JP2010512023A - バンプ付き半導体ウェーハのコーティングプロセス - Google Patents
バンプ付き半導体ウェーハのコーティングプロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010512023A JP2010512023A JP2009540219A JP2009540219A JP2010512023A JP 2010512023 A JP2010512023 A JP 2010512023A JP 2009540219 A JP2009540219 A JP 2009540219A JP 2009540219 A JP2009540219 A JP 2009540219A JP 2010512023 A JP2010512023 A JP 2010512023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- water repellent
- wafer
- repellent material
- bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 231
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 153
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 97
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 91
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 77
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 37
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 23
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 11
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 9
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 48
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 38
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 33
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 32
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 23
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 20
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical group CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 10
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical group NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 7
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 5
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical group NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Chemical group 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 3-tris(trimethylsilyloxy)silylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCC[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C BESKSSIEODQWBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 3
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 2
- PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 1-methylpiperidine Chemical compound CN1CCCCC1 PAMIQIKDUOTOBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEPWOCLBLLCOGZ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCC#N AEPWOCLBLLCOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 VSKJLJHPAFKHBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Natural products CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- PYMYPHUHKUWMLA-LMVFSUKVSA-N aldehydo-D-ribose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)C=O PYMYPHUHKUWMLA-LMVFSUKVSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 2
- FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1.C=CC1=CC=CC=C1 FACXGONDLDSNOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229940060799 clarus Drugs 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 150000001913 cyanates Chemical class 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- TVIDDXQYHWJXFK-UHFFFAOYSA-N dodecanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCCCC(O)=O TVIDDXQYHWJXFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 150000004693 imidazolium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 description 2
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 description 2
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012169 petroleum derived wax Substances 0.000 description 2
- 235000019381 petroleum wax Nutrition 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(ethenoxymethyl)cyclohexane Chemical compound C=COCC1(COC=C)CCCCC1 HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKYXLDSRLNRAPS-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trifluoro-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(F)=C(F)C=C1F SKYXLDSRLNRAPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 1,9-Nonanediol Chemical compound OCCCCCCCCCO ALVZNPYWJMLXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPAPHODVWOVUJL-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran;1h-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1.C1=CC=C2OC=CC2=C1 KPAPHODVWOVUJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAYAKLSFVAPMEL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC=C LAYAKLSFVAPMEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTCHOCKDDCIPGX-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecylperoxyhexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCCCCCC PTCHOCKDDCIPGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- QIJIUJYANDSEKG-UHFFFAOYSA-N 2,4,4-trimethylpentan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)N QIJIUJYANDSEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 2,4,7,9-tetramethyldec-5-yne-4,7-diol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#CC(C)(O)CC(C)C LXOFYPKXCSULTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYVGFUIWHXLVNV-UHFFFAOYSA-N 2-(n-ethylanilino)ethanol Chemical compound OCCN(CC)C1=CC=CC=C1 HYVGFUIWHXLVNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWMNWOXJAXJCJI-UHFFFAOYSA-N 2-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)oxirane;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.OC1=CC=CC=C1.C1OC1COCC1CO1 OWMNWOXJAXJCJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHRACYLRBOUBKM-UHFFFAOYSA-N 2-[(4-tert-butylphenoxy)methyl]oxirane Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OCC1OC1 HHRACYLRBOUBKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 2-allylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC=C QIRNGVVZBINFMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWAGIQQTULHGU-UHFFFAOYSA-N 2-ethylbutan-1-amine Chemical compound CCC(CC)CN MGWAGIQQTULHGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)CN LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIQHSJOKAUDDLN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-propylimidazole Chemical compound CCCN1C=CN=C1C SIQHSJOKAUDDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROHTVIURAJBDES-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-bis(prop-2-enyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N(CC=C)CC=C)=N1 ROHTVIURAJBDES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1S VMKYTRPNOVFCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 3-(4-ethylcyclohexyl)propanoic acid 3-(3-ethylcyclopentyl)propanoic acid Chemical compound CCC1CCC(CCC(O)=O)C1.CCC1CCC(CCC(O)=O)CC1 HNNQYHFROJDYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 3-(ethenoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COC=C DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHEORJZSUXVOSI-UHFFFAOYSA-N 3-[1,3-bis(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxy]propane-1,2-diol