JP2010288194A - 半導体スイッチング素子のドライブ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドライブ回路は、直列に接続された第1半導体スイッチング素子Q1と第2半導体スイッチング素子Q2とを交互にオン動作させ、第1,第2半導体スイッチング素子の制御信号となるパルス信号を生成するパルス信号発生回路2の両端に接続され、コンデンサCとトランスT1の一次巻線Pとの直列回路と、一次巻線とは逆方向に巻回され、発生した電圧を第1半導体スイッチング素子の制御端子に印加するトランスの第1の二次巻線S1と、一次巻線と同方向に巻回され、発生した電圧を第2半導体スイッチング素子の制御端子に印加するトランスの第2の二次巻線S2と、パルス信号が停止されたときにオンすることにより第1半導体スイッチング素子のオン期間を短くさせるスイッチング素子Q3とを備える。
【選択図】図1
Description
2 パルス信号発生回路
3a,3c 第1ドライブ回路
3b,3d 第2ドライブ回路
Q1 第1半導体スイッチング素子
Q2 第2半導体スイッチング素子
Q3 スイッチング素子
T1 トランス
P 一次巻線
S1 第1の二次巻線
S2 第2の二次巻線
R1,Dr1,Dr2 抵抗
VDC 直流電源
Claims (4)
- 直列に接続された第1半導体スイッチング素子と第2半導体スイッチング素子とを交互にオン動作させる半導体スイッチング素子のドライブ回路であって、
前記第1,第2半導体スイッチング素子の制御信号となるパルス信号を生成するパルス信号発生回路の両端に接続され、コンデンサとトランスの一次巻線とが直列に接続された第1直列回路と、
前記トランスの一次巻線とは逆方向に巻回され、発生した電圧を前記第1半導体スイッチング素子の制御端子に印加する前記トランスの第1の二次巻線と、
前記トランスの一次巻線と同方向に巻回され、発生した電圧を前記第2半導体スイッチング素子の制御端子に印加する前記トランスの第2の二次巻線と、
前記パルス信号が停止されたときにオンすることにより前記第1半導体スイッチング素子のオン期間を短くさせるスイッチング素子と、
を備えることを特徴とする半導体スイッチング素子のドライブ回路。 - 前記スイッチング素子の第1主端子及び第2主端子間には、前記コンデンサが接続され、前記スイッチング素子の制御端子にドライブ回路を停止させるための停止信号が入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング素子のドライブ回路。
- 前記スイッチング素子の第1主端子及び第2主端子間には、前記トランスの一次巻線又は前記トランスの第1の二次巻線又は前記トランスの第2の二次巻線が接続され、前記スイッチング素子の制御端子にドライブ回路を停止させるための停止信号が入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング素子のドライブ回路。
- 前記スイッチング素子と第1抵抗とが直列に接続された第2直列回路を有し、
前記第1抵抗の値は、前記停止信号が入力されたとき、前記第2直列回路の両端に接続された前記トランスの一次巻線又は前記トランスの第1の二次巻線又は前記トランスの第2の二次巻線に発生する電圧を抑制し、前記トランスの第1の二次巻線に発生する電圧が前記第1半導体スイッチング素子の制御端子の閾値電圧を超えないように設定されることを特徴とする請求項3記載の半導体スイッチング素子のドライブ回路。
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