JP2010257576A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明によれば実質的に鉛成分を含まない材料によって構成されながら、高品質および高歩留まり生産を可能とするプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面基板上に複数の表示電極を配置した前面板と、前記表示電極に交差するように背面基板上にアドレス電極を配置し、前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層上に隔壁を配した背面板とを、放電空間が形成されるように対向配置したPDPであって、絶縁体層は鉛を含まず、絶縁体層の空隙率が隔壁の空隙率よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面基板上に複数の表示電極を配置した前面板と、前記表示電極に交差するように背面基板上にアドレス電極を配置し、前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層上に隔壁を配した背面板とを、放電空間が形成されるように対向配置したPDPであって、絶縁体層は鉛を含まず、絶縁体層の空隙率が隔壁の空隙率よりも大きいことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は表示デバイスとして知られるプラズマディスプレイパネルに関するものである。
近年、双方向情報端末として大画面、壁掛けテレビへの期待が高まっており、そのための表示デバイスとして、液晶表示パネル、フィールドエミッションディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの数多くのものがある。これらの表示デバイスの中でもプラズマディスプレイパネル(以下、PDPとする)は、自発光型で美しい画像表示ができ、大画面化が容易であるなどの理由から、視認性に優れた薄型表示デバイスとして注目されており、高精細化および大画面化に向けた開発が進められている。
PDPは表示電極、誘電体層、MgOによる保護層などの構成物を形成した前面板と、電極、隔壁、絶縁体層、蛍光体層などの構成物を形成した背面板とを、内部にR・G・Bそれぞれの微小な放電セル(以下、単にセルとする)を形成するように対向配置されるとともに、周囲を封着部材により封止されている。そして、そのセルにネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などを混合してなる放電ガスを例えば66500Pa(約500Torr)程度の圧力で封入している。
元来PDPは自発光型であるため各セルは非常に高い視野角を有するが、高精細化・大画面化に伴い全領域で均一なパネル特性が求められるため、材料物性・構造形成プロセスに対して対策が様々に施される。例えば、放電空間並びに蛍光体形状を定義して、同箇所に2回の塗布プロセスを用いてその構造を実現する方法を見出し、視野角の変化に対して蛍光体からの均一な発光を得る方法等が開示されている。
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、特許文献2が知られている。
近年の環境問題への関心の高揚に伴い、構成成分に実質的に鉛を含まない技術が開発されている。PDPの背面板の絶縁体層に関しても、これまで鉛を構成成分に含む材料が用いられてきたが、近年は実質的に鉛を含まない材料に代替する技術が確立されてきている。
また一方で、近年のPDPは、高画質ディスプレイへの要求の高まりから、ディスプレイの画素数を上げるために1つ1つの画素サイズを小さくすることが求められている。PDPの蛍光体層を形成する際には塗布プロセスを用いることが一般的であるが、画素サイズが小さい場合は均一な塗布が非常に困難である。このような状況下では、セルによって蛍光体塗布量にばらつきが生じ、PDPの画像表示時に輝度のムラや不灯セルとなり、PDPの画像表示品質が劣化してしまう。
さらに、鉛を含まない絶縁体層を用いた場合、蛍光体塗布量のばらつきが大きくなる傾向にあり、生産歩留まりが悪化する課題が生じる。