Chemical compound C1OC1COCC(OCC(O)CO)COCC1CO1 HHEORJZSUXVOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQPBLBQMIFRGLU-UHFFFAOYSA-N 4-(6-azabicyclo[3.1.1]hepta-1(7),2,4-triene-6-carbonyl)benzamide Chemical compound C1=CC(C(=O)N)=CC=C1C(=O)N1C2=CC=CC1=C2 CQPBLBQMIFRGLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOCGGVRGNIEDSZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(CC=C)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 WOCGGVRGNIEDSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZTKDMNHEQMILPE-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-n,n-dimethylaniline Chemical compound COC1=CC=C(N(C)C)C=C1 ZTKDMNHEQMILPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019737 Animal fat Nutrition 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKMJEIUOKAZCQN-UHFFFAOYSA-N COC(C=C1)=CC=C1O.N#CO Chemical compound COC(C=C1)=CC=C1O.N#CO SKMJEIUOKAZCQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-CUHNMECISA-N D-Cellobiose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](CO)OC(O)[C@H](O)[C@H]1O GUBGYTABKSRVRQ-CUHNMECISA-N 0.000 description 1
- GUBGYTABKSRVRQ-UHFFFAOYSA-N D-Cellobiose Natural products OCC1OC(OC2C(O)C(O)C(O)OC2CO)C(O)C(O)C1O GUBGYTABKSRVRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical class C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N Heptylamine Chemical compound CCCCCCCN WJYIASZWHGOTOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000896726 Homo sapiens Lanosterol 14-alpha demethylase Proteins 0.000 description 1
- 229920013646 Hycar Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004609 Impact Modifier Substances 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021695 Lanosterol 14-alpha demethylase Human genes 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- ZKSQCKCEFQGXFT-UHFFFAOYSA-N N#CO.OC(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 Chemical compound N#CO.OC(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZKSQCKCEFQGXFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- UOZODPSAJZTQNH-UHFFFAOYSA-N Paromomycin II Natural products NC1C(O)C(O)C(CN)OC1OC1C(O)C(OC2C(C(N)CC(N)C2O)OC2C(C(O)C(O)C(CO)O2)N)OC1CO UOZODPSAJZTQNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920002732 Polyanhydride Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N [(1s,3s,4s)-4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C[C@]2(C)[C@@H](OC(=O)C(=C)C)C[C@H]1C2(C)C IAXXETNIOYFMLW-COPLHBTASA-N 0.000 description 1
- YXEBFFWTZWGHEY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohex-3-en-1-yl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCC=CC1 YXEBFFWTZWGHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUXGZGQKIFLKOR-UHFFFAOYSA-N [4-(2-phenylpropan-2-yl)phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 SUXGZGQKIFLKOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWWJTNMLTCVUBS-UHFFFAOYSA-N [4-[1,1-bis(4-cyanatophenyl)ethyl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C=1C=CC(OC#N)=CC=1)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AWWJTNMLTCVUBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(OC#N)C=C1 INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- IBVAQQYNSHJXBV-UHFFFAOYSA-N adipic acid dihydrazide Chemical compound NNC(=O)CCCCC(=O)NN IBVAQQYNSHJXBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- PYMYPHUHKUWMLA-UHFFFAOYSA-N arabinose Natural products OCC(O)C(O)C(O)C=O PYMYPHUHKUWMLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 235000013871 bee wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000012166 beeswax Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005130 benzoxazines Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- SRBFZHDQGSBBOR-UHFFFAOYSA-N beta-D-Pyranose-Lyxose Natural products OC1COC(O)C(O)C1O SRBFZHDQGSBBOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRLQAJPIHBZROB-UHFFFAOYSA-N buta-2,3-dienenitrile Chemical compound C=C=CC#N IRLQAJPIHBZROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYMGIIIPAFAFRX-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;ethene Chemical compound C=C.CCCCOC(=O)C=C QYMGIIIPAFAFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229920003211 cis-1,4-polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- NRLCNVYHWRDHTJ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);naphthalene-1-carboxylate Chemical compound [Co+2].C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 NRLCNVYHWRDHTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- ALEXXDVDDISNDU-JZYPGELDSA-N cortisol 21-acetate Chemical compound C1CC2=CC(=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@@](C(=O)COC(=O)C)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O ALEXXDVDDISNDU-JZYPGELDSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diol Chemical compound OCCCCCCCCCCO FOTKYAAJKYLFFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L di(octadecanoyloxy)lead Chemical compound [Pb+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O UQLDLKMNUJERMK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWADXBLMWHFGGU-UHFFFAOYSA-N dodecanoic anhydride Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OC(=O)CCCCCCCCCCC NWADXBLMWHFGGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 229920006334 epoxy coating Polymers 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-2-enoic acid Chemical compound C=C.OC(=O)C=C QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKVYSRNJLWTVIK-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O MKVYSRNJLWTVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZMPIUODFXBXSC-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCOC(N)=O JZMPIUODFXBXSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920006226 ethylene-acrylic acid Polymers 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N iron;pentane-2,4-dione Chemical compound [Fe].CC(=O)CC(C)=O DLAPQHBZCAAVPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940119545 isobornyl methacrylate Drugs 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- KEGIEOGUARJXQU-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);naphthalene-1-carboxylate Chemical compound [Mn+2].C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 KEGIEOGUARJXQU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C JDEJGVSZUIJWBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N n-[2-(2-hydroxyethylamino)ethyl]-2-[[1-[2-(2-hydroxyethylamino)ethylamino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCNCCO QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000025 natural resin Substances 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005474 octanoate group Chemical group 0.000 description 1
