JP2010271265A - 制御棒 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】横断面が十字形をしている制御棒1では、4枚のブレード2が板部材3で構成され、各板部材3には、制御棒の軸心からブレード2の先端に向かい下方に向かって傾斜する複数の中性子吸収材充填孔4及び5が形成される。炭化ホウ素7が中性子吸収材充填孔4内に充填され、ハフニウム7が中性子吸収材充填孔5内に充填される。ハンドル10がブレード2の上端部に設けられ、下部支持板11がブレード2の下端部に設けられる。ガス溜め室13が内部に形成された落下速度リミッタ12が下部支持板11の下端部に設けられる。各中性子吸収材充填孔4は、連通孔14に接続され、連通孔15,16を介してガス溜め室13に連絡される。炭化ホウ素7が中性子を吸収することによって発生したヘリウムガスはガス溜め室13に排出される。
【選択図】図1
Description
Claims (9)
- 軸心から四方に伸びる4枚のブレードと、前記ブレードの下端部に設けられた下部支持部材と、前記ブレード内に形成された複数の中性子吸収材充填領域内に配置された、中性子の吸収によってガスを生成する中性子吸収材と、前記下部支持部材に設けられたガス溜め室と、各々の前記中性子吸収材充填領域と前記ガス溜め室とを連絡する連絡通路とを備えたことを特徴とする制御棒。
- 前記ブレードが板部材で構成され、前記複数の中性子吸収材充填領域が前記板部材内に形成されている請求項1に記載の制御棒。
- 前記ガスを生成する前記中性子吸収材が配置された前記複数の中性子吸収材充填領域が、前記軸心から前記ブレードの先端に向かって前記下部支持部材側に傾斜しており、前記複数の中性子吸収材充填領域の、前記軸心側の端部が前記連絡通路に接続されている請求項2に記載の制御棒。
- 前記ブレードに設けられたハンドルと、前記ガスを生成する中性子吸収材が配置された前記中性子吸収材充填領域と前記ハンドルの間で、前記板部材に形成された他の中性子吸収材充填領域と、前記他の中性子吸収材充填領域内に配置された、前記中性子の吸収によってガスを生成しない他の中性子吸収材とを備えた請求項3に記載の制御棒。
- 前記中性子の吸収によってガスを生成しない前記他の中性子吸収材が配置された前記他の中性子吸収材充填領域の長さが、前記ガスを生成する中性子吸収材が配置された前記中性子吸収材充填領域よりも長くなっている請求項4に記載の制御棒。
- 前記ブレードが、前記中性子吸収材を配置した前記中性子吸収材充填領域が形成された複数の管状部材を、前記軸心と直交する方向に並べて配置し、これらの管状部材を隣り同士で溶接により接合されている構成を有する請求項1に記載の制御棒。
- 前記ガス溜め室が、前記下部支持部材に設けられる落下速度リミッタに形成される請求項1ないし6のいずれか1項に記載の制御棒。
- 前記落下速度リミッタが、周方向に間隔を置いて配置された複数の仕切り部材と、これらの仕切り部材に設けられる底部材と、前記底部材の上方に配置されるカバー部材とを有し、
前記連絡通路に接続される前記ガス溜め室が、隣り合う前記仕切り部材の間で前記底部材と前記カバー部材の間に形成される請求項7に記載の制御棒。 - 前記落下速度リミッタが、周方向に間隔を置いて配置された複数の仕切り部材と、これらの仕切り部材に設けられる底部材と、前記連絡通路に接続され、内部に前記ガス溜め室を形成する管路部材とを備えた請求項7に記載の制御棒。
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2009
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