本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、鉛を含まない材料で構成されながら、高品質で高歩留まりなPDPを提供することを目的とする。
上記従来の課題を解決するため、本発明のPDPは、前面基板上に複数の表示電極を配置した前面板と、前記表示電極に交差するように背面基板上にアドレス電極を配置し、前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層上に隔壁を配した背面板とを、放電空間が形成されるように対向配置したPDPであって、絶縁体層は鉛を含まず、絶縁体層の空隙率が隔壁の空隙率よりも大きいことを特徴とする。
ここで隔壁の空隙率が12%以下であることが望ましく、また絶縁体層の厚みのうち、背面基板から50%までにおける空隙率の平均値が5%〜15%の範囲であることが望ましい。
このように本発明によれば、実質的に鉛成分を含まない材料によって構成されたPDPでありながら、高品質で高歩留まり生産を可能とするPDPを提供する。
以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて、図面を用いて説明する。まず、PDPの構造について図1を用いて説明する。図1に示すように、PDPは、ガラス製の前面基板1と背面基板2とを、その間に放電空間を形成するように対向配置することにより構成されている。前面基板1上には表示電極を構成する走査電極3と維持電極4とが互いに平行に対をなして複数形成されている。そして、走査電極3および維持電極4を覆うように誘電体層5が形成され、誘電体層5上には保護層6が形成されている。
また、背面基板2上には絶縁体層7で覆われた複数のアドレス電極8が設けられ、その絶縁体層7上には井桁状の隔壁9が設けられている。また、絶縁体層7の表面および隔壁9の側面に蛍光体層10が設けられている。そして、走査電極3および維持電極4とアドレス電極8とが交差するように前面基板1と背面基板2とが対向配置されており、その間に形成される放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンの混合ガスが封入されている。なお、PDPの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
上記、PDPの作製方法についての一例を以下に述べる。まず前面基板1上に電極形成用の感光性ペーストをスクリーン印刷法等により形成する。その後、露光・現像を行うことで表示電極のパターン形成を行う。表示電極のパターン形成の後、それを覆うように誘電体層5をスクリーン印刷法あるいはコート塗布を用いて形成、焼成を行う。さらにその上に蒸着法等によってMgOなどの保護層6を形成する。
背面基板2上にアドレス電極8用の感光性ペーストをスクリーン印刷法により形成し、その後露光、現像によりアドレス電極8のパターン形成をする。そしてアドレス電極8上に絶縁体層7をスクリーン印刷法やコート塗布法によって形成し、その上に井桁状あるいはストライプ状の隔壁9を形成するために感光性のペーストを数回に分けてコート塗布法によって形成し、露光を行う。この際に、ペーストの塗布回数と露光パターンによって少なくとも2段以上の段差を持った構造を形成することができる。現像によるパターン形成後、焼成を行う。焼成後に隔壁9内部にRGBの蛍光体層10をディスペンサー法などで配置し、高温雰囲気下で乾燥を行う。
上記方法で作製された前面基板1および背面基板2をそれぞれの膜面が向き合うように配置し、封着を実施する。この際に背面基板周辺に配置されたフリットガラス等により封止する。
その後、背面基板2側に配置された排気孔より基板を加熱しながら排気を行い、ある一定の真空度に到達後、PDP内部にキセノンやネオンなどの希ガスを封入する。ガス封入後に排気管を封止し、PDPを完成させる。
ここから本発明の実施の形態における絶縁体層7および隔壁9について具体的に説明する。上記のように、本発明の実施の形態では、絶縁体層7は鉛を含まず、絶縁体層7の空隙率が隔壁9の空隙率よりも大きいことを特徴とする。さらに隔壁9の空隙率が12%以下であることが望ましく、また絶縁体層7の厚みのうち、背面基板2から50%までにおける空隙率の平均値が5%〜15%の範囲であることが望ましい。
まず絶縁体層7について説明する。絶縁体層7は、図1に示すように背面基板2とアドレス電極8の上に形成される。塗布にはダイコート法を用いており、ペーストを塗布した後、乾燥工程、焼成工程を経て形成される。