- SRSFOMHQIATOFV-UHFFFAOYSA-N octanoyl octaneperoxoate Chemical compound CCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCC SRSFOMHQIATOFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGEIPFLJVCPEKU-UHFFFAOYSA-N pentan-2-amine Chemical compound CCCC(C)N IGEIPFLJVCPEKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000003209 petroleum derivative Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002587 poly(1,3-butadiene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000885 poly(2-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001692 polycarbonate urethane Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000003097 polyterpenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004023 quaternary phosphonium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N sec-butylamine Chemical compound CCC(C)N BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012180 soy wax Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N tamibarotene Chemical compound C=1C=C2C(C)(C)CCC(C)(C)C2=CC=1NC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 MUTNCGKQJGXKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSROZUMNVRXZNO-UHFFFAOYSA-K tris[(1-naphthalen-1-yl-3-phenylnaphthalen-2-yl)oxy]alumane Chemical class C=1C=CC=CC=1C=1C=C2C=CC=CC2=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=1O[Al](OC=1C(=C2C=CC=CC2=CC=1C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)OC(C(=C1C=CC=CC1=C1)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 DSROZUMNVRXZNO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FKVMWDZRDMCIAJ-UHFFFAOYSA-N undecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCC(N)=O FKVMWDZRDMCIAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019871 vegetable fat Nutrition 0.000 description 1
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 description 1
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- MTYHLWRUYCUTPA-UHFFFAOYSA-L zinc;naphthalene-1-carboxylate Chemical compound [Zn+2].C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1.C1=CC=C2C(C(=O)[O-])=CC=CC2=C1 MTYHLWRUYCUTPA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
- H01L24/92—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
- H01L2224/1182—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
- H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13016—Shape in side view
- H01L2224/13018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/27001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
- H01L2224/27009—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for protecting parts during manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2741—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/27416—Spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83874—Ultraviolet [UV] curing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9211—Parallel connecting processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0101—Neon [Ne]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01056—Barium [Ba]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0133—Ternary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/143—Digital devices
- H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
バンプ付きウェーハの活性面を、ソルダーバンプをコーティング材料及び/又はフィラーで汚染することなく、前面保護(FSP)材料又はウェーハレベルアンダーフィル(WLUF)でコートすることを可能とするプロセスが記載されている。このプロセスでは、ウェーハの活性面上のソルダーバンプの頂部部分に撥水材料を塗布し、次いでウェーハの前面をコーティング材料で塗布し、そのコーティング材料を硬化させ、そして必要に応じて、ソルダーバンプから撥水材料を除去する。
Description
本発明は、フリップチップデバイスのウェーハレベルパッケージ(WLP)又はウェーハレベルアンダーフィル(WLUP)に対し前面保護を適用するのに使用できる、バンプ付き半導体ウェーハのコーティングプロセスに関する。
半導体デバイスのためのパッケージング技術における最近の開発は、ウェーハレベルで非常に多くの工程を取り込んでいる。ダイシングと個々のダイへのウェーハのシンギュレーション(singulation)に先立つ材料の適用は、製造時間の全体的な低減をもたらし、それにより製造コストの低減をもたらす。しばしば、ウェーハの活性面は、個々のダイを基板上のボンディングパッドに取り付けるために後で使用されるソルダーバンプをその上に堆積させ、2者の間の電気的な相互連結を形成する。多くのパッケージング方法が現れており、それらはウェーハのバンプ付き面にペースト又は液体コーティング剤を適用する必要がある。それらの方法の2つの例は、デバイスメモリー用のWLPとマイクロプロセッサー用のWLUP及び特別の集積回路(ASIC)デバイスの適用を含んでいる。
WLP技術を用いて製造したメモリーパッケージは、前面保護(FSP)コーティングをますます必要としている。これは一般的には接着剤又はカプセル剤であり、ダイシングとシンギュレーションに先立ってウェーハの活性(バンプ付き)面に適用され、硬化する。名前が意味するように、FSPコーティングは、ダイシングやシンギュレーション等の以降の製造工程の間、ウェーハの活性面を保護し、回路基板に付着させる。WLPを用いてパッケージされたすべてのメモリデバイスがFSPコーティングを必要とするものではないが、この技術の進歩とともに要求はより大きくなっている。より薄いパッケージ、より速い信号移動及びより大きなメモリ容量に対する要求等の性能要求は、より小さなバンプ高さを有するより大きなダイへと導いている。これらの変化は、別々でも組み合わされた場合でも、パッケージストレスを増大させ、それはしばしばFSPコーティングを用いることにより軽減される。
フリップチップデバイス、特にマイクロプロセッサ又はASIC等の大きなダイを有するものは、基板又は回路基板にダイの活性面を取り付けるのに使用されるソルダーバンプの周囲に、アンダーフィル又はカプセル剤を用いて一般的にパッケージされている。このパッケージタイプの初期の技術では、キャピラリーアンダーフィルが用いられており、基板に既に取り付けられているダイの周囲に液体として塗布されていた。最近、ウェーハレベルでアンダーフィルの適用を可能とするために、多くの研究がなされ、そのため、時間のかかるキャピラリーアンダーフィル工程を排除することができるようになった。
バンプ付き半導体ウェーハのコーティングは、スピンコーティング、ステンシル印刷及びジェッティング(jetting)を含む当該技術分野で公知の種々の技術を用いて行うことができる。スピンコーティング法は、非常に速い、及び、コーティング材料を適切に選択すれば、非常に均一な塗布厚みを与えるという利点を有している。また、バンプの上には削られるスキージ(squeegee)又は他の物理的媒体は存在しないので、ソルダーバンプの高さより低い厚みとなるように塗布することができ、溶媒をコーティング配合物に使用しても使用しなくても良い。
しかしながら、この方法がバンプ付き面に使用される場合、コーティング材料はダイだけでなく、ソルダーバンプの頂部も塗布する。それからダイは熱圧縮結合法を用いて取り付けられる必要があり、ダイ配置をしている間に熱と圧力を加えることによりはんだ接合が形成される。熱と圧力は、ソルダーバンプの頂部からコーティング剤を追い出し、ダイと基板との間にきれいな接合が形成されることを可能とする。この方法は非常に時間を要し、そのため費用がかかり、そして熱圧縮結合装置は、当該産業分野であまり一般的ではない。さらに、ソルダーバンプの上にフィラーが存在するとその効果が不十分となるため、かなりの量のフィラーを含むコーティング配合物を用いて使用することはできない。
あるいは、ダイが基板に取り付けられる前に、ソルダーバンプの頂部の上のコーティング材料を除去することができ、それにより、ソルダーバンプはきれいな接合を形成することができ、相接する基板に対して効果的な相互連結を与える。これはコーティング材料がフィラーを含む場合には特に必要なことであり、なぜなら、バンプ上のフィラー粒子は接合形成に対し特に有害であるからである。
あるいは、ダイが基板に取り付けられる前に、ソルダーバンプの頂部の上のコーティング材料を除去することができ、それにより、ソルダーバンプはきれいな接合を形成することができ、相接する基板に対して効果的な相互連結を与える。これはコーティング材料がフィラーを含む場合には特に必要なことであり、なぜなら、バンプ上のフィラー粒子は接合形成に対し特に有害であるからである。
過剰のコーティング剤及び/又はフィラー粒子の除去を、コーティング剤のキュア(cure)及び/又はハードニング(hardening)後に行うことができ、ラッピング、グラインディング及び化学エッチングを含む物理的又は化学的手段のいずれかにより完結される。残念ながら、そのプロセス工程は時間を要し、ソルダーバンプ又はウェーハに損傷を与え、そして汚染をもたらす。そのため、ソルダーバンプの上に顕著なコーティング剤の残渣を残すことなく、ソルダーバンプの高さよりも低い所定厚みとなるようにウェーハをコートするコーティングプロセスを用いることが望ましく、それにより、以降のコーティング剤除去工程が不要となり、標準的なピックアンドプレイス(pick and place)のダイ取付装置(高いスループットを有し、当該産業分野で一般的なものである。)を用いることができる。
ステンシル印刷は、溶媒系のコーティング配合物をソルダーバンプを覆うのに十分な厚さに塗布することにより一般的に完了する。それから、コーティング剤はBステージ化されるが、その工程は、溶媒を蒸発させ、コーティング剤を部分的にキュア及び/又はハードニングさせるものである。溶媒の蒸発はコーティング層を実質的に収縮させるので、コーティング層の得られる厚さは、ソルダーバンプの高さより低くなる。しかしながら、バンプの頂部にはまだかなりの残留コーティング剤が存在するので、もしコーティング剤がフィラーを含んでいると、バンプの上にフィラー粒子も存在し得る。ピックアンドプレイスダイ結合によりきれいなはんだ接合が基板との間に形成されるためには、コーティング剤及び/又はフィラーが物理的又は化学的手段により除去されなければならない。
あるいは、ダイシング及びシンギュレーション(ダイシング後のダイの分離)の後、熱圧縮結合法を用いてダイを基板に取り付けることができ、熱と圧力が残留するコーティング剤をはんだ接合から押し出し、良好な結合及び電気的接続が形成されることを可能とする。前述したように、熱圧縮結合装置は、当該産業分野では現在あまり一般的ではなく、そのプロセスは時間のかかる取付方法であり、バンプの上にフィラー粒子が存在すると効果は不十分である。そのため、ソルダーバンプの高さより低い所定厚みになるようにウェーハにコーティング剤を塗布することを可能にし、かつソルダーバンプの頂部にコーティング残渣又はフィラー粒子が存在しないようにするコーティングプロセスを用いることが望ましい。その方法は、従来のピックアンドプレイスダイ取付装置を用いてパッケージをアセンブルすることを可能とし、かつ充填されたコーティング配合物をより速やかに用いることができる。
本発明は、その上に堆積したソルダーバンプを有する半導体ウェーハの活性面のコーティングプロセスであり、
(a)活性な前面と、該前面の上に堆積したソルダーバンプと、該前面に対向する後面とを有する半導体ウェーハを用意し、
