルの前記燃料極が別の単燃料電池セルの空気極に前記燃料極のバイアパッド及び前記空気極のバイアパッドによって電気的に接続され、前記バイアパッドは前記電解質を貫通するバイア充填材によって電気的に相互接続され、前記バスバーが前記電解質のそれぞれの端において前記電極に電気的に接続され、前記シール材が前記電解質と、前記シール材に接する、フレームの間に配されることを特徴とする請求項3に記載の固体酸化物燃料電池。
  9. 空気極、燃料極、電解質、バスバー、バイアパッド、フレーム、シール材及び絶縁に足る量の絶縁性組成材を有する固体酸化物燃料電池において、前記絶縁性組成材が、
    (i) パイロクロアまたは歪パイロクロア、
    (ii) ペロブスカイト、歪ペロブスカイト、ペロブスカイト超構造、
    または交互配置ペロブスカイト様構造、
    (iii) ホタル石、歪ホタル石、類ホタル石、アニオン欠陥ホタル石、
    シーライト、フェルグソン石、
    またはホタル石関連ABO化合物、
    (iv) チタン鉄鉱、
    (v) 擬ブルッカイトABO
    (vi) ReO様ブロックに基づく化学量論的構造、
    (vii) ReO様ブロックに基づく青銅構造または正方晶青銅構造、
    (viii)ルチル、
    (ix) ABのトリルチル結晶構造またはコルンブ石結晶構造、
    または
    (x) 立方晶希土類(c-M)構造、
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体、
    の結晶構造タイプの、結晶構造族、超晶族、誘導体構造または超構造を有する,1つ以上の絶縁性酸化物セラミックを含むことを特徴とする固体酸化物燃料電池。
  10. 前記絶縁性組成物が、(i)前記フレームと隣り合い、前記フレームに接し、及び/または(ii)前記フレームと前記シール材の間に配され、前記シール材が前記絶縁性組成材と前記電解質の間に配されることを特徴とする請求項9に記載の固体酸化物燃料電池。
  11. 前記絶縁性酸化物セラミックが、
    (i)
    (1)価数がA3+ 4+ のA,ここで
    3+は、Sc,Y,La,Nd,Eu,Gd,または
    その他の+3価ランタニド,
    4+は、Zr,Ti,Hf,またはSn,
    あるいは
    (2)価数がA2+ 5+ のA,ここで
    2+は、Ca,Sr,Zn,またはBa,及び
    5+は、Nb,Ta,またはV,
    の化学式にしたがうパイロクロア結晶構造または歪パイロクロア結晶構造;
    (ii) 化学式ABOにしたがい:
    (1)価数がA2+4+,ここで
    2+は、Mg,Ca,Sr,またはBa,及び
    4+は、Ti,Zr,Hf,またはSn,
    (2)価数がA3+3+,ここで
    3+は、Sc,Y,La,または+3価ランタニド,及び
    3+は、Al,Ga,Cr,Sc,V,またはY,
    (3)価数がA2+(B3+ 0.55+ 0.5)O,ここで
    2+は、Ca,Sr,またはBa,
    3+は、Al,Cr,Ga,Sc,Y,La,Ce,または
    その他の+3価ランタニド,
    5+は、V,Nb,Ta,またはSb,
    (4)価数がA2+(B2+ 0.335+ 0.67)O,ここで
    2+は、Ca,Sr,またはBa,
    2+は、Mg,Ca,Cd,Ni,またはZn,
    5+は、Nb,Ta,またはSb,
    (5)価数がA2+(B2+ 0.56+ 0.5)O,ここで
    2+は、Ca,Sr,またはBa,
    2+は、Mg,Ca,Sr,Ba,Cd,Ni,またはZn,
    6+は、Mo,W,またはRe,
    (6)価数がA3+ 0.335+,ここで
    3+は、Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Dy,Ho,
    またはEr,
    5+は、NbまたはTa,
    あるいは
    (7)価数がA3+(B2+ 0.54+ 0.5)O,ここで
    3+は、La,またはランタニド,
    2+は、Mg,及び
    4+は、Ti,
    交互配置Bi,または
    ペロブスカイト様構造、
    のペロブスカイト、歪ペロブスカイト結晶構造、ペロブスカイト超構造;
    (iii)
    (1)A1−x−yのホタル石または歪ホタル石,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、Mg,Ca,Y,Scまたは希土類,及び
    Cは、V,NbまたはTa,であり
    x<1,y<1,x+y<1,であって、
    zはB及びCの価数に依存し、
    Bが2+であれば、z=2+0.5y−x,
    Bが3+であれば、z=2+0.5y−0.5x,
    (2)A1−x−yの類ホタル石化合物,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、MgまたはCa,及び
    Cは、WまたはMo,であり
    x<1,y<1,x+y<1,z=2+y−x,
    (3)ABOのシーライト型構造,ここで
    AはMgまたはCa,及び
    BはWまたはMo,
    (4)MIIINbO,MIIITaOまたはMIIIVO,ここで
    IIIは、+3価の金属,
    または、化学式がABO,ここで
    Aは、Yまたは希土類,及び
    Bは、Nb,TaまたはV,
    のフェルグソン石型構造,
    (5)アニオン欠陥ホタル石,
    あるいは