一般に従来技術において絶縁体層を形成するための絶縁体ペーストは、重量で表される成分比で、ガラス成分35%〜45%、フィラー15%〜25%、バインダ10%〜20%、溶剤20%〜30%の配合比である。これに対し、上記構成となるために、本発明の実施の形態において絶縁体ペーストは、重量で表される成分比で、ガラス成分25%〜35%、フィラー25%〜35%、バインダ10%〜20%、溶剤20%〜30%の配合比のものを用いている。さらに望ましくは、ガラス成分30%〜35%、フィラー25%〜30%、バインダ10%〜20%、溶剤20%〜30%の配合比のものであった。
さらに、本発明の実施の形態では絶縁体層7の焼成工程における到達温度を制御している。従来技術よりも10℃〜30℃高く保持することによって、上記の空隙率を有した絶縁体層7を形成することができる。例えば、従来技術において焼成工程の到達温度が540℃〜600℃であった場合、本発明の実施の形態の構成とする場合、570℃〜630℃程度とする。
このように、本発明の実施の形態では、絶縁体ペーストにおけるフィラーとガラス成分の配合比と焼成工程における到達温度を制御し、上記の空隙率を有する絶縁体層7を形成している。これによって本課題を解決するような良好な結果が得られた。
そして、本発明の実施の形態では絶縁体層7のガラス成分としては以下のようになる。絶縁体層7のガラス成分は実質的に鉛成分を含んでおらず、各成分のモル表記での含有量を次のようにしている。Biが0.1%〜25%、Znが10%〜30%、Tiが0.1%〜25%であって、さらにW、Mn、Sb、Baを0.1%以下としている。
次に本発明の実施の形態における隔壁9について詳細に説明する。図2は本発明の実施の形態における背面板の一部の断面図である。同図では隔壁9を一対のみ示している。このように本発明の実施の形態においては、隔壁9を隔壁上層9aと隔壁下層9bとの二層構造としている。隔壁層焼成後の膜厚として、隔壁9全体の膜厚に対して、隔壁上層9aの膜厚が8%〜20%となるようにしている。
本発明の実施の形態において隔壁9を形成する隔壁ペーストは次のようになる。先に述べたように、隔壁9は隔壁上層9aと隔壁下層9bとで構成される。隔壁下層9bに用いる隔壁ペーストは、重量で表される配合比が、ガラス成分30%〜70%、バインダ成分2%〜30%、溶剤成分20%〜50%となっている。
そして、隔壁上層9aを形成する隔壁ペーストは、重量で表される配合比が、ガラス成分15%〜35%、フィラー成分20%〜30%、バインダ成分2%〜30%、溶剤成分20%〜50%となっている。さらに望ましくは、ガラス成分25%〜40%、フィラー10%〜20%、バインダ成分2%〜30%、溶剤成分20%〜50%であった。
従来技術として、隔壁上層のフィラー成分を20%〜30%とする技術は開示されているが、本発明の実施の形態では上記のようにフィラー成分の配合比を低くした隔壁ペーストを用いている。
このような隔壁ペーストを用い、スクリーン印刷法またはコート法等により隔壁層を形成する。その後、フォトリソグラフィー法等により隔壁9の前駆体を形成し、焼成工程で焼結を行い、隔壁9を形成する。
さらに、本発明の実施の形態では隔壁9の焼成工程における到達温度を制御している。従来技術よりも10℃〜30℃高く保持することによって、上記の空隙率を有した絶縁体層7を形成することができる。例えば、従来技術において焼成工程の到達温度が540℃〜600℃であった場合、本発明の実施の形態の構成とする場合、570℃〜630℃程度とする。
なお、絶縁体層7と隔壁9とを同時に焼成する焼成工程を用いた場合であっても、上記のような到達温度設定とすることで、本発明の実施の形態の構成は得られる。
次に、本発明の実施の形態において絶縁体層7と隔壁9の空隙率を上記の範囲とする理由について説明する。
先に述べたように、従来技術においては、蛍光体層10の形成時にセルによって蛍光体塗布量がまちまちになり、パネルの点灯時にムラや不灯が生じるという課題があった。これは明確にはなっていないが、絶縁体層の成分として実質的に鉛成分を用いないことで、絶縁体層の軟化点が上昇し、焼成工程による絶縁体層の焼成度合いにばらつきが生じたためであると推定される。