(b)上記ソルダーバンプの頂部部分に撥水材料を塗布し、
(c)上記ウェーハの上記前面をコーティング材料でコーティングし、
(d)上記コーティング材料を硬化させ、そして、
(e)必要により、上記バンプから上記撥水材料を除去する、ことからなる。
(a)活性な前面と、該前面の上に堆積したソルダーバンプと、該前面に対向する後面とを有する半導体ウェーハを用意し、
(b)上記ソルダーバンプの頂部部分に撥水材料を塗布し、
(c)上記ウェーハの上記前面をコーティング材料でコーティングし、
(d)上記コーティング材料を硬化させ、そして、
(e)必要により、上記バンプから上記撥水材料を除去する、ことからなる。
本方法は、バンプ付きウェーハを、充填された又は充填されていないコーティング材料のいずれかを用いてソルダーバンプの高さより低い所定の厚さにコーティングすることを可能とするものであり、バンプから残留コーティング材料を除去する必要がなく、またきれいなはんだ接合を得るために、熱圧縮結合法を用いる必要がない。
本発明の別の態様は、上記の方法を用いて作製された半導体ウェーハである。
添付の図面を参照しながら、以下の詳細な説明を読むことにより、本発明をより十分に理解することができる。
(定義)
ここで用いる「アルキル」という用語は、メチル(Me)、エチル(Et)、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、オクチル、デシル等の1〜24の炭素原子からなる、分岐又は非分岐の飽和炭化水素基を指す。この中で、好ましいアルキル基は1〜12の炭素原子を含む。
ここで用いる「アルキル」という用語は、メチル(Me)、エチル(Et)、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、オクチル、デシル等の1〜24の炭素原子からなる、分岐又は非分岐の飽和炭化水素基を指す。この中で、好ましいアルキル基は1〜12の炭素原子を含む。
ここで用いられる化合物、製造物又は組成物の「効果的な量(effective amount)」という用語は、所望の結果を提供するに十分な、化合物、製造物又は組成物の量を意味する。以下で指摘されるように、必要とされる正確な量は、用いる特定の化合物、製造物又は組成物、その適用方法等に応じて、パッケージとパッケージとの間を変動する。そのため、正確な量を特定することは常に可能ではないが、当業者が通常の実験のみを行うことにより効果的な量を決定できる。
ここで用いる「適合した(suitable)」という用語は、決められた目的のためにここで用いられる化合物、製造物又は組成物と適合性のある部分を指すのに使用される。決められた目的に対する適合性は、当業者が通常の実験のみを行うことにより決定できる。
ここで用いる「置換された(substituted)」という用語は、水素又は別の原子が除去されて別の成分により置換された炭素又は適合したヘテロ原子を一般的に指す。さらに、「置換された」は、本発明の基礎となる化合物、製造物又は組成物の基本的及び新規な効用を変化させない置換を指すことを意味する。
ここで用いられる「Bステージ化(B-staging)」(及びその変形)は、熱又は放射線による材料の処理方法であって、材料が溶媒に溶解又は分散している場合、材料の部分的な硬化を伴ってあるいは伴わないで溶媒を揮散させる方法、あるいは、溶媒なしで材料がそのまま(neat)の状態であり、材料を部分的に硬化させて粘着性又はより硬い状態にする方法を指すのに使用される。もし材料が流動性の接着剤であると、Bステージ化は、完全に硬化することなく非常に低い流動性を付与するものであり、接着剤が一の物品を他の物品に接合させるのに使用された後、さらなる硬化を行うことができる。流動性の低下は、溶剤の蒸発、樹脂又はポリマー又は両方の部分的な進行(advancement)又は硬化により達成できる。
本発明に適合した半導体ウェーハは、あらゆる直径及び厚さをとることができ、そして例えば、シリコン、ガリウム砒素、インジウムリン、又は他のあらゆる半導体材料から成ることができる。半導体ウェーハは、活性で電子部品及び回路が形成される上(前)面と、不活性で上記の活性な面に対向する底(後)面を備えるように作製される。
ウェーハの前面は電子的に活性であり、ソルダーバンプがバンプ付けされ、そのソルダーバンプは集積回路と基板との間の電気的接続を形成するために後で使用される。ソルダーバンプは、あらゆる組成、大きさ及び配置をとることができる。
撥水材料は、コーティング材料を撥水化又ははじく作用を有する。はじき又は撥水の効果は、コーティング材料をウェーハに塗布している間及び/又はコーティング材料が硬化している間のいずれかに発現することができる。撥水材料は、ソルダーバンプにくっつき、塗布されるコーティング材料に対し物理的又は化学的のいずれかにより非親和性であるあらゆる材料を用いることができ、それにより、コーティング剤を塗布している間又はそれに続くコーティング材料の硬化の間のいずれかにおいて、ソルダーバンプの被覆されている部分からコーティング材料をはじく。非親和性又は撥水特性は、化学的又は物理的手段のいずれかにより達成することができる。非親和性を達成する一つの方法は、表面エネルギーが大きく異なる(少なくとも5mN/m)材料を用いることである。
また、撥水材料とコーティング材料との間に極性相互作用が存在してはならない。例えば、材料の一つが塩基性であり、他のものが酸性である場合、それらの間には極性相互作用が存在するので、はじきの効果がなくなる。撥水材料とコーティング材料との間に大きな表面エネルギーの差異が存在する場合であっても、このことは変わらない。
硬化した時に非常に平坦な表面、例えばコーティング材料が撥水材料に物理的に付着できない程度の表面を有する撥水材料を用いて、物理的非親和性を達成することができる。
撥水材料の融点又は軟化点は、特定のコーティング材料、硬化プロファイル、及び採用されるプロセスであって通常−40℃から300℃の範囲にあるプロセスに適合するように、実施者により選択される。撥水材料は、その融点がソルダーリフロープロセスで使用される温度より低ければ、室温で固体又は液体のいずれであっても良い。いつくかのケースでは、撥水材料が溶融及び/又は蒸発する前に、溶媒の一部の蒸発及び/又は樹脂の一部の硬化又は固化が可能となるような十分に高い温度であれば、コーティング材料のBステージ温度よりも低くなるように、軟化点又は融点を選択することができる。別のケースでは、撥水材料の融点又は軟化点が、コーティング材料のBステージ温度と硬化温度の間にあることが望ましく、それにより、Bステージの間はソルダーバンプを保護するために完全に同じ場所に残るが、コーティング材料が熱硬化する間に溶融及びおそらく蒸発する。あるいは、コーティング材料をUV硬化する場合には、採用される下流プロセスに応じて、撥水材料は、低い又は高い融点のいずれかを持つことができる。
一態様では、撥水材料はワックスである。適合するワックスは、天然品又は合成品である。適合するワックスの例は、限定されるものではないが、パラフィン、パロワックス、マイクロクリスタリンワックス、石油ワックスブレンド、アモルファスワックス、ポリエステルワックス、大豆ワックス、密蝋及びそれらのブレンドを含む。
別の態様では、撥水材料は、シラン、ポリシロキサン、又はポリフッ素化化合物等の低エネルギー化合物である。
別の態様では、撥水材料は溶媒に溶解され、溶媒/撥水材料配合物はソルダーバンプに塗布される。この態様では、撥水材料は、室温、又は溶媒の沸点より低い高温のいずれかで塗布される。続くプロセス工程では、加熱により溶媒は蒸発し、撥水材料がバンプをコーティングする。
撥水材料をソルダーバンプの頂部に塗布する場合、ソルダーバンプ又はウェーハに損傷を与えることなく、ソルダーバンプのコントロールされた部分にコントロールされた量の材料を堆積させることが可能であればあらゆる方法を用いて塗布することができる。一態様では、溶融した撥水コーティング材料に浸漬したパッドの中にバンプが押し込まれる。パッドには、不織布又は織布材料、織物、スポンジ、又はバンプに移動させるために撥水材料を吸収できる類似のあらゆる材料を用いることができる。別の態様では、バンプは、溶融した撥水材料の溜めの中に浸漬される。これらの両方の態様においても、バンプの頂部がそれらの全高のコントロールされた部分まで覆われるように、ウェーハを溜め又は撥水材料のパッドの中に前進させる。
別の態様では、撥水材料は、紙、マイラー、ポリエチレン、ポリプロピレン、金属箔等のキャリアの上にフィルムとして塗布され、次いでバンプの上に積層され、コントロールされた厚さ及び塗布深さを与える。別の態様では、撥水材料は溶融され、次いでバンプの頂部上に印刷される。この態様では、バンプの頂部上にコントロールされた高さでワックスが堆積されることを確保するために、ウェーハ上のバンプパターンと調和するパターンを有するステンシル又はマスクを用いることができる。
被覆されるべきバンプの部分は、特別のパッケージ要求及び製造条件に応じて変化し、全バンプ高さの5〜100%の範囲をとることができる。典型的には、アンダーフィルが適用された時、バンプの最小量のみが撥水材料で被覆される。これにより、基板との良好な接合形成のためにソルダーバンプの十分な表面をなお露出させた状態で、アンダーフィルができるだけ多くのソルダーバンプを封入することを可能とする。これに対し、前面保護のための塗布の場合、撥水材料で被覆されるバンプの量は、前面保護材料の厚い塗膜を得るために最小限にすることができ、又は、前面保護材料の非常に薄い層が塗布のために必要な場合には、バンプの大部分が被覆されてもよい。
撥水材料の塗布は、あらかじめ選択された特定の材料に適合するあらゆる温度で行うことができ、実施者により過度の実験を行うことなく決定されることができる。例えば、撥水材料が室温で流動性を有する場合、室温で塗布することができる。撥水材料が室温で硬い場合、ソルダーバンプに損傷を与えることなくソルダーバンプに塗布するために、軟化又は溶融させるために加熱する必要がある。撥水材料を、バンプを損傷しないラビング又は軽い接触プロセスによりバンプに塗布することが可能となるように材料を軟化状態とする場合、及び硬化させるために塗膜を顕著に冷却する必要がない場合には、室温より高くかつ材料の融点より低い温度に加熱することもできる。この方法は、完全な液化撥水材料を用いた場合に遭遇する可能性のある滴又は流れがない状態で、非常にコントロールされたコーティングを可能とする。さらに、ウェーハ自身は室温で用いることができ、あるいは予め選択された特定の材料及び採用された製造条件からの要求に応じて、コーティングプロセスを補助するために加熱されることもできる。
バンプ上の撥水材料の厚さ又は深さは、特定の製造プロセスの要求に適合するように実施者が選択することができ、数ミクロンから100ミクロンの範囲とすることができる。最小限のワックス残渣が必要であれば、撥水材料のより薄い層が一般的には望ましい。しかしながら、例えば、ソルダーバンプの膨張及び崩壊のための領域を保存するために、撥水材料の厚い層が望ましい場合もある。これは、塗膜が前面ウェーハ保護材料である場合に起きるであろう。もし撥水材料がバンプ全体の上に厚い層として塗布される場合には、撥水材料を蒸発させた後、その中でバンプが膨張又は崩壊する空白領域がバンプの周囲に形成されるであろう。
撥水材料の深さ又は厚さは、塗布温度での粘度により若干は制御することができる。塗布温度で高粘度を有する材料は厚い層を形成し易く、塗布温度で低粘度を有する材料は、塗布される材料が少なくなり薄い層を形成し易い。実施者は、撥水材料の配合、塗布温度、塗布圧力又は塗布媒体の圧縮率等の多くの変数を変化させることにより、塗布される撥水材料の量を変化させることができる。
塗布される時に、撥水材料が流動状態にあるかどうかに応じて、追加のプロセス工程を設けることができ、そこでは、コーティング材料をウェーハに塗布する前に撥水材料を硬化させる。撥水材料が液体として塗布される場合、撥水材料の硬化は、コーティング材料が、撥水材料を物理的に除去し及びバンプの頂部を汚染するのを防止することができる。また、撥水材料を硬化させると、撥水材料がウェーハの活性面の方向にバンプの表面に滴り落ちることを防止し、あるいは、コーティング材料がバンプの底部を正確に封入することを防止する。一般的には、ウェーハ上の撥水材料を冷却することにより達成されるであろう。
コーティング材料は、バンプ付きダイの前面に塗布できるものであればあらゆる材料を用いることができ、限定されるものではないが、接着剤、カプセル材料又は前面保護材料を含むものである。適合するコーティング材料の選択は、半導体パッケージのコーティングの目的及び採用されるプロセスに依存する。コーティング剤は、一般的にいくつかのタイプのポリマー又は硬化性樹脂を含み、それらは、熱可塑性、熱硬化性、エラストマー、熱硬化性ゴム又はこれらの組み合わせを含むことができる。コーティング剤は溶媒を含んでも含まなくても良い。ポリマー又は硬化性樹脂は、存在するあらゆるフィラーを除いて、一般的に主成分である。
コーティング組成物に一般的に使用される他の成分を、実施者の判断で添加することができ、例えば、他の成分は、限定されるものではないが、硬化剤、フラックス剤、湿潤剤、流動コントロール剤、接着促進剤、及び脱泡剤等を含む。硬化剤は、コーティング剤の硬化を開始、生長、又は促進させるあらゆる材料又は材料の組み合わせであり、促進剤、触媒、開始剤及び硬膜剤を含むものである。コーティング組成物は、フィラーを含んでも良く、その場合、フィラーは全組成に対し95%までの量が存在する。
コーティング材料の粘度及びチキソトロピー指数は、塗布方法、製造条件及び撥水材料に適合するように実施者により選択され、一般的には、ブルックフィールドCP51粘度計を用いて25℃で5rpmで測定され、100〜60,000cPの範囲にある。例えば、もしコーティング材料がスピンコーティング法で塗布される場合、コーティング材料の粘度はかなり低くなるだろう。もしコーティング材料がスクリーン印刷で塗布される場合、一般的に高い粘度になる。この場合、その高粘度と流動しにくさにより、ウェーハに塗布した後すぐには、コーティング材料はソルダーバンプからはじかれないであろう。しかしながら、コーティング材料をBステージ化又は硬化のいずれかのためにウェーハは熱に曝されるので、コーティング材料の粘度はそれが硬化を開始する前に低下し、コーティング材料の流動及びソルダーバンプからのはじきが可能となる。この場合、撥水材料の融点及び軟化点は、コーティング材料が流動する温度よりも高くなるように選択され、それにより撥水材料は同じ場所に残り、ソルダーバンプにはじきの効果を与える。
コーティング剤に使用される樹脂及びポリマーは、固体、液体又はその2つの組み合わせが可能である。適合する樹脂は、エポキシ、アクリレート又はメタクリレート、マレイミド、ビスマレイミド、ビニルエーテル、ポリエステル、ポリブタジエン、シリコーン化オレフィン、シリコーン樹脂、シロキサン、スチレン樹脂及びシアネートエステル樹脂を含む。一態様として、コーティング剤は、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂及びアクリレート樹脂を含む。
一態様として、固体の芳香族ビスマレイミド樹脂(BMI)樹脂粉末がコーティング剤に含まれる。適合する固体BMI樹脂は、以下の構造を有するものである。