    (6)価数がA2+6+またはA3+5+のホタル石関連ABO化合物,ここで
    2+は、CaまたはBa,
    6+は、Cr,
    3+は、Cr,及び
    5+は、Nb;
    (iv) 化学式がABOのチタン鉄鉱,ここで
    Aは、Ni,Co,MnまたはFe,及び
    Bは、Ti,
    あるいは、ゲーキーライト,ここで
    Aは、Mg,及び
    Bは、Ti;
    (v) 化学式がABOの擬ブルッカイト結晶構造,ここで
    Aは、AlまたはFe,
    Bは、Ti;
    (vi) ReO様ブロックに基づく正方晶青銅構造,
    あるいは、Nb-WO混晶;
    (vii) 価数がA2+5+ の正方晶青銅構造,ここで
    2+は、SrまたはBa,及び
    5+は、NbまたはTa,
    あるいは、超構造A2+ 5+ 1030,A2+ 4+ 5+ 30
    または、A2+ 3+4+ 5+ 30,ここで
    2+は、Ca,SrまたはBa,
    3+は、Laまたはランタニド,
    4+は、Ti,及び
    5+は、NbまたはTa;
    (viii)AOのルチル構造,ここで
    Aは、Ti,SnまたはMn;
    (ix) ABのトリルチル結晶構造,ここで
    Aは、Mg,CrまたはV,及び
    Bは、Ta,WまたはSb,
    または、CaTa
    (x) 立方晶希土類(c-M)構造のA,ここで
    Aは、Yまたは希土類;
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体;
    の内の1つ以上を含むことを特徴とする請求項9に記載の固体酸化物燃料電池。
  12. 前記絶縁性酸化物セラミックが、
    (i) LaZr,YZr,NdZr,GdZr
    ErZr,LaHf,YHf,NdHf
    GdHf,ErHf,LaSn,YSn
    NdSn,GdSnまたはErSn,の
    パイロクロアまたは歪パイロクロア結晶構造;
    (ii) SrZrO,BaZrO,SrHfO,BaHfO
    SrSnO,BaSnO,BaTiOまたはSrTiO,の
    ペロブスカイト、歪ペロブスカイト結晶構造、ペロブスカイト超構造
    または交互配置ペロブスカイト様構造;
    (iii) A1−x−yのホタル石、歪ホタル石,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、Mg,Ca,Y,Scまたは希土類,及び
    Cは、V,NbまたはTa,であり
    x<1,y<1,x+y<1,y/x>0.5,であって、
    zはB及びCの価数に依存し、
    Bが2+であれば、z=2+0.5y−x,
    Bが3+であれば、z=2+0.5y−0.5x,
    1−x−yの類ホタル石化合物,ここで
    Aは、Zr,HfまたはCe,
    Bは、MgまたはCa,及び
    Cは、WまたはMo,であり
    x<1,y<1,x+y<1,y/x>0.5,z=2+y−x、
    ABOのシーライト型構造,ここで
    Aは、MgまたはCa,
    Bは、WまたはMo,
    IIINbO,MIIITaOまたはMIIIVO,あるいは
    化学式がABO4,ここで
    Aは、Yまたは希土類,及び
    Bは、Nb,TaまたはV,の
    フェルグソン石型構造;
    または
    (iv) AOのルチル構造,ここで
    Aは、TiまたはSn;
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体;
    の内の1つ以上を含むことを特徴とする請求項9に記載の固体酸化物燃料電池。
  13. 前記絶縁性酸化物セラミックがイットリア安定化ジルコニアまたはジルコン酸ランタンではないことを特徴とする請求項9に記載の固体酸化物燃料電池。
  14. 前記1つ以上の絶縁性酸化物セラミックが、
    (i) ペロブスカイト、歪ペロブスカイト、ペロブスカイト超構造、
    または交互配置ペロブスカイト様構造、
    (ii) ホタル石、歪ホタル石、類ホタル石、アニオン欠陥ホタル石、
    シーライト、フェルグソン石、
    またはホタル石関連ABO化合物、
    (iii) チタン鉄鉱、
    (iv) 擬ブルッカイトABO
    (v) ReO様ブロックに基づく化学量論的構造、
    (vi) ReO様ブロックに基づく青銅構造または正方晶青銅構造、
    (vii) ルチル、
    (viii)ABのトリルチル結晶構造またはコルンブ石結晶構造、
    または
    (ix) 立方晶希土類(c-M)構造、
    あるいは、これらの混合物またはこれらの固溶体、
    の結晶構造タイプの、結晶構造族、超晶族、誘導体構造または超構造を有することを特徴とする請求項9に記載の固体酸化物燃料電池。
  15. 前記電解質が前記燃料極と前記空気極の間に配され、1つの単燃料電池セルの前記燃料極が別の単燃料電池セルの空気極に前記燃料極のバイアパッド及び前記空気極のバイアパッドによって電気的に接続され、前記バイアパッドが前記電解質を貫通するバイア充填材によって電気的に相互接続され、前記バスバーが前記電解質のそれぞれの端において前記電極に電気的に接続され、前記シール材が前記電解質と、前記シール材に接する、フレームの間に配されることを特徴とする請求項9に記載の固体酸化物燃料電池。
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