JP2010527514A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 太陽電池を製造するための方法であって、
処理チャンバ内に、受光面を有する基板を準備し、
前記処理チャンバ内で、前記基板の前記受光面の上に反射防止コーティング層（ＡＲＣ層）を形成し、前記基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、
前記ＡＲＣ層の上に保護層を形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。 - 前記保護層が、アモルファス炭素を含む請求項１に記載の方法。
- 前記保護層が、アモルファス・シリコンを含む請求項１に記載の方法。
- 前記保護層が、およそ１−３０ナノメートルの範囲内の厚さで形成される請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ＡＲＣ層及び前記保護層の両方が、化学気相堆積、プラズマ増強化学気相堆積、大気圧化学気相堆積及び物理気相堆積から成る群から選択される技術によって形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記保護層が、緩衝酸化物エッチ（ＢＯＥ）に対して耐性である請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
- 太陽電池を製造するための方法であって、
受光面と、複数の活性領域を備えた第２の面とを有する基板を準備し、
処理チャンバ内で、前記基板の前記受光面の上に反射防止コーティング層（ＡＲＣ層）を形成し、前記基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、
前記ＡＲＣ層の上に保護層を形成し、
緩衝酸化物エッチ（ＢＯＥ）を用いて、前記基板の前記第２の面における前記複数の活性領域に対する複数のコンタクト開口部を形成し、前記保護層は、前記複数のコンタクト開口部の形成中に前記ＡＲＣ層を保護し、
前記保護層を除去し、
前記複数のコンタクト開口部内に複数のコンタクトを形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。 - 太陽電池を製造するための方法であって、
処理チャンバ内に、受光面を有する基板を準備し、
前記処理チャンバ内に少なくとも第１のプロセス・ガス及び第２のプロセス・ガスを流して、前記基板の前記受光面の上に反射防止コーティング層（ＡＲＣ層）を形成し、前記基板を前記処理チャンバから取り出すことなく、
前記処理チャンバ内に前記第１のプロセス・ガスを流すが前記第２のプロセス・ガスは流さずに、前記ＡＲＣ層の上に保護層を形成するステップ
を含むことを特徴とする方法。 - 前記保護層が、アモルファス・シリコンを含み、前記ＡＲＣ層が、窒化シリコン、酸窒化シリコン及び炭素ドープ酸化シリコンから成る群から選択される材料を含む請求項８に記載の方法。
- 前記第１のプロセス・ガスがシラン（ＳｉＨ4）であり、前記第２のプロセス・ガスがアンモニア（ＮＨ3）であることを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
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