これらXの架橋基を有するビスマレイミド樹脂は、商業的に入手可能であり、例えば、サートマー(Sartomer)社(米国)又はHOS−Technic GmbH社(オーストリア)から入手できる。
別の態様として、コーティング組成物に使用するマレイミド樹脂は、以下の一般式を有し、nは1から3、X1は脂肪族基又は芳香族基である。具体的なX1の実体(entity)は、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステル、単純炭化水素、及びカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素又はエーテル等の官能基を含む単純炭化水素を含む。これらのタイプの樹脂は、商業的に入手可能であり、例えば、ナショナルスターチアンドケミカルカンパニー及び大日本インク化学工業から入手できる。
さらなる態様として、マレイミド樹脂は以下の化合物からなる群から選択される。
適合するアクリレート樹脂は以下の一般式のものを含む。
ここで、nは1から6、R1は−H又は−CH3、X2は芳香族基又は脂肪族基である。具体的なX2の実体は、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステル、及びカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素又はエーテル等の官能基を含む単純炭化水素を含む。商業的に入手可能な材料は、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、n−ラウリル(メタ)アクリレート、アルキル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、n−ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフリル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、パーフルオロオクチルエチル(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ノニルフェノールポリポロポキシレート(メタ)アクリレート、及びポリペントキシレートテトラヒドロフルフリルアクリレートとして共栄社化学社から入手できる材料と、ポリブタジエンウレタンジメタクリレート(CN302、NTX6513)及びポリブタジエンジメタクリレート(CN301、NTX6039、PRO6270)としてサートマー社から入手できる材料と、ポリカーボネートウレタンジアクリレート(ArtResinUN9200A)として根上化学産業社から入手できる材料と、アクリル化脂肪族ウレタンオリゴマー(Ebecryl230,264,265,270,284,4830,4833,4835,4866、4881,4883,8402,8800−20R,8803,8804)としてラドキュアスペシャリティーズ(Radcure Specialities)社から入手できる材料と、ポリエステルアクリレートオリゴマー(Ebecryl657,770,810,830,1657,1810,1830)としてラドキュアスペシャリティーズ社から入手できる材料と、及びエポキシアクリレート樹脂(CN104,111,112,115,116,117,118,119,120,124,136)としてラドキュアスペシャリティーズ社から入手できる材料を含む。一態様として、アクリレート樹脂は、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、アクリレート官能基を有するポリブタジエン及びメタクリレート官能基を有するポリブタジエンから成る群から選択される。
適合するビニルエーテル樹脂は、以下の一般式を有するものを含む。
ここで、nは1〜6であり、X3は芳香族基又は脂肪族基である。具体的なX3の実体は、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステル、単純炭化水素、及びカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素又はエーテル等の官能基を含む単純炭化水素を含む。商業的に入手可能な樹脂は、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、及びブタンジオールジビニルエーテルとしてインターナショナルスペシャリティプロダクト(ISP)から入手できる樹脂と、Vectomer4010,4020,4030,4040,4051,4210,4220,4230,4060,5015としてシグマアルドリッチ社から入手できる樹脂を含む。
適合するポリブタジエン樹脂は、ポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリル化ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重合体及びブタジエン−アクリロニトリル共重合体を含む。商業的に入手可能な材料は、ブタジエンホモポリマー(Ricon130,131,134,142,150,152,153,154,156,157,P30D)としてサートマー社から入手できる材料と、ブタジエンとスチレンのランダム共重合体(Ricon100,181,184)としてサートマー社から入手できる材料と、マレイン化ポリブタジエン(Ricon130MA8,130MA13,130MA20,131MA5,131MA10,131MA17,131MA20,156MA17)としてサートマー社から入手できる材料と、アクリル化ポリブタジエン(CN302,NTX6513,CN301,NTX6039,PRO6270,Ricacryl3100,Ricacryl3500)としてサートマー社から入手できる材料と、サートマー社からエポキシ化ポリブタジエン(Polybd600,605)及びダイセル化学工業社からエポキシ化ポリブタジエン(Epolead PB3600)として入手できる材料と、及びアクリロニトリルとブタジエンの共重合体(Hycar CTBNシリーズ,ATBNシリーズ,VTBNシリーズ及びETBNシリーズ)としてハンスケミカル(Hanse Chemical)から入手できる樹脂を含む。
適合するエポキシ樹脂は、ビスフェノール、ナフタレン、及び脂肪族型エポキシを含む。商業的に入手可能な材料は、ビスフェノール型エポキシ樹脂(Epiclon830LVP,830CRP,835LV,850CRP)として大日本インク化学工業社から入手できる材料と、ナフタレン型エポキシ(Epiclon HP4032)として大日本インク化学工業社から入手できる材料と、脂肪族エポキシ樹脂(AralditeCY179,184,192,175,179)としてチバスペシャリティケミカルから入手できる材料と、脂肪族エポキシ樹脂(Epoxy1234,249,206)としてユニオンカーバイドから入手できる材料と、脂肪族エポキシ樹脂(EHPE−3150)としてダイセル化学工業社から入手できる材料を含む。他の適合するエポキシ樹脂は、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシノボラック樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール型エポキシ樹脂、反応性エポキシ希釈剤及びそれらの混合物を含む。
適合するシリコーン化オレフィン樹脂は、シリコーンとジビニル材料との選択的ヒドロシル化反応により得られ、以下の一般式を有する。
ここで、n1は2以上、n2は1以上、及びn1>n2である。これらの材料は商業的に入手可能であり、例えば、ナショナルスターチアンドケミカルから入手できる。
適合するシリコーン樹脂は、以下の一般式を有する反応性シリコーン樹脂を含む。
ここで、nは0又はあらゆる整数、X4とX5は、水素、メチル、アミン、エポキシ、カルボキシル、ヒドロキシル、アクリレート、メタクリレート、メルカプト、フェノール、又はビニル官能基、R2とR3は−H、−CH3、ビニル、フェニル、又は2個以上の炭素原子を有するあらゆる炭化水素構造である。商業的に入手できる材料は、KF8012,KF8002,KF8003,KF−1001,X−22−3710,KF6001,X−22−164C,KF2001,X−22−170DX,X−22−173DX,X−22−174DX,X−22−176DX,KF−857,KF8001,X−22−3367及びX−22−3939Aとしてシンエツシリコーンインターナショナルトレーディング(上海)から入手できる材料を含む。
適合するスチレン樹脂は、以下の一般式の樹脂を含む。
ここで、nは1以上、R4は−H又は−CH3、X6は脂肪族基である。具体的なX6のエンティティは、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステル、及びカルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素又はエーテル等の官能基を含む単純炭化水素を含む。これらの樹脂は、商業的に入手可能であり、例えば、ナショナルスターチアンドケミカル社又はシグマアルドリッチ社から入手できる。
適合するシアネートエステル樹脂は、以下の一般式の樹脂を含む。
ここで、nは1以上、X7は炭化水素基である。具体的なX7の実体は、ビスフェノール、フェノール又はクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン、ポリブタジエン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエーテル又はポリエステルを含む。商業的に入手可能な材料は、AroCyL−10,AroCyXU366,AroCyXU371,AroCyXU378,XU71787.02L,XU71787.07Lとしてハンツマン(Huntsman LLC.)から入手できる材料と、PrimasetPT30,PrimasetPT30S75,PrimasetPT60,PrimasetPT60S,PrimasetBADCY,PrimasetDA230S,PrimasetMethylCy,PrimasetCECYとしてロンザグループ社(Lonza Group Limited.)から入手できる材料と、2−アリルフェノールシアネートエステル、4−メトキシフェノールシアネートエステル、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビスフェノールAシアネートエステル、ジアリルビスフェノールAシアネートエステル、4−フェニルフェノールシアネートエステル、1,1,1−トリス(4−シアナトフェニル(cyanatophenyl))エタン、4−クミルフェノールシアネートエステル、1,1−ビス(4−シアナテオフェニル(cyanateophenyl))エタン、2,2,3,4,4,5,5,6,6,7,7−ドデカンフルオロオクタンジオールジシアネートエステル、及び4,4’−ビスフェノールシアネートエステルとしてオークウッドプロダクト社(Oakwood Products, Inc.)から入手できる材料を含む。
コーティング組成物に適合するポリマーは、さらに、ポリアミド、フェノキシ、ポリベンゾオキサジン、アクリレート、シアネートエステル、ビスマレイミド、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ベンゾオキサジン、ビニルエーテル、シリコーン化オレフィン、ポリオレフィン、ポリベンゾオキシゾール、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリ酢酸ビニル、ポリ(2−ビニルピリジン)、シス−1,4−ポリイソプレン、3,4−ポリクロロプレン、ビニル共重合体、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、ポリホルムアルデヒド、ポリアセトアルデヒド、ポリ(b−プロピオールアセトン)、ポリ(10−デカノエート)、ポリエチレンテレフタレート、ポリカプロラクタム、ポリ(11−ウンデカノアミド)、ポリ(m−フェニレン−テレフタルアミド)、ポリ(テトラメチレン−m−ベンゼンスルホンアミド)、ポリエステルポリアクリレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、フッ素化ポリミド、ポリイミドシロキサン、ポリ−イソシンドロキナゾリンジオン、ポリチオエーテルイミドポリ−フェニル−キノサリン(quinoxaline)、ポリキニキサロン(polyquuinixalone)、イミド−アリルエーテルフェニルキノサリン共重合体、ポリキノサリン、ポリベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリノルボルネン、ポリアリレンエーテル、ポリシラン、パリレン、ベンゾシクロブテン、ヒドロキシベンゾオキサゾール共重合体、ポリシラリレンシロキサン、及びポリベンゾイミダゾールを含む。
コーティング組成物に含有させるのに適した他の材料は、モノビニル芳香族炭化水素と共役ジエンとのブロック共重合体等のゴム状ポリマーを含み、例えば、スチレン−ブタジエン、スチレン−ブタジエン−スチレン(SBS)、スチレン−イソプレン−スチレン(SIS)、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン(SEBS)、及びスチレン−エチレン−プロピレン−スチレン(SEPS)がある。
コーティング組成物に含有させるのに適した他の材料は、例えば、エチレンメタクリレート、エチレンn−ブチルアクリレート、及びエチレンアクリル酸等のエチレン−酢酸ビニルポリマー、他のエチレンエステル及び共重合体、ポリエチレン及びポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリ酢酸ビニル及びそのランダム共重合体、ポリアクリレート、ポリアミド、ポリエステル、ポリビニルアルコール及びその重合体を含む。
適合する熱可塑性ゴムは、カルボキシ末端ブタジエンニトリル(CTBN)/エポキシ付加物、アクリルゴム、ビニル末端ブタジエンゴム、及びニトリルブタジエンゴム(NBR)を含む。一態様として、CTBNエポキシ付加物は、約20〜80重量%のCTBNと約20〜80重量%のジグリシジルエーテルビスフェノールA:ビスフェノールAエポキシ(DGEBA)とから成る。ノベオン社(Noveon Inc.)からは種々のCTBN材料が入手でき、大日本インキ化学工業社とシェルケミカルからは種々のビスフェノールAエポキシ材料が入手できる。NBRゴムは、ゼオン社(Zeon Corporation)から商業的に入手できる。