これに対し発明者らは、前記アドレス電極上の前記絶縁体層の空隙率を、前記隔壁の空隙率よりも大きくすることで、上記課題を解決することを見出した。
このような構成とすることで、蛍光体層を塗布した際、蛍光体ペーストが隔壁に沿ってスムーズに落下し、かつ絶縁体層によく馴染ませることができる。こうすることで、蛍光体の塗布ばらつきや蛍光体の抜けを低減させることができた。
ここで空隙率とは、絶縁体層7や隔壁9の中で、絶縁体層7や隔壁9が存在していない部分の体積の割合であって、以下の方法で測定される。
(1)構成部位を形成した背面基板2を割断し、絶縁体層7と隔壁9の断面が露出したサンプルを切り出す。
(2)絶縁体層7と隔壁9を二次電子走査型電子顕微鏡(SEM)にて撮像する。
(3)撮像されたサンプル断面の画像から、空隙率を算出する。
(1)構成部位を形成した背面基板2を割断し、絶縁体層7と隔壁9の断面が露出したサンプルを切り出す。
(2)絶縁体層7と隔壁9を二次電子走査型電子顕微鏡(SEM)にて撮像する。
(3)撮像されたサンプル断面の画像から、空隙率を算出する。
また絶縁体層7や隔壁9の断面は、SEM撮像時のコントラストを上げ、かつ割断時の割れ具合による測定ばらつきを防止するため、空隙部や周辺を樹脂でコートすることが望ましい。本発明の実施の形態は、日立製作所製走査型電子顕微鏡S−3000を用いて行った。算出に用いた撮像は反射電子計測モードで、加速電圧15kV、ワークディスタンス15mmにて行った。
また、本発明の実施の形態においては、蛍光体層10の塗布の均一性を塗布マージン量として見積もった。
ここで塗布マージン量とは、隔壁形成後の背面基板に蛍光体ペーストを塗布する際に、正常に塗布することが可能な塗布厚み適正値の幅である。例えば塗布厚みが適正値より小さいと、蛍光体層がその箇所において抜けてしまい、放電しない放電セルもしくは輝度が低い放電セルが存在し不良となる。一方適正値より大きいと、蛍光体ペーストが隔壁を超えて隣接放電セルに溢れ、放電セル間の混色や蛍光体膜厚が大きくばらつくことになり、同様に不良となる。
つまり、ある程度以上の塗布マージン量がないと、蛍光体塗布不良によってPDPの歩留まりが低下することとなる。すなわち蛍光体塗布不良を生じさせない適正値の幅が大きいことが望ましい。
発明者らは、絶縁体層と隔壁の空隙率の差が、上記塗布マージン量と相関があることを見出した。そして絶縁体層7の空隙率を、隔壁9の空隙率よりも大きくすることで塗布マージン量が大きく確保できることが判明した。さらに隔壁9の空隙率は12%以下であることが望ましく、12%より大きくなった場合、蛍光体ペーストが隔壁上に残留することになり、絶縁体層7上に安定して形成されなくなることが判明した。
また、製造時における隔壁9の焼成工程処理時間の制約から、空隙率0.1%以上が望ましい。
さらに、本発明の実施の形態においては、PDPの点灯必要電圧値の上昇度合いを点灯部染み出し量として見積もった。ここで点灯部染み出し量は次のようにして測定する。
(1)PDP画像表示領域のある領域のみを常時白色点灯し、その他の領域を常時非点灯の状態とし、その状態で100時間経過させる。
(2)常時白色点灯している領域の周辺部、すなわち本来常時非点灯の領域にて発光する現象が観測される。
(3)上記常時非点灯部の発光している領域の幅を測定し、これを点灯部染み出し量とする。
(1)PDP画像表示領域のある領域のみを常時白色点灯し、その他の領域を常時非点灯の状態とし、その状態で100時間経過させる。
(2)常時白色点灯している領域の周辺部、すなわち本来常時非点灯の領域にて発光する現象が観測される。
(3)上記常時非点灯部の発光している領域の幅を測定し、これを点灯部染み出し量とする。
これはPDPの経時変化により点灯電圧値が変化した状態を示すものであり、電圧上昇によるPDPの寿命を予測する指標として用いられる。
発明者らは、絶縁体層7の空隙率と点灯部染み出し量とは相関関係があり、絶縁体層7の空隙率が減少するに伴い、点灯部染み出し量も減少することを見出した。そしてPDPの寿命を十分達成しうる点灯部染み出し量を満たすためには、絶縁体層7の背面基板2側から厚み0〜50%の深さの空隙率の平均値が15%以下であることが必要であった。
また、製造時における絶縁体層7の焼成工程処理時間の制約から、空隙率1%以上が望ましい。