適合するシロキサンは、主鎖と、透過性を付与する少なくとも1つのシロキサン部分及び新しい共有結合を形成するために反応可能な少なくとも1つの反応性部分を含む該主鎖からのペンダント部分と、からなるエラストマーポリマーを含む。適合するシロキサンの例は、以下のものから製造されるエラストマーポリマーを含む:3−(トリス(トリメチルシリルオキシ)シリル)−プロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリル及びシアノエチルアクリレート;3−(トリス(トリメチルシリルオキシ)シリル)−プロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、及びアクリロニトリル;及び3−(トリス(トリメチルシリルオキシ)シリル)−プロピルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、及びシアノエチルアクリレートを含む。
硬化剤が必要な場合、その選択は、用いるポリマーの化学的性質及び採用するプロセス条件に依存する。硬化剤として、組成物は、芳香族アミン、脂環式アミン、脂肪族アミン、第三ホスフィン、トリアジン、金属塩、芳香族ヒドロキシ化合物又はこれらの組み合わせを用いることができる。その触媒の例は、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−グアナミノエチル−2−メチルイミダゾール及びイミダゾールとトリメリット酸との付加生成物等のイミダゾール類、N,N−ジメチルベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジメチルトルイジン、N,N−ジメチル−p−アニシジン、p−ハロゲノ−N,N−ジメチルアニリン、2−N−エチルアニリノエタノール、トリ−n−ブチルアミン、ピリジン、キノリン、N−メチルモルホリン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルブタンジアミン、N−メチルピペリジン等の第3アミン類、フェノール、クレゾール、キシリノール、レゾルシン及びフロログルシン等のフェノール類、ナフタレン酸鉛、ステアリン酸鉛、ナフタレン酸亜鉛、ジンクオクトレート(zinc octolate)、マレイン酸ジブチル錫、ナフタレン酸マンガン、ナフタレン酸コバルト、及びアセチルアセトン鉄等の有機金属塩類、塩化第二錫、塩化亜鉛、及び塩化アルミニウム等の無機金属塩類、ベンゾイルパーオキサイド、ラウロイパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、パラ−クロロベンゾイルパーオキサイド、及びジ−t−ジパーフタレート等のパーオキサイド類、カルボン酸無水物、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、ラウリル酸無水物、ピロメリット酸無水物、トリメリット酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロプロメリット酸無水物、及びヘキサヒドロトリメリット酸無水部等の酸無水物類、アゾイソブチロニトリル、2,2’−アゾビスプロパン、m,m’−アゾキシスチレン、ヒドロゾン(hydrozones)、及びそれらの混合物等のアゾ化合物類を含む。
一態様として、トリフェニルホスフィン、アルキル置換イミダゾール、イミダゾリウム塩、オニウム塩、第4ホスホニウム化合物、ホウ酸オニウム、金属キレート、1,8−ジアザシクロ[5.4.0]ウンデクス−7−エン又はそれらの混合物から成る群から、硬化促進剤を選択することができる。
別の態様では、ラジカル型又はイオン型の硬化樹脂のいずれを選択するかに応じて、フリーラジカル型開始剤又はカチオン型開始剤のいずれかを用いることができる。フリーラジカル型開始剤が使用される場合、効果的な量が存在する。効果的な量は、一般的に有機化合物(すべてのフィラーを除く)の0.1〜10重量%である。適切なフリーラジカル型開始剤は、ブチルペルオクトエート及びジクミルパーオキサイド等のパーオキサイド、及び、2,2’−アゾビス(2−メチル−プロパンニトリル)及び2,2’−アゾビス(2−メチル−ブタンニトリル)等のアゾ化合物を含む。
カチオン型開始剤が使用される場合、効果的な量が存在する。効果的な量は、一般的に有機化合物(すべてのフィラーを除く)の0.1〜10重量%である。好ましいカチオン型開始剤は、ジシアンジアミド、フェノールノボラック、アジピン酸ジヒドラジド、ジアリルメラミン、ジアミノマルコニトリル、BF3−アミン錯体、アミン塩及び変性イミダゾール化合物を含む。
金属化合物も、シアネートエステルシステムの硬化促進剤として用いることができ、限定されるものではないが、金属ナフテネート、金属アセチルアセトネート(キレート)、金属オクトエート、金属アセテート、金属ハライド、金属イミダゾール錯体及び金属アミン錯体を含む。
コーティング組成に含めることができる他の硬化促進剤は、トリフェニルホスフィン、アルキル置換イミダゾール、イミダゾリウム塩、及びオニウムホウ酸を含む。
いくつかのケースでは、1種以上の硬化剤を用いることが望ましい。例えば、組成物の中にフリーラジカル型硬化性樹脂及びイオン型硬化性樹脂の両方が用いられる場合には、
カチオン型及びフリーラジカル型の開始剤の両方が望ましい。これらの組成物では、それぞれの樹脂種に対して有効な量の開始剤を含む。そのような組成物は、例えば、UV照射を行いカチオン型開始により硬化プロセスを開始させ、後のプロセス工程で、加熱してフリーラジカル型開始により硬化プロセスを完結させることができる。
カチオン型及びフリーラジカル型の開始剤の両方が望ましい。これらの組成物では、それぞれの樹脂種に対して有効な量の開始剤を含む。そのような組成物は、例えば、UV照射を行いカチオン型開始により硬化プロセスを開始させ、後のプロセス工程で、加熱してフリーラジカル型開始により硬化プロセスを完結させることができる。
コーティング材料が溶媒を含む場合には、乾燥及び/又はBステージ化工程が一般的に必要である。これを達成するのに必要な時間と温度は、使用される溶媒及びコーティング組成物により変化し、過度の実験を行うことなく実施者により決定することができる。乾燥及び/又はBステージ化は、塗膜の硬化とは別の工程として実施可能であり(塗膜が硬化される場合)、あるいは別のプロセス工程として実施可能である。
コーティング材料が溶媒を含まない場合、コーティング材料をBステージ化すること又は部分的に早くすることがさらに望ましい。非粘着状態へのコーティング膜の硬化を促進させるために、これを硬化の前に行うことができ、それにより、コーティング膜が完全に硬化する前に追加の処理を行うことができる。
コーティング剤の目的及び組成によっては、コーティング剤は硬化を必要とし又は必要としない。コーティング膜が硬化を必要としない場合、個別のプロセス工程として又はソルダーリフロー等の他の処理操作と共に、のいずれかにより完結することができる。コーティングの目的、コーティング剤の組成、及び採用される製造プロセスに応じて、硬化をウェーハレベル又はダイレベルで行うことができる。
硬化工程が用いられる場合、選択された特定の樹脂の化学的性質及び硬化剤によるが、硬化剤の温度は一般的に80〜250℃の範囲であり、硬化は数秒又は120分までの範囲の時間で達成される。各コーティング組成物の時間及び温度の硬化プロファイルは変化し、異なる組成物は、特定の産業製造プロセスに適合する硬化プロファイルを提供できるように設計可能である。
最終用途に応じて、コーティング組成物の中に1以上のフィラーを含有させることができ、レオロジー特性の改良及び応力低減のために通常添加される。ウェーハの活性面にコーティングするためには、フィラーは電気的に非導電性である必要がある。適合する非導電性フィラーの例としては、アルミナ、水酸化アルミニウム、シリカ、バーミキュライト、雲母、珪灰石、炭酸カルシウム、チタニア、砂、ガラス、硫酸バリウム、ジルコニウム、カーボンブラック、有機フィラー、及びテトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、塩化ビニリデン、塩化ビニル等のハロゲン化エチレンポリマーを含む。フィラー粒子は、ナノサイズから数mmの範囲のあらゆる適切な大きさを有する。特定の最終用途のための大きさの選択は、当業者の専門技術の範囲内である。フィラーは、全組成物の0〜95重量%の量存在することができる。
一態様として、融剤がコーティング組成物に添加される。融剤は、まず金属酸化物を除去し、そしてソルダーバンプの再酸化を防止する。融剤の選択は、樹脂の化学的性質及び用いるバンプの冶金学的性質(metallurgy)に依存する。しかしながら、融剤に対する重要な要求のいくつかは、融剤がコーティング樹脂の硬化に影響を与えないこと、腐食性が強くないこと、リフローの間は気体を除き過ぎないこと、樹脂に対する親和性を有すること、及び/又は融剤残渣が樹脂に対して親和性を有すること、である。
適合する融剤の例は、1以上の水酸基(−OH)、又はカルボキシル基(−COOH)又はその両方を含む化合物、例えば、有機カルボン酸、無水物及びアルコールであり、具体例としては、ロジンガム、ドデカン二酸(アルドリッチからコーフリーM2(Corfree M2)として商業的に入手可能)、セバシン酸、ポリセバシン酸ポリ無水物、マレイン酸、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、エチレングリコール、グリセリン、酒石酸、アジピン酸、クエン酸、リンゴ酸、グルタル酸、グリセロール、3−[ビス(グリシジルオキシメチル)メトキシ]−1,2−プロパンジオール、D−リボース、Dーセロビオース、セルロース、3−シクロヘキセン−1,1−ジメタノール;アミン系の融剤、例えば、1から10の炭素原子を有する脂肪族アミン、具体的には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、n−プロピルアミン、n−ブチルアミン、イソブチルアミン、sec−ブチルアミン、t−ブチルアミン、n−アミルアミン、sec−アミルアミン、2−エチルブチルアミン、n−ヘプチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、n−オクチルアミン、及びt−オクチルアミン;融剤としての特性を備えた架橋剤を用いるエポキシ樹脂を含むものである。別の融剤は、有機アルコールを含む。融剤には、(i)芳香環、(ii)−OH基、−NHR基(Rは水素または低級アルコール)、又は−SH基の少なくとも1種、(iii)芳香環に対する電子吸引性置換基又は電子供与性置換基、及び(iv)イミノ基無し、を有する化合物も用いることができる。融剤には効果的な量が存在し、効果的な量は1〜30重量%の範囲である。
別の態様として、カップリング剤をコーティング組成物に添加することができる。一般的には、カップリング剤は、シランであり、例えば、エポキシ型シランカップリング剤、アミン型シランカップリング剤、又はメルカプト型シランカップリング剤である。カップリング剤が使用される場合、効果的な量で使用される。一般的な量は、5重量%までの量である。
さらに別の態様として、界面活性剤をコーティング組成物に添加することができる。適合する界面活性剤は、有機アクリルポリマー、シリコーン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレン/ポリオキシプロピレンブロック共重合体、エチレンジアミンベースのポリオキシエチレン/ポリオキシプロピレンブロック共重合体、ポリオールベースのポリオキシアルキレン、脂肪族アルコールベースのポリオキシアルキレン、脂肪族アルコールポリオキシアルキレンアルキルエーテル、及びそれらの混合物を含む。界面活性剤が使用される場合、一般的な効果的な量は、5重量%までの量である。
別の態様として、コーティング組成物に湿潤剤を含有させることができる。湿潤剤の選択は、適用の必要条件及び用いる樹脂の化学的性質に依存する。湿潤剤が使用される場合、効果的な量が使用され、一般的な効果的な量は、5重量%までの量である。適合する湿潤剤の例は、スリーエムからFluorad FC−4430として入手できるフッ素系界面活性剤、ロームアンドハースからClariant Fluowet OTN、BYK W−990、Surfynol104界面活性剤、Crompton Silwet L−7280、Triton X100として入手できる湿潤剤、好ましくはMwが240より大きいプロピレングリコール、γ−ブチロラクトン、キャスターオイル、グリセリン又は他の脂肪酸、及びシランを含む。
さらに別の態様として、コーティング組成物に流動性コントロール剤を含有させることができる。流動性コントロール剤の選択は、塗布の必要条件及び用いる樹脂の化学的性質に依存する。流動性コントロール剤が使用される場合、効果的な量が存在し、効果的な量は5重量%までの量である。適合する流動性コントロール剤の例は、カボット(Cabot)からCab−O−Sil TS720として入手できるもの、デグサ(Degussa)からAerosil R202又はR972として入手できるもの、ヒュームドシリカ、ヒュームドアルミナ、又は煙霧金属酸化物を含む。
別の態様として、コーティング組成物に接着促進剤を含有させることができる。接着促進剤の選択は、塗布の必要条件及び用いる樹脂の化学的性質に依存する。接着促進剤が使用される場合、効果的な量が存在し、効果的な量は5重量%までの量である。適合する接着促進剤の例は、例えばダウコーニングからZ6040エポキシシラン又はZ6020アミンシランとして入手できるシランカップリング剤;OSIシルクエスト(Silquest)からA186シラン、A187シラン、A174シラン又はA1289シランとして入手できるもの;デグサからOrganosilane S1264として入手できるもの;ジョーホクケミカルからジョーホクケミカルCBT−1 Carbobenzotriazoleとして入手できるもの;機能性トリアゾール類、チアゾール類、チタネート類、ジルコネト類を含む。
さらなる態様として、脱泡剤(デフォーマー)をコーティング組成物に含有させることができる。脱泡剤の選択は、塗布の必要条件及び用いる樹脂の化学的性質に依存する。脱泡剤が使用される場合、効果的な量が存在し、効果的な量は5重量%までの量である。適合する脱泡剤の例は、ダウコーニングから入手できるAntifoam1400、Dupont Modoflow、及びBYK A−510を含む。
いくつかの態様では、これらの組成物は、接着力を向上させ、粘着性を導入するために粘着付与樹脂を配合させる;粘着付与樹脂の例は、自然生成樹脂(naturally occurring resins)及び変性自然生成樹脂;ポリテルペン樹脂;フェノール変性テルペン樹脂;クマロン−インデン樹脂;脂肪族及び芳香族石油系炭化水素樹脂;フタレートエステル;水素添加炭化水素、水素添加ロジン及び水素添加ロジンエステルを含む。
いくつかの態様では、他の成分を含ませることができ、例えば、液体のポリブテン又はポリプロピレン等の希釈剤;パラフィン及びマイクロクリスタリンワックス等の石油系ワックス、ポリエチレングリース、水素添加の動物性脂肪、魚脂及び植物性脂肪、ミネラルオイル及び合成ワックス、ナフテン酸又はパラフィン酸ミネラルオイルを挙げることができる。
いくつかの態様として、硬化させたコーティング膜の物理的特性を悪化させることなく、粘度の増大を段々と(incrementally)遅らせるために、一官能性の反応性希釈剤を含ませることができる。他の希釈剤も使用できるが、適合する希釈剤は、p−tert−ブチル−フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、グリセロールジブルシジル(dibycidyl)エーテル、アルキルフェノールのグリシジルエーテル(カードライト社(Cardolite Corporation)からCardolite NCとして商業的に入手できる)、及びブタンジオジグリシジルエーテル(アルドリッチからBDGEとして入手できる)を含む。
安定化剤、酸化防止剤、衝撃改良剤等の他の添加剤、及び着色剤も、当業界で知られている種類及び量を、コーティング材料配合物に添加することができる。
樹脂を容易に溶解させ、25℃〜200℃の適切な沸点範囲を有する一般的な溶媒を、この用途に用いることができる。使用できる溶媒の例は、ケトン、エステル、アルコール、エーテル、及び安定な他の一般的な溶媒を用いることができる。適合する溶媒は、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエチルアセテート(PGMEA)、及び4−メチル−2−ペンタノンを含む。
コーティング剤が硬化性である場合、熱曝露、紫外線(UV)照射、マイクロ波、又はこれらの組み合わせにより硬化させることができる。硬化条件はコーティング剤の配合に合わせることができ、実施者により容易に決定されることができる。さらに、塗布の必要条件に応じて、コーティング剤をBステージ化したりあるいはしなかったりすることができる。
ウェーハの前面又は活性面を、バンプ付きウェーハに対し材料を均一に塗布可能なあらゆる方法を用いて塗布することができ、限定されるものではないが、その方法は、ステンシル印刷、スピンコーティング、カーテンコーティング、メニスカスコーティング、又はジェットディスペンシングを含む。コーティングの温度、圧力、速度及び他のコーティング条件は、用いる方法及び塗布されるコーティング剤により指示され、過度の実験を行うことなく、熟練した実施者により決定されることができる。用いる塗布方法、用いるコーティング材料、及び特定の半導体パッケージの必要条件に応じて、ソルダーバンプの高さより低い、あるいはその高さよりも高い位置のいずれかの厚さとなるようにウェーハにコーティング材料が塗布される。コーティング材料が溶媒を含んでいない場合、コーティング層の厚さは、バンプの露出した部分の高さと一般的には同等である。コーティング材料が溶媒を含んでいる場合、湿ったコーティング層の厚さは、ソルダーバンプの露出した部分の高さよりも一般的に高い、すなわち、コーティング層は、撥水材料を部分的又は完全に覆う。溶媒が除去された後、最終的なコーティング層の厚さは、ソルダーバンプの露出した部分と一般的に同等である。
コーティング材料を硬化させることにより、後面研削(backgrinding)、後面保護材料の適用、ダイシング、シンギュレーション、及びダイ取付を含む以降の製造工程を可能とする。使用される硬化方法は、選択されたコーティング材料及び使用される製造方法に依存する。熱可塑性コーティング剤の場合、塗布されたウェーハは、熱可塑性樹脂の融点よりも低い温度まで冷却される。Bステージ化可能なコーティング剤の場合、コーティング剤を熱又は紫外線放射のいずれかによりBステージ化することにより、硬化は達成される。熱硬化性コーティング材料は、コーティング剤の硬化を達成するために、熱及び/又は紫外線放射に曝露させることにより硬化される。コーティング剤を硬化させるために必要な条件は、過度の実験を行うことなく熟練した実施者により容易に決定される。
必要に応じ、一旦コーティング剤が硬化されてしまえば、撥水材料をバンプの上面から除去することができる。一般的には、撥水材料を熱を用いて溶融及び/又は蒸発させることにより除去は達成される。熱的にBステージ化可能な及び/又は熱的に硬化可能なコーティング材料が用いられた場合、コーティング材料を硬化させるために用いたのと同じ加熱プロセスを用いて、又は別の加熱工程を用いて撥水材料の除去を実施することができる。バンプの冶金学的性質、パッケージの配置、撥水材料の性質、及び用いる取付装置に応じて、ダイ取付及びソルダーバンプリフローの前に撥水材料を除去することを不要とすることができる。いくつかのケースでは、例えば熱圧縮結合を用いる場合、ダイが基板に取り付けられ、はんだ接合が形成されている場合には、熱、圧力又はその2者の組み合わせにより、撥水材料を物理的に置換することができる。撥水材料は、プラズマクリーニング(イオン化されたガスを用いるエッチング)あるいは界面活性剤又は石鹸を用いた超音波バスで洗浄することにより除去することも可能である。
コーティング剤を硬化させた後、ウェーハは、従来の方法を用いて、切断され個々のダイにシンギュレートされる。ピックアンドプレイス及び熱圧縮結合を含む従来のあらゆる方法を用いて、塗布されたダイは取り付けられる。ピックアンドプレイスの場合、ソルダーオンパッド又はフラックスオンパッド結合のいずれかを、位置決め及びリフロー時のフラクシングを補助するために実施することができる。
実施例1〜5は、13重量%のビスフェノールAエポキシ、22重量%のγ−ブチロラクトン及び51重量%のシリカフィラーを含むコーティング配合物を用いて調製した。コーティング配合物の残りの14重量%は、硬化剤、接着促進剤、及び接着剤配合物に一般的に用いられる他の添加剤の組み合わせであった。コーティング剤の粘度は5100cPでチキソトロピー指数は1.5であった。ウェーハは、本発明の方法を使用せずに(すなわち、バンプの頂部に撥水材料を塗布せずに)スピンコーティングにより塗布され、比較例1として示される。本発明の方法は、実施例2から4に用いた。実施例2では、240ミクロンのバンプを有するウェーハを用い、バンプの全面を撥水材料で被覆した。実施例3では、バンプは130ミクロンであり、バンプの頂部部分のみに撥水材料を塗布した。実施例4では、バンプは高さが450ミクロンであり、バンプ高さの頂部200ミクロンに撥水材料を塗布した。実施例5では、表面エネルギー特性のために3つのワックスを試験し、本発明の方法を用いたそれらの相対的なはじき特性を比較した。
比較例1−撥水剤なし
高さ240ミクロンで300ミクロンのピッチで配置されたSn/Ag/Cuバンプがバンプ付けされた、厚さ450ミクロンの6”シリコンウェーハに、200ミクロンの厚さとなるように溶媒系エポキシ材料をスピンコートした。窒素雰囲気下で室温、350rpmで15秒、次いで800rpmで5秒の塗布サイクルのプロファイルでスピンコーティングを行った。135℃で20分のBステージ工程で溶媒を除去して、硬化した非粘着性のコーティング膜を形成した。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでウェーハとバンプを観察した。バンプは、SEM映像では黒く見えるコーティング材料によってほとんど完全に覆われ、非常に少量のソルダーバンプは白色であった。
実施例2−発明の方法(撥水材料を使用)
高さ240ミクロンで300ミクロンのピッチで配置されたSn/Ag/Cuバンプがバンプ付けされた、厚さ450ミクロンの6”シリコンウェーハを、本発明の方法を用いて作製した。用いた撥水材料は、商品名Parowaxで販売され、融点が53℃のパラフィンワックスである。バンプの全面積を覆うように、パラフィンワックスで満たされたペーパーパッドに対して、ウェーハのバンプ付き面を135℃でプレスすることにより、撥水材料を塗布した。プレス深さはシム(shims)により調整した。室温まで冷却することにより、ワックスを硬化させ、バンプ上に平坦なコーティング膜を形成した。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでウェーハとバンプを倍率45倍から150倍で観察した。ワックスはソルダーバンプを覆っており、映像では黒く見える。ウェーハの前(バンプ付き)面は、溶媒系エポキシ材料でスピンコートされた。スピンコーティングは、窒素雰囲気下で室温、350rpmで150秒、次いで800rpmで5秒の塗布サイクルのプロファイルでスピンコーティングを行った。135℃で20分のBステージ工程で溶媒を除去して、硬化した非粘着性の厚さ190ミクロン(ウェーハの面から上に測定した)のコーティング膜を形成した。Bステージ化は、ワックスも溶融させ、ソルダーバンプの先端の上に最小のワックス残渣が残ったバンプを露出させた。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでウェーハとバンプを倍率45倍から150倍で観察した。バンプは、ほとんど完全に露出しており(SEM映像では白く見える)、最小のワックス又はコーティング剤の残渣が残っているのが見えた(SEM映像では黒く見える)。
実施例3−発明の方法(撥水材料を使用)
高さ130ミクロンで190ミクロンのピッチで配置されたSn63/37Pbバンプがバンプ付けされた、厚さ450ミクロンの6”シリコンウェーハを、本発明の方法を用いて作製した。用いた撥水材料は、商品名Parowaxで販売され、融点が53℃のパラフィンワックスである。ウェーハのバンプ付き面を、パラフィンワックスで満たしたペーパーパッドに対して135℃でプレスすることにより、ソルダーバンプの頂部に対し、深さ50ミクロン(バンプの頂部からウェーハの方向に測定して)まで撥水材料を塗布した。プレス深さはシムにより調整した。室温まで冷却することにより、ワックスを硬化させて、バンプ上に平坦なコーティング膜を形成した。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでウェーハとバンプを倍率150倍で観察した。ワックスはソルダーバンプの頂部部分を覆っており、映像では黒く見え、ソルダーバンプは白く見える。次いで、ウェーハの前(バンプ付き)面を溶媒系エポキシ材料でスピンコートした。窒素雰囲気下で室温、800rpmで60秒、次いで1200rpmで30秒の塗布サイクルのプロファイルでスピンコーティングを行った。135℃で20分のBステージ工程で溶媒を除去して、硬化した非粘着性の厚さ90ミクロン(ウェーハの面から上に測定した)のコーティング膜を形成した。Bステージ化は、ワックスも溶融させ、ボールの先端の上に最小のワックス残渣が残ったバンプを露出させた。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでウェーハとバンプを倍率150倍で観察した。バンプは、ほとんど完全に露出しており(SEM映像では白く見える)、最小のワックス又はコーティング剤の残渣が残っているのが見えた(SEM映像では黒く見える)。
実施例4−発明の方法(撥水材料を使用)
高さが475ミクロンと測定され800ミクロンのピッチで配置されたSn/Ag/Cuバンプがバンプ付けされ、厚さが450ミクロンと測定された1個のバンプ付きシリコンダイを、本発明の方法を用いて作製した。用いた撥水材料は、商品名Parowaxで販売され、融点が53℃のパラフィンワックスである。ダイのバンプ付き面を、パラフィンワックスで満たしたペーパーパッドに対して、100℃で手でプレスすることにより、ソルダーバンプの頂部に対し、約200ミクロン(バンプの頂部からウェーハの方向に測定して)の深さまで撥水材料を塗布した。室温まで冷却させることにより硬化させたワックスは、バンプ上に平坦なコーティング膜を形成した。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでダイとバンプを倍率35倍で観察した。ワックスはソルダーバンプの先端を覆い、映像では黒く見え、ソルダーバンプは白く見える。ダイの前(バンプ付き)面を溶媒系エポキシ材料でスピンコートした。周囲大気雰囲気下で室温、350rpmで150秒、次いで800rpmで5秒の塗布サイクルのプロファイルでスピンコーティングを行った。135℃で30分のBステージ工程で溶媒を除去して、硬化した非粘着性のコーティング膜を形成した。Bステージ化は、ワックスも溶融させ、ボールの先端の上に最小のワックス残渣が残ったバンプを露出させた。次いで、反射電子検出器を備えたSEMでウェーハとバンプを倍率35倍で観察した。バンプは、ほとんど完全に露出しており(SEM映像では白く見える)、最小のワックス又はコーティング剤の残渣が残っているのが見えた(SEM映像では黒く見える)。
実施例5−表面エネルギー特性
バンプからのコーティング材料のはじきを生成させることに関しての撥水材料の有効性は、コーティング材料と撥水材料との間の、分散性、(又は非極性)及び極性の相互作用の両方に影響される。これらの相互作用の効果は、材料の全表面エネルギー特性を実行することにより確認及び定量がなされた。
表面エネルギーの計算のために、クルス(Kruss)表面張力計を用いて接触角を測定した。公知の表面エネルギーを有する液体を用い、3種の撥水材料(パラフィンワックス パラワックス(Parawax)、クラルス CSX マイクロブレンド35(Clarus CSX Microblend 35)、及びアキュブレンド M300(Accublend M300)について接触角測定を行った。用いた液体は、脱イオン水、ヘキサン、グリセロール、ヘキシルエステルビスマレイミド、及びメチルエチルケトンである。撥水材料は、厚さ2cmで平坦な円形ディスクに型取りされた。液体の静止滴(<直径2mm)を、クルス表面張力計の試料ステージのディスクの表面に載せた。すべての測定は室温で行った。CCDビデオカメラモジュールカメラを用いてディスク表面の液滴を撮影した。クルスの滴形状解析ソフトウェアを用いて、ベースラインの検出及びタンジェント−1法による接触角測定を行った。測定された接触角を表1に示す。
同様に、実施例1から3で使用された溶媒系エポキシコーティング材料(材料A)について、公知の表面特性を有する以下の基板に対する接触角のための試験を行った:ガラス、シリコン、ビスマレイミド−トリアジン(BT)、ナイロン66、及びポリエチレン。材料A(未硬化)の静止滴を室温で、クルス表面張力計の試料ステージのディスクの表面に載せ、接触角を測定した。接触角を表2に示す。
接触角測定は、表面特性を計算するために用いた。全表面エネルギーは、非極性の分散成分(γLWで表される)、及び極性成分(γ+は酸性成分、γ−は塩基性成分)に分解された。液体(L)と固体(S)との間の測定された接触角θを用い、接触角と固体/液体表面特性とを関係付けるために、以下の式を使用した。
この例では、固体又は液体のいずれかの表面特性(γLW、γ+及びγ−)、及び接触角θを、公知の特性を有する液体/固体について少なくとも3回測定を行った。これにより、未知の固体/液体の3つの表面特性(γLW、γ+及びγ−)の計算が可能となる。これらの計算結果を表3に示す。
はじき(又は撥水性)特性と表面エネルギー特性との相関を調べるために、3種の撥水材料を用いて、240ミクロンのバンプを備えたダミーダイに対するはじき効果を検討した。ウェーハのバンプ付き面をパラフィンワックスで満たしたペーパーパッドに対して135℃でプレスすることにより、バンプの全表面が覆われるように、ダイ上のバンプの頂部部分を塗布した。3種の撥水材料(パラフィンワックス パラワックス(Parawax)、クラルス CSX マイクロブレンド35(Clarus CSX Microblend 35)、及びアキュブレンド M300(Accublend M300)のそれぞれを用いて試料を作製した。プレス深さはシムにより調整した。室温まで冷却すると、ワックスは硬化して、バンプ上に平坦なコーティング膜を形成した。次に、材料Aを、これらダイのそれぞれの上にスピンコートした。スピンコートのプロファイルは、350rpmで15秒、次いで800rpmで5秒の塗布サイクルを含んでいた。135℃で20分のBステージ工程で溶媒を除去して、硬化した非粘着性のコーティング膜を形成した。