表1は本発明の実施の形態における絶縁体層7と隔壁9を有するPDPを作成し、その評価を行った結果を示している。評価としては上記のように蛍光体の塗布マージン量と点灯部染み出し量からPDP寿命について行った。同表中の実施例1〜実施例3は本発明の実施の形態の条件を満たすPDPであって、比較例1および比較例2は、同条件を満たしていないPDPである。
表1に示すように、比較例1および比較例2では隔壁の空隙率が12%を超えるため、蛍光体塗布マージン量の評価で良好な結果を得られていない。また比較例2では絶縁体層の空隙率が15%を超えるため、PDP寿命評価において良好な結果を得られていない。
一方で実施例1〜実施例3では絶縁体層および隔壁ともに空隙率の本発明の実施の形態の条件を満たすため、蛍光体塗布マージン量およびPDP寿命のいずれの評価でも良好な結果を得られている。
以上のように本発明のPDPは、本発明のPDPは、前面基板上に複数の表示電極を配置した前面板と、前記表示電極に交差するように背面基板上にアドレス電極を配置し、前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層上に隔壁を配した背面板とを、放電空間が形成されるように対向配置したPDPであって、絶縁体層は鉛を含まず、絶縁体層の空隙率が隔壁の空隙率よりも大きいことを特徴とする。ここで隔壁の空隙率が12%以下であることが望ましく、また絶縁体層の厚みのうち、背面基板から50%までにおける空隙率の平均値が5%〜15%の範囲であることが望ましい。
このような絶縁体層および隔壁を有するPDPとすることで、実質的に鉛成分を含まない材料によって構成されたPDPでありながら、高品質で高歩留まり生産を可能とするPDPを提供することができる。
本発明のPDPによれば、実質的に鉛成分を含まない材料によって構成されたPDPでありながら、高品質で高歩留まり生産を可能とするPDPを提供する点で有用である。
2 背面基板
7 絶縁体層
8 アドレス電極
9 隔壁
9a 隔壁上層
9b 隔壁下層
10 蛍光体層
7 絶縁体層
8 アドレス電極
9 隔壁
9a 隔壁上層
9b 隔壁下層
10 蛍光体層
Claims (3)
- 前面ガラス基板上に複数の表示電極を配置した前面板と、前記表示電極に交差するように背面ガラス基板上にアドレス電極を配置し、前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層上に隔壁を配した背面板とを、放電空間が形成されるように対向配置したプラズマディスプレイパネルであって、前記絶縁体層は鉛を含まず、前記絶縁体層の空隙率が前記隔壁の空隙率よりも大きいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
- 前記隔壁の空隙率が12%以下であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記絶縁体層の厚みのうち、前記背面ガラス基板から50%までにおける空隙率の平均値が5%〜15%の範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009102582A JP2010257576A (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009102582A JP2010257576A (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010257576A true JP2010257576A (ja) | 2010-11-11 |
Family
ID=43318307
Family Applications (1)
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JP2009102582A Pending JP2010257576A (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
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2009
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