ソルダーバンプ先端からのコーティング材料のはじきの程度は、22個のバンプに対し、240ミクロンのバンプ直径に基づき、デジタルグレースケールアナリシスを用いて露出したバンプ面積を計算することにより測定した。露出した平均%バンプ面積は、以下の通りである:パラワックス 97.4%、アキュブレンド M300 53%、及びマイクロブレンド <1%。
相対的なはじき特性は、表面エネルギーの傾向(最も小さいものから最も大きいものまで)と一致し、最大のはじき効果を有するワックスは表面エネルギーが小さい。パラフィンワックス パラワックスは、材料Aとの全表面エネルギーの差が最も大きかった。ワックスと材料Aとの間の表面エネルギーの差が最も小さいのは、マイクロブレンドであった。
表面エネルギーの分散成分は、試験したすべての撥水材料では同様であったので、はじき特性の差は、材料Aの比較的より塩基性な特性と相互作用するマイクロブレンドのより酸性的な特性にあることは明らかである。これに対し、パラワックスとアキュブレンドは、それらの表面エネルギーにおいて高い酸性成分が欠如しており、そのため比較的塩基性である材料Aをはじくことについてはより効果的である。
本発明の多くの変形例や変更例が、本発明の精神及び範囲から逸脱しない範囲で可能であり、そのことは当業者には明らかである。ここに記載した特定の態様は例のためにのみ提示されたものであって、本発明は添付されたクレームの用語のみにより限定されるものであり、それらのクレームの等価物の全範囲についても権利を与えられるべきものである。
Claims (14)
- その上に堆積されたソルダーバンプを有する、半導体ウェーハの活性面のコーティングプロセスであって、
(a)活性でかつその上に堆積したソルダーバンプを有する前面と、該前面に対向する後面とを有する半導体ウェーハを用意し、
(b)上記ソルダーバンプの頂部部分に撥水材料を塗布し、
(c)上記ウェーハの上記前面をコーティング材料でコーティングし、
(d)上記コーティング材料を硬化させ、そして、
(e)必要により、上記バンプから上記撥水材料を除去する、ことからなるコーティングプロセス。 - 上記撥水材料がワックスである請求項1記載のプロセス。
- 上記撥水材料を、ソルダーバンプの全高の5〜100%の間の高さに塗布する請求項1記載のプロセス。
- 上記撥水材料の表面エネルギーと上記コーティング材料の表面エネルギーとの間に少なくとも5mN/mの差がある請求項1記載のプロセス。
- 上記撥水材料が非極性であり、上記コーティング材料が極性である請求項1記載のプロセス。
- 上記撥水材料の融点が40℃〜300℃である請求項1記載のプロセス。
- バンプ付きの上記ウェーハ上のバンプの頂部を上記撥水材料で満たしたパッドの中に浸漬して、上記撥水材料を塗布する請求項1記載のプロセス。
- 上記ウェーハ上のソルダーバンプの頂部を液体状態にある撥水材料の溜めの中に浸漬して、上記撥水材料を塗布する請求項1記載のプロセス。
- 上記コーティング材料をスピンコーティングにより塗布する請求項1記載のプロセス。
- 上記コーティング材料をステンシル印刷により塗布する請求項1記載のプロセス。
- 上記コーティング材料が、ビスマレイミド、エポキシ、アクリレート、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される請求項1記載のプロセス。
- 上記コーティング材料がBステージ化できる請求項1記載のプロセス。
- 上記コーティング材料が紫外線硬化性である請求項1記載のプロセス。
- 前面と該前面に対向する後面を有し、前面が、a)活性で、b)ソルダーバンプがバンプ付けされ、及びc)以下のプロセスでコートされている、半導体ウェーハ:
i)上記ソルダーバンプの頂部部分に撥水材料を塗布し、
ii)上記ウェーハの前面をコーティング材料でコーティングし、
iii)上記コーティング材料を硬化させ、及び
iv)必要に応じて、上記撥水材料を溶融及び/又は蒸発させる。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2006/047067 WO2008069805A1 (en) | 2006-12-08 | 2006-12-08 | Process for coating a bumped semiconductor wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010512023A true JP2010512023A (ja) | 2010-04-15 |
Family
ID=39492507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009540219A Pending JP2010512023A (ja) | 2006-12-08 | 2006-12-08 | バンプ付き半導体ウェーハのコーティングプロセス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2092553A1 (ja) |
JP (1) | JP2010512023A (ja) |
KR (1) | KR20090101336A (ja) |
CN (1) | CN101595553A (ja) |
WO (1) | WO2008069805A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019098303A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Nok株式会社 | シール部材 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2921667B1 (fr) * | 2007-10-01 | 2012-11-09 | Saint Gobain Abrasives Inc | Composition resinique liquide pour articles abrasifs |
TWI540644B (zh) * | 2011-07-01 | 2016-07-01 | 漢高智慧財產控股公司 | 斥性材料於半導體總成中保護製造區域之用途 |
CN103847032B (zh) * | 2014-03-20 | 2016-01-06 | 德清晶辉光电科技有限公司 | 一种大直径超薄石英晶片的生产工艺 |
KR102592641B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2023-10-24 | 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 | 3d tsv 패키지용 제제 및 그의 용도 |
US10717901B2 (en) * | 2015-11-04 | 2020-07-21 | Lintec Corporation | Curable resin film and first protective film forming sheet |
EP3377578A4 (en) | 2015-11-17 | 2019-05-08 | Henkel IP & Holding GmbH | RESIN COMPOSITIONS FOR SUBSTITUTING LAYER FOR THREE-DENSITY THROUGH SILICA VIA (TSV) PACKAGING AND FOR THE PRODUCTION OF SUITABLE COMPOSITIONS |
CN108878125B (zh) * | 2018-06-20 | 2021-02-09 | 无锡新畅电子有限公司 | 一种灌胶变压器针脚焊接处理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821878B2 (en) * | 2003-02-27 | 2004-11-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Area-array device assembly with pre-applied underfill layers on printed wiring board |
US6774497B1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-08-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Flip-chip assembly with thin underfill and thick solder mask |
KR100520080B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체칩 표면실장방법 |
-
2006
- 2006-12-08 WO PCT/US2006/047067 patent/WO2008069805A1/en active Application Filing
- 2006-12-08 EP EP06845126A patent/EP2092553A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-08 CN CNA2006800565443A patent/CN101595553A/zh active Pending
- 2006-12-08 JP JP2009540219A patent/JP2010512023A/ja active Pending
- 2006-12-08 KR KR1020087031951A patent/KR20090101336A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019098303A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Nok株式会社 | シール部材 |
CN111316022A (zh) * | 2017-11-17 | 2020-06-19 | Nok株式会社 | 密封构件 |
JPWO2019098303A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2020-12-03 | Nok株式会社 | シール部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2092553A1 (en) | 2009-08-26 |
CN101595553A (zh) | 2009-12-02 |
WO2008069805A1 (en) | 2008-06-12 |
KR20090101336A (ko) | 2009-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100007018A1 (en) | Process for coating a bumped semiconductor wafer | |
JP2010512023A (ja) | バンプ付き半導体ウェーハのコーティングプロセス | |
JP2006229199A (ja) | ホットメルトアンダーフィル組成物およびそれを施す方法 | |
KR101265988B1 (ko) | 플럭싱용 조성물 | |
KR101467416B1 (ko) | 웨이퍼 코팅용 고도전성 조성물 | |
JP4276085B2 (ja) | ウェハーパッケージング用のアンダーフィル封入材及びその塗布方法 | |
EP1461829B2 (en) | Dual cure b-stageable underfill for wafer level | |
EP1746642A2 (en) | Process for exposing solder bumps on an underfill coated semiconductor | |
JP5993845B2 (ja) | 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆 | |
US20100279469A1 (en) | Low-Voiding Die Attach Film, Semiconductor Package, and Processes for Making and Using Same | |
TW201231586A (en) | Adhesive Compositions for a Semiconductor, an Adhesive Sheet for a Semiconductor and a Production Method of a Semiconductor Device | |
CN1808692A (zh) | 热熔性底部填充胶组合物及其涂覆方法 | |
EP1694769A1 (en) | Dual-stage wafer applied underfills | |
TWI385211B (zh) | 利用無流動法的半導體裝置的製造方法 | |
WO2009067113A1 (en) | Low-voiding die attach film, semiconductor package, and processes for making and using same | |
JP2004238625A (ja) | 室温印刷可能ペースト接着剤 | |
US20100311207A1 (en) | Compounds Having A Diphenyl Oxide Backbone and Maleimide Functional Group | |
WO2008111980A1 (en) | Composition containing porphyrin to improve adhesion | |
JP5250640B2 (ja) | 自己フィレット化・ダイ取付けペースト | |
KR20100014084A (ko) | 에스테르 및 설파이드 작용성을 함유하는 말레이미드 | |
JP5557158B2 (ja) | フリップチップ接続用アンダーフィル剤、及びそれを用いる半導体装置の製造方法 | |
JP2010510653A (ja) | ボードオンチップパッケージおよびその製造方法 | |
WO2009078878A1 (en) | Compounds having a diphenyl oxide backbone and maleimide functional group | |
TWI657112B (zh) | 二烯/親二烯體偶合物及具可再加工性之熱固性樹脂組合物 | |
JP2011231139A (ja) | 接着剤層の形成方法、及び接着剤組成